JPH04207056A - マルチチップモジュール装置の製造方法とそれに用いるキャップ付枠体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、複数個の半導体チップとそれらを接続した配
線回路とからなる、所定の電子機能を持つマルチチップ
モジュールを、パッケージ内に気密に封入してなる、マ
ルチチップモジュール装置の製造方法と、その製造方法
に用いる、キャップ付枠体に関する。

（従来の技術〕 上記マルチチップモジュール装置は、従来、次のように
して形成している。

セラミックまたはメタル部材からなるパッケージのキャ
ビティ内底面に、マルチチップモジュール形成用の配線
回路を備えた基板をボンディングして、その基板に半導
体チップを実装したり、または予め半導体チップを実装
したマルチチップモジュール形成用の配線回路を備えた
基板をキャビティ内底面にボンディングしたりしている
。次に、基板上の配線回路の外部回路接続用のパッドを
、キャビティ周囲のリード等の配線回路にワイヤ等を介
して接続している。その後、キャビティ上面をキャップ
で気密に封じている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記のようにして、マルチチップモジュ
ール装置を形成した場合には、基板をキャビティ内底面
にボンディングしたり、キャビティ内底面にボンディン
グした基板上に半導体チップを実装したりした際に、基
板や半導体チップにセラミックまたはメタル部材からな
るパッケージ周壁から加わる、それらの間の熱膨張係数
の差に基づく熱応力で、基板や半導体チップにクラック
が生じたり、基板や半導体チップが破損したりすること
があった。

これは、次の理由に基づく。

配線回路を備えた基板に複数個の半導体チップを実装し
てなるマルチチップモジュールは、配線回路を備えた基
板に１個の半導体チップを実装してなるシングルチップ
モジュールに比べて、その外径が数倍大きい。そのため
、それを封入するパッケージも、通常のパッケージに比
べて、その外径が数倍太き（なる。従って、そのような
大型化したパッケージにおいては、その周壁を、外力等
を加えても容謳に変形しないように、厚肉状に頑強に形
成している。そのため、そのような厚肉状に頑強に形成
したパッケージのキャビティ内底面に基板をボンディン
グしたり、そのキャビティ内底面にボンティングした基
板上に半導体チップを実装したりした際に、それらの基
板や半導体チップとパッケージとの間に、それらの間の
熱膨張係数の差に基づく熱応力が生じた場合に、その厚
内状に頑強に形成しているパッケージ周壁が歪みや変形
を起こさずに、代わりにパッケージ周壁から基板や半導
体チップにそれらを変形等させようとする熱応力が加わ
るからである。

なお、従来より、セラミックパッケージのキャビティ内
底面を封じているセラミックからなる底板に、１層また
は多層構造のタングステン等のメタライズからなる配線
回路を備えていて、その配線回路を備えた底板上に直接
に半導体チップを実装可能なパッケージが知られている
。

このパッケージによれば、千のキャビティ内底面に、半
導体チップ実装用の配線回路を備えた基板をボンディン
グする必要がなくなり、キャビティ内底面に基板をボン
ディングした際に、基板にパッケージ周壁から過大な熱
応力が掛かって、基板にクラックが生じたり、基板が破
損されたりするのを防止できる。

しかしながら、このパッケージでは、近時の高集積化し
た半導体チップを複数個実装して形成するマルチチップ
モジュール装置に用いるパッケージとしては、対応困難
であった。

その理由は、セラミックからなる底板にタングステン等
のメタライズからなる配線回路を設ける場合には、その
材料的な制約や製造上の制約等により、その配線回路を
高密度化できないからである。

本発明は、これらの難点の無い、マルチチップモジュー
ル装置の製造方法Ｃ以下、製造方法という）と、それに
用いるマルチチップモジュール装置製造用のキャップ付
枠体（以下、キャップ付枠体という）を提供することを
目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明の第１の製造方法は
、ベース上に、マルチチップモジュール形成用の薄膜か
らなる配線回路を備えて、その配線回路を備えたベース
上に複数個の半導体チップを実装し、次に、前記ベース
上に、前記配線回路と前記半導体チップとのｍｒｓｔｍ
む枠体を封着して、その枠体に備えたリードを前記配線
回路の外部回路接続用のパッドに接続し、次に、前記枠
体上面を、キャップで気密に封することを特徴としてい
る。

