JP2003177205A - 赤外域用反射防止膜 - Google Patents
赤外域用反射防止膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 赤外線の波長３〜５μｍと８〜１２μｍの両
方の帯域に反射防止特性を有する反射防止膜を得る。 【構成】 ＺｎＳからなる基板上に形成される赤外域用
光学膜において、前記基板からの第１層目がＳｉまたは
Ｇｅ、第２層目がＺｎＳ、第３層目がＳｉまたはＧｅ、
第４層目がＺｎＳ、第５層目がＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｈｆ
Ｏ2、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2から選ばれる金属酸化物、
第６層目がＹＦ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライオラ
イト（Ｎａ3ＡｌＦ6）から選ばれる金属フッ化物である
ことにより、波長３〜５μｍと８〜１２μｍの両方の帯
域に反射防止特性を有する反射防止膜を提供できる。
方の帯域に反射防止特性を有する反射防止膜を得る。 【構成】 ＺｎＳからなる基板上に形成される赤外域用
光学膜において、前記基板からの第１層目がＳｉまたは
Ｇｅ、第２層目がＺｎＳ、第３層目がＳｉまたはＧｅ、
第４層目がＺｎＳ、第５層目がＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｈｆ
Ｏ2、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2から選ばれる金属酸化物、
第６層目がＹＦ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライオラ
イト（Ｎａ3ＡｌＦ6）から選ばれる金属フッ化物である
ことにより、波長３〜５μｍと８〜１２μｍの両方の帯
域に反射防止特性を有する反射防止膜を提供できる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外域での光学膜に関
するものである。 【０００２】 【従来の技術】最近の航空機、ミサイル、船舶、戦車な
どの防衛装備品に備えられる赤外線探知機や赤外線カメ
ラは高性能化の一途を辿っている。たとえば、探知装置
の広帯域化や複数の帯域を探知するマルチバンド化はそ
の１つであり、大気中において赤外線が透過しやすい
（大気による吸収の小さい）大気の窓と称する赤外線の
波長範囲（以下、帯域ともいう）３〜５μｍと８〜１２
μｍの両方か、または波長範囲３〜１２μｍのすべての
帯域に亘る探知能力を有することによって、その探知性
能と耐妨害性を大幅に向上することができる。しかしな
がら、これらの実現のためには装置の光学系を形成する
レンズの透過率やフィルタの特性の改良が重要である。
なお、本明細書においては、波長範囲３〜１２μｍを赤
外域という。 【０００３】従来の技術では、赤外域用の反射防止膜に
対しては、大気の窓のうちの波長範囲３〜５μｍ帯域内
のみの反射防止効果をねらったものやそれをわずかに拡
大したもの、または波長範囲８〜１２μｍ帯域内のみの
反射防止効果をねらったものやそれをわずかに拡大した
ものなどがあった。また、フィルタに対しても、帯域以
外の赤外線侵入の阻止を目的とした長波長透過フィルタ
や短波長透過フィルタ、またはバンドパスフィルタなど
があった。 【０００４】 【特許文献１】特開平６−３１３８０２号公報 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】かかる従来の技術で
は、波長範囲３〜５μｍと８〜１２μｍの両方の帯域の
探知を１つの光学系で行うような光学装置のレンズやウ
ィンドウの反射防止膜として使うことはできないことは
自明である。またフィルタに対しても、このような光学
系は赤外線センサとして波長範囲３〜５μｍ用と８〜１
２μｍ用の２種類を具備することが多いが、入射した波
長範囲３〜５μｍと８〜１２μｍの赤外光を２つの波長
帯に分離し、波長範囲３〜５μｍ用のセンサと８〜１２
μｍ用のセンサとにそれぞれ分岐するような光学素子と
してもつかうことはできない。なお、波長範囲３〜５μ
ｍと８〜１２μｍの２つの波長帯域に分離する目的の光
学素子を、以下ビームスプリッタと称する。通常のビー
ムスプリッタが、所望する波長帯域に対して、５０％の
反射と５０％の透過特性を利用して光を分岐することと
は異なっていることを注意すべきである。 【０００６】本発明は、前述のような問題点を解消する
ためになされたものであり、波長範囲３〜５μｍと８〜
１２μｍの両方の帯域を透過するレンズ系と波長範囲３
〜５μｍ、８〜１２μｍの２つのセンサを有する光学装
置に対して、波長範囲３〜５μｍと８〜１２μｍの両方
の帯域の反射防止特性に優れた反射防止膜と、波長範囲
３〜５μｍを反射し、８〜１２μｍを透過することによ
りこの２つの帯域を分離するビームスプリッタ用の光学
多層膜、および波長範囲３．５〜５μｍを透過し、８〜
１１μｍを反射することによりこの２つの帯域を分離す
るビームスプリッタ用の光学多層膜、ならびにビームス
プリッタ素子を提供することを目的としている。本明細
書中では、かかる光学多層膜とは複数の薄膜を積層させ
て特定の波長の光を反射させたり透過させたりする性質
を有する多層膜のことをいう。なお、後者のビームスプ
リッタ用光学多層膜において、波長範囲３〜５μｍでは
なく３．５〜５μｍ、また波長範囲８〜１２μｍではな
く８〜１１μｍとしたのは、どのような膜の構成を考え
ても波長範囲３〜５μｍの透過と８〜１２μｍの反射の
両方の帯域を同時に満たすことが光学的に不可能なため
である。そのため、前者に比べて分離する帯域が狭くは
なるが、本発明の目的のためには充分有効なものであ
る。 【０００７】さらに強調すべきことは、従来技術におけ
るフィルタが本発明の目的にそのまま適用できないの
は、従来技術のフィルタのうち、たとえば長波長透過フ
ィルタにおいては、重要な課題は所望する透過帯域の短
波長側をなるべくシャープにカットすることである。そ
のため、光の透過を阻止する高反射帯と、光を透過させ
る透過帯とがちょうど隣りあって出現するような設計を
おこなったり、透過帯域から離れたところでは吸収によ
って阻止帯域を設けるようなことがある。すなわち、長
波長透過フィルタは所望する波長の透過率については高
い透過率を有するように設計を行うが、反射率について
はとくに考慮しないのが一般的である。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明の赤外域用反射防
止膜は、ＺｎＳからなる基板上に形成される赤外域用光
学膜において前記基板からの第１層目がＳｉまたはＧ
ｅ、第２層目がＺｎＳ、第３層目がＳｉまたはＧｅ、第
４層目がＺｎＳ、第５層目がＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、ＨｆＯ
2、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2から選ばれる金属酸化物、第
６層目がＹＦ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライオライ
ト（Ｎａ3ＡｌＦ6）から選ばれる金属フッ化物であるこ
とを特徴とするものである。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、本発明の赤外域用光学膜お
よび光学素子について添付図面を参照して詳細に説明す
る。 【００１０】図１ないし図４は、本発明の赤外域用反射
防止膜の実施例の構造を示す断面説明図である。図５お
よび図６は、本発明のビームスプリッタ用光学膜の実施
例の構造を示す断面説明図である。図７および図８は、
本発明のビームスプリッタの説明図である。図９は、本
発明の赤外域用光学膜の製造に用いられる蒸着装置の一
例の断面説明図である。図１０ないし図３２は、本発明
の実施例１ないし実施例２３でそれぞれえられた赤外域
用反射防止膜を有するＧｅ基板およびＺｎＳ基板の赤外
線分光透過率を示す図である。図３３ないし図４７は、
本発明の実施例２４ないし実施例３８でそれぞれえられ
たビームスプリッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外
線分光透過率を示す図である。図４８ないし図４９は、
本発明の実施例３９ないし実施例４０でそれぞれえられ
たＺｎＳを基板とするビームスプリッタの入射角４５°
の赤外分光反射率および分光透過率を示す図である。 【００１１】まず、本発明の赤外域用反射防止膜は、図
１に示されるように、Ｇｅ製のレンズやウィンドウを基
板１として、順番にＺｎＳ層２、ＳｉまたはＧｅ層３、
ＺｎＳ層２、金属酸化物層４、金属フッ化物層５を配し
たことに特徴がある。なお、本発明における赤外域とは
波長３〜１２μｍの範囲を意味し、ばあいによっては大
気の窓である波長３〜５μｍと波長８〜１２μｍの２つ
の範囲に分けて取り扱う。 【００１２】また、本発明の別の赤外域用反射防止膜
は、図２に示されるように、ＺｎＳ製のレンズやウィン
ドウを基板６として、順番にＳｉまたはＧｅ層３、Ｚｎ
