JPH04230120A - 差動eclバス3状態検出受信機 - Google Patents
差動eclバス3状態検出受信機Info
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- JPH04230120A JPH04230120A JP3142754A JP14275491A JPH04230120A JP H04230120 A JPH04230120 A JP H04230120A JP 3142754 A JP3142754 A JP 3142754A JP 14275491 A JP14275491 A JP 14275491A JP H04230120 A JPH04230120 A JP H04230120A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 101100225047 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) ecl3 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/2893—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
- H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
- H03K5/2409—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using bipolar transistors
- H03K5/2418—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using bipolar transistors with at least one differential stage
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ライン受信機に関する
。さらに詳しくは、差動ECL3状態検出受信機に関す
る。
。さらに詳しくは、差動ECL3状態検出受信機に関す
る。
【0002】
【従来の技術】差動励振器と受信機とは、数多くの用途
に利用されている。通常、差動励振器の出力は、バスを
介して差動受信機の入力に結合されている。典型的な差
動受信機は、差動結合された1組のトランジスタから構
成されており、そのエミッタは互いに結合され、一方の
トランジスタのベースが差動受信機の非反転入力に結合
され、もう一方のトランジスタのベースは差動受信機の
反転入力に結合されている。さらに、一方のトランジス
タのコレクタが第1抵抗器を介して電圧電位に結合され
、もう一方のトランジスタのコレクタは第2抵抗器を介
して電圧電位に結合されている。差動励振器が3状態モ
ードに入ると、通常は、反転出力および非反転出力の両
方が所定のレベルまで引き下げられ、それによって差動
受信機の反転入力および非反転入力において低論理とな
る。しかし、差動受信機の両入力において低論理になる
と、差動受信機の発振が起こり、差動受信機の出力は未
知の論理状態になる。
に利用されている。通常、差動励振器の出力は、バスを
介して差動受信機の入力に結合されている。典型的な差
動受信機は、差動結合された1組のトランジスタから構
成されており、そのエミッタは互いに結合され、一方の
トランジスタのベースが差動受信機の非反転入力に結合
され、もう一方のトランジスタのベースは差動受信機の
反転入力に結合されている。さらに、一方のトランジス
タのコレクタが第1抵抗器を介して電圧電位に結合され
、もう一方のトランジスタのコレクタは第2抵抗器を介
して電圧電位に結合されている。差動励振器が3状態モ
ードに入ると、通常は、反転出力および非反転出力の両
方が所定のレベルまで引き下げられ、それによって差動
受信機の反転入力および非反転入力において低論理とな
る。しかし、差動受信機の両入力において低論理になる
と、差動受信機の発振が起こり、差動受信機の出力は未
知の論理状態になる。
【0003】差動受信機の入力が3状態モードにあると
きに発振するのを防ぐための従来技術の試みとして、差
動受信機の一方の入力と直列に配置された抵抗器を用い
てオフセット電圧を供給し、差動受信機の両入力が低論
理のときに、発振を起こさないようにする方法が試みら
れた。抵抗器内の電圧降下により、両方の差動入力が同
じ電圧レベルにないためにこれが実現される。しかし、
この試みでは、雑音余裕が最小になり、差動受信機の相
補出力信号の対称性が歪んでしまう。
きに発振するのを防ぐための従来技術の試みとして、差
動受信機の一方の入力と直列に配置された抵抗器を用い
てオフセット電圧を供給し、差動受信機の両入力が低論
理のときに、発振を起こさないようにする方法が試みら
れた。抵抗器内の電圧降下により、両方の差動入力が同
じ電圧レベルにないためにこれが実現される。しかし、
この試みでは、雑音余裕が最小になり、差動受信機の相
補出力信号の対称性が歪んでしまう。
【0004】入力が3状態モードにあるときに差動受信
機の発振を防ぐための従来技術におけるもうひとつの試
みとして、差動受信機の差動結合されたトランジスタの
うちの一方をまたいで結合される第3トランジスタを設
けて、第3トランジスタのコレクタおよびエミッタを差
動受信機の差動結合されたトランジスタの一方のコレク
タおよびエミッタにそれぞれ結合することが行われた。 さらに、第3トランジスタのベースを一定の所定電圧に
保ち、差動受信機の両入力が低論理(3状態モード)に
ある時に、第3トランジスタがアクティブとなり、差動
受信機の出力を強制的に既知の論理状態にして、それに
よって発振を防いでいる。しかし、この方法では第3ト
ランジスタのベースにおける一定電圧により、差動受信
機の入力において許容される変動が低減されるので、雑
音余裕が小さくなる。
機の発振を防ぐための従来技術におけるもうひとつの試
みとして、差動受信機の差動結合されたトランジスタの
うちの一方をまたいで結合される第3トランジスタを設
けて、第3トランジスタのコレクタおよびエミッタを差
動受信機の差動結合されたトランジスタの一方のコレク
タおよびエミッタにそれぞれ結合することが行われた。 さらに、第3トランジスタのベースを一定の所定電圧に
保ち、差動受信機の両入力が低論理(3状態モード)に
ある時に、第3トランジスタがアクティブとなり、差動
受信機の出力を強制的に既知の論理状態にして、それに
よって発振を防いでいる。しかし、この方法では第3ト
ランジスタのベースにおける一定電圧により、差動受信
機の入力において許容される変動が低減されるので、雑
音余裕が小さくなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】故に、入力が3状態モ