本発明の第２の製造方法は、ベース上に、マルチチップ
モジュール形成用の薄膜からなる配線回路を備えて、そ
の配線回路を備えたベース上に複数個の半導体チップを
実装し、次に、前記ベース上に、前記配線回路と前記半
導体チップとの周囲を囲む枠体であって、その上面をキ
ャップで気密に封じてなるキャップ付枠体を封着すると
同時に、その枠体に備えたリードを前記ベース上の配線
回路の外部回路接続用のパッドに圧接により接続するこ
とを特徴としている。

本発明の第２の製造方法においては、配線回路の外部回
路接続用のパッド表面にろう材を備えておき、ベース上
にキャップ付枠体を封着する際に、同時に、前記パッド
に圧接するリードを前記パッドにその表面の前記ろう材
を用いてろう付けするようにすることを好適としている
。

本発明の第１、第２の製造方法においては、ベースにガ
イド部を設けておき、ベース上に枠体またはキャップ付
枠体を封着する際に、それらの枠体下部を前記ガイド部
に嵌合させて、それらの枠体をベース上に位置決めする
ようにすることを好適としている。

本発明のキャップ付枠体は、ベース上のマルチチップモ
ジニール形成用の薄膜からなる配線回路とその配線回路
を備えたベース上に実装した複数個の半導体チップとの
周囲を囲む枠体であって、その上面をキャップで気密に
封じてなる枠体と、その枠体に備えたリードであって、
枠体を前記ベース上に封着した際に、同時に、前記配線
回路の外部回路接続用のパッドに圧接により接続可能な
リードとからなることを特徴としている。

〔作用〕 上記の第１、第２の製造方法においては、ベース上に、
薄膜からなる配線回路を備えるようにしている。

従って、マルチチップモジュール形成用の上記配線回路
を、それに接続する高集積化した半導体チップに合わせ
て、高密度化できる。

また、ベース上に枠体を封着する前に、上記配線回路を
ベース上に備えている。

従って、枠体に邪魔されずに、ベース上に上記配線回路
を形成できる。

また、ベース上に枠体を封着する前に、上記配線回路を
備えたベース上に半導体チップを実装している。

従って、半導体チップを実装する際に、ベースと半導体
チップとの間に、それらの間の熱膨張係数の差に基づく
熱応力が生じた場合に、ベースが、枠体の拘束を受けず
に、その周囲に自在に伸縮することとなって、ベースか
ら半導体チップに過大な熱応力が加わることを防止でき
る。

さらに、第２の製造方法においては、ベース上に枠体を
封着する際に、同時に、枠体に備えたリードをベース上
の配線回路に圧接により接続している。それと共に、枠
体にその上面を予めキャップで気密に封じてなるキャッ
プ付枠体を用いている。そのため、枠体をベース上に封
着する前や封着した後に、枠体に備えたリードをベース
上の配線回路にワイヤ等を用いて接続したり、゛枠体上
面をキャップで気密に封じたりする必要がなくなる。

加えて、ベース上にキャップ付枠体を封着する際に、同
時に、配線回路の外部回路接続用のパッドに圧接するリ
ードをパッドにその表面に備えたろう材を用いてろう付
けするようにする第２の製造方法にあっては、パッドに
圧接により接続するリードを、パッドにさらにろう材を
用いてより確実に接続できる。

また、ベース上に枠体またはキャップ付枠体を封着する
際に、それらの枠体下部をベースに設けたガイド部に嵌
合させて、それらの枠体をベース上に位置決めするよう
にする第１、第２の製造方法にあっては、ベース上に枠
体またはキャップ付枠体を封着する際に、それらの枠体
をベースに対して容易かつ迅速に位置決めできる。

上記構成のキャップ付枠体を用いてマルチチップモジュ
ール装置を形成すれば、キャップ付枠体をベース上に封
着する際に、同時に、枠体に備えたリードをベース上の
配線回路の外部回路接続用のパッドに圧接により接続で
きる。それと共に、枠体をベース上に封着する前や封着
した後に、枠体上面をキャップで気密に封する必要がな
くなる。

〔実施例〕

第１図ないし第５図は本発明の第１の製造方法の好適な
実施例を示し、詳しくはその製造工程説明図を示してい
る。以下、この図中の実施例を説明する。

第１図において、１０は、熱伝導性の良い銅−タングス
テン合金等のメタル部材からなる板状をしたベースであ
る。

このベース１０上に、第１図に示したように、マルチチ
ップモジュール形成用の薄膜からなる１層または多層構
造の配線回路２０と半導体チップボンディング用のステ
ージ（図示せず）を備えている。

