JPH04221901A - シリコン基板またはゲルマニウム基板用反射防止膜 - Google Patents
シリコン基板またはゲルマニウム基板用反射防止膜Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
マニウム基板用の反射防止膜に関する。
る吸収が少なく、赤外線カメラ、赤外線検知器あるいは
測定器等に利用される。中赤外域の光は可視光域の光に
比べて、透過材料の種類が少なく、それらの機器に使用
されるレンズ等の光学素子としては、通常シリコンある
いはゲルマニウムを基板とするものが使用される。とこ
ろが、シリコンあるいはゲルマニウムは屈折率が高いた
め、基板表面の反射率が高く(シリコン:約30%、ゲ
ルマニウム:約36%)、透過率が低いという問題があ
る。従って、透過率の向上を達成するため、及び、レン
ズ系のゴーストあるいはフレアを防ぐため反射防止膜を
形成することは不可欠となる。
接して硫化亜鉛(ZnS)の層を形成する構成の反射防
止膜が知られている(例えば、特開昭64−15703
号公報、特開平2−135401号公報、特公平2−1
1121号公報あるいは特公平2−13761号公報等
が知られている)。
、膜剥離が生じる等、耐久性に欠ける問題がある。
中赤外光用の光学部品の基板として使用されるシリコン
またはゲルマニウム基板上に反射防止特性および耐久性
に優れた反射防止膜を提供することを目的とする。上記
目的は、従来シリコンまたはゲルマニウム基板上に反射
防止膜を形成するにあたって、基板に接してZnS層を
形成していたことに代えて、二酸化ケイ素(SiO2)
の層を形成することにより達成される。
SiO2)を基板に接する層として含む多層膜からなる
シリコン基板またはゲルマニウム基板用反射防止膜に関
する。シリコンまたはゲルマニウム基板上に設けた二酸
化ケイ素膜を有する反射防止膜は、光学的特性に優れ、
かつ耐久性に優れている。
形成される第N層に使用されるSiO2は、中赤外領域
の光をわずかではあるが吸収するので、反射防止膜の構
成材料として、従来適用されたことはなかった。しかし
、後述するようにSiO2膜は非常に薄い膜厚であり、
その吸収による光学的特性が受ける悪影響は無視できる
ほどに小さい。SiO2膜はシリコンまたはゲルマニウ
ム基板との接着性、また隣接するGe膜との接着性に優
れており、耐久性向上の目的達成に寄与する効果の方が
大きい。
。本発明においては空気側から第1層、第2層、・・・
・・第N層が形成され、第N層がシリコン基板またはゲ
ルマニウム基板に接して形成される。第1層はフッ化物
、第2層は硫化亜鉛(ZnS)層、第3層がゲルマニウ
ム(Ge)層、以後ZnS層とGeの層が交互に形成さ
れ、第(N−1)層にGe層、第N層が二酸化ケイ素(
SiO2)膜からなる。本発明の反射防止膜は、引っ張
り応力をもつ材料(フッ化物、Ge)と圧縮応力を有す
る材料(ZnS)とが交互に積層されているので、相互
に応力が緩和され、かつ相互に接着性に優れているので
、膜割れが生じにくい。 一般に、反射防止膜は、屈
折率に差のある物質を積層した構造とし、膜厚、屈折率
等を調整することにより反射防止効果が得られるもので
あり、何層構成とすることも可能であるが、あまり多く
の層を積層すると膜厚が厚くなりすぎ、透過率が低下す
るのみならず、積層膜が割れやすくなる。特に、反射防
止膜の膜厚が、中赤外域の波長に依存して決定されるの
で、この傾向が強くなる。このような観点から、シリコ
ンまたはゲルマニウム基板上に形成する反射防止膜は4
層構成とすることが最も好ましい。
に挙げさらに詳しく説明する。第1層はフッ化物から構
成され、屈折率(n1)として1.25〜1.60を有
するものを使用する。このようなフッ化物としてはYF
3、MgF2、AlF3、LiF2、BaF2、CaF
2、LaF3、NaF、Na3AlF6(クリオライト
)等を挙げることができる。第2層は、第1層の下に構
成され、第1層のフッ化物の屈折率より小さい屈折率を
有するZnSからなる。第3層は、第2層の下に構成さ
れ、第2層のZnSの屈折率より大きい屈折率を有する
Geからなる。第4層は、第3層の下に構成され、第3
層のGeの屈折率より小さい屈折率を有するSiO2か
らなる。 第1層〜第4層は蒸着法、スパッタリング、CVD法等
で形成することができ、形成条件(例えば真空度、加熱
温度等)により、各層の屈折率を調整することができる
。
板を用いる場合、 第1層目 n1d1=(0.21〜0.27)λ(λ
:設計主波長、以下同じ) 第2層目 n2d2=(0.12〜0.29)λ第3
層目 n3d3=(0.02〜0.10)λ第4層目
n4d4=(0.02〜0.04)λ、ゲルマニウ
ム基板を用いる場合、各層は光学的膜厚が、第1層目
n1d1=(0.19〜0.26)λ第2層目 n
2d2=(0.13〜0.28)λ第3層目 n3d
3=(0.02〜0.11)λ第4層目 n4d4=
(0.02〜0.03)λの範囲内になるように形成す
る。
しても、希望する反射防止効果が得られない。第1層を
屈折率(n1)が1.35以上のフッ化物で構成する場
合、第1層は、その光学的膜厚を約0.25λとし、第
2層、第3層および第4層の光学的膜厚を合計で約0.