ードにあることを検出し、出力を既知の論理状態にする
ことにより差動受信機回路の発振を防くことができ、し
かも通常モード範囲を犠牲にすることなく最大の雑音余
裕を達成することのできる差動受信機回路が必要となる
。
ードにあることを検出し、出力を既知の論理状態にする
ことにより差動受信機回路の発振を防くことができ、し
かも通常モード範囲を犠牲にすることなく最大の雑音余
裕を達成することのできる差動受信機回路が必要となる
。
【0006】従って、本発明の目的は改良された差動受
信機回路を提供することである。
信機回路を提供することである。
【0007】本発明の他の目的は、入力が3状態モード
にあることを検出して、その出力を強制的に既知の論理
状態にする差動受信機回路を提供することである。
にあることを検出して、その出力を強制的に既知の論理
状態にする差動受信機回路を提供することである。
【0008】本発明のさらに他の目的は、両入力が所定
の電圧レベルにあることを検出し、かつ最大の雑音余裕
を有する差動受信機回路を提供することである。
の電圧レベルにあることを検出し、かつ最大の雑音余裕
を有する差動受信機回路を提供することである。
【0009】本発明のさらに他の目的は、入力が3状態
モードにあることを検出し、しかも通常モード範囲を犠
牲にしない差動受信機回路を提供することである。
モードにあることを検出し、しかも通常モード範囲を犠
牲にしない差動受信機回路を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の上記およびその
他の目的を達成するにあたり、第1および第2入力と第
1および第2出力とを有し、第1および第2入力に応答
し、対応する出力論理信号を第1および第2出力におい
て与える差動受信機回路と;第1および第2入力に応答
し、第1および第2入力が通常モードにあるときは差動
受信機回路に第1所定電圧を供給し、かつ第1および第
2入力が3状態モードにあるときは差動受信機回路に第
2所定電圧を供給する出力を有し、差動受信機を強制的
に既知の論理レベルにすることにより、差動受信機回路
の発振を防ぐ検出回路とから成る回路が提供される。
他の目的を達成するにあたり、第1および第2入力と第
1および第2出力とを有し、第1および第2入力に応答
し、対応する出力論理信号を第1および第2出力におい
て与える差動受信機回路と;第1および第2入力に応答
し、第1および第2入力が通常モードにあるときは差動
受信機回路に第1所定電圧を供給し、かつ第1および第
2入力が3状態モードにあるときは差動受信機回路に第
2所定電圧を供給する出力を有し、差動受信機を強制的
に既知の論理レベルにすることにより、差動受信機回路
の発振を防ぐ検出回路とから成る回路が提供される。
【0011】
【実施例】図1に示すのは、本発明の好適な実施例10
を示す詳細な配線図であり、入力端子14および16に
それぞれ結合されている第1および第2入力と、出力端
子18および20にそれぞれ結合されている第1および
第2出力とを有する差動受信機12から構成される。さ
らに好適な実施例10は、入力端子14,16にそれぞ
れ結合されている第1および第2入力と、差動受信機1
2に結合されている出力とを有する3状態検出回路22
から構成される。
を示す詳細な配線図であり、入力端子14および16に
それぞれ結合されている第1および第2入力と、出力端
子18および20にそれぞれ結合されている第1および
第2出力とを有する差動受信機12から構成される。さ
らに好適な実施例10は、入力端子14,16にそれぞ
れ結合されている第1および第2入力と、差動受信機1
2に結合されている出力とを有する3状態検出回路22
から構成される。
【0012】差動受信機12には、差動受信機12の第
2出力に結合され、かつ抵抗器25を介して動作電位V
CCに結合されたコレクタを有するトランジスタ24が
含まれる。トランジスタ24のベースは差動受信機12
の第1入力に結合され、トランジスタ24のエミッタは
トランジスタ26,28のエミッタに結合され、かつ電
流源30を介して動作電位VEEに結合される。トラン
ジスタ26のベースは、3状態検出回路22の出力に結
合され、トランジスタ28のベースは、差動受信機12
の第2入力に結合される。トランジスタ26のコレクタ
は、トランジスタ28のコレクタと差動受信機12の第
1出力とに結合され、かつ抵抗器32を介して動作電位
VCCに結合される。
2出力に結合され、かつ抵抗器25を介して動作電位V
CCに結合されたコレクタを有するトランジスタ24が
含まれる。トランジスタ24のベースは差動受信機12
の第1入力に結合され、トランジスタ24のエミッタは
トランジスタ26,28のエミッタに結合され、かつ電
流源30を介して動作電位VEEに結合される。トラン
ジスタ26のベースは、3状態検出回路22の出力に結
合され、トランジスタ28のベースは、差動受信機12
の第2入力に結合される。トランジスタ26のコレクタ
は、トランジスタ28のコレクタと差動受信機12の第
1出力とに結合され、かつ抵抗器32を介して動作電位
VCCに結合される。
【0013】3状態検出回路22には、トランジスタ3
6のコレクタとトランジスタ38のベースとに結合され
、かつ抵抗器40を介して動作電位VCCに結合される
コレクタを有するトランジスタ34が含まれる。トラン
ジスタ34のベースは、3状態検出回路22の第1入力
に結合され、トランジスタ36のベースは、3状態検出
回路22の第2入力に結合される。トランジスタ34の
エミッタは、トランジスタ36,42のエミッタに結合
され、かつ電流源44を介して動作電位VEEに結合さ
れる。トランジスタ38,42のコレクタは、両方とも
動作電位VCCに結合される。トランジスタ42のベー
スは、抵抗器46を介してトランジスタ38のエミッタ
に結合され、かつ3状態検出回路22の出力に結合され
、かつ電流源48を介して動作電位VEEに結合される
。
6のコレクタとトランジスタ38のベースとに結合され
、かつ抵抗器40を介して動作電位VCCに結合される
コレクタを有するトランジスタ34が含まれる。トラン
ジスタ34のベースは、3状態検出回路22の第1入力
に結合され、トランジスタ36のベースは、3状態検出
回路22の第2入力に結合される。トランジスタ34の
エミッタは、トランジスタ36,42のエミッタに結合
され、かつ電流源44を介して動作電位VEEに結合さ
れる。トランジスタ38,42のコレクタは、両方とも
動作電位VCCに結合される。トランジスタ42のベー
スは、抵抗器46を介してトランジスタ38のエミッタ
に結合され、かつ3状態検出回路22の出力に結合され
、かつ電流源48を介して動作電位VEEに結合される
。
【0014】通常モードの動作においては、一般に差動