具体的には、例えばスパッタリングによりベース１０上
にポリイミド樹脂膜、銅膜を順次積層形成して、それら
のポリイミド樹脂膜、銅膜にエツチング処理を施し、ポ
リイミド樹脂膜を介して、銅膜からなる１層または多層
構造の配線回路２０をベース１０上に形成している。そ
れと共に、その最上層のポリイミド樹脂膜表面に銅膜か
らなるステージを形成している。

次に、１１！２図に示したように、上記ステージに半導
体チップ３０をボンディングすると共に、配線回路２０
に半導体チップ３０の電極をワイヤ８２等を用いて接続
するようにして、複数個の半導体チップ３０をベース１
０上に実装している。

次に、第８図に示したように、枠体４０を、ベース１０
上に、シーム溶接、ろう付は等により、封着して、その
枠体４０でベース１０上に備えた配線回路２０とベース
１０上に実装した半導体チップ８０とのｊ！圓を囲んで
いる。

枠体４０には、第８図ないし第５図に示したような枠体
を用いている。

以下に、この枠体を説明する。

図において、４２は、メタル部材からなる厚肉状をした
方形状の枠体本体である。

枠体本体４２＃ｌ囲には、金属製の線状のリード５０を
、所定ピッチで複数本、枠体本体４２側壁を貫通させて
、ガラス６０を介して、気密に封着している。

具体的には、第５図に示したように、リード５０５ｍ表
面にガラス６０に濡れやすい酸化ＩＩ（［示せず）を形
成している。それと共に、枠体本体４２側壁に透孔４４
を開口して、その透孔４４内周面にガラス６０に濡れや
すい酸化Ｍ（図示せず）を形成している。そして、それ
らの酸化膜を介して、リード５０を、枠体本体４２側壁
の透孔４４に、その透孔４４を貫通させて、ガラス６゜
を介して、気密に封着している。

第Ｓｖｌないし第５図に示した枠体４０は、以上のよう
に構成している。

次に、ａＳＳに示したように、ベース１０上に封着した
枠体４０内側に突出しているリード内端５２を、ベース
１０上の配線回路２０の外部回路接続用のパッド２２に
、ワイヤ５４等を介して、接続している。

次に、第４図に示したように、枠体４０上面をメタル部
材からなる薄板状をしたキャップ７ｏで覆って、そのキ
ャップ７０８ｍを枠体本体４２上面にシーム溶接等によ
り封着している。そして、枠体４０上面をキャップ７ｏ
で気密に封じている。

そして、第４図に示したような、複数個の半導体チップ
３０とそれらを接続した配線回路２０とからなるマルチ
チップモジュール８０を、ベース１０、枠体４０、キャ
ップ７０で囲まれたパッケージ内に気密に封入してなる
、マルチチップモジュール装置を形成している。

第１図ないし第５図に示した第１の製造方法は、以上の
工程からなる。

第６図と第７図は本発明の第１の製造方法の他の好適な
実施例を示し、詳しくはその製造方法により形成したマ
ルチチップモジュール装置の組み立て分解説明図と一部
拡大断面図を示している。

以下、この図中の実施例を説明する。

図の製造方法では、枠体４０ａを構成している枠体本体
に、第６図に示したような、方形状をしたセラミック枠
体８０を設けて、その枠体８０の上下面に方形状をした
金属リング９０をそれぞれ封着してなる枠体本体４２ａ
を用いている。

具体的には、第７図に示したような、幅広帯状の下部の
セラミック体８２に幅狭帯状の上部のセラミック体８４
を積層してなる断面形状が逆Ｔ字状をしたセラミック枠
体８０であって、その下部のセラミック体８２上面にタ
ングステンメタライズ等からなる導体線路８６を上部の
セラミック体８４直下をく、ぐり抜けて横方向に複数本
並べて備えたセラミック枠体８０を設けて、その枠体８
０　　　。

の上下面にそれぞれ備えた表面にめっきを施したタング
ステン等からなるメタライズ層８８を介して、セラミッ
ク枠体８０の上下面に、金属リング９０を、それぞれろ
う付けにより封着してなる枠体本体４２ａを用いている
。ここで、セラミック枠体８０の上下面に、金属リング
９０をそれぞれ封着しているのは、セラミック枠体８０
の上下面を直接にキャップ７０やベース１０に封着した
場合には、それらのキャップ７０やベース１０からセラ
ミック枠体８０に加わる、そられの間の熱膨張係数の差
に基づく大小の異なった熱応力により、セラミック枠体
８０が上下に大きく歪んだり、セラミック枠体８０にク
ラックが生じたりするからである。

