JPH04235950A - 三重結合を有する光学活性化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学活性含フッ素アル
コールのエステルよりなる三重結合を含む新規光学活性
化合物及び液晶化合物に関する。本発明の光学活性化合
物の多くは、液晶性を示すものであり、特に、双安定状
態を示す強誘電性液晶及び全く新しい光学的三安定状態
を示す液晶化合物に関するものである。さらに、該液晶
化合物は、電界への応答を利用した表示素子や電気光学
素子に使用されるものである。

【０００２】

【従来技術】液晶を用いた電気光学装置としては、ＤＳ
Ｍ形、ＴＮ形、Ｇ−Ｈ形、ＳＴＮ形などのネマチック液
晶を用いた電気光学装置が開発され実用化されている。 しかしながら、このようなネマチック液晶を用いたもの
はいずれも応答速度が数ｍから数＋ｍｓｅｃと極めて遅
いという欠点を有するため、その応用分野に制約がある
。ネマチック液晶を用いた素子の応答速度がおそいのは
分子を動かすトルクが基本的に誘電率の異方性に基づい
ているため、その力があまり強くないためである。この
ような背景の中で、自発分極（Ｐｓ）を持ち、トルクが
Ｐｓ×Ｅ（Ｅは印化電界）に基づいているため、その力
が強く、数μｓｅｃから数十μｓｅｃの高速応答が可能
な強誘電性液晶がＭｅｙｅｒらにより開発され（ＬｅＪ
ｏｕｒｎａｌ　　ｄｅ　　Ｐｈｙｓｉｑｕｅ，３６巻，
１９７５，Ｌ−６９）され、又、特開昭６３−３０７８
３７号には、さらに新しい強誘電性液晶が開示されてお
り後述する“三状態”については本出願人の特開平１−
３１６３６７、特開平１−３１６３７２、特開平１−３
１６３３９、特開平２−２８１２８、特開平２−１３１
４５０、特開平２−１６０７４８号及び市橋等の特開平
１−２１３３９０号に開示されている。

【０００３】強誘電性液晶を用いた高速電気光学装置が
既にいくつか提案されている。代表例を挙げれば、壁面
の力でねじれ構造を解き壁面と平行となった２つの分子
配向を印加電界の極性により変化させるものである（例
えば特開昭５６−１０７２１６号参照）。

【０００４】前記のものは、図１の電界応答波形に示す
ような理想の二状態を呈する化合物の存在を前提にした
ものである。しかしながら、現実は前記の理想の二状態
を呈する化合物は発見されておらず、これまでに合成さ
れた二状態液晶の電界応答波形は図２のようになってし
まい、図１のような応答波形は得られない。図２のよう
な応答波形を示すものを例えば光のスイッチング回路に
利用しようとすると、印化電圧が（−）から（＋）側に
変化するにつれて徐々に透過率が変化する形であるため
、単純にＯＮ，ＯＦＦの印加電圧変化では充分目的を果
すことができないのが実状である。さらにこれまで合成
されている二状態液晶は無電界時のＳ＊ｃ相段階におい
て理想の分子配向状態であるモノドメイン状態をつくる
ことが難しく、ディスクリネーション（欠陥）を生じた
り、ツイストとよばれる分子配向の乱れを生ずる。その
ため大面積で前記理想の２状態配向を実現することは困
難である。さらに、閾値（輝度が所定値変化する電圧）
が低いので、ダイナミック駆動を行った場合にコントラ
ストが低下したり、視野角範囲が狭くなったりする。ま
た、これまでに合成された二状態液晶は図１のようなヒ
ステリシスを示すことができず、図２のようなヒステリ
シスしか示せないためメモリー効果がない。したがって
、液晶に安定なＳ＊ｃ相における応答を保持させるため
には、図２のυ３の電圧を印加しつづけるか、あるいは
高周波をかけつづけておかなければならず、いずれにし
てもエネルギーロスが大きい。

【０００５】結局、強誘電性液晶で得られる印加電界と
分子配向の強い結合を効果的に利用した高速液晶電気光
学装置が望まれているものの、従来の強誘電性液晶電気
光学装置では、まだ多くの問題が残されているのが実状
である。