信号が入力端子14,16に印加される場合、非反転入
力信号が入力端子14に印加され、反転入力信号が入力
端子16に印加される。さらに、差動出力信号が出力端
子18,20に供給される場合、非反転出力信号が出力
端子18に現れ、反転出力信号が出力端子20に現れる
。入力端子14,16において非反転信号と反転信号を
逆にすると、出力端子18,20における非反転出力信
号と反転出力信号とはそれに応じて逆になるが、差動受
信機12の内部動作には影響がないことが当業者には理
解される。入力端子14に高論理が印加されると、トラ
ンジスタ34は動作状態となり、入力端子16に高論理
が印加されるとトランジスタ36が動作状態となる。 ここで注目すべき重要な点は、通常の動作において、入
力端子14,16に印加された入力は通常モードにある
、すなわち、どちらか一方の入力が高論理であると、も
う一方の入力は低論理であり、トランジスタ34,36
のいずれか一方が動作状態になると、もう一方は非動作
状態になるということである。このことから、3状態検
出回路22の出力(トランジスタ42のベース)におけ
る第1所定電圧が導かれるが、これは次式により求めら
れる。
信号が入力端子14,16に印加される場合、非反転入
力信号が入力端子14に印加され、反転入力信号が入力
端子16に印加される。さらに、差動出力信号が出力端
子18,20に供給される場合、非反転出力信号が出力
端子18に現れ、反転出力信号が出力端子20に現れる
。入力端子14,16において非反転信号と反転信号を
逆にすると、出力端子18,20における非反転出力信
号と反転出力信号とはそれに応じて逆になるが、差動受
信機12の内部動作には影響がないことが当業者には理
解される。入力端子14に高論理が印加されると、トラ
ンジスタ34は動作状態となり、入力端子16に高論理
が印加されるとトランジスタ36が動作状態となる。 ここで注目すべき重要な点は、通常の動作において、入
力端子14,16に印加された入力は通常モードにある
、すなわち、どちらか一方の入力が高論理であると、も
う一方の入力は低論理であり、トランジスタ34,36
のいずれか一方が動作状態になると、もう一方は非動作
状態になるということである。このことから、3状態検
出回路22の出力(トランジスタ42のベース)におけ
る第1所定電圧が導かれるが、これは次式により求めら
れる。
【0015】
VOUT=VCC−(R40×I44)−VBE(
TRAN38)−(R46×I48)
(1)ただし、VCCは電圧電位;R40 は抵抗器4
0の抵抗値;I44は電流源44により供給される電流
値;VBE(TRAN38)はトランジスタ38のベー
ス−エミッタ接合の両端の電圧降下;R46は抵抗器4
6の抵抗値;およびI48 は電流源48により供給さ
れる電流値である。
TRAN38)−(R46×I48)
(1)ただし、VCCは電圧電位;R40 は抵抗器4
0の抵抗値;I44は電流源44により供給される電流
値;VBE(TRAN38)はトランジスタ38のベー
ス−エミッタ接合の両端の電圧降下;R46は抵抗器4
6の抵抗値;およびI48 は電流源48により供給さ
れる電流値である。
【0016】式(1)により求められる3状態検出回路
22の第1所定電圧の選択は、高論理がトランジスタ3
4または36のベースに現れたときに、トランジスタ4
2のベース電圧がトランジスタ34または36のベース
における高論理電圧レベルよりも実質的に小さくなり、
それによってトランジスタ42が非動作状態になるよう
に行われる。そのため、通常モードでは、トランジスタ
42は非動作状態になる。また、この電圧は差動受信機
12のトランジスタ26のベースにも印加されて、通常
モードにおいては、トランジスタ26は非動作状態とな
る。さらに、差動受信機12は、トランジスタ24のベ
ースが高論理であり、トランジスタ28の対応するベー
スが低論理である場合、出力端子18が高論理となり、
出力端子20が低論理となるように動作する。これは当
技術において周知である。また、トランジスタ24のベ
ースが低論理であり、トランジスタ28の対応するベー
スが高論理である場合、出力端子18は低論理となり出
力端子20は高論理となるが、これも当技術では周知で
ある。それゆえ、通常モードまたは非3状態モードにお
いては、トランジスタ26は非動作状態であり、差動受
信機12は上述のように機能する。
22の第1所定電圧の選択は、高論理がトランジスタ3
4または36のベースに現れたときに、トランジスタ4
2のベース電圧がトランジスタ34または36のベース
における高論理電圧レベルよりも実質的に小さくなり、
それによってトランジスタ42が非動作状態になるよう
に行われる。そのため、通常モードでは、トランジスタ
42は非動作状態になる。また、この電圧は差動受信機
12のトランジスタ26のベースにも印加されて、通常
モードにおいては、トランジスタ26は非動作状態とな
る。さらに、差動受信機12は、トランジスタ24のベ
ースが高論理であり、トランジスタ28の対応するベー
スが低論理である場合、出力端子18が高論理となり、
出力端子20が低論理となるように動作する。これは当
技術において周知である。また、トランジスタ24のベ
ースが低論理であり、トランジスタ28の対応するベー
スが高論理である場合、出力端子18は低論理となり出
力端子20は高論理となるが、これも当技術では周知で
ある。それゆえ、通常モードまたは非3状態モードにお
いては、トランジスタ26は非動作状態であり、差動受
信機12は上述のように機能する。
【0017】一方、3状態モードでは、両入力端子14
,16は所定の電圧レベルまで引き下げられ、トランジ
スタ34,36のベース電圧はトランジスタ42のベー
スにおける第1所定電圧よりも低くなる。そのため、ト
ランジスタ42は動作状態になり、トランジスタ34,
36は両方とも非動作状態となる。それにより、トラン
ジスタ38のベース電圧は動作電位VCCまで引き上げ
られる。これは抵抗器40を通る電流が実質的にゼロに
なるためである。それゆえ、第2所定電圧が3状態検出
回路22の出力に現れるが、これは次式により求められ
る。
,16は所定の電圧レベルまで引き下げられ、トランジ
スタ34,36のベース電圧はトランジスタ42のベー
スにおける第1所定電圧よりも低くなる。そのため、ト
ランジスタ42は動作状態になり、トランジスタ34,
36は両方とも非動作状態となる。それにより、トラン
ジスタ38のベース電圧は動作電位VCCまで引き上げ
られる。これは抵抗器40を通る電流が実質的にゼロに
なるためである。それゆえ、第2所定電圧が3状態検出
回路22の出力に現れるが、これは次式により求められ
る。
【0018】
VOUT = VCC−VBE(TRAN38)−
(R46×I48)
(2)ただし、式(2)のすべての項は、
式(1)で定義されたものである。