25λとなるように形成することが好ましい。第1層を
屈折率(n1)が1.45以下のフッ化物で構成する場
合、第1層および第2層の光学的膜厚を約0.25λ、
第3層および第4層は、その合計の光学的膜厚が約0.
10λとなるように形成することが好ましい。さらに具
体的に実施例を挙げて本発明を説明する。
8(実施例1〜4、比較例1〜4)に示した膜構成の反
射防止膜を形成した。さらに、表9〜表17(実施例5
〜13)に、第2層〜第4層は実施例1〜4の膜構成と
同じにし、第1層の膜厚、屈折率を種々変えた演算によ
るシュミレート結果を示した。そして、表中には第1層
に示した屈折率を呈することのできるフッ化物を例示し
た。実施例および比較例の反射率特性を図2〜図18に
示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
材料 屈
折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ──
─────────────────────────
───── 入射媒質 空気
1.00 第1層 YF3
1.50 0.205
第2層 ZnS 2.25
0.160 第3層
Ge 4.30
0.046 第4層 SiO2
1.45 0.030 ──
─────────────────────────
────− 基板 Si
3.43 ─────────────────
───────────────反射特性は図2に示し
た。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
──────− 入射媒質 空気
1.00 第1層
MgF2 1.35 0.2
30 第2層 ZnS 2.
25 0.188 第3層
Ge 4.30
0.021 第4層 SiO2
1.45 0.030
─────────────────────────
──────−− 基板 Si
3.43 ──────────────
──────────────────反射特性は図3
に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 YF
3 1.50 0.19
8 第2層 ZnS 2.2
5 0.150 第3層
Ge 4.30
0.067 第4層 SiO2
1.45 0.030 ─
─────────────────────────
─────−− 基板 Ge
4.03 ───────────────
─────────────────反射特性は図4に
示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────────────────────
────────−
材料 屈折率(n) 光学的膜厚(n
d/λ0) ──────────────────
────────────── 入射媒質
空気 1.00 第1層
MgF2 1.35
0.230 第2層 ZnS
2.25 0.180
第3層 Ge 4.30
0.045 第4層
SiO2 1.45 0
.030 ───────────────────
──────────── 基板
Ge 4.03 ──────────
──────────────────────反射特
性は図5に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 YF
3 1.50 0.22
9 第2層 ZnS 2.2
5 0.112 第3層
Ge 4.30
0.030 第4層 Z
nS 2.25 0.
093 ────────────────────
───────────−− 基板
Si 3.43 ─────────
───────────────────────反射
特性は図6に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 Mg
F2 1.50 1.3
5 第2層 ZnS 2.2
5 0.276 第3層
Ge 4.30
0.072 第4層 Z
nS 2.25 0.
049 ────────────────────
───────────−− 基板
Si 3.43 ─────────
───────────────────────反射
特性は図7に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 YF3
1.50 0.20
8 第2層 ZnS 2.25
0.151 第3層
Ge 4.30
0.058 第4層 ZnS
2.25 0.063
───────────────────────
────────−− 基板 G
e 4.03 ────────────
────────────────────反射特性は
図8に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 MgF
2 1.35 0.230
第2層 ZnS 2.25
0.170 第3層
Ge 4.30
0.032 第4層 ZnS
2.25 0.065
────────────────────────
───────−− 基板 Ge
4.03 ─────────────
───────────────────反射特性は図
9に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層
1.25 0.
260 第2層 ZnS 2.