【０００６】

【目的】そこで、本発明では、無電界で明暗コントラス
トのはっきりした安定な分子配向状態を実現し、明確な
閾値特性と図３に示したような明確なヒステリシスを出
現させ、また容易にダイナミック駆動を実現し、さらに
高速応答を可能とした三状態を利用した液晶電気光学装
置において使用できる新規液晶化合物または液晶組成物
の１構成成分としての用途を有する新規な光学活性化合
物を提供することを目的とするものである。

【０００７】本発明の目的は、光学活性含フッ素アルコ
ールのエステルよりなる三重結合を分子骨格構造に含む
新規な双安定状態を示す液晶化合物を提供する点にある
。

【０００８】本発明のもう１つの目的は、強誘電性液晶
のなかでも、従来の双安定状態相であるキラルスメクテ
ィックＣ相（Ｓ＊ｃ相）とは異なる、全く新しい三状態
を有する新規な強誘電性液晶を提供する点にある。

【０００９】前記「三状態を有する」とは第一の電極基
板と所定の間隙を隔てて配置されている第二の電極基板
の間に強誘電性液晶が挾まれてなる液晶電気光学装置に
おいて、前記第一及び第二の電極基板に電界形成用の電
圧が印加されるよう構成されており、図４Ａで示される
三角波として電圧を印加したとき、図４Ｄのように前記
強誘電性液晶が、無電界時に分子配向が第一の安定状態
（図４Ｄの（２））を有し、かつ、電界印加時に一方の
電界方向に対し分子配向が前記第一の安定状態とは異な
る第二の安定状態（図４Ｄの（１））を有し、さらに他
方の電界方向に対し前記第一及び第二の安定状態とは異
なる第三の分子配向安定状態（図４Ｄの（３））を有す
ることを意味する。なお、この三安定状態すなわち三状
態を利用する液晶電気光学装置については本出願人が出
願し、特開平２−４０６２５号、特開平２−１５３３２
２号、特開平２−１７３７２４号に公開されている。

【００１０】これに対して、「市販のネマチック液晶」
や二状態液晶は、図４Ｂ，Ｃでみられるとおり、三つの
安定状態を有していない。この新しい三状態強誘電性液
晶は従来のネマティック型液晶と較べて液晶ディスプレ
イとしたとき画期的効果を発揮する。

【００１１】従来型は、高画質を得るには駆動方式がア
クティブマトリックス方式という大変複雑な構造をとる
必要があったのに対し、三状態強誘電性液晶は単純なマ
トリックス形表示ですむ。このため従来型の場合は生産
工程が複雑となり、画面の大型化は困難であり、製造コ
ストも高いものになるのに対し、三状態強誘電性液晶の
場合は生産工程が簡単であり、画面も大型化が可能とな
り、製造コストも安価にできるという画期的なものであ
る。本発明の他の目的は、この三状態強誘電性を示す新
規な液晶を提供する点にある。

【００１２】第１の本発明は、下記の一般式（１）

【０
０１３】

【化７】

【００１４】〔式中、Ｒ１は炭素数１〜１６のアルコキ
シ基、Ｒ２は炭素数４〜１４のアルキル基、ＲｆはＣＦ
３、ＣＨ２Ｆ、ＣＨＦ２、Ｃ２Ｆ５のいずれかの基、Ｘ
はＦ、Ｂｒ、Ｃｌ、ＣＨ３、Ｈのいずれかの原子または
基、Ａは単結合または式

【００１５】

【化８】

【００１６】であり、Ｂは式

【００１７】

【化９】

【００１８】または単結合であり＊は光学活性中心を示
す。〕で表される光学活性化合物に関する。

【００１９】第２の本発明は、下記の一般式（２）

【０
０２０】

【化１０】

【００２１】〔式中、Ｒ１は炭素数１〜１６のアルコキ
シ基、Ｒ２は炭素数４〜１４のアルキル基、ＲｆはＣＦ
３、ＣＨ２Ｆ、ＣＨＦ２、Ｃ２Ｆ５のいずれかの基、Ｘ
はＦ、Ｂｒ、Ｃｌ、ＣＨ３、Ｈのいずれかの原子または
基、＊は光学活性中心を示す。〕で表される光学活性化
合物に関する。

