CN114047571B - 一种红外短波截止滤光片 - Google Patents
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Abstract
本发明属于光学零件薄膜制造技术领域，具体涉及一种红外短波截止滤光片，滤光片膜系结构为MLMHM|Sub|(MH)^14M，其中，Sub为基底，(MH)^14M为长波通滤光膜系，MLMHM为增透膜膜系，H为Ge膜层，M为ZnS膜层，L为YbF3膜层。本发明的红外短波截止滤光片在7～9μm波段截止，9.5～11μm波段平均透射率T≥93％，具有良好的的膜层环境与可靠性；本发明的红外长波截止滤光片采用本发明制作的红外短波截止滤光片在7.0～9μm波段截止，9.5～11μm波段平均透射率T＝93.5％。具有很强的环境适应性。
Description
技术领域
本发明属于光学零件薄膜制造技术领域，具体涉及一种红外短波截止滤光 片。
背景技术
从光学薄膜角度来看，滤光片是对某一波段具有高的透射率，同时对其余 波段截止。红外短波截止滤光片对短波红外高透射，长波红外波段高度截止。 红外短波截止滤光片主要应用于红外多光谱探测系统，具有滤除背景杂波作 用，对提高红外光学系统信噪比，改善产品性能具有重要的意义。红外短波截 止滤光片对各膜层厚度、膜层的牢固度、光学特性都有极高的要求，但目前可供选择的红外膜料品种很少，同时还存在制备难度大的问题。红外短波截止滤 光片的膜系结构和镀制方法是目前红外光学薄膜研究的重点。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种红外短波截止滤光片，滤光片膜系结构为 MLMHM|Sub|(MH)^14M，其中，Sub为基底，(MH)^14M为长波通滤光 膜系，MLMHM为增透膜膜系，H为Ge膜层，M为ZnS膜层，L为YbF3膜 层。采用本发明膜系结构和制备方法制得红外短波截止滤光片在7～9μm波段 截止，9.5～11μm波段平均透射率T≥93％，具有良好的膜层环境与可靠性。
为了达到上述技术目的，本发明所采用的具体技术方案为：
一种红外短波截止滤光片，该滤光片的膜系结构为：
MLMHM|Sub|(MH)^14M
其中，Sub为基底，(MH)^14M为长波通滤光膜系，MLMHM为增透膜 膜系，H为Ge膜层，M为ZnS膜层，L为YbF3膜层。
进一步的，所述基底为Ge基底。
进一步的，所述增透膜膜系MLMHM中，与所述基底相邻的膜层为第1 层，最外层为第5层，第1～5层的几何厚度值为：第1层310～330nm，第2 层150～170nm，第3层100～120nm，第4层830～850nm，第5层60～80nm。
进一步的，所述长波通滤光膜系(MH)^14M中，与基底相邻的膜层为第1 层，最外层为第29层，第1～29层的几何厚度值为：第1层420～440nm，第 2层500～520nm，第3层720～740nm，第4层450～470nm，第5层840～860nm， 第6层490～510nm，第7层830～850nm，第8层460～480nm，9层870～890nm， 第10层470～490nm，第11层860～880nm，第12层470～490nm，第13层 880～900nm，第14层470～490nm，第15层850～870nm，第16层470～490nm， 第17层870～890nm，第18层460～480nm，第19层880～900nm，第20层 470～490nm，第21层770～790nm，第22层510～530nm，第23层860～880nm, 第24层490～510nm，第25层740～760nm，第26层460～480nm，第27层 900～920nm，第28层440～460nm，第29层1600～1620nm。
进一步的，红外短波截止滤光片的制备方法包括以下步骤：
S101：在基底上单面镀增透膜膜系，包括以下步骤：
S101.1:清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；
S101.2:烘烤基底，抽真空至1×10-3Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1 小时；
S101.3:镀制第1层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为310～330nm；
S101.4:镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为150～170nm；
S101.5:镀制第3层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为100～120nm；
S101.6:镀制第4层膜层，用YBF3膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.4nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为830～850nm；
S101.7:镀制第5层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为60～80nm；
S101.8:真空室冷却至室温后取出单面镀有增透膜系的光学零件，该光学零 件具有MLMHM|Sub膜系，其中Sub代表基底；
S102：在基底的另一面镀制长波通滤光膜系，包括以下步骤：
S102.1:清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；
S102.2:烘烤基底，抽真空至1×10-3Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1 小时；
S102.3:镀制第1层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为420～440nm；
S102.4:镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为500～520nm；
S102.5:镀制第3层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为720～740nm；
S102.6:镀制第4层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为450～470nm；
S102.7:镀制第5层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为840～860nm；
S102.8:镀制第6层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为490～510nm；
S102.9:镀制第7层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为830～850nm；
S102.10:镀制第8层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为460～480nm；
S102.11:镀制第9层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为870～890nm；
S102.12:镀制第10层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.13:镀制第11层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为860～880nm；
S102.14:镀制第12层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.15:镀制第13层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为880～900nm；
S102.16:镀制第14层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.17:镀制第15层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为850～870nm；
S102.18:镀制第16层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.19:镀制第17层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为870～890nm；
S102.20:镀制第18层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为460～480nm；
S102.21:镀制第19层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为880～900nm；
S102.22:镀制第20层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.23:镀制第21层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为770～790nm；
S102.24:镀制第22层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为510～530nm；
S102.25:镀制第23层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为860～880nm；
S102.26:镀制第24层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为490～510nm；
S102.27:镀制第25层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为740～760nm；
S102.28:镀制第26层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为460～480nm；
S102.29:镀制第27层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为900～920nm；
S102.30:镀制第28层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为440～460nm；