Ｓ層２、ＳｉまたはＧｅ層３、ＺｎＳ層２、金属酸化物
層４、金属フッ化物層５を配したことに特徴がある。 【００１３】また、本発明の別の赤外域用反射防止膜
は、図３に示されるように、Ｇｅ製のレンズやウィンド
ウを基板１として、順番にＳｉ層７、ＺｎＳ層２、金属
酸化物層４、金属フッ化物層５を配したことに特徴があ
る。 【００１４】また、本発明の別の赤外域用反射防止膜
は、図４に示されるように、ＺｎＳ製のレンズやウィン
ドウを基板６として、順番にＺｎＳｅ層８、ＺｎＳまた
はＴｉＯ2層９、Ｙ2Ｏ3またはＳｃ2Ｏ3層１０、金属フ
ッ化物層５を配したことに特徴がある。 【００１５】これらの材料の配し方は、本発明者らが本
発明の目的に合致するように、コンピュータによる光学
多層膜の演算と試作を繰り返し、あらゆる組み合わせの
中から鋭意研究してきた結果として選ばれたものであ
る。 【００１６】前記金属酸化物層としては、たとえばＡｌ
2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｉｎ2Ｏ 3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｃ2
Ｏ3、ＳｉＯ、Ｔａ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2、
ＴｈＯ2などの酸化物をあげることができ、そのうち、
波長３〜１２μｍの光に対して透明であることや、材料
の屈折率、毒性がないことなどからＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、
ＨｆＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2から選ばれた１種であるこ
とが好ましい。 【００１７】また、前記の金属フッ化物としては、たと
えばＭｇＦ2、ＣｅＦ3、ＹＦ3、ＣａＦ2、クライオライ
ト、ＡｌＦ3、ＬｉＦ2、ＢａＦ2、ＴｈＦ4などの金属フ
ッ化物をあげることができ、そのうち波長３〜１２μｍ
の光に対し透明であることや、材料の屈折率や毒性、ま
た多層膜の最外層としての耐久性を考慮すれば、Ｙ
Ｆ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライオライトから選ば
れた１種であることが好ましい。 【００１８】一方、本発明のビームスプリッタ用の光学
多層膜は、図５に示されるように、ＺｎＳ製の基板６上
に、基板から順にＧｅ層１１とＺｎＳ層２を交互に１７
層以上７３層以下奇数回積層し、その上にさらに金属酸
化物層４を積層することに特徴がある。 【００１９】Ｇｅ層とＺｎＳ層の積層については、波長
範囲３〜５μｍの赤外線を反射するように膜厚と層数が
選ばれるならばいずれの構成であってもよく、前述した
コンピュータによる光学多層膜の演算による特性の予測
と試作を繰り返すことによって、膜厚と層数とを決める
ことができる。 【００２０】また、前記金属酸化物層は、ＧｅとＺｎＳ
の交互層による反射帯域の外側の透過帯におけるリップ
ルの低減を行うものである。かかる金属酸化物層として
は、たとえばＡｌ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｉｎ
2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｔａ2Ｏ3、ＴｉＯ
2、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｈＯ2などの酸化物をあげるこ
とができ、波長範囲３〜１２μｍで透明であることや、
材料の屈折率、毒性がないことなどからＹ2Ｏ3、Ｓｃ2
Ｏ3、ＨｆＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2のうちから選ばれた１
種であることが好ましい。 【００２１】なお、本発明の赤外域用光学多層膜に波長
範囲３〜５μｍでの良好な反射特性と、波長範囲８〜１
２μｍでの良好な透過特性を付与したいばあいは、第１
層目のＧｅの光学膜厚を０．５６μｍ、第２層目からの
ＺｎＳとＧｅの交互層を少なくとも７層以上３５層以下
奇数回積層し、その光学膜厚をすべて１．１３μｍ、そ
の上のＧｅ層の光学膜厚を１．００μｍ、その上からの
ＺｎＳとＧｅの交互層を少なくとも７層以上３５層以下
奇数回積層し、その光学膜厚をすべて０．８８μｍ、そ
の上のＧｅの光学膜厚を０．４４μｍ、さらにその上の
金属酸化物層の光学膜厚を２．６９μｍとすることが好
ましい。 【００２２】これらの光学膜厚は、前述の数値になるべ
く近いことが特性上望まれるが、±８％程度の誤差が製
造上に発生したとしても、充分な特性がえられる。 【００２３】また、本発明の別の赤外域用光学多層膜
は、図６に示されるように、ＺｎＳ製の基板上６に、基
板からの第１層目にＴｉＯ2層またはＺｒＯ2層１２を積
層し、その上に順にＺｎＳ層とＧｅ層を交互に７層以上
５１層以下奇数回積層し、さらにその上に金属フッ化物
層を積層することを特徴とするものである。 【００２４】ＺｎＳ層とＧｅ層の積層については、波長
８〜１１μｍの範囲内の赤外線を反射するように膜厚と
層数が選ばれるならばいずれの構成であってもよく、前
述したコンピュータによる光学多層膜の演算による特性
の予測と試作を繰り返すことによって、膜厚と層数とを
決めることができる。 【００２５】ただし、ここでＺｎＳとＧｅの交互層を、
さらに広い帯域である波長８〜１２μｍの範囲内の赤外
線を反射するように選ぶと、光の反射率の高い高反射帯
域が波長範囲３〜４μｍのあいだにも発生し、この波長
帯域において高い透過率は望めない。波長範囲８〜１１
μｍの帯域に限定すると、高反射帯域は３．５μｍ以下
にとどまり、本発明の目的に対して完全ではないが充分
合致するものとなる。 【００２６】また、第１層のＴｉＯ2またはＺｒＯ2層と
最外層の金属フッ化物層は、ＧｅとＺｎＳの交互層によ
る高反射帯域の外側の透過帯のリップルの低減を行うも
のである。第１層としてＴｉＯ2またはＺｒＯ2が選ばれ
るのは、リップルの低減を行う上で好ましい屈折率を有
しているためである。また最外層の金属フッ化物層とし
ては、ＭｇＦ2、ＣｅＦ3、ＹＦ3、ＣａＦ2、クライオラ
イト、ＡｌＦ3、ＬｉＦ 2、ＢａＦ2またはＴｈＦ4などの
金属フッ化物があげられるが、波長範囲３〜１２μｍで
透明であることや、材料の屈折率や毒性、また多層膜の
最外層としての耐久性を考慮すれば、ＹＦ3、ＣｅＦ3、
ＣａＦ2またはクライオライトのうちから選ばれた１種
であることが好ましい。 【００２７】なお、本発明の赤外域用光学多層膜に波長
３．５〜５μｍの範囲内での良好な透過特性と、波長８
〜１１μｍの範囲内での良好な反射特性を付与したいば
あいは、第１層目のＴｉＯ2またはＺｒＯ2の光学膜厚を
１．００μｍ、第２層目のＺｎＳ層を１．１５μｍ、第
３層目からのＧｅとＺｎＳ層の交互層を５層以上４９層
以下奇数回積層しその光学膜厚をすべて２．３０μｍ、
そのＺｎＳ層の光学膜厚を１．１５μｍ、その上の金属
フッ化物層の光学膜厚を０．５９μｍとすることが好ま
しい。 【００２８】これらの光学膜厚は、前述の数値になるべ
く近いことが特性上望まれるが、±８％程度の誤差が製
造上に発生したとしても、充分な特性がえられる。 【００２９】つづいて本発明の赤外域用ビームスプリッ
タについて説明する。 【００３０】本発明の赤外域用ビームスプリッタは、平
行平板であるＺｎＳを基板として、基板の片面に波長３
〜５μｍの範囲内の赤外線を反射し、かつ波長８〜１２
μｍの範囲内の赤外線を透過する多層膜をコーティング
し、他方の面に波長３〜５μｍの範囲内と８〜１２μｍ
の範囲内の両方の帯域に反射防止特性を有する多層膜を
コーティングすることを特徴とするものである。 【００３１】図７は、本ビームスプリッタの使用法の一
例を示したものである。ＺｎＳ基板１３の赤外線の入射
面側に波長３〜５μｍの範囲内の赤外線を反射し、か
つ、波長８〜１２μｍの範囲内の赤外線を透過する多層
膜１４を、また出射面側に波長３〜５μｍの範囲内と８
〜１２μｍの範囲内の両方の帯域に反射防止特性を有す
る多層膜１５を配したものである。そのため、入射した
赤外線１６のうち波長３〜５μｍの範囲内の赤外線１７
は反射、波長８〜１２μｍの範囲内の赤外線１８は透過
することにより、この２つの波長帯域が分離される。し
かも、出射面側の反射防止膜は波長３〜５μｍの範囲内
と８〜１２μｍの範囲内両方の帯域で反射防止特性を有
しているので、出射面側での赤外線の反射１９は小さく
（すなわち、基板の表裏２つの面のあいだの反射を繰り
返す多重反射の小さい）ビームスプリッタとして良好な
特性をうることができる。 【００３２】また、本発明の別の赤外域用ビームスプリ
ッタは、平行平板であるＺｎＳを基板として、基板の片
面に波長３．５〜５μｍの範囲内の赤外線を透過し、か
つ波長８〜１１μｍの範囲内の赤外線を透過する多層膜
をコーティングし、他方の面に波長３〜５μｍの範囲内
と８〜１１μｍの範囲内の両方の帯域に反射防止特性を
有する多層膜をコーティングすることを特徴とするもの
である。 【００３３】図８は、本ビームスプリッタの使用法の一
例を示したものである。ＺｎＳ基板１３の赤外線の入射
面側に波長３．５〜５μｍの範囲内の赤外線を透過し、