(R46×I48)
(2)ただし、式(2)のすべての項は、
式(1)で定義されたものである。
【0019】式(2)で求められる検出回路22のこの
第2所定出力電圧は、トランジスタ26のベースに印加
され、それによりそのベース電圧を引き上げる。トラン
ジスタ26のベース電圧を、3状態モードにおいてトラ
ンジスタ24,28のベースに印加される電圧を越える
ように選択された第2所定電圧まで引き上げることによ
り、トランジスタ26は動作状態となり、差動受信機1
2の第1および第2出力は強制的に既知の論理状態にな
る。すなわち、電流は抵抗器32内とトランジスタ26
内とを流れるので、差動受信機12の第1出力は、強制
的に低論理状態となる。さらに、実質的にゼロの電流が
トランジスタ24内と抵抗器25内とを流れるので、差
動受信機12の第2出力は強制的に高論理となる。その
ため、差動受信機12の出力は強制的に既知の論理状態
となり、差動受信機12の発振は軽減される。
第2所定出力電圧は、トランジスタ26のベースに印加
され、それによりそのベース電圧を引き上げる。トラン
ジスタ26のベース電圧を、3状態モードにおいてトラ
ンジスタ24,28のベースに印加される電圧を越える
ように選択された第2所定電圧まで引き上げることによ
り、トランジスタ26は動作状態となり、差動受信機1
2の第1および第2出力は強制的に既知の論理状態にな
る。すなわち、電流は抵抗器32内とトランジスタ26
内とを流れるので、差動受信機12の第1出力は、強制
的に低論理状態となる。さらに、実質的にゼロの電流が
トランジスタ24内と抵抗器25内とを流れるので、差
動受信機12の第2出力は強制的に高論理となる。その
ため、差動受信機12の出力は強制的に既知の論理状態
となり、差動受信機12の発振は軽減される。
【0020】トランジスタ26のベース電圧は広範な所
定電圧まで引き上げることができるので、差動受信機1
2の雑音余裕は実質的に大きくなる点に注目されたい。 さらに、トランジスタ26のベース電圧が差動受信機1
2の論理振幅の中点よりも高くなると、差動受信機12
の雑音余裕は、シングル・エンド型動作の場合の雑音余
裕よりも向上する。ただし雑音余裕とは、ゲート(差動
受信機12)が状態を変化させる最大外部電圧として定
義する。
定電圧まで引き上げることができるので、差動受信機1
2の雑音余裕は実質的に大きくなる点に注目されたい。 さらに、トランジスタ26のベース電圧が差動受信機1
2の論理振幅の中点よりも高くなると、差動受信機12
の雑音余裕は、シングル・エンド型動作の場合の雑音余
裕よりも向上する。ただし雑音余裕とは、ゲート(差動
受信機12)が状態を変化させる最大外部電圧として定
義する。
【0021】一例として、式(1)のVOUT が通常
−1.8ボルト、式(2)のVOUTが−1.2ボルト
のECL技術を考える。このとき通常モードでは、トラ
ンジスタ26のベース電圧は−1.8ボルトであり、差
動受信機12は通常の上述した方法で動作する。しかし
、3状態モードが起こると、入力端子14,16に印加
された両入力は、ECL技術ではカットオフになるか、
−2ボルトになる。すなわち、トランジスタ42がアク
ティブとなり、トランジスタ34,36がノンアクティ
ブとなることにより、トランジスタ26のベース電圧は
、約−1.2ボルトまで引き上げられる。トランジスタ
26のベース電圧がこのように増加することにより、ト
ランジスタ26はアクティブとなり、前述のように差動
受信機12の出力を強制的に既知の出力論理状態にする
。さらに、トランジスタ26のベース電圧の増加により
、差動受信機12の雑音余裕が増加し、このとき差動受
信機12に対する第1および第2入力における論理レベ
ルの電圧変動を、差動受信機12の第1および第2出力
の論理状態を変更することなく、実質的に大きくするこ
とができる。さらに、VOUTが3状態モードにおいて
−1.2ボルトを越えると、差動受信機12の雑音余裕
はシングル・エンド型ECL受信機の雑音余裕よりも向
上する。
−1.8ボルト、式(2)のVOUTが−1.2ボルト
のECL技術を考える。このとき通常モードでは、トラ
ンジスタ26のベース電圧は−1.8ボルトであり、差
動受信機12は通常の上述した方法で動作する。しかし
、3状態モードが起こると、入力端子14,16に印加
された両入力は、ECL技術ではカットオフになるか、
−2ボルトになる。すなわち、トランジスタ42がアク
ティブとなり、トランジスタ34,36がノンアクティ
ブとなることにより、トランジスタ26のベース電圧は
、約−1.2ボルトまで引き上げられる。トランジスタ
26のベース電圧がこのように増加することにより、ト
ランジスタ26はアクティブとなり、前述のように差動
受信機12の出力を強制的に既知の出力論理状態にする
。さらに、トランジスタ26のベース電圧の増加により
、差動受信機12の雑音余裕が増加し、このとき差動受
信機12に対する第1および第2入力における論理レベ
ルの電圧変動を、差動受信機12の第1および第2出力
の論理状態を変更することなく、実質的に大きくするこ
とができる。さらに、VOUTが3状態モードにおいて
−1.2ボルトを越えると、差動受信機12の雑音余裕
はシングル・エンド型ECL受信機の雑音余裕よりも向
上する。
【0022】図2には、本発明の別の好適な実施例の詳
細な配線図を示す。図1の部品と同様な部品は同一の参
照番号によって示されている。図2の回路には、さらに
トランジスタ38のベースとトランジスタ34のコレク
タとの間に結合されている抵抗器50が含まれる。また
トランジスタ52は、動作電位VCCに結合されたコレ
クタと,トランジスタ34,36のコレクタに結合され
たベースと、電流源54を介して動作電位VEEに結合
されかつ3状態検出回路22の出力に結合されたエミッ
タとを有する。図2の3状態検出回路22は、トランジ
スタ42のベースに結合された出力を有する図1の3状
態検出回路22とは逆に、トランジスタ52のエミッタ
に結合された出力を有する。
細な配線図を示す。図1の部品と同様な部品は同一の参
照番号によって示されている。図2の回路には、さらに
トランジスタ38のベースとトランジスタ34のコレク
タとの間に結合されている抵抗器50が含まれる。また
トランジスタ52は、動作電位VCCに結合されたコレ
クタと,トランジスタ34,36のコレクタに結合され
たベースと、電流源54を介して動作電位VEEに結合
されかつ3状態検出回路22の出力に結合されたエミッ
タとを有する。図2の3状態検出回路22は、トランジ
スタ42のベースに結合された出力を有する図1の3状
態検出回路22とは逆に、トランジスタ52のエミッタ
に結合された出力を有する。
【0023】通常モードの動作では、差動信号が入力端
子14,16に供給される場合、通常は非反転信号が入