【００２２】第３の本発明は下記の一般式（３）

【００
２３】

【化１１】

【００２４】〔式中、Ｒ１は炭素数１〜１６のアルコキ
シ基、Ｒ２は炭素数４〜１４のアルキル基、ＲｆはＣＦ
３、ＣＨ２Ｆ、ＣＨＦ２、Ｃ２Ｆ５のいずれかの基、Ｘ
はＦ、Ｂｒ、Ｃｌ、ＣＨ３、Ｈのいずれかの原子または
基、＊は光学活性中心を示す。〕で表される光学活性化
合物に関する。

【００２５】第４の本発明は、下記の一般式（４）

【０
０２６】

【化１２】

【００２７】〔式中、Ｒ１は炭素数６〜１６のアルコキ
シ基、Ｒ２は炭素数６〜１４のアルキル基、ＸはＦ、Ｂ
ｒ、Ｃｌ、ＣＨ３、Ｈのいずれかの原子または基、＊は
光学活性中心を示す。〕で表される光学的三安定状態を
示す液晶化合物に関する。

【００２８】本発明の液晶化合物は光学的三安定状態を
利用した液晶電気光学装置に利用できるほか、従来型の
光学的二安定状態に利用できる。次に、本発明の光学活
性化合物の合成方法の例を示す。光学活性な（Ｒ）−（
＋）または、（Ｓ）−（−）−トリフルオロ−２−アル
カノール（■）と４−ベンジルオキシ安息香酸クロライ
ド（■）等とをピリジン、トリエチルアミン等の塩基の
存在下、トルエン、塩化メチレン等有機溶媒と反応させ
てエステル化合物（■）を得る。このエステル化合物を
脱ベンジル反応した後、得られたフェノール化合物（■
）と４−ヨード安息香酸クロリド（■）と反応させて、
１−ヨードフェニレン−４−カルボン酸　　４−（１，
１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシカルボニル
）フェニルエステル（■）を得る。得られたフェニルエ
ステル（■）と４−アルキルオキシフェニルアセチレン
（■）とをヨウ化銅、ジグロロビス（トリフェニルスル
フォン）パラジウム（ＩＩ）の存在下で反応を行い、目
的化合物である光学活性な４−（１，１，１−トリフル
オロ−２−アルキルオキシカルボニル）フェニル　　４
〔４−（アルキルオキシ）フェニルアセチレン〕ベンゾ
エート（■）を得る。

【００２９】

【化１３】

【００３０】つぎに一般式（３）の合成法を例を挙げて
説明する。光学活性な（Ｒ）−（＋）または、（Ｓ）−
（−）−トリフルオロ−２−アルカノール（ａ）と４−
ヨード安息香酸クロリド（ｂ）をピリジン、トリエチル
アミン等の塩基の存在下、トルエン、塩化メチレン等有
機溶媒を用いて反応させて４−（１，１，１−トリフル
オロ−２−アルキルオキシカルボニル）フェニル４−ヨ
ードベンゾエート（ｃ）を得る。４−ヨードフェノール
（ｄ）と４−アルキルオキシ安息香酸クロリド（ｅ）を
同様に反応させてエステル化合物（ｆ）を得る。これと
２−プロピン−１−オール（ｇ）とをヨウ化銅、ジクロ
ロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）
の存在下で反応を行い、アルコール化合物（ｈ）を得る
。 このアルコール化合物を、水酸化カリウム、酸化マンガ
ン（ＩＶ）の存在下で反応させ、４−アセチレンフェニ
ル　　４−アルキルオキシベンゾエート（ｉ）を得る。 ４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フェニル４−ヨードベンゾエート（ｃ）と
４−アセチレンフェニル　　４−アルキルオキシベンゾ
エート（ｉ）を反応させて、４−［４−（１，１，１−
トリフルオロ−２−アルキルオキシカルボニル）フェニ
ルアセチレン］フェニル　　４−アルキルオキシベンゾ
エート（ｊ）を得る。