25 0.280 第3層
Ge 4.30
0.086 第4層 S
iO2 1.45 0.0
30 ─────────────────────
──────────−− 基板
Si 3.43 ──────────
──────────────────────反射特
性は図10に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 AlF
3 1.30 0.268
第2層 ZnS 2.25
0.290 第3層
Ge 4.30
0.094 第4層 SiO2
1.45 0.030
────────────────────────
───────−− 基板 Si
3.43 ─────────────
───────────────────反射特性は図
11に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 CaF
2 1.40 0.247
第2層 ZnS 2.25
0.280 第3層
Ge 4.30
0.080 第4層 SiO2
1.45 0.027
────────────────────────
───────−− 基板 Si
3.43 ─────────────
───────────────────反射特性は図
12に示した。
.8μm、入射角(θ)=00 ─────────
──────────────────────−−材
料 屈折率(n) 光学的膜厚(nd
/λ0)─────────────────────
───────────入射媒質 空気
1.00第1層 BaF2
1.45 0.242第2層
ZnS 2.25
0.277第3層 Ge
4.30 0.07
5第4層 SiO2 1.45
0.028──────────────
─────────────────−−基板
Si 3.43───────────
─────────────────────反射特性
は図13に示した。
.8μm、入射角(θ)=00 ─────────
──────────────────────−−材
料 屈折率(n) 光学的膜厚(nd
/λ0)─────────────────────
───────────入射媒質 空気
1.00第1層 LaF3
1.60 0.217第2層
ZnS 2.25
0.120第3層 Ge
4.30 0.054第4層
SiO2 1.45
0.036────────────────────
───────────−−基板
Si 3.43─────────────────
───────────────反射特性は図14に示
した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層
1.25 0.
251 第2層 ZnS 2.
25 0.273 第3層
Ge 4.30
0.106 第4層 S
iO2 1.45 0.0
27 ─────────────────────
──────────−− 基板
Ge 4.03 ──────────
──────────────────────反射特
性は図15に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 MgF
3 1.35 0.230
第2層 ZnS 2.25
0.250 第3層
Ge 4.30
0.100 第4層 SiO2
1.45 0.022
────────────────────────
───────−− 基板 Ge
4.03 ─────────────
───────────────────反射特性は図
16に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
− 材料
屈折率(n) 光学的膜厚(nd/λ0) ─
─────────────────────────
────── 入射媒質 空気
1.00 第1層 CaF
2 1.40 0.245
第2層 ZnS 2.25
0.265 第3層
Ge 4.30
0.099 第4層 SiO2
1.45 0.025
────────────────────────
───────−− 基板 Ge
4.03 ─────────────
───────────────────反射特性は図
17に示した。
=3.8μm、入射角(θ)=00 ───────
────────────────────────−
材料 屈折率(
n) 光学的膜厚(nd/λ0) ──────
─────────────────────────
─ 入射媒質 空気 1.00
第1層 LaF2 1.60
0.200
第2層 ZnS 2.25
0.133
第3層 Ge 4.30
0.081
第4層 SiO2 1.45
0.030 ────
─────────────────────────
──− 基板 Ge 4.
03
────────────────
────────────────反射特性は図18に
示した。
性テストとして、テープ剥離テストおよび有機溶剤テス
トを行った。 テープ剥離テスト 作製した反射防止膜を薄膜面上にテープを接着させ
た後、テープを表面から垂直に剥がす操作を5回繰り返
した。 有機溶剤テスト アルコールを浸した布で2kg重の力をかけて40
回擦った。以上の結果を表18に示した。
剥離が生じたが、実施例の反射防止膜は剥離等が生じな
かった。また環境試験(700C、80%、24時間放
置)、熱サイクル試験(−200C〜+850C)にお
いても、全く異常は認められなかった。
する層として二酸化ケイ素からなる層を有する反射防止
膜とすることにより、光学的特性に優れかつ耐久性にも
優れた中赤外域の光学部品用反射防止膜を形成すること
ができる。
形成された反射防止膜の膜構成を示す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 二酸化ケイ素(SiO2)を基板に接
する層として含む多層膜からなるシリコン基板またはゲ
ルマニウム基板用反射防止膜。 - 【請求項2】 シリコン基板またはゲルマニウム基板
用反射防止膜において、該反射防止膜が空気側から基板
に向かって第1層、第2層、第3層および第4層からな
り、第1層がフッ化物、第2層が硫化亜鉛(ZnS)、
第3層がゲルマニウム(Ge)、第4層が二酸化ケイ素
(SiO2)から形成され、かつ第1層の屈折率(n1
)が、1.25〜1.60であることを特徴とするシリ
コン基板またはゲルマニウム基板用反射防止膜。
Priority Applications (2)
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