力端子14に印加され、反転信号が入力端子16に印加
される。さらに、差動出力信号が出力端子18,20か
ら出力されるが、このとき非反転出力信号は出力端子1
8に、反転出力信号は出力端子20に現れる。入力端子
14に高論理が印加されると、トランジスタ34は動作
状態となり、入力端子36に高論理が印加されるとトラ
ンジスタ36が動作状態となる。注目すべき重要な点は
、通常モード動作において、入力端子14,16に印加
された入力は通常モードにある、すなわち、どちらか一
方の入力が高論理であると、もう一方の入力は低論理で
あり、トランジスタ34または36のいずれか一方が動
作状態となり、もう一方は非動作状態になるということ
である。図1の回路の第1所定電圧と同様に、第3所定
電圧がトランジスタ42のベースに供給されるが、これ
は次式により求めることができる。
子14,16に供給される場合、通常は非反転信号が入
力端子14に印加され、反転信号が入力端子16に印加
される。さらに、差動出力信号が出力端子18,20か
ら出力されるが、このとき非反転出力信号は出力端子1
8に、反転出力信号は出力端子20に現れる。入力端子
14に高論理が印加されると、トランジスタ34は動作
状態となり、入力端子36に高論理が印加されるとトラ
ンジスタ36が動作状態となる。注目すべき重要な点は
、通常モード動作において、入力端子14,16に印加
された入力は通常モードにある、すなわち、どちらか一
方の入力が高論理であると、もう一方の入力は低論理で
あり、トランジスタ34または36のいずれか一方が動
作状態となり、もう一方は非動作状態になるということ
である。図1の回路の第1所定電圧と同様に、第3所定
電圧がトランジスタ42のベースに供給されるが、これ
は次式により求めることができる。
【0024】
VBASE of TRAN42 =VCC−(R
40×I44)−VBE(TRAN38)−(R46×
I48)(3) ただし、VCCは電圧電位;R40は抵抗器40の抵抗
値;I44は電流源44により供給される電流値;VB
E(TRA38)はトランジスタ38のベース−エミッ
タ接合の両端の電圧降下;R46は抵抗器46の抵抗値
;およびI48は電流源48により供給される電流値で
ある。第1所定電圧と同様に、トランジスタ42のベー
スにおけるこの第3所定電圧の選択は、トランジスタ3
4または36のベースに高論理が現れた場合に、トラン
ジスタ42が非動作状態になるように行われる。そのた
め、通常モードでは、トランジスタ42は非動作状態に
ある。
40×I44)−VBE(TRAN38)−(R46×
I48)(3) ただし、VCCは電圧電位;R40は抵抗器40の抵抗
値;I44は電流源44により供給される電流値;VB
E(TRA38)はトランジスタ38のベース−エミッ
タ接合の両端の電圧降下;R46は抵抗器46の抵抗値
;およびI48は電流源48により供給される電流値で
ある。第1所定電圧と同様に、トランジスタ42のベー
スにおけるこの第3所定電圧の選択は、トランジスタ3
4または36のベースに高論理が現れた場合に、トラン
ジスタ42が非動作状態になるように行われる。そのた
め、通常モードでは、トランジスタ42は非動作状態に
ある。
【0025】さらに、抵抗器50により、抵抗器40の
単一の抵抗器による電圧降下と比較して、動作電位VC
Cに対して新たな電圧降下が生じ、トランジスタ52の
エミッタにおける電圧、すなわち3状態検出回路22の
出力における電圧は第4所定電圧に維持される。この第
4所定電圧は次式により求められる。
単一の抵抗器による電圧降下と比較して、動作電位VC
Cに対して新たな電圧降下が生じ、トランジスタ52の
エミッタにおける電圧、すなわち3状態検出回路22の
出力における電圧は第4所定電圧に維持される。この第
4所定電圧は次式により求められる。
【0026】
VOUT = VCC − [(R40+R50)
×I44] − VBE(TRAN52)
(4)ただし、VCCは電圧電位;R40は抵抗器
40の抵抗値;R50は抵抗器50の抵抗値;I44は
電流源44により供給される電流値;およびVBE(T
RAN52)はトランジスタ52のベース−エミッタ接
合の両端の電圧降下;この第4所定電圧は、差動受信機
12のトランジスタ26のベースに印加され、図1の回
路のトランジスタ26のベースに印加される第1所定電
圧よりも一般に小さい。そのため、図2の回路では、図
1の回路よりも通常モード範囲が広くなるが、これは、
抵抗器50の両端にかかる追加の電圧のために、入力端
子14,16における電圧レベルの変動の余裕が大きく
なり、しかも強制的に差動受信機12の状態を切り換え
ないからである。一例として、式(3)のVBASE
of TRAN42を−1.8ボルトとし、式(4)の
VOUTを−2ボルトとする。これはECL技術におい
ては典型的な値である。これにより、図2の回路の特徴
の1つとして、トランジスタ26のベース電圧をさらに
低い電位に維持することにより通常モード範囲が図1の
回路よりも広くなる。さらに、ECL技術の例について
は、トランジスタ26のベース電圧が−1.8ボルトか
ら−2ボルトに下がると、通常モード範囲は約200ミ
リボルト増加する。
×I44] − VBE(TRAN52)
(4)ただし、VCCは電圧電位;R40は抵抗器
40の抵抗値;R50は抵抗器50の抵抗値;I44は
電流源44により供給される電流値;およびVBE(T
RAN52)はトランジスタ52のベース−エミッタ接
合の両端の電圧降下;この第4所定電圧は、差動受信機
12のトランジスタ26のベースに印加され、図1の回
路のトランジスタ26のベースに印加される第1所定電
圧よりも一般に小さい。そのため、図2の回路では、図
1の回路よりも通常モード範囲が広くなるが、これは、
抵抗器50の両端にかかる追加の電圧のために、入力端
子14,16における電圧レベルの変動の余裕が大きく
なり、しかも強制的に差動受信機12の状態を切り換え
ないからである。一例として、式(3)のVBASE
of TRAN42を−1.8ボルトとし、式(4)の
VOUTを−2ボルトとする。これはECL技術におい
ては典型的な値である。これにより、図2の回路の特徴
の1つとして、トランジスタ26のベース電圧をさらに
低い電位に維持することにより通常モード範囲が図1の
回路よりも広くなる。さらに、ECL技術の例について
は、トランジスタ26のベース電圧が−1.8ボルトか
ら−2ボルトに下がると、通常モード範囲は約200ミ
リボルト増加する。
【0027】さらに、通常モードで動作している入力1
4,16については、差動受信機12は、図1の回路の
差動受信機12と同様の上記の方法で動作する。すなわ
ち、トランジスタ24のベースが高論理であり、トラン
ジスタ28の対応するベースが低論理であるとき、出力
端子18は高論理となり、出力端子20は低論理となる
