JPH04258370A - ディップ半田付装置及びディップ半田付工法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディップ半田付の方法
及びディップ半田付装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ディップ半田付装置は、半導体を
搭載した基板を、半田付する用途が増えており、半導体
を搭載した基板に適合する性能が要求されている。以下
に従来のディップ半田付装置について説明する。

【０００３】図３は従来のディップ半田付装置の構成を
示し図４は従来のディップ半田付装置におけるディップ
部の断面を示すものである。図４において、７は１次噴
流装置であり、８は２次噴流装置である。

【０００４】以上のように構成されたディップ部につい
て、以下その動作について説明する。まず、搬送中の基
板の裏面は、１次噴流装置７により、半田を含んだ溶液
が強く吹きつけられ、１次半田付がなされる。しかるの
ち、２次噴流装置８により、半田を含む溶液がゆるやか
に噴き上げられ、表面処理として２次半田付がなされる
。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、１次噴流装置と２次噴流装置の間に、基
板裏面が浸漬されない時間と空隙があるので、半田のス
ズ成分による酸化やフラックスの活性度合の低下及び基
板の温度が低下し、２次半田付の工程において半田付性
が低下するという欠点を有していた。

【０００６】また、上記の問題とは別に、従来では半田
付工程後のフラックスの洗浄剤としてフロンが使用され
ていたが、現在のフロン廃止問題に伴い、これに対応す
るためにはフラックスの成分を変える必要がある。すな
わち、洗浄剤不使用にするには、フラックスの主成分で
ある、ロジンとハロゲン系の物質を少量にする必要があ
る。しかしながら、このようにするとフラックスの活性
度が低下し、一回のフラックス塗布程度では半田付性が
悪くなるという問題を有している。

【０００７】本発明は上記従来の問題を解決するもので
、半田の酸化を防ぎ、基板の裏面を活性化させ、基板の
温度下降をできる限り防いで、半田付性を良くし、仕上
りを改良させ、高安定品質で半田付された基板を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のディップ半田付装置は、１次噴流装置と２次
噴流装置の間に温度低下防止手段と活性助成手段のどち
らか一方若しくは両方を設けるものである。また、ディ
ップ半田付工法は、１次半田付をする第１の工程と、温
度低下を防止する工程、フラックスの活性度合を高める
工程のうち一方若しくは両方をおこなう第２の工程と、
２次半田付をおこなう第３の工程を有するものである。

【０００９】

【作用】この構成によって、１次噴流装置で１次半田付
された基板は、２次噴流装置に至る迄の空隙において、
上記構成の噴霧器、または発泡管により、フラックス及
び化学溶剤を塗布され、または、ガス噴出器によりＮ２
ガス等を吹きつけられ、基板の表面での半田の酸化防止
や、基板の表面を活性化することができる。

【００１０】また、上記構成の噴霧器や発泡管の代りに
、ガス噴出器を設置して、熱風を吹きつけることにより
、基板の表面温度の低下を防ぐことができる。

【００１１】さらに、上記構成の噴霧器や発泡管と、ガ
ス噴出装置を併用すれば温度の低下を防ぎつつ、フラッ
クス及び化学溶剤を塗布して、基板の表面を活性化し酸
化を防ぐことができる。

【００１２】

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。

【００１３】図１は、本発明の第１の実施例におけるデ
ィップ部の斜視図を示すものである。図１において、７
は１次噴流装置、８は２次噴流装置、９は噴霧器、１０
はフレーム、１１はフラックスを供給するパイプ、１２
は空気を送るパイプ、１３は廃液回収槽、１４はセンサ
、１５及び１６は電磁弁により構成されている。

【００１４】なお、図１に示した本実施例の装置は、基
本的には、図３及び図４に示した従来の装置と同じ構成
であるので、同一構成部分には同一番号を付して詳細な
説明を省略する。