【００３１】

【化１４】

【００３２】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を説明するが、こ
れに限定されるものではない。 実施例１ ４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシ
カルボニル）フェニル４−〔４−（ｎ−デシルオキシ）
フェニルアセチレン〕ベンゾエート

【００３３】

【化１５】

【００３４】１）４−ｎ−デシルオキシフェニルアセチ
レン

【００３５】

【化１６】

【００３６】４−ヨード−ｎ−デシルオキシフェニレン
３．６ｇ、ヨウ化銅０．０５ｇ、ジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）０．０７ｇをト
リエチルアミン２０ｍｌに加えて撹拌しながら、２−プ
ロピオン−１−オール０．６ｇを滴下する。一昼夜室温
にて撹拌する。その後、反応液を水槽に入れ、エーテル
を加えてエーテル抽出する。希塩酸、希炭酸水素ナトリ
ウム水溶液で洗った後、無水硫酸マグネシウムにて脱水
後溶媒を減圧留去する。ｎ−ヘキサン、酢酸エチル混合
溶液に溶かし活性アルミナを通し精製する。４−（ｎ−
デシルオキシ）フェニルアセチレンメタノール１．６ｇ
を得る。次いで、これをベンゼン２０ｍｌに溶かし、酸
化マンガン（ＩＶ）１．６ｇ、水酸化カリウム０．８ｇ
を加えて一昼夜撹拌する。濾紙で濾過後、溶媒を減圧留
去する。ｎ−ヘキサンで溶解させた後、活性アルミナカ
ラムに通して精製する。目的物を１．３ｇを得る。 ２）１，１，１−トリフルオロ−２−オクチル　　４−
ベンジルオキシベンゾエート

【００３７】

【化１７】

【００３８】（Ｒ）−（＋）−１，１，１−トリフルオ
ロ−２−オクタノール３．７ｇ、トリエチルアミン１．
２ｇを塩化メチレン４０ｍｌに加えて撹拌しながら、４
−ベンジルオキシ安息香酸クロリド４．３ｇの塩化メチ
レン４０ｍｌを滴下する。さらに、ジメチルアミノピリ
ジン０．５ｇを加えて、室温にて一昼夜撹拌する。その
後、反応液を水槽に入れ中性とし、塩化メチレン層を抽
出後、無水硫酸マグネシウムにて脱水する。溶媒を減圧
留去した後、シリカゲルクロマト法により分離精製し目
的物３．５ｇを得る。 ３）１，１，１−トリフルオロ−２−オクチル　　４−
ヒドロキシベンゾエート

【００３９】

【化１８】

【００４０】上記２）で得た１，１，１−トリフルオロ
−２−オクチル　　４−ベンジルオキシベンゾエート１
．８ｇをエタノール１５ｍｌに溶解し、Ｐｄ−カーボン
０．３６ｇ加える。水素雰囲気化、室温で一昼夜撹拌す
る。Ｐｄ−カーボンを濾過除去した後、溶媒を減圧留去
し目的物１．４ｇを得る。 ４）４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル　　４−ヨードベンゾエート

【００４１】

【化１９】

【００４２】上記３）で得た１，１，１−トリフルオロ
−２−オクチル−４−ヒドロキシベンゾエート０．８ｇ
、トリエチルアミン０．３ｇを塩化メチレン１５ｍｌに
溶解した後、４−ヨード安息香酸クロリド０．８ｇを塩
化メチレン１０ｍｌに溶解した溶液を滴下し、ジメチル
アミノピリジン０．１ｇ加える。室温下一昼夜撹拌する
。反応液を水槽に入れ、希塩酸で中性にした後、塩化メ
チレン層を分離し、無水硫酸マグネシウムにて脱水する
。シリカゲルクロマト法により分離精製し目的物１．３
ｇを得る。 ５）４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル　　４−〔４−（ｎ−デシル
オキシ）フェニルアセチレン〕ベンゾエート