。また、トランジスタ24のベースが低論理であり、ト
ランジスタ28の対応するベースが高論理であるときは
、出力端子18は低論理となり出力端子20が高論理と
なる。それゆえ、通常モードまたは非3状態モードでは
、トランジスタ26は非動作状態になり、差動受信機1
2は上述のように機能する。
4,16については、差動受信機12は、図1の回路の
差動受信機12と同様の上記の方法で動作する。すなわ
ち、トランジスタ24のベースが高論理であり、トラン
ジスタ28の対応するベースが低論理であるとき、出力
端子18は高論理となり、出力端子20は低論理となる
。また、トランジスタ24のベースが低論理であり、ト
ランジスタ28の対応するベースが高論理であるときは
、出力端子18は低論理となり出力端子20が高論理と
なる。それゆえ、通常モードまたは非3状態モードでは
、トランジスタ26は非動作状態になり、差動受信機1
2は上述のように機能する。
【0028】一方、3状態モードでは、入力端子14,
16は両方とも所定の電圧レベルまで引き下げられて、
トランジスタ34,36のベース電圧はトランジスタ4
2のベース電圧よりも低くなる。そのため、トランジス
タ42は動作状態となり、トランジスタ34,36は両
方とも非動作状態となり、それによってトランジスタ3
8,52のベース電圧を動作電位VCCまで引き上げる
。 これは抵抗器40,50内を流れる電流が実質的にゼロ
になるためである。その結果、3状態検出回路22の出
力(トランジスタ52のエミッタ)において第5所定電
圧が与えられ、この電圧は、次式により求めることがで
きる。
16は両方とも所定の電圧レベルまで引き下げられて、
トランジスタ34,36のベース電圧はトランジスタ4
2のベース電圧よりも低くなる。そのため、トランジス
タ42は動作状態となり、トランジスタ34,36は両
方とも非動作状態となり、それによってトランジスタ3
8,52のベース電圧を動作電位VCCまで引き上げる
。 これは抵抗器40,50内を流れる電流が実質的にゼロ
になるためである。その結果、3状態検出回路22の出
力(トランジスタ52のエミッタ)において第5所定電
圧が与えられ、この電圧は、次式により求めることがで
きる。
【0029】
VOUT=VCC−VBE(TRAN 52)
(5)ただし、式(5)のすべての
項は、式(4)で定義されたものと同じである。
(5)ただし、式(5)のすべての
項は、式(4)で定義されたものと同じである。
【0030】式(5)で求められるこの新たな第5所定
電圧はトランジスタ26のベースに印加され、それによ
ってそのベース電圧を引き上げる。このため、トランジ
スタ26のベース電圧をトランジスタ24,28のベー
スに印加される電圧よりも高い所定電圧まで引き上げる
ことにより、トランジスタ26は動作状態となり、差動
受信機12の第1および第2出力は強制的に既知の論理
状態となる。つまり、差動受信機12の第1出力は強制
的に低論理となり、差動受信機12の第2出力は強制的
に高論理となるが、これは図1の回路の場合と同様であ
る。
電圧はトランジスタ26のベースに印加され、それによ
ってそのベース電圧を引き上げる。このため、トランジ
スタ26のベース電圧をトランジスタ24,28のベー
スに印加される電圧よりも高い所定電圧まで引き上げる
ことにより、トランジスタ26は動作状態となり、差動
受信機12の第1および第2出力は強制的に既知の論理
状態となる。つまり、差動受信機12の第1出力は強制
的に低論理となり、差動受信機12の第2出力は強制的
に高論理となるが、これは図1の回路の場合と同様であ
る。
【0031】トランジスタ42のベース電圧が、トラン
ジスタ26のベース電圧よりも実質的に大きな値に維持
されるということが重要である。これによって、3状態
検出回路22が入力端子14,16の3状態モードを検
出し、トランジスタ24,28のベースが3状態モード
によって設定される所定の電圧レベルに達さないうちに
、3状態検出回路22がトランジスタ26のベース電圧
を大きくするように振舞うことができる。そのため、ト
ランジスタ24,28の第1および第2入力がカットオ
フにならないうちに、トランジスタ26が動作状態とな
り、差動受信機12の発振が軽減される。
ジスタ26のベース電圧よりも実質的に大きな値に維持
されるということが重要である。これによって、3状態
検出回路22が入力端子14,16の3状態モードを検
出し、トランジスタ24,28のベースが3状態モード
によって設定される所定の電圧レベルに達さないうちに
、3状態検出回路22がトランジスタ26のベース電圧
を大きくするように振舞うことができる。そのため、ト
ランジスタ24,28の第1および第2入力がカットオ
フにならないうちに、トランジスタ26が動作状態とな
り、差動受信機12の発振が軽減される。
【0032】ECL技術の例では、入力端子14,16
の電圧レベルが−1.8ボルトよりも下がると、トラン
ジスタ34,36が非動作状態となり、トランジスタ4
2が動作状態となる。そのためトランジスタ52のベー
スは動作電位VCCまで引き上げられ、これに対応して
、トランジスタ24,28のベース電圧が−2ボルトま
で下がらないうちに、トランジスタ26のベース電圧が
約−1.2ボルトの第5所定電圧まで引き上げられる。 これによって、差動受信機12は発振を起こすことはな
くなり、そのため3状態モードの検出がより迅速になる
。 トランジスタ26のベース電圧は約−1.2ボルトまで
引き上げることができるが、これによってシングル・エ
ンド型動作よりも広い通常モード範囲を得ることができ
る点に注目されたい。
の電圧レベルが−1.8ボルトよりも下がると、トラン
ジスタ34,36が非動作状態となり、トランジスタ4
2が動作状態となる。そのためトランジスタ52のベー
スは動作電位VCCまで引き上げられ、これに対応して
、トランジスタ24,28のベース電圧が−2ボルトま
で下がらないうちに、トランジスタ26のベース電圧が
約−1.2ボルトの第5所定電圧まで引き上げられる。 これによって、差動受信機12は発振を起こすことはな
くなり、そのため3状態モードの検出がより迅速になる
。 トランジスタ26のベース電圧は約−1.2ボルトまで
引き上げることができるが、これによってシングル・エ
ンド型動作よりも広い通常モード範囲を得ることができ
る点に注目されたい。
【0033】上記の説明により、3状態モードを検出し
て、出力を強制的に既知の論理状態にすることにより、
差動受信機の発振を防ぐことができ、しかも通常モード
範囲を犠牲にすることなく雑音余裕を最大にすることの
できる新規な差動受信機回路が提供されたことは明かで
ある。
て、出力を強制的に既知の論理状態にすることにより、
差動受信機の発振を防ぐことができ、しかも通常モード
範囲を犠牲にすることなく雑音余裕を最大にすることの