セラミック枠体８０の下部のセラミック体８２外側上面
に露出している導体線路８６外端には、外部リード５６
（第６図では、外部リード５６の一部を省略している）
を、ろう付は等により接続している。

この枠体４０ａでは、導体線路８６、外部り一部５６が
、リード５０を構成している。

その他は、前述の枠体４０と同様に構成していて、その
同一部材には、同一符号を付して、その説明を省略する
。

この枠体４０ａを用いて第１の製造方法によりマルチチ
ップモジュール装置を形成する際には、第７図に示した
ように、セラミック枠体８０の下部のセラミック体８２
内側上面に露出している導体線路８６内地を、ベース１
０上に備えた配線回路の外部回路接続用のパッド２２に
、ワイヤ５４等を介して、接続するようにしている。

その他は、前述第１の製造方法と同様にして、第４図に
示したマルチチップモジュール装置とほぼ同様な、第６
図と第７図に示したような、マルチチップモジュール装
置を形成している。

第８図ないし第１２図は本発明の第２の製造方法の好適
な実施例を示し、詳しくはその製造工程説明図を示して
いる。以下、この図中の実施例を説明する。

この第２の製造方法では、第１０図ないし第１２図に示
したような、本発明のキャップ付枠体４００を用いて、
マルチチップモジュール装置を形成している。

以下に、このキャップ付枠体４００を説明する。

図において、４２０は、メタル部材からなる厚肉状をし
た方形状の枠体本体である。

枠体本体４２０周囲には、金属製の線状のり一部５００
を、前述と同様にして、所定ピッチで複数本、枠体本体
４２０側壁に設けた透孔４４０に、その透孔４４０を貫
通させて、ガラス６０を介して、気密に封着している。

さらに、枠体本体４２０内側に突出しているリード内端
５２０を、第１０図に示したように、枠体本体４２０下
方にほぼＵ字状に折曲させている。

そして、第１２図に示したように、枠体本体４２０をベ
ース１０上に封着した際に、同時に、枠体本体４２０内
側に位置するベース１０上の配線回路２０の外部回路接
続用のパッド２２に、はぼＵ字状に折曲したリード内端
５２０を、リード５００１体の持つ弾発力により、所定
のばね圧で、圧接により、接続できるようにしている。

枠体本体４２０上面には、メタル部材からなる薄板状の
キャップ７００を、シーム溶接等により、封着していて
、枠体本体４２０上面をキャップ７００で気密に封じて
いる。

第１０図ないし第１２図に示したキャップ付枠体４００
は、以上のように構成している。

第２の製造方法では、このようなキャップ付枠体４００
を用いて、マルチチップモジュール装置を形成している
。

具体的には、この第２の製造方法では、前述の第１の製
造方法と同様にして、第８図に示したように、ベース１
０上に薄膜からなる１層または多層構造の配線回路２０
を形成して、その配線回路２０を備えたベース１０上に
、第９図に示したように、複数個の半導体チップ８０を
実装した後、第１１図に示したように、上記キャップ付
枠体４００の枠体本体４２０をベース１０上に、半導体
チップ３０と配線回路２０との周囲を囲むようにして、
シーム溶接、ろう付は等により、気密に封着している。

そして、第１２図に示したように、ベース１０上に枠体
本体４２０を封着する際に、同時に、枠体本体４２０に
備えたリード内地５２０を、リード５００自体の持つ弾
発力を用いて、ベース１０上の配線回路２０の外部回路
接続用のパッド２２に、圧接により、接続している。そ
れと共に、ベース１０上に枠体本体４２０を封着した後
に、枠体本体４２０上面をキャップ７００で気密に封す
る工程を省いている。

その他は、前述の第１の製造方法と同様にして、第１１
図に示したような、複数個の半導体チップ３０とそれら
を接続した配線回路２０とからなるマルチチップモジュ
ール８０を、ベース１０、キャップ付枠体４００で囲ま
れたパッケージ内に気密に封入してなる、マルチチップ
モジュール装置を形成している。

第８図ないし第１２図に示した第２の製造方法は、以上
の工程からなる。

第１８図は本発明の第２の製造方法の他の好適な実施例
を示し、詳しくはその製造方法により形成したマルチチ
ップモジュール装置の一部拡大断面図を示している。以
下、この図中の実施例を説明する。