【００４３
】

【化２０】

【００４４】４）で得た１−ヨードフェニレン−４−カ
ルボン酸　　４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オ
クチルオキシカルボニル）フェニルエステル１．３ｇ、
ヨウ化銅０．０１ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム（ＩＩ）０．０２ｇをトリエチルア
ミン３ｍｌに入れ撹拌し、トリエチルアミン３ｍｌに１
）で得た４−デシルオキシフェニルアセチレン０．６ｇ
を溶解した溶液を滴下する。室温で一昼夜撹拌する。そ
の後、反応液を水槽に入れ、エーテルを加えてエーテル
抽出する。希塩酸、希炭酸水素ナトリウム水溶液で洗っ
た後、無水硫酸マグネシウムにて脱水後溶媒を減圧留去
する。ｎ−ヘキサン、酢酸エチル混合溶液に溶かし活性
アルミナを通した後、シリカゲルクロマト法にて精製分
離する。さらに、エタノール等の溶媒により再結晶して
精製する。目的光学活性化合物０．７７ｇを得る。本化
合物は、ホットステージ付き顕微鏡観察及びＤＳＣによ
る測定から液晶性を示し、次のような相転移温度（℃）
を示した。

【００４５】

【表１】

【００４６】本化合物の赤外吸収スペクトル図を図５に
示した。 実施例２ ３−フルオロ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−
オクチルオキシカルボニル）フェニル　　４−〔４−（
ｎ−デシルオキシ）フェニルアセチレン〕ベンゾエート
。

【００４７】

【化２１】

【００４８】実施例１の４−ベンジルオキシ安息香酸ク
ロリドの代わりに２−フルオロ−４−ベンジルオキシ安
息香酸クロリドを用いて同様の方法により合成して、目
的化合物である３−フルオロ−４−（１，１，１−トリ
フルオロ−２−オクチルオキシカルボニル）フェニル　
　４−〔４−（ｎ−デシルオキシ）フェニルアセチレン
〕ベンゾエートを得る。本化合物は、ホットステージ付
き顕微鏡観察及びＤＳＣによる測定から液晶性を示し、
次のような相転移温度（℃）を示した。

【００４９】

【表２】

【００５０】実施例３ ４−（１−メチルヘプチルオキシカルボニル）フェニル
　　４−〔４−（ｎ−デシルオキシ）フェニルアセチレ
ン〕ベンゾエート

【００５１】

【化２２】

【００５２】実施例１の（Ｒ）−（＋）−１，１，１−
トリフルオロ−２−オクタノール４−ベンジルオキシ安
息香酸クロリドの変わりに（Ｒ）−（−）−２−オクタ
ノールを用いて同様の方法により合成して、目的化合物
である４−（１−メチルヘプチルオキシカルボニル）フ
ェニル　　４−〔４−（ｎ−デシルオキシ）フェニルア
セチレン〕ベンゾエートを得る。本化合物はホットステ
ージ付き顕微鏡観察及びＤＳＣによる測定から液晶性を
示し、次のような相転移温度（℃）を示した。

【００５３】

【表３】

【００５４】実施例４〔一般式（３）の化合物〕４−〔
４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシ
カルボニル）フェニルアセチレン〕フェニル　　４−ｎ
−オクチルオキシベンゾエート

【００５５】

【化２３】

【００５６】１）　　４−ヨードフェニル　　４−ｎ−
オクチルオキシベンゾエート

【００５７】

【化２４】

【００５８】４−ヨードフェノール　　０．８ｇ、トリ
エチルアミン　　０．４ｇを塩化メチレン１０ｍｌに加
えて撹拌しながら、４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸ク
ロリド１．１ｇの塩化メチレン溶液１０ｍｌを滴下する
。さらにジメチルアミノピリジン０．２ｇ加えて、室温
にて一昼夜撹拌する。その後、反応液を水層に入れ中性
とし、塩化メチレン層を抽出後、無水硫酸マグネシウム
にて脱水する。溶媒を減圧留去した後、シリカゲルクロ
マト法により分離精製し目的物１．６ｇを得る。 ２）　　４−アセチレンフェニル　　４−ｎ−オクチル
オキシベンゾエート