【００１５】以上のように構成されたディップ部につい
て以下その動作を説明する。まず、１次噴流装置７で基
板が１次半田付される。次に基板の移動に伴いセンサ１
４で基板を感知され、メモリーに記憶され、電磁弁１５
及び１６は弁を開く。フラックスはパイプ１１を通って
電磁弁１５を経て噴霧器に至る。また、空気はパイプ１
２を通って電磁弁１６を経て噴霧器９に至る。基板の裏
面には、噴霧器９により霧状のフラックスが塗布される
。塗布後基板の移動に伴い２次噴流装置８で２次半田付
される。センサ１４で基板の感知をしなくなった時から
一定時間後に、メモリーが解除され電磁弁１５及び１６
は弁を閉じ、噴霧器９は噴霧を停止する。霧状のフラッ
クスの空中浮遊分は、その比重が大きいことから下方の
廃液回収槽１３に落下し回収される。

【００１６】以上のように本実施例によれば、噴霧器９
を１次噴流装置７と２次噴流装置８の間に設けることに
より、１度半田付された基板の裏面を清浄化し、酸化を
防ぎ、基板の裏面を活性化させ、２次半田付をおこない
やすくすることができる。

【００１７】なお本実施例では噴霧器９を１次噴流装置
７と２次噴流装置８の間に設けたが、これは、発泡管に
置き換えてもよい。

【００１８】またガス噴出装置を設けてもよく、この場
合には基板の裏面にＮ２ガスや還元ガスを噴出させれば
酸化防止に役立ち、熱風を当てれば基板温度の低下を防
ぐことができる。この熱風を当てた場合と当てない場合
の基板温度の時間変化を図２に示す。同図においてＡは
一次側半田槽の浸漬終了直前点を示し、Ｂは二次側半田
槽の浸漬開始点を示す。実線で示すように熱風を当てた
場合には基板の温度低下が起こらず、２次半田付がおこ
ないやすくなることがわかる。

【００１９】さらに噴霧器や発泡管とガス噴出器具を併
用して設ければ、裏面を活性化し裏面温度の低下も防ぐ
ことができる。

【００２０】

【発明の効果】以上のように本発明は、噴霧器または発
泡管やガス噴出器具を１次噴流装置と２次噴流装置の間
に設けることにより、ディップ半田付装置の半田付性を
良くし、基板の仕上りを改良させ、高安定品質の基板を
提供することができる優れたディップ半田付を実現でき
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例におけるディップ部の斜
視図

【図２】本発明の一実施例における温度特性曲線図

【図
３】従来のディップ半田付装置の構成図

【図４】従来の
ディップ半田付装置におけるディップ部の断面図

【符号の説明】

７　　１次噴流装置 ８　　２次噴流装置 ９　　噴霧器 １０　　フレーム １１　　パイプ １２　　パイプ １３　　廃液回収槽 １４　　センサ １５　　電磁弁 １６　　電磁弁

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】１次噴流装置と２次噴流装置の間に、温度
   低下防止手段と活性助成手段のうちの少なくとも一手段
   を設けたことを特徴とするディップ半田付装置。
2. 【請求項２】温度低下防止手段は、熱風を吹きつけるガ
   ス噴出器具、またはヒータであることを特徴とする請求
   項１記載のディップ半田付装置。
3. 【請求項３】活性助成手段は、Ｎ２ガス，還元ガスまた
   はフラックスの活性度合を高める活性ガスのいずれかの
   ガスを吹きつけるガス噴出器具，噴霧器または発泡管で
   あることを特徴とする請求項１または２記載のディップ
   半田付装置。
4. 【請求項４】１次噴流装置により半田を含む溶液を基板
   に強く吹きつける第１の工程と、ガス噴出器具またはヒ
   ータにより基板の温度低下を防止する工程またはガス噴
   出器具，噴霧器または発泡管によりフラックスの活性度
   合を高める工程のうち少なくとも１つの工程をおこなう
   第２の工程と、２次噴流装置により半田を含む溶液を基
   板にゆるやかに吹きつける第３の工程を有することを特
   徴とするディップ半田付工法。