できる新規な差動受信機回路が提供されたことは明かで
ある。
【図1】本発明の好適な実施例を示す詳細な配線図であ
る。
る。
【図2】本発明の変形の実施例を示す詳細な配線図であ
る。
る。
10 差動バス3状態検出受信機回路12 差動受
信機 14,16 入力端子 18,20 出力端子 22 3状態検出回路 24,26,28,34,36,38,42 トラン
ジスタ 25,32,40,46 抵抗器 30,44,48 電流源 VEE,VCC 動作電位
信機 14,16 入力端子 18,20 出力端子 22 3状態検出回路 24,26,28,34,36,38,42 トラン
ジスタ 25,32,40,46 抵抗器 30,44,48 電流源 VEE,VCC 動作電位
Claims (5)
- 【請求項1】 第1入力(14)および第2入力(1
6)と第1出力(18)および第2出力(20)とを有
する差動バス3状態検出受信機回路(10)であって:
第1および第2入力に印加された第1および第2入力信
号に応答して、対応する出力論理信号を第1および第2
出力に供給する差動受信機(12);および前記第1お
よび第2入力信号に応答して、第1および第2入力信号
が通常の動作モードであるときは第1所定電圧を前記差
動受信機に供給し、かつ第1および第2入力信号が3状
態モードであるときは第2所定電圧を前記差動受信機手
段に供給する出力を有する検出手段(22)であって、
前記差動受信機の前記対応する出力論理信号を強制的に
既知の論理レベルにすることにより、前記差動受信機手
段の発振を防ぐ検出手段(22);によって構成される
ことを特徴とする差動バス3状態検出受信機回路。 - 【請求項2】 前記検出手段が:コレクタ,ベースお
よびエミッタを有する第1トランジスタ(34)であっ
て、該コレクタが第1電源電圧端子に結合され、該ベー
スが第1入力に結合されている第1トランジスタ(34
);コレクタ,ベースおよびエミッタを有する第2トラ
ンジスタ(36)であって、該コレクタが前記第1トラ
ンジスタの前記コレクタに結合され、該ベースが第2入
力に結合され、該エミッタが前記第1トランジスタの前
記エミッタに結合されている第2トランジスタ(36)
;コレクタ,ベースおよびエミッタを有する第3トラン
ジスタ(42)であって、該コレクタが前記第1電源電
圧端子に結合され、該ベースが前記検出手段の前記出力
に結合され、該エミッタが前記第2トランジスタの前記
エミッタに結合されている第3トランジスタ(42);
コレクタ,ベースおよびエミッタを有する第4トランジ
スタ(38)であって、該コレクタが前記第1電源電圧
端子に結合され、該ベースが前記第1トランジスタの前
記コレクタに結合され、該エミッタが前記第3トランジ
スタの前記ベースに結合されている第4トランジスタ(
38);前記第1電源電圧端子と前記第1トランジスタ
の前記コレクタとの間に結合されている第1抵抗器(4
0);前記第4トランジスタの前記エミッタと前記第3
トランジスタの前記ベースとの間に結合されている第2
抵抗器(46);前記第1,第2および第3トランジス
タの前記エミッタと第2電源電圧端子との間に結合され
ている第1電流源(44);および前記第3トランジス
タの前記ベースと前記第2電源電圧端子との間に結合さ
れている第2電流源(48);によって構成されること
を特徴とする請求項1の差動バス3状態検出受信機回路
。 - 【請求項3】 前記検出手段が:コレクタ,ベースお
よびエミッタを有する第1トランジスタ(34)であっ
て、該コレクタが第1電源電圧端子に結合され、該ベー
スが第1入力に結合されている第1トランジスタ(34
);コレクタ,ベースおよびエミッタを有する第2トラ
ンジスタ(36)であって、該コレクタが第1トランジ
スタの前記コレクタに結合され、該ベースが第2入力に
結合され、該エミッタが前記第1トランジスタの前記エ
ミッタに結合されている第2トランジスタ(36);コ
レクタ,ベースおよびエミッタを有する第3トランジス
タ(42)であって、該コレクタが第1電源電圧端子に
結合され、該エミッタが前記第2トランジスタの前記エ
ミッタに結合されている第3トランジスタ(42);コ
レクタ,ベースおよびエミッタを有する第4トランジス
タ(38)であって、該コレクタが前記第1電源電圧端
子に結合され、該ベースが前記第1トランジスタの前記
コレクタに結合され、該エミッタが前記第3トランジス
タの前記ベースに結合されている第4トランジスタ(3
8);コレクタ,ベースおよびエミッタを有する第5ト
ランジスタ(52)であって、該コレクタが前記第1電
源電圧端子に結合され、該ベースが前記第1トランジス
タの前記コレクタに結合され、該エミッタが前記検出手
段の前記出力に結合されている第5トランジスタ(52
);前記第1電源電圧端子と前記第4トランジスタの前
記ベースとの間に結合されている第1抵抗器(40);
前記第4トランジスタの前記ベースと前記第1トランジ
スタの前記コレクタとの間に結合されている第2抵抗器
(50);前記第4トランジスタの前記エミッタと前記
第3トランジスタの前記ベースとの間に結合されている
第3抵抗器(46);前記第1,第2および第3トラン
ジスタの前記エミッタと第2電源電圧端子との間に結合
されている第1電流源(44);前記第3トランジスタ
のベースと前記第2電源電圧端子との間に結合されてい
る第2電流源(48);および前記第5トランジスタの
前記エミッタと前記第2電源電圧端子との間に結合され
ている第3電流源(54);によって構成されることを
特徴とする請求項1の差動バス3状態検出受信機回路。 - 【請求項4】 第1入力(14)および第2入力(1
6)に印加された第1および第2入力信号に応答して、
対応する出力論理信号を第1出力(18)および第2出
力(20)に供給する改良された差動受信機回路であっ
て:第1および第2入力信号に応答して、第1および第
2入力信号が通常の動作モードであるときは第1所定電
圧を差動受信機回路に供給し、かつ第1および第2入力
信号が3状態モードであるときは、第2所定電圧を差動
受信機回路に供給する出力を有する3状態検出回路(2
2)であって、差動受信機回路の前記対応する出力論理
信号を強制的に所定の外部論理レベルにすることにより
、差動受信機回路の発振を防止する3状態検出回路(2
2)から成ることを特徴とする改良された差動受信機回
路。 - 【請求項5】 第1入力(14)および第2入力(1
6)と第1出力(18)および第2出力(20)とを有
する差動バス3状態検出受信機であって:コレクタ,ベ
ースおよびエミッタを有する第1トランジスタ(24)
であって、該コレクタが第1電源電圧端子と第2出力と
に結合され、該ベースが第1入力に結合されている第1
トランジスタ(24);コレクタ,ベースおよびエミッ
タを有する第2トランジスタ(28)であって、該コレ