【００５９】

【化２５】 上記１）で得た４−ヨードフェニル　　４−ｎ−オクチ
ルオキシベンゾエート１．６ｇ、ヨウ化銅０．０２ｇ、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（
ＩＩ）０．０３ｇをトリエチルアミン２０ｍｌに加えて
撹拌しながら、２−プロピン−１−オール０．２ｇを滴
下する。一昼夜室温にて撹拌する。その後、反応液を水
層に入れ、エーテルを加えてエーテル抽出する。希塩酸
、希炭酸水素ナトリウム水溶液で洗った後、無水硫酸マ
グネシウムにて脱水後溶媒を減圧留去する。ｎ−ヘキサ
ン、酢酸エチル混合溶媒に溶かし活性アルミナを通し精
製する。 ４−（アセチレンメタノール）フェニル　　４−ｎ−オ
クチルオキシベンゾエート０．５ｇを得る。次いで、こ
れをベンゼン１０ｍｌに溶かし、酸化マンガン（ＩＶ）
０．４ｇ、水酸化カリウム０．２ｇを加えて一昼夜撹拌
する。濾紙で濾過後、溶媒を減圧留去する。ｎ−ヘキサ
ンで溶解させた後、活性アルミナカラムに通して精製す
る。目的物０．１４ｇを得る。 ３）　　４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチ
ルオキシカルボニル）フェニル　　４−ヨードベンゾエ
ート

【００６０】

【化２６】

【００６１】（Ｒ）−（＋）−１，１，１−トリフルオ
ロ−２−オクタノール　　３．７ｇ、トリエチルアミン
　　１．３ｇを塩化メチレン４０ｍｌに加えて撹拌しな
がら、４−ヨード安息香酸クロリド３．６ｇの塩化メチ
レン４０ｍｌを滴下する。さらに、ジメチルアミノピリ
ジン０．５ｇを加えて、室温にて一昼夜撹拌する。その
後、反応液を水層に入れ中性とし、塩化メチレン層を抽
出後、無水硫酸マグネシウムにて脱水する。溶媒を減圧
留去した後、シリカゲルクロマト法により分離精製し目
的物４．８を得る。 ４）　　４−〔４−１，１，１−トリフルオロ−２−オ
クチルオキシカルボニル）フェニルアセチレン〕フェニ
ル　　４−ｎ−オクチルオキシベンゾエート

【００６２】

【化２７】

【００６３】３）で得た４−（１，１，１−トリフルオ
ロ−２−オクチルオキシカルボニル）フェニル　　４−
ヨードベンゾエート０．１７ｇ、ヨウ化銅０．０１ｇ、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（
ＩＩ）０．０１ｇをトリエチルアミン３ｍｌに入れ撹拌
し、トリエチルアミン３ｍｌに２）で得た４−アセチレ
ンフェニル　　４−ｎ−オクチルオキシベンゾエート０
．１４ｇを溶解した溶液を滴下する。室温で一昼夜撹拌
する。その後、反応液を水層に入れ、エーテルを加えて
エーテル抽出する。希塩酸、希炭酸水素ナトリウム水溶
液で洗った後、無水硫酸マグネシウムにて脱水後溶媒を
減圧留去する。ｎ−ヘキサン、酢酸エチル混合溶液に溶
かし活性アルミナを通した後、シリカゲルクロマト法に
て精製分離する。さらに、エタノール等の溶媒により再
結晶して精製する。目的光学活性化合物０．１２ｇを得
る。本化合物は、ホットステージ付き顕微鏡観察及びＤ
ＳＣによる測定から液晶性を示し、次のような相転移温
度（℃）を示した。

【００６４】

【表４】

【００６５】実施例５ ラビング処理したポリイミド配向膜をＩＴＯ電極基板上
に有するセル厚２μｍの液晶セルに、実施例１で得られ
た液晶化合物を等方相において充填し、液晶薄膜セルを
作製した。このセルを２枚の偏向板を直交させたフォト
マルチプライヤー付き偏向顕微鏡に、無電圧印加時の分
子長軸方向と偏向子が２２．５°の角度をなす状態に配
置した。この液晶セル０．１〜１．０℃／ｍｉｎ．の温
度勾配にてＳ＊ｃ（３）相まで徐冷した。さらに冷却し
てゆき、８０℃〜８３℃の温度範囲において、±３０ｖ
、１０ＨＺの三角波電圧（ａ）を印加した場合を第６図
に示した。印加電圧がマイナス域での暗状態、０ボルト
域での中間状態、プラス域での明状態と光透過率が三つ
の状態に変化（ｂ）し、また、暗状態から明状態に変化
するときに、分極反転電流のピークが二つある（ｃ）こ
とより三つの安定な液晶分子の配向状態があることを確
認した。他の実施例の化合物においても同一の効果が観
測された。