S102.31:镀制第29层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为1600～1620nm；
进一步的，所述红外短波截止滤光片的制备方法还包括S103:将所述S102 后的红外短波截止滤光片在真空室内进行冷却。
采用上述技术方案，本发明能够带来以下有益效果：
本发明的红外长波截止滤光片在7.0～9μm波段截止，9.5～11μm波段平均 透射率T＝93.5％。具有很强的环境适应性。
具体实施方式
下面对本公开实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本 说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实 施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另 外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不 同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开 中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有 其他实施例，都属于本公开保护的范围。
要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。 应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述 的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员 应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任 何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的 方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所 属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
在本发明的一个实施例中，提出一种红外短波截止滤光片，该滤光片的膜 系结构为：
MLMHM|Sub|(MH)^14M
其中，Sub为基底，(MH)^14M为长波通滤光膜系，MLMHM为增透膜 膜系，H为Ge膜层，M为ZnS膜层，L为YbF3膜层。
在本实施例中，基底为Ge基底。
在本实施例中，增透膜膜系MLMHM中，与基底相邻的膜层为第1层， 最外层为第5层，第1～5层的几何厚度值为：第1层310～330nm，第2层 150～170nm，第3层100～120nm，第4层830～850nm，第5层60～80nm。
在本实施例中，长波通滤光膜系(MH)^14M中，与基底相邻的膜层为第1 层，最外层为第29层，第1～29层的几何厚度值为：第1层420～440nm，第 2层500～520nm，第3层720～740nm，第4层450～470nm，第5层840～860nm， 第6层490～510nm，第7层830～850nm，第8层460～480nm，9层870～890nm， 第10层470～490nm，第11层860～880nm，第12层470～490nm，第13层 880～900nm，第14层470～490nm，第15层850～870nm，第16层470～490nm， 第17层870～890nm，第18层460～480nm，第19层880～900nm，第20层 470～490nm，第21层770～790nm，第22层510～530nm，第23层860～880nm, 第24层490～510nm，第25层740～760nm，第26层460～480nm，第27层 900～920nm，第28层440～460nm，第29层1600～1620nm。
在本实施例中，红外短波截止滤光片的制备方法包括以下步骤：
S101：在基底上单面镀增透膜膜系，包括以下步骤：
S101.1:清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；
S101.2:烘烤基底，抽真空至1×10-3Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1 小时；
S101.3:镀制第1层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为310～330nm；
S101.4:镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为150～170nm；
S101.5:镀制第3层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为100～120nm；
S101.6:镀制第4层膜层，用YBF3膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.4nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为830～850nm；
S101.7:镀制第5层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为60～80nm；
S101.8:真空室冷却至室温后取出单面镀有增透膜系的光学零件，该光学零 件具有MLMHM|Sub膜系，其中Sub代表基底；
S102：在基底的另一面镀制长波通滤光膜系，包括以下步骤：
S102.1:清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；
S102.2:烘烤基底，抽真空至1×10-3Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1 小时；
S102.3:镀制第1层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为420～440nm；
S102.4:镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为500～520nm；
S102.5:镀制第3层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为720～740nm；
S102.6:镀制第4层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为450～470nm；
S102.7:镀制第5层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为840～860nm；
S102.8:镀制第6层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为490～510nm；
S102.9:镀制第7层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为830～850nm；
S102.10:镀制第8层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为460～480nm；
S102.11:镀制第9层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监 控，厚度为870～890nm；
S102.12:镀制第10层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.13:镀制第11层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为860～880nm；
S102.14:镀制第12层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.15:镀制第13层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为880～900nm；
S102.16:镀制第14层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.17:镀制第15层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为850～870nm；
S102.18:镀制第16层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.19:镀制第17层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为870～890nm；
S102.20:镀制第18层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为460～480nm；
S102.21:镀制第19层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为880～900nm；
S102.22:镀制第20层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为470～490nm；
S102.23:镀制第21层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为770～790nm；
S102.24:镀制第22层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为510～530nm；
S102.25:镀制第23层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为860～880nm；
S102.26:镀制第24层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为490～510nm；
S102.27:镀制第25层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为740～760nm；
S102.28:镀制第26层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为460～480nm；
S102.29:镀制第27层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为900～920nm；