かつ、波長８〜１１μｍの範囲内の赤外線を反射する多
層膜２０を、また出射面側に波長３〜５μｍの範囲内と
８〜１２μｍの範囲内の両方の帯域に反射防止特性を有
する多層膜２１を配したものである。そのため、入射し
た赤外線１６のうち波長８〜１１μｍの範囲内の赤外線
２２は反射、波長３．５〜５μｍの範囲内の赤外線２３
は透過することにより、この２つの波長帯域が分離され
る。しかも、出射面側の反射防止膜は波長３〜５μｍと
８〜１２μｍの両方の帯域で反射防止特性を有している
ので、出射面側での赤外線の反射２４は小さく（すなわ
ち基板内の多重反射の小さい）ビームスプリッタとして
良好な特性をうることができる。 【００３４】なお、ＺｎＳ基板にコーティングされるこ
れらの特性を有する光学膜は、すでに述べてきた本発明
の赤外域用光学膜が適用できることはいうまでもない。 【００３５】赤外域用の光学膜の形成法については、と
くに限定されないが、たとえば真空蒸着法、イオンプレ
ーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などがあげ
られる。なかでも光学多層膜の形成を目的とした真空蒸
着法が膜厚のコントロールと膜厚の均一性の点から好ま
しい。以下、該方法および該方法を実施するばあいの真
空蒸着装置について説明する。 【００３６】図９は、その蒸着装置の一例の断面説明図
を示す。図９において、３３は高真空をうるための真空
容器、２５は蒸着すべき基板２６を取り付けるための基
板取り付けドームで、蒸着中は膜の均一性を向上させる
ために回転される。２７は蒸着物質を入れるるつぼで、
必要な材料と量をるつぼに入れたのち、るつぼ回転ステ
ージ２８に配置する。るつぼ２７はるつぼ回転ステージ
２８によって、蒸着されるべき物質の入ったるつぼが電
子銃２９から放出される電子ビームの当たる位置に移動
される。電子ビームによって加熱され、蒸発した物質は
基板２６の表面に蒸着され、膜となる。この蒸着膜の厚
さは、真空容器３３の上方に取り付けられた反射式光学
膜厚計３０により、モニタ用ガラス基板３１の膜厚を計
測することによって測定され、所望の厚さになったとき
シャッタ３２が閉じる。以下、同様にして順次異なる層
の蒸着膜を所定の厚さだけ形成することによって、本発
明の赤外域用光学膜がえられる。 【００３７】なお、後述する各実施例における電子ビー
ム蒸着法は、前記方法により行ったが、蒸着物質の加熱
には電子ビーム法だけでなく、金属製のるつぼに電流を
流して加熱する抵抗加熱法をも用いることができる。ま
た、光学式膜厚計としても、反射式だけでなく、真空容
器の下部に光源を設けた透過式膜厚計をも用いることが
できる。 【００３８】つぎに、具体的な実施例により、本発明の
赤外域用光学膜と光学素子について、さらに詳細に説明
する。 【００３９】［実施例１〜７］直径３０ｍｍφ、厚さ１
ｍｍの両面を研磨したＧｅ製の基板を、蒸着装置の基板
取り付けドームに取り付け、真空度１×１０-4ｔｏｒｒ
以下で、電子ビーム蒸着法によって基板から順に表１記
載の材料と光学膜厚を有する膜を積層して赤外域用反射
防止膜を形成した。なお、光学膜厚を決めるための屈折
率値は赤外線の波長７．５μｍ近傍での値を使うことと
した。 【００４０】基板の反対の面についても同じ手順により
蒸着を行い、赤外域の反射防止膜を両面に形成したＧｅ
基板をそれぞれえた。 【００４１】えられた基板の透過率を、フーリエ変換赤
外分光光度計（日本電子（株）製ＪＩＲ−７０００）に
より測定した。その分光透過率曲線を図１０〜１６に示
す。 【００４２】［実施例８〜１１］直径３０ｍｍφ、厚さ
１ｍｍの両面を研磨したＧｅ製の基板を、実施例１〜７
と同様の方法によって、基板の両面に表２記載の材料と
光学膜厚を有する膜を積層して赤外域用反射防止膜を形
成した。えられた基板の透過率を、実施例１〜７と同様
の方法により測定した。その分光透過率曲線を図１７〜
２０に示す。 【００４３】［実施例１２〜１９］直径３０ｍｍφ、厚
さ１ｍｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板を、実施例１
〜７と同様の方法によって、基板の両面に表３記載の材
料と光学膜厚を有する膜を積層して赤外域用反射防止膜
を形成した。えられた基板の透過率を、実施例１〜７と
同様の方法により測定した。その分光透過率曲線を図２
１〜２８に示す。 【００４４】［実施例２０〜２３］直径３０ｍｍφ、厚
さ１ｍｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板を、実施例１
〜７と同様の方法によって、基板の両面に表４記載の材
料と光学膜厚を有する膜を積層して赤外域用反射防止膜
を形成した。えられた基板の透過率を実施例１〜７と同
様の方法により測定した。その分光透過率曲線を図２９
〜３２に示す。 【００４５】 【表１】【００４６】 【表２】 【００４７】 【表３】【００４８】 【表４】 【００４９】図１０〜３２に示す透過率の測定結果か
ら、本発明の実施例のばあいには、所望する透過帯域に
おいて高い透過率がえられていることがわかる。 【００５０】［実施例２４〜３０］直径５０ｍｍφ、厚
さ１ｍｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板を、蒸着装置
の基板取り付けドームに取り付け、真空度１×１０-4ｔ
ｏｒｒ以下で、電子ビーム蒸着法によって基板から順に
表５〜７記載の材料と光学膜厚を有する膜を積層してビ
ームスプリッタ用の光学膜を基板の片面に形成した。 【００５１】えられた基板の分光透過率と分光反射率
を、フーリエ変換赤外分光光度計（日本電子（株）製Ｊ
ＩＲ−７０００）と反射測定ホルダ（日本電子（株）製
ＩＲ−ＲＳＣ１００）により測定した。その分光透過率
曲線および分光反射率曲線を図３３〜３９に示す。 【００５２】［実施例３１〜３７］直径５０ｍｍφ、厚
さ１ｍｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板を、実施例２
４〜３０と同様の方法によって、表８〜１１記載の材料
と光学膜厚を有する膜を積層してビームスプリッタ用の
光学膜を形成した。えられた基板の分光透過率と分光反
射率を、実施例２４〜３０と同様の方法により測定し
た。その分光透過率曲線および分光反射率曲線を図４０
〜４７に示す。 【００５３】 【表５】【００５４】 【表６】 【００５５】 【表７】 【００５６】 【表８】【００５７】 【表９】 【００５８】 【表１０】 【００５９】 【表１１】 【００６０】図３３〜３９に示す透過率と反射率の測定
結果から、本発明の実施例のばあいには、波長３〜５μ
ｍの範囲内で高い反射率を有し、かつ、波長８〜１２μ
ｍの範囲内で高い透過率を有するビームスプリッタ用の
光学膜がえられていることがわかる。 【００６１】また、図４０〜４７に示す透過率と反射率
の測定結果から、本発明の実施例のばあいには、波長
３．５〜５μｍの範囲内で高い透過率を有し、かつ、波
長８〜１１μｍの範囲内で高い反射率を有するビームス
プリッタ用の光学膜がえられていることがわかる。 【００６２】［実施例３９］直径５０ｍｍφ、厚さ１ｍ
ｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板に対し、基板の片面
には実施例１２にしたがった反射防止膜、他の面には実
施例２４にしたがった光学膜を形成し、波長３〜５μｍ
の範囲内の赤外線を反射し、かつ、波長８〜１２μｍの
範囲内の赤外線を透過することにより２つの波長帯域を
分離するビームスプリッタを作製した。 【００６３】作製したビームスプリッタの入射角４５°
の透過率と反射率を、フーリエ変換赤外分光光度計（日
本電子（株）製ＪＩＲ−７０００）と角度可変型反射測
定ホルダ（ＩＲ−ＲＳＣ１１０）により測定した。入射
角を４５°としたのは、反射光を透過光に対し９０°の
方向変換を行うことにより赤外線の分離を試みたためで
ある。測定結果を図４８に示す。 【００６４】［実施例４０］直径５０ｍｍφ、厚さ１ｍ
ｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板に対し、基板の片面
には実施例１３にしたがった反射防止膜、他の面には実
施例３１にしたがった光学膜を形成し、波長３．５〜５
μｍの範囲内の赤外線を透過し、かつ、波長８〜１１μ
ｍの範囲内の赤外線を反射することにより２つの波長帯
域を分離するビームスプリッタを作製した。 【００６５】作製したビームスプリッタの入射角４５度
の透過率と反射率を、実施例３９と同様の方法により測
定した。測定結果を図４９に示す。 【００６６】図４８に示す透過率と反射率の測定結果か
ら、本発明の実施例のばあいには、入射角４５°の入射
赤外線の波長３〜５μｍの範囲を反射、波長８〜１２μ
ｍの範囲を透過し、反射光は透過光に対し９０°方向と
なるビームスプリッタがえられていることがわかる。 【００６７】また、図４９に示す透過率と反射率の測定
結果から、本発明の実施例のばあいには、入射角４５°
の入射赤外線の波長３．５〜５μｍの範囲を透過、波長
８〜１１μｍの範囲を反射し、反射光は透過光に対し９
０°方向となるビームスプリッタがえられていることが
わかる。 【００６８】 【発明の効果】また、本発明による反射防止膜によれ