クタが前記第1電源電圧端子と第1出力とに結合され、
該ベースが第2入力に結合され、該エミッタが前記第1
トランジスタの前記エミッタに結合されている第2トラ
ンジスタ(28);コレクタ,ベースおよびエミッタを
有する第3トランジスタ(26)であって、該コレクタ
が前記第2トランジスタの前記コレクタに結合され、該
エミッタが前記第2トランジスタの前記エミッタに結合
されている第3トランジスタ(26);コレクタ,ベー
スおよびエミッタを有する第4トランジスタ(34)で
あって、該コレクタが第2電源電圧端子に結合され、該
ベースが第1入力に結合されている第4トランジスタ(
34);コレクタ,ベースおよびエミッタを有する第5
トランジスタ(36)であって、該コレクタが前記第4
トランジスタの前記コレクタに結合され、該ベースが第
2入力に結合され、該エミッタが前記第4トランジスタ
の前記エミッタに結合されている第5トランジスタ(3
6);コレクタ,ベースおよびエミッタを有する第6ト
ランジスタ(42)であって、該コレクタが前記第2電
源電圧端子に結合され、該ベースが前記第3トランジス
タの前記ベースに結合され、該エミッタが前記第5トラ
ンジスタの前記エミッタに結合されている第6トランジ
スタ(42);コレクタ,ベースおよびエミッタを有す
る第7トランジスタ(38)であって、該コレクタが前
記第2電源電圧端子に結合され、該ベースが前記第4ト
ランジスタの前記コレクタに結合され、該エミッタが前
記第6トランジスタの前記ベースに結合されている第7
トランジスタ(38);前記第1電源電圧端子と前記第
1トランジスタの前記コレクタとの間に結合されている
第1抵抗器(25);前記第1電源電圧端子と前記第2
トランジスタの前記コレクタとの間に結合されている第
2抵抗器(32);前記第2電源電圧端子と前記第4ト
ランジスタの前記コレクタとの間に結合されている第3
抵抗器(40);前記第7トランジスタの前記エミッタ
と前記第6トランジスタの前記ベースとの間に結合され
ている第4抵抗器(46);前記第1,第2および第3
トランジスタの前記エミッタと第3電源電圧端子との間
に結合されている第1電流源(30);前記第4,第5
および第6トランジスタの前記エミッタと第4電源電圧
端子との間に結合されている第2電流源(44);およ
び前記第6トランジスタの前記ベースと第5電源電圧端
子との間に結合されている第3電流源(48);によっ
て構成されることを特徴とする差動バス3状態検出受信
機回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US526267 | 1990-05-21 | ||
US07/526,267 US4980581A (en) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Differential ECL bus tri-state detection receiver |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04230120A true JPH04230120A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=24096621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3142754A Pending JPH04230120A (ja) | 1990-05-21 | 1991-05-20 | 差動eclバス3状態検出受信機 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4980581A (ja) |
JP (1) | JPH04230120A (ja) |
KR (1) | KR910021027A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007243671A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Kddi Corp | 論理プログラマブルデバイス保護回路 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5489868A (en) * | 1994-10-04 | 1996-02-06 | Analog Devices, Inc. | Detector cell for logarithmic amplifiers |
TW463484B (en) * | 1999-02-25 | 2001-11-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Communication bus system |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH639521B (fr) * | 1980-05-28 | Ebauches Electroniques Sa | Circuit detecteur de niveau de tension. | |
JPS58209226A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Fujitsu Ltd | セツト回路 |
JPS5912661A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Fujitsu Ltd | 閾値可変型差動信号レシ−バ |
-
1990
- 1990-05-21 US US07/526,267 patent/US4980581A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-17 KR KR1019910008031A patent/KR910021027A/ko not_active Application Discontinuation
- 1991-05-20 JP JP3142754A patent/JPH04230120A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007243671A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Kddi Corp | 論理プログラマブルデバイス保護回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910021027A (ko) | 1991-12-20 |
US4980581A (en) | 1990-12-25 |
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