S102.30:镀制第28层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积， 蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控， 厚度为440～460nm；
S102.31:镀制第29层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀 积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振 法监控，厚度为1600～1620nm；
在本实施例中，红外短波截止滤光片的制备方法还包括S103:将S102后 的红外短波截止滤光片在真空室内进行冷却。
经过实测，本实施例的红外长波截止滤光片在7.0～9μm波段截止，9.5～11μm波段平均透射率T＝93.5％。具有很强的环境适应性。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于 此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到 的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围 应以权利要求的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种红外短波截止滤光片，其特征在于：该滤光片的膜系结构为：
MLMHM|Sub|(MH)^14M
其中，Sub为基底，(MH)^14M为长波通滤光膜系，MLMHM为增透膜膜系，H为Ge膜层，M为ZnS膜层，L为YbF3膜层；
所述增透膜膜系中，与所述基底相邻的膜层为第1层，最外层为第5层，第1～5层的几何厚度值为：第1层310～330nm，第2层150～170nm，第3层100～120nm，第4层830～850nm，第5层60～80nm；
所述长波通滤光膜系中，与基底相邻的膜层为第1层，最外层为第29层，第1～29层的几何厚度值为：第1层420～440nm，第2层500～520nm，第3层720～740nm，第4层450～470nm，第5层840～860nm，第6层490～510nm，第7层830～850nm，第8层460～480nm，9层870～890nm，第10层470～490nm，第11层860～880nm，第12层470～490nm，第13层880～900nm，第14层470～490nm，第15层850～870nm，第16层470～490nm，第17层870～890nm，第18层460～480nm，第19层880～900nm，第20层470～490nm，第21层770～790nm，第22层510～530nm，第23层860～880nm,第24层490～510nm，第25层740～760nm，第26层460～480nm，第27层900～920nm，第28层440～460nm，第29层1600～1620nm。
2.根据权利要求1所述的红外短波截止滤光片，其特征在于：所述基底为Ge基底。
3.权利要求1或2所述的一种红外短波截止滤光片，其特征在于，红外短波截止滤光片的制备方法包括以下步骤：
S101：在基底上单面镀增透膜膜系，包括以下步骤：
S101.1:清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；
S101.2:烘烤基底，抽真空至1×10-3Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；
S101.3:镀制第1层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为310～330nm；
S101.4:镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为150～170nm；
S101.5:镀制第3层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为100～120nm；
S101.6:镀制第4层膜层，用YBF3膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.4nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为830～850nm；
S101.7:镀制第5层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为60～80nm；
S101.8:真空室冷却至室温后取出单面镀有增透膜系的光学零件，该光学零件具有MLMHM|Sub膜系，其中Sub代表基底；
S102：在基底的另一面镀制长波通滤光膜系，包括以下步骤：
S102.1:清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；
S102.2:烘烤基底，抽真空至1×10-3Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；
S102.3:镀制第1层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为420～440nm；
S102.4:镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为500～520nm；
S102.5:镀制第3层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为720～740nm；
S102.6:镀制第4层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为450～470nm；
S102.7:镀制第5层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为840～860nm；
S102.8:镀制第6层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为490～510nm；
S102.9:镀制第7层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为830～850nm；
S102.10:镀制第8层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为460～480nm；
S102.11:镀制第9层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为870～890nm；
S102.12:镀制第10层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；
S102.13:镀制第11层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为860～880nm；
S102.14:镀制第12层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；
S102.15:镀制第13层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为880～900nm；
S102.16:镀制第14层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；
S102.17:镀制第15层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为850～870nm；
S102.18:镀制第16层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；
S102.19:镀制第17层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为870～890nm；
S102.20:镀制第18层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为460～480nm；
S102.21:镀制第19层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为880～900nm；
S102.22:镀制第20层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；
S102.23:镀制第21层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为770～790nm；
S102.24:镀制第22层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为510～530nm；
S102.25:镀制第23层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为860～880nm；
S102.26:镀制第24层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为490～510nm；
S102.27:镀制第25层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为740～760nm；
S102.28:镀制第26层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为460～480nm；
S102.29:镀制第27层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为900～920nm；
S102.30:镀制第28层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为440～460nm；
S102.31:镀制第29层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为1600～1620nm。
4.根据权利要求3所述的红外短波截止滤光片，其特征在于，所述红外短波截止滤光片的制备方法还包括S103:将所述S102后的红外短波截止滤光片在真空室内进行冷却。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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