ば、基板をＺｎＳとして、基板からの第１層目がＳｉま
たはＧｅ、第２層目がＺｎＳ、第３層目がＳｉまたはＧ
ｅ、第４層目がＺｎＳ、第５層目がＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、
ＨｆＯ2、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2から選ばれる金属酸化
物、第６層目がＹＦ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライ
オライト（Ｎａ3ＡｌＦ6）から選ばれる金属フッ化物で
あるように形成したので、波長範囲３〜５μｍと８〜１
２μｍの両方の帯域で反射防止効果のある赤外域用反射
防止膜がえられる効果がある。
するものである。 【０００２】 【従来の技術】最近の航空機、ミサイル、船舶、戦車な
どの防衛装備品に備えられる赤外線探知機や赤外線カメ
ラは高性能化の一途を辿っている。たとえば、探知装置
の広帯域化や複数の帯域を探知するマルチバンド化はそ
の１つであり、大気中において赤外線が透過しやすい
（大気による吸収の小さい）大気の窓と称する赤外線の
波長範囲（以下、帯域ともいう）３〜５μｍと８〜１２
μｍの両方か、または波長範囲３〜１２μｍのすべての
帯域に亘る探知能力を有することによって、その探知性
能と耐妨害性を大幅に向上することができる。しかしな
がら、これらの実現のためには装置の光学系を形成する
レンズの透過率やフィルタの特性の改良が重要である。
なお、本明細書においては、波長範囲３〜１２μｍを赤
外域という。 【０００３】従来の技術では、赤外域用の反射防止膜に
対しては、大気の窓のうちの波長範囲３〜５μｍ帯域内
のみの反射防止効果をねらったものやそれをわずかに拡
大したもの、または波長範囲８〜１２μｍ帯域内のみの
反射防止効果をねらったものやそれをわずかに拡大した
ものなどがあった。また、フィルタに対しても、帯域以
外の赤外線侵入の阻止を目的とした長波長透過フィルタ
や短波長透過フィルタ、またはバンドパスフィルタなど
があった。 【０００４】 【特許文献１】特開平６−３１３８０２号公報 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】かかる従来の技術で
は、波長範囲３〜５μｍと８〜１２μｍの両方の帯域の
探知を１つの光学系で行うような光学装置のレンズやウ
ィンドウの反射防止膜として使うことはできないことは
自明である。またフィルタに対しても、このような光学
系は赤外線センサとして波長範囲３〜５μｍ用と８〜１
２μｍ用の２種類を具備することが多いが、入射した波
長範囲３〜５μｍと８〜１２μｍの赤外光を２つの波長
帯に分離し、波長範囲３〜５μｍ用のセンサと８〜１２
μｍ用のセンサとにそれぞれ分岐するような光学素子と
してもつかうことはできない。なお、波長範囲３〜５μ
ｍと８〜１２μｍの２つの波長帯域に分離する目的の光
学素子を、以下ビームスプリッタと称する。通常のビー
ムスプリッタが、所望する波長帯域に対して、５０％の
反射と５０％の透過特性を利用して光を分岐することと
は異なっていることを注意すべきである。 【０００６】本発明は、前述のような問題点を解消する
ためになされたものであり、波長範囲３〜５μｍと８〜
１２μｍの両方の帯域を透過するレンズ系と波長範囲３
〜５μｍ、８〜１２μｍの２つのセンサを有する光学装
置に対して、波長範囲３〜５μｍと８〜１２μｍの両方
の帯域の反射防止特性に優れた反射防止膜と、波長範囲
３〜５μｍを反射し、８〜１２μｍを透過することによ
りこの２つの帯域を分離するビームスプリッタ用の光学
多層膜、および波長範囲３．５〜５μｍを透過し、８〜
１１μｍを反射することによりこの２つの帯域を分離す
るビームスプリッタ用の光学多層膜、ならびにビームス
プリッタ素子を提供することを目的としている。本明細
書中では、かかる光学多層膜とは複数の薄膜を積層させ
て特定の波長の光を反射させたり透過させたりする性質
を有する多層膜のことをいう。なお、後者のビームスプ
リッタ用光学多層膜において、波長範囲３〜５μｍでは
なく３．５〜５μｍ、また波長範囲８〜１２μｍではな
く８〜１１μｍとしたのは、どのような膜の構成を考え
ても波長範囲３〜５μｍの透過と８〜１２μｍの反射の
両方の帯域を同時に満たすことが光学的に不可能なため
である。そのため、前者に比べて分離する帯域が狭くは
なるが、本発明の目的のためには充分有効なものであ
る。 【０００７】さらに強調すべきことは、従来技術におけ
るフィルタが本発明の目的にそのまま適用できないの
は、従来技術のフィルタのうち、たとえば長波長透過フ
ィルタにおいては、重要な課題は所望する透過帯域の短
波長側をなるべくシャープにカットすることである。そ
のため、光の透過を阻止する高反射帯と、光を透過させ
る透過帯とがちょうど隣りあって出現するような設計を
おこなったり、透過帯域から離れたところでは吸収によ
って阻止帯域を設けるようなことがある。すなわち、長
波長透過フィルタは所望する波長の透過率については高
い透過率を有するように設計を行うが、反射率について
はとくに考慮しないのが一般的である。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明の赤外域用反射防
止膜は、ＺｎＳからなる基板上に形成される赤外域用光
学膜において前記基板からの第１層目がＳｉまたはＧ
ｅ、第２層目がＺｎＳ、第３層目がＳｉまたはＧｅ、第
４層目がＺｎＳ、第５層目がＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、ＨｆＯ
2、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2から選ばれる金属酸化物、第
６層目がＹＦ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライオライ
ト（Ｎａ3ＡｌＦ6）から選ばれる金属フッ化物であるこ
とを特徴とするものである。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、本発明の赤外域用光学膜お
よび光学素子について添付図面を参照して詳細に説明す
る。 【００１０】図１ないし図４は、本発明の赤外域用反射
防止膜の実施例の構造を示す断面説明図である。図５お
よび図６は、本発明のビームスプリッタ用光学膜の実施
例の構造を示す断面説明図である。図７および図８は、
本発明のビームスプリッタの説明図である。図９は、本
発明の赤外域用光学膜の製造に用いられる蒸着装置の一
例の断面説明図である。図１０ないし図３２は、本発明
の実施例１ないし実施例２３でそれぞれえられた赤外域
用反射防止膜を有するＧｅ基板およびＺｎＳ基板の赤外
線分光透過率を示す図である。図３３ないし図４７は、
本発明の実施例２４ないし実施例３８でそれぞれえられ
たビームスプリッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外
線分光透過率を示す図である。図４８ないし図４９は、
本発明の実施例３９ないし実施例４０でそれぞれえられ
たＺｎＳを基板とするビームスプリッタの入射角４５°
の赤外分光反射率および分光透過率を示す図である。 【００１１】まず、本発明の赤外域用反射防止膜は、図
１に示されるように、Ｇｅ製のレンズやウィンドウを基
板１として、順番にＺｎＳ層２、ＳｉまたはＧｅ層３、
ＺｎＳ層２、金属酸化物層４、金属フッ化物層５を配し
たことに特徴がある。なお、本発明における赤外域とは
波長３〜１２μｍの範囲を意味し、ばあいによっては大
気の窓である波長３〜５μｍと波長８〜１２μｍの２つ
の範囲に分けて取り扱う。 【００１２】また、本発明の別の赤外域用反射防止膜
は、図２に示されるように、ＺｎＳ製のレンズやウィン
ドウを基板６として、順番にＳｉまたはＧｅ層３、Ｚｎ
Ｓ層２、ＳｉまたはＧｅ層３、ＺｎＳ層２、金属酸化物
層４、金属フッ化物層５を配したことに特徴がある。 【００１３】また、本発明の別の赤外域用反射防止膜
は、図３に示されるように、Ｇｅ製のレンズやウィンド
ウを基板１として、順番にＳｉ層７、ＺｎＳ層２、金属
酸化物層４、金属フッ化物層５を配したことに特徴があ
る。 【００１４】また、本発明の別の赤外域用反射防止膜
は、図４に示されるように、ＺｎＳ製のレンズやウィン
ドウを基板６として、順番にＺｎＳｅ層８、ＺｎＳまた
はＴｉＯ2層９、Ｙ2Ｏ3またはＳｃ2Ｏ3層１０、金属フ
ッ化物層５を配したことに特徴がある。 【００１５】これらの材料の配し方は、本発明者らが本
発明の目的に合致するように、コンピュータによる光学
多層膜の演算と試作を繰り返し、あらゆる組み合わせの
中から鋭意研究してきた結果として選ばれたものであ
る。 【００１６】前記金属酸化物層としては、たとえばＡｌ
2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｉｎ2Ｏ 3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｃ2
Ｏ3、ＳｉＯ、Ｔａ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2、
ＴｈＯ2などの酸化物をあげることができ、そのうち、