【００６６】

【発明の効果】１．本発明の光学活性化合物において、
強誘電性液晶相を示すものは、単体または他の液晶化合
物との混合で液晶表示素子等へ利用可能である。また、
液晶性の低いもの、及び液晶性を示さないものでも、他
の液晶化合物と共に混合して液晶組成物を構成する成分
として有用な化合物である。 ２．さらに、本発明の光学活性化合物のうちでＳ＊ｃ（
３）相を示すものは三状態を利用した電気光学装置、表
示デバイス、スイッチング素子等の用途を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】現実には得られていない理想の二状態液晶のヒ
ステリシスを示す。

【図２】現実にこれまでに合成された二状態液晶のヒス
テリシスを示す。

【図３】本発明にかかる三状態液晶のヒステリシスをそ
れぞれ示すものであり、図１〜３はいずれも、横軸は印
加電圧を、縦軸は透過率（％）を示す。

【図４】Ａが印加される三角波を、Ｂが市販ネマチック
液晶の、Ｃは二状態液晶の、Ｄは三状態液晶の、それぞ
れの光学応答特性を示す。

【図５】本発明実施例１の液晶化合物の赤外線吸収スペ
クトルを示す。

【図６】本発明実施例１の三状態スイッチングを示した
もので図中ａは液晶電気光学素子に印化した三角波電圧
を、図中ｃは分局反転電流を、そして図中ｂは図中ａの
三角波電圧に対する光透過率の変化を示したものである
。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　下記の一般式（１） 【化１】 〔式中、Ｒ１は炭素数１〜１６のアルコキシ基、Ｒ２は
   炭素数４〜１４のアルキル基、ＲｆはＣＦ３、ＣＨ２Ｆ
   、ＣＨＦ２、Ｃ２Ｆ５のいずれかの基、ＸはＦ、Ｂｒ、
   Ｃｌ、ＣＨ３、Ｈのいずれかの原子または基、Ａは単結
   合または式 【化２】 であり、Ｂは式 【化３】 または単結合であり＊は光学活性中心を示す。〕で表さ
   れる光学活性化合物。
2. 【請求項２】　　下記の一般式（２） 【化４】 〔式中、Ｒ１は炭素数１〜１６のアルコキシ基、Ｒ２は
   炭素数４〜１４のアルキル基、ＲｆはＣＦ３、ＣＨ２Ｆ
   、ＣＨＦ２、Ｃ２Ｆ５のいずれかの基、ＸはＦ、Ｂｒ、
   Ｃｌ、ＣＨ３、Ｈのいずれかの原子または基、＊は光学
   活性中心を示す。〕で表される光学活性化合物。
3. 【請求項３】　　下記の一般式（３） 【化５】 〔式中、Ｒ１は炭素数１〜１６のアルコキシ基、Ｒ２は
   炭素数４〜１４のアルキル基、ＲｆはＣＦ３、ＣＨ２Ｆ
   、ＣＨＦ２、Ｃ２Ｆ５のいずれかの基、ＸはＦ、Ｂｒ、
   Ｃｌ、ＣＨ３、Ｈのいずれかの原子または基、＊は光学
   活性中心を示す。〕で表される光学活性化合物【請求項
   ４】　　下記の一般式（４） 【化６】 〔式中、Ｒ１は炭素数６〜１６のアルコキシ基、Ｒ２は
   炭素数６〜１４のアルキル基、ＸはＦ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｃ
   Ｈ３、Ｈのいずれかの原子または基、＊は光学活性中心
   を示す。〕で表される光学的三安定状態を示す液晶化合
   物。