波長３〜１２μｍの光に対して透明であることや、材料
の屈折率、毒性がないことなどからＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、
ＨｆＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2から選ばれた１種であるこ
とが好ましい。 【００１７】また、前記の金属フッ化物としては、たと
えばＭｇＦ2、ＣｅＦ3、ＹＦ3、ＣａＦ2、クライオライ
ト、ＡｌＦ3、ＬｉＦ2、ＢａＦ2、ＴｈＦ4などの金属フ
ッ化物をあげることができ、そのうち波長３〜１２μｍ
の光に対し透明であることや、材料の屈折率や毒性、ま
た多層膜の最外層としての耐久性を考慮すれば、Ｙ
Ｆ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライオライトから選ば
れた１種であることが好ましい。 【００１８】一方、本発明のビームスプリッタ用の光学
多層膜は、図５に示されるように、ＺｎＳ製の基板６上
に、基板から順にＧｅ層１１とＺｎＳ層２を交互に１７
層以上７３層以下奇数回積層し、その上にさらに金属酸
化物層４を積層することに特徴がある。 【００１９】Ｇｅ層とＺｎＳ層の積層については、波長
範囲３〜５μｍの赤外線を反射するように膜厚と層数が
選ばれるならばいずれの構成であってもよく、前述した
コンピュータによる光学多層膜の演算による特性の予測
と試作を繰り返すことによって、膜厚と層数とを決める
ことができる。 【００２０】また、前記金属酸化物層は、ＧｅとＺｎＳ
の交互層による反射帯域の外側の透過帯におけるリップ
ルの低減を行うものである。かかる金属酸化物層として
は、たとえばＡｌ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｉｎ
2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｔａ2Ｏ3、ＴｉＯ
2、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｈＯ2などの酸化物をあげるこ
とができ、波長範囲３〜１２μｍで透明であることや、
材料の屈折率、毒性がないことなどからＹ2Ｏ3、Ｓｃ2
Ｏ3、ＨｆＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2のうちから選ばれた１
種であることが好ましい。 【００２１】なお、本発明の赤外域用光学多層膜に波長
範囲３〜５μｍでの良好な反射特性と、波長範囲８〜１
２μｍでの良好な透過特性を付与したいばあいは、第１
層目のＧｅの光学膜厚を０．５６μｍ、第２層目からの
ＺｎＳとＧｅの交互層を少なくとも７層以上３５層以下
奇数回積層し、その光学膜厚をすべて１．１３μｍ、そ
の上のＧｅ層の光学膜厚を１．００μｍ、その上からの
ＺｎＳとＧｅの交互層を少なくとも７層以上３５層以下
奇数回積層し、その光学膜厚をすべて０．８８μｍ、そ
の上のＧｅの光学膜厚を０．４４μｍ、さらにその上の
金属酸化物層の光学膜厚を２．６９μｍとすることが好
ましい。 【００２２】これらの光学膜厚は、前述の数値になるべ
く近いことが特性上望まれるが、±８％程度の誤差が製
造上に発生したとしても、充分な特性がえられる。 【００２３】また、本発明の別の赤外域用光学多層膜
は、図６に示されるように、ＺｎＳ製の基板上６に、基
板からの第１層目にＴｉＯ2層またはＺｒＯ2層１２を積
層し、その上に順にＺｎＳ層とＧｅ層を交互に７層以上
５１層以下奇数回積層し、さらにその上に金属フッ化物
層を積層することを特徴とするものである。 【００２４】ＺｎＳ層とＧｅ層の積層については、波長
８〜１１μｍの範囲内の赤外線を反射するように膜厚と
層数が選ばれるならばいずれの構成であってもよく、前
述したコンピュータによる光学多層膜の演算による特性
の予測と試作を繰り返すことによって、膜厚と層数とを
決めることができる。 【００２５】ただし、ここでＺｎＳとＧｅの交互層を、
さらに広い帯域である波長８〜１２μｍの範囲内の赤外
線を反射するように選ぶと、光の反射率の高い高反射帯
域が波長範囲３〜４μｍのあいだにも発生し、この波長
帯域において高い透過率は望めない。波長範囲８〜１１
μｍの帯域に限定すると、高反射帯域は３．５μｍ以下
にとどまり、本発明の目的に対して完全ではないが充分
合致するものとなる。 【００２６】また、第１層のＴｉＯ2またはＺｒＯ2層と
最外層の金属フッ化物層は、ＧｅとＺｎＳの交互層によ
る高反射帯域の外側の透過帯のリップルの低減を行うも
のである。第１層としてＴｉＯ2またはＺｒＯ2が選ばれ
るのは、リップルの低減を行う上で好ましい屈折率を有
しているためである。また最外層の金属フッ化物層とし
ては、ＭｇＦ2、ＣｅＦ3、ＹＦ3、ＣａＦ2、クライオラ
イト、ＡｌＦ3、ＬｉＦ 2、ＢａＦ2またはＴｈＦ4などの
金属フッ化物があげられるが、波長範囲３〜１２μｍで
透明であることや、材料の屈折率や毒性、また多層膜の
最外層としての耐久性を考慮すれば、ＹＦ3、ＣｅＦ3、
ＣａＦ2またはクライオライトのうちから選ばれた１種
であることが好ましい。 【００２７】なお、本発明の赤外域用光学多層膜に波長
３．５〜５μｍの範囲内での良好な透過特性と、波長８
〜１１μｍの範囲内での良好な反射特性を付与したいば
あいは、第１層目のＴｉＯ2またはＺｒＯ2の光学膜厚を
１．００μｍ、第２層目のＺｎＳ層を１．１５μｍ、第
３層目からのＧｅとＺｎＳ層の交互層を５層以上４９層
以下奇数回積層しその光学膜厚をすべて２．３０μｍ、
そのＺｎＳ層の光学膜厚を１．１５μｍ、その上の金属
フッ化物層の光学膜厚を０．５９μｍとすることが好ま
しい。 【００２８】これらの光学膜厚は、前述の数値になるべ
く近いことが特性上望まれるが、±８％程度の誤差が製
造上に発生したとしても、充分な特性がえられる。 【００２９】つづいて本発明の赤外域用ビームスプリッ
タについて説明する。 【００３０】本発明の赤外域用ビームスプリッタは、平
行平板であるＺｎＳを基板として、基板の片面に波長３
〜５μｍの範囲内の赤外線を反射し、かつ波長８〜１２
μｍの範囲内の赤外線を透過する多層膜をコーティング
し、他方の面に波長３〜５μｍの範囲内と８〜１２μｍ
の範囲内の両方の帯域に反射防止特性を有する多層膜を
コーティングすることを特徴とするものである。 【００３１】図７は、本ビームスプリッタの使用法の一
例を示したものである。ＺｎＳ基板１３の赤外線の入射
面側に波長３〜５μｍの範囲内の赤外線を反射し、か
つ、波長８〜１２μｍの範囲内の赤外線を透過する多層
膜１４を、また出射面側に波長３〜５μｍの範囲内と８
〜１２μｍの範囲内の両方の帯域に反射防止特性を有す
る多層膜１５を配したものである。そのため、入射した
赤外線１６のうち波長３〜５μｍの範囲内の赤外線１７
は反射、波長８〜１２μｍの範囲内の赤外線１８は透過
することにより、この２つの波長帯域が分離される。し
かも、出射面側の反射防止膜は波長３〜５μｍの範囲内
と８〜１２μｍの範囲内両方の帯域で反射防止特性を有
しているので、出射面側での赤外線の反射１９は小さく
（すなわち、基板の表裏２つの面のあいだの反射を繰り
返す多重反射の小さい）ビームスプリッタとして良好な
特性をうることができる。 【００３２】また、本発明の別の赤外域用ビームスプリ
ッタは、平行平板であるＺｎＳを基板として、基板の片
面に波長３．５〜５μｍの範囲内の赤外線を透過し、か
つ波長８〜１１μｍの範囲内の赤外線を透過する多層膜
をコーティングし、他方の面に波長３〜５μｍの範囲内
と８〜１１μｍの範囲内の両方の帯域に反射防止特性を
有する多層膜をコーティングすることを特徴とするもの
である。 【００３３】図８は、本ビームスプリッタの使用法の一
例を示したものである。ＺｎＳ基板１３の赤外線の入射
面側に波長３．５〜５μｍの範囲内の赤外線を透過し、
かつ、波長８〜１１μｍの範囲内の赤外線を反射する多
層膜２０を、また出射面側に波長３〜５μｍの範囲内と
８〜１２μｍの範囲内の両方の帯域に反射防止特性を有
する多層膜２１を配したものである。そのため、入射し
た赤外線１６のうち波長８〜１１μｍの範囲内の赤外線
２２は反射、波長３．５〜５μｍの範囲内の赤外線２３
は透過することにより、この２つの波長帯域が分離され
る。しかも、出射面側の反射防止膜は波長３〜５μｍと
８〜１２μｍの両方の帯域で反射防止特性を有している
ので、出射面側での赤外線の反射２４は小さく（すなわ
ち基板内の多重反射の小さい）ビームスプリッタとして
良好な特性をうることができる。 【００３４】なお、ＺｎＳ基板にコーティングされるこ
れらの特性を有する光学膜は、すでに述べてきた本発明
の赤外域用光学膜が適用できることはいうまでもない。 【００３５】赤外域用の光学膜の形成法については、と
くに限定されないが、たとえば真空蒸着法、イオンプレ
ーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などがあげ
られる。なかでも光学多層膜の形成を目的とした真空蒸
着法が膜厚のコントロールと膜厚の均一性の点から好ま
しい。以下、該方法および該方法を実施するばあいの真
空蒸着装置について説明する。 【００３６】図９は、その蒸着装置の一例の断面説明図
を示す。図９において、３３は高真空をうるための真空
容器、２５は蒸着すべき基板２６を取り付けるための基
板取り付けドームで、蒸着中は膜の均一性を向上させる
ために回転される。２７は蒸着物質を入れるるつぼで、
必要な材料と量をるつぼに入れたのち、るつぼ回転ステ
ージ２８に配置する。るつぼ２７はるつぼ回転ステージ
２８によって、蒸着されるべき物質の入ったるつぼが電
子銃２９から放出される電子ビームの当たる位置に移動
される。電子ビームによって加熱され、蒸発した物質は
基板２６の表面に蒸着され、膜となる。この蒸着膜の厚
さは、真空容器３３の上方に取り付けられた反射式光学
膜厚計３０により、モニタ用ガラス基板３１の膜厚を計
測することによって測定され、所望の厚さになったとき
シャッタ３２が閉じる。以下、同様にして順次異なる層
の蒸着膜を所定の厚さだけ形成することによって、本発
明の赤外域用光学膜がえられる。 【００３７】なお、後述する各実施例における電子ビー
ム蒸着法は、前記方法により行ったが、蒸着物質の加熱
には電子ビーム法だけでなく、金属製のるつぼに電流を
流して加熱する抵抗加熱法をも用いることができる。ま
た、光学式膜厚計としても、反射式だけでなく、真空容
器の下部に光源を設けた透過式膜厚計をも用いることが
できる。 【００３８】つぎに、具体的な実施例により、本発明の
赤外域用光学膜と光学素子について、さらに詳細に説明
する。 【００３９】［実施例１〜７］直径３０ｍｍφ、厚さ１
ｍｍの両面を研磨したＧｅ製の基板を、蒸着装置の基板
取り付けドームに取り付け、真空度１×１０-4ｔｏｒｒ
以下で、電子ビーム蒸着法によって基板から順に表１記
載の材料と光学膜厚を有する膜を積層して赤外域用反射
防止膜を形成した。なお、光学膜厚を決めるための屈折
率値は赤外線の波長７．５μｍ近傍での値を使うことと
した。 【００４０】基板の反対の面についても同じ手順により
蒸着を行い、赤外域の反射防止膜を両面に形成したＧｅ
基板をそれぞれえた。 【００４１】えられた基板の透過率を、フーリエ変換赤
外分光光度計（日本電子（株）製ＪＩＲ−７０００）に
より測定した。その分光透過率曲線を図１０〜１６に示
す。 【００４２】［実施例８〜１１］直径３０ｍｍφ、厚さ
１ｍｍの両面を研磨したＧｅ製の基板を、実施例１〜７
と同様の方法によって、基板の両面に表２記載の材料と
光学膜厚を有する膜を積層して赤外域用反射防止膜を形
成した。えられた基板の透過率を、実施例１〜７と同様
の方法により測定した。その分光透過率曲線を図１７〜
２０に示す。 【００４３】［実施例１２〜１９］直径３０ｍｍφ、厚
さ１ｍｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板を、実施例１
〜７と同様の方法によって、基板の両面に表３記載の材
料と光学膜厚を有する膜を積層して赤外域用反射防止膜
を形成した。えられた基板の透過率を、実施例１〜７と
同様の方法により測定した。その分光透過率曲線を図２
１〜２８に示す。 【００４４】［実施例２０〜２３］直径３０ｍｍφ、厚
さ１ｍｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板を、実施例１
〜７と同様の方法によって、基板の両面に表４記載の材
料と光学膜厚を有する膜を積層して赤外域用反射防止膜
を形成した。えられた基板の透過率を実施例１〜７と同
様の方法により測定した。その分光透過率曲線を図２９
〜３２に示す。 【００４５】 【表１】【００４６】 【表２】 【００４７】 【表３】【００４８】 【表４】 【００４９】図１０〜３２に示す透過率の測定結果か
ら、本発明の実施例のばあいには、所望する透過帯域に
おいて高い透過率がえられていることがわかる。 【００５０】［実施例２４〜３０］直径５０ｍｍφ、厚
さ１ｍｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板を、蒸着装置
の基板取り付けドームに取り付け、真空度１×１０-4ｔ
ｏｒｒ以下で、電子ビーム蒸着法によって基板から順に
表５〜７記載の材料と光学膜厚を有する膜を積層してビ
ームスプリッタ用の光学膜を基板の片面に形成した。 【００５１】えられた基板の分光透過率と分光反射率
を、フーリエ変換赤外分光光度計（日本電子（株）製Ｊ
ＩＲ−７０００）と反射測定ホルダ（日本電子（株）製
ＩＲ−ＲＳＣ１００）により測定した。その分光透過率
曲線および分光反射率曲線を図３３〜３９に示す。 【００５２】［実施例３１〜３７］直径５０ｍｍφ、厚
さ１ｍｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板を、実施例２
４〜３０と同様の方法によって、表８〜１１記載の材料
と光学膜厚を有する膜を積層してビームスプリッタ用の
光学膜を形成した。えられた基板の分光透過率と分光反
射率を、実施例２４〜３０と同様の方法により測定し
た。その分光透過率曲線および分光反射率曲線を図４０
〜４７に示す。 【００５３】 【表５】【００５４】 【表６】 【００５５】 【表７】 【００５６】 【表８】【００５７】 【表９】 【００５８】 【表１０】 【００５９】 【表１１】 【００６０】図３３〜３９に示す透過率と反射率の測定
結果から、本発明の実施例のばあいには、波長３〜５μ
ｍの範囲内で高い反射率を有し、かつ、波長８〜１２μ
ｍの範囲内で高い透過率を有するビームスプリッタ用の
光学膜がえられていることがわかる。 【００６１】また、図４０〜４７に示す透過率と反射率
の測定結果から、本発明の実施例のばあいには、波長
３．５〜５μｍの範囲内で高い透過率を有し、かつ、波
長８〜１１μｍの範囲内で高い反射率を有するビームス
プリッタ用の光学膜がえられていることがわかる。 【００６２】［実施例３９］直径５０ｍｍφ、厚さ１ｍ
ｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板に対し、基板の片面
には実施例１２にしたがった反射防止膜、他の面には実
施例２４にしたがった光学膜を形成し、波長３〜５μｍ
の範囲内の赤外線を反射し、かつ、波長８〜１２μｍの
範囲内の赤外線を透過することにより２つの波長帯域を
分離するビームスプリッタを作製した。 【００６３】作製したビームスプリッタの入射角４５°
の透過率と反射率を、フーリエ変換赤外分光光度計（日
本電子（株）製ＪＩＲ−７０００）と角度可変型反射測
定ホルダ（ＩＲ−ＲＳＣ１１０）により測定した。入射
角を４５°としたのは、反射光を透過光に対し９０°の
方向変換を行うことにより赤外線の分離を試みたためで
ある。測定結果を図４８に示す。 【００６４】［実施例４０］直径５０ｍｍφ、厚さ１ｍ
ｍの両面を研磨したＺｎＳ製の基板に対し、基板の片面
には実施例１３にしたがった反射防止膜、他の面には実
施例３１にしたがった光学膜を形成し、波長３．５〜５
μｍの範囲内の赤外線を透過し、かつ、波長８〜１１μ
ｍの範囲内の赤外線を反射することにより２つの波長帯
域を分離するビームスプリッタを作製した。 【００６５】作製したビームスプリッタの入射角４５度
の透過率と反射率を、実施例３９と同様の方法により測
定した。測定結果を図４９に示す。 【００６６】図４８に示す透過率と反射率の測定結果か
ら、本発明の実施例のばあいには、入射角４５°の入射
赤外線の波長３〜５μｍの範囲を反射、波長８〜１２μ
ｍの範囲を透過し、反射光は透過光に対し９０°方向と
なるビームスプリッタがえられていることがわかる。 【００６７】また、図４９に示す透過率と反射率の測定
結果から、本発明の実施例のばあいには、入射角４５°
の入射赤外線の波長３．５〜５μｍの範囲を透過、波長
８〜１１μｍの範囲を反射し、反射光は透過光に対し９
０°方向となるビームスプリッタがえられていることが
わかる。 【００６８】 【発明の効果】また、本発明による反射防止膜によれ
ば、基板をＺｎＳとして、基板からの第１層目がＳｉま
たはＧｅ、第２層目がＺｎＳ、第３層目がＳｉまたはＧ
ｅ、第４層目がＺｎＳ、第５層目がＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、
ＨｆＯ2、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2から選ばれる金属酸化
物、第６層目がＹＦ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライ
オライト（Ｎａ3ＡｌＦ6）から選ばれる金属フッ化物で
あるように形成したので、波長範囲３〜５μｍと８〜１
２μｍの両方の帯域で反射防止効果のある赤外域用反射
防止膜がえられる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の赤外域用反射防止膜の実施例の構造
を示す断面説明図である。 【図２】 本発明の赤外域用反射防止膜の別の実施例の
構造を示す断面説明図である。 【図３】 本発明の赤外域用反射防止膜の別の実施例の
構造を示す断面説明図である。 【図４】 本発明の赤外域用反射防止膜の別の実施例の
構造を示す断面説明図である。 【図５】 本発明のビームスプリッタ用光学膜の一実施
例の構造を示す断面説明図である。 【図６】 本発明のビームスプリッタ用光学膜の他の実
施例の構造を示す断面説明図である。 【図７】 本発明のビームスプリッタを説明する図であ
る。 【図８】 本発明の他のビームスプリッタを説明する図
である。 【図９】 本発明の赤外域用光学膜の製造に用いられる
蒸着装置の一例の断面説明図である。 【図１０】 本発明の実施例１でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１１】 本発明の実施例２でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１２】 本発明の実施例３でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１３】 本発明の実施例４でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１４】 本発明の実施例５でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１５】 本発明の実施例６でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１６】 本発明の実施例７でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１７】 本発明の実施例８でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１８】 本発明の実施例９でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１９】 本発明の実施例１０でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図
である。 【図２０】 本発明の実施例１１でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図
である。 【図２１】 本発明の実施例１２でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２２】 本発明の実施例１３でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２３】 本発明の実施例１４でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２４】 本発明の実施例１５でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２５】 本発明の実施例１６でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２６】 本発明の実施例１７でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２７】 本発明の実施例１８でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２８】 本発明の実施例１９でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２９】 本発明の実施例２０でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図３０】 本発明の実施例２１でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図３１】 本発明の実施例２２でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図３２】 本発明の実施例２３でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図３３】 本発明の実施例２４でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３４】 本発明の実施例２５でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３５】 本発明の実施例２６でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３６】 本発明の実施例２７でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３７】 本発明の実施例２８でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３８】 本発明の実施例２９でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３９】 本発明の実施例３０でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４０】 本発明の実施例３１でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４１】 本発明の実施例３２でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４２】 本発明の実施例３３でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４３】 本発明の実施例３４でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４４】 本発明の実施例３５でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４５】 本発明の実施例３６でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４６】 本発明の実施例３７でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４７】 本発明の実施例３８でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４８】 本発明の実施例３９でえられたＺｎＳを基
板とするビームスプリッタの入射角４５°の赤外線分光
反射率および分光透過率を示す図である。 【図４９】 本発明の実施例４０でえられたＺｎＳを基
板とするビームスプリッタの入射角４５°の赤外線分光
反射率および分光透過率を示す図である。 【符号の説明】 １ Ｇｅ基板、２ ＺｎＳ層、３ ＳｉまたはＧｅ層、
４ 金属酸化物層、５金属フッ化物層、６ ＺｎＳ基
板、７ Ｓｉ層、８ ＺｎＳｅ層、９ ＺｎＳまたはＴ
ｉＯ2層、１０ Ｙ2Ｏ3またはＳｃ2Ｏ3層、１１ Ｇｅ
層、１２ ＴｉＯ2またはＺｒＯ2層、１３ ＺｎＳ基
板、１４ ３〜５μｍ反射および８〜１２μｍ透過の光
学膜、１５ ３〜５μｍおよび８〜１２μｍの反射防止
膜、１６入射赤外線、１７ 基板の入射面で反射した３
〜５μｍ赤外線、１８ 透過した８〜１２μｍ赤外線、
１９ 基板の出射面で反射した赤外線、 ０ ３．５〜
５μｍ透過および８〜１１μｍ反射の光学膜、２１
３．５〜５μｍおよび８〜１１μｍの反射防止膜、２２
基板の入射面で反射した８〜１１μｍの赤外線、２３
透過した３．５〜５μｍ赤外線、２４ 基板の出射面
で反射した赤外線、２５ 基板取り付けドーム、２６
基板、２７ るつぼ、 ２８ 回転ステージ、２９ 電
子銃、３０ 反射式光学膜厚計、３１ モニタ用ガラス
基板、３２ シャッタ、３３ 真空容器。
を示す断面説明図である。 【図２】 本発明の赤外域用反射防止膜の別の実施例の
構造を示す断面説明図である。 【図３】 本発明の赤外域用反射防止膜の別の実施例の
構造を示す断面説明図である。 【図４】 本発明の赤外域用反射防止膜の別の実施例の
構造を示す断面説明図である。 【図５】 本発明のビームスプリッタ用光学膜の一実施
例の構造を示す断面説明図である。 【図６】 本発明のビームスプリッタ用光学膜の他の実
施例の構造を示す断面説明図である。 【図７】 本発明のビームスプリッタを説明する図であ
る。 【図８】 本発明の他のビームスプリッタを説明する図
である。 【図９】 本発明の赤外域用光学膜の製造に用いられる
蒸着装置の一例の断面説明図である。 【図１０】 本発明の実施例１でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１１】 本発明の実施例２でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１２】 本発明の実施例３でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１３】 本発明の実施例４でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１４】 本発明の実施例５でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１５】 本発明の実施例６でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１６】 本発明の実施例７でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１７】 本発明の実施例８でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１８】 本発明の実施例９でえられた赤外域用反射
防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図で
ある。 【図１９】 本発明の実施例１０でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図
である。 【図２０】 本発明の実施例１１でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＧｅ基板の赤外線分光透過率を示す図
である。 【図２１】 本発明の実施例１２でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２２】 本発明の実施例１３でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２３】 本発明の実施例１４でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２４】 本発明の実施例１５でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２５】 本発明の実施例１６でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２６】 本発明の実施例１７でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２７】 本発明の実施例１８でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２８】 本発明の実施例１９でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図２９】 本発明の実施例２０でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図３０】 本発明の実施例２１でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図３１】 本発明の実施例２２でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図３２】 本発明の実施例２３でえられた赤外域用反
射防止膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光透過率を示す
図である。 【図３３】 本発明の実施例２４でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３４】 本発明の実施例２５でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３５】 本発明の実施例２６でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３６】 本発明の実施例２７でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３７】 本発明の実施例２８でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３８】 本発明の実施例２９でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図３９】 本発明の実施例３０でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４０】 本発明の実施例３１でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４１】 本発明の実施例３２でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４２】 本発明の実施例３３でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４３】 本発明の実施例３４でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４４】 本発明の実施例３５でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４５】 本発明の実施例３６でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４６】 本発明の実施例３７でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４７】 本発明の実施例３８でえられたビームスプ
リッタ用光学膜を有するＺｎＳ基板の赤外線分光反射率
および分光透過率を示す図である。 【図４８】 本発明の実施例３９でえられたＺｎＳを基
板とするビームスプリッタの入射角４５°の赤外線分光
反射率および分光透過率を示す図である。 【図４９】 本発明の実施例４０でえられたＺｎＳを基
板とするビームスプリッタの入射角４５°の赤外線分光
反射率および分光透過率を示す図である。 【符号の説明】 １ Ｇｅ基板、２ ＺｎＳ層、３ ＳｉまたはＧｅ層、
４ 金属酸化物層、５金属フッ化物層、６ ＺｎＳ基
板、７ Ｓｉ層、８ ＺｎＳｅ層、９ ＺｎＳまたはＴ
ｉＯ2層、１０ Ｙ2Ｏ3またはＳｃ2Ｏ3層、１１ Ｇｅ
層、１２ ＴｉＯ2またはＺｒＯ2層、１３ ＺｎＳ基
板、１４ ３〜５μｍ反射および８〜１２μｍ透過の光
学膜、１５ ３〜５μｍおよび８〜１２μｍの反射防止
膜、１６入射赤外線、１７ 基板の入射面で反射した３
〜５μｍ赤外線、１８ 透過した８〜１２μｍ赤外線、
１９ 基板の出射面で反射した赤外線、 ０ ３．５〜
５μｍ透過および８〜１１μｍ反射の光学膜、２１
３．５〜５μｍおよび８〜１１μｍの反射防止膜、２２
基板の入射面で反射した８〜１１μｍの赤外線、２３
透過した３．５〜５μｍ赤外線、２４ 基板の出射面
で反射した赤外線、２５ 基板取り付けドーム、２６
基板、２７ るつぼ、 ２８ 回転ステージ、２９ 電
子銃、３０ 反射式光学膜厚計、３１ モニタ用ガラス
基板、３２ シャッタ、３３ 真空容器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＺｎＳからなる基板上に形成される赤外
域用光学膜において、前記基板からの第１層目がＳｉま
たはＧｅ、第２層目がＺｎＳ、第３層目がＳｉまたはＧ
ｅ、第４層目がＺｎＳ、第５層目がＹ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、
ＨｆＯ2、ＴｉＯ2またはＺｒＯ2から選ばれる金属酸化
物、第６層目がＹＦ3、ＣｅＦ3、ＣａＦ2またはクライ
オライト（Ｎａ3ＡｌＦ6）から選ばれる金属フッ化物で
あることを特徴とする赤外域用反射防止膜。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002345148A JP3894107B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 赤外域用反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002345148A JP3894107B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 赤外域用反射防止膜 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14192795A Division JP3399159B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 赤外域用光学膜および光学素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3894107B2 JP3894107B2 (ja) | 2007-03-14 |
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ID=19197844
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002345148A Expired - Fee Related JP3894107B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 赤外域用反射防止膜 |
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| JP2019036732A (ja) * | 2017-08-18 | 2019-03-07 | グッドリッチ コーポレイション | Ｍｗｉｒ／ｌｗｉｒ透明伝導性コーティング |
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2002
- 2002-11-28 JP JP2002345148A patent/JP3894107B2/ja not_active Expired - Fee Related
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