図の製造方法では、ベース１０上に備えた配線回路２０
の外部回路接続用のパッド２２表面にろう材２４を備え
るようにしている。そして、ベース１０上にキャップ付
枠体４００を、それらを高温炉内等に入れて加熱しなが
ら、ろう付は等により封着する際に、同時に、パッド２
２に圧接するリード内端５２０を、パッド２２に、その
表面の上記ろう材２４を用いて、ろう付けするようにし
ている。

その他は前述の第８図ないし第１２図に示した第２の製
造方法と同様にして、第１１図に示したマルチチップモ
ジュール装置とほぼ同様な、第１３図に示したような、
マルチチップモジュール装置を形成している。

第１４図と第１５図はそれぞれ本発明の第１と第２の製
造方法のもう一つの好適な実施例を示し、詳しくはそれ
らの製造方法により形成したマルチチップモジュール装
置を示している。以下、これらの図中の実施例を説明す
る。

図の製造方法では、メタル部材からなるベースに代えて
、第１４図と第１５図に示したような、窒化アルミニウ
ムセラミック等の熱伝導性の良い絶縁体からなるベース
１００を用いている。

ベース１００周囲表面には、タングステン等からなるメ
タライズ層１２０を備えて、そのメタライズ層１２０に
、ろう材に濡れやすいめっき（図示せず）を施している
。

そして、ベース１００上に枠体４０．４００を、めっき
を施した上記メタライズ層１２０を介して、金−錫共晶
合金等からなるろう材を用いて、気密に封着している。

その他は、前述の第１と第２の製造方法と同様にして、
第１４図と第１５図に示したような、複数個の半導体チ
ップ３０とそれらを接続した配線回路２０とからなるマ
ルチチップモジュール８０を、ベース１００、枠体４０
．キャップ７０、またはベース１００、キャップ付枠体
４００で囲まれたパッケージ内に気密に封入してなる、
マルチチップモジュール装置を形成している。

１１８１Ｗは本発明の第２の製造方法のさらにもう一つ
の好適な実施例を示し、詳しくはその製造方法により形
成したマルチチップモジュール装置の一部拡大断面図を
示している。以下、この図中の実施例を説明する。

図の製造方法では、キャップ付枠体４００ａを構成して
いる枠体本体に、前述の第６図と第７図に示した枠体本
体４２ａに類似する、第１６図に示したような、方形状
をしたセラミック枠体８００の上下面に金属リング９０
０をそれぞれ封着してなる枠体本体４２０ａを用いてい
る。

具体的には、第１６図に示したような、幅狭帯状の下部
のセラミック体８４０に幅広帯状の上部のセラミック体
８２０を積層してなる断面形状がＴ字状をしたセラミッ
ク枠体８００であって、その上部のセラミック体８２０
下面にタングステンメタライズ等からなる導体線路８６
０を下部のセラミック体８４０直上を（ぐり抜けて横方
向に複数本差べて備えたセラミック枠体８００を設けて
、そのセラミック枠体８００の上下面にそれぞれ備えた
表面にめっきを施したタングステン等からなるメタライ
ズ層８８０を介して、セラミック枠体８００の上下面に
金属リング９００をそれぞれろう付げにより封着してな
る枠体本体４２０ａを用いている。

セラミック枠体８００の上部のセラミック体８２０内側
下面に露出している導体線路８６０内端には、第１６図
に示したような、金属製の帯板をＵ字状、２字状等（図
では、Ｕ字状としている）に折曲してなる内部リード５
８０を、ろう付けにより、接続している。そして、ベー
ス１０上にキャップ付枠体４００ａを封着する際に、同
時に、上記内部リード５８０の一部を、ベース１０上の
配線回路２０の外部回路接続用のパッド２２に、圧接に
より、接続できるようにしている。

上部のセラミック体８２０外側下面に露出している導体
線路８６０外端には、第１６図に示したような、金属製
の帯状の外部リード５６０を、ろう付けにより、接続し
ている。

このキャップ付枠体４００ａでは、内部リード５８０、
導体線路８６０１外部リード５６０が、リード５００を
構成している。

セラミツク枠体８００上面は、メタル部材からなる薄板
状のキャップ７００で覆っていて、キャップ７００ＭＩ
［を、セラミツク枠体８００上面に封着した金属リング
９００に、シーム溶接等により、封着している。そして
、キャップ７００で枠体本体４２０ａ上面を気密に封じ
ている。

第１６図に示したキャップ付枠体４００ａは、以上のよ
うに構成していて、図の第２の製造方法では、このよう
なキャップ付枠体４００ａを用いて、マルチチップモジ
ュール装置を形成している。

その他は前述の第８図ないし第１２図に示した第２の製
造方法と同様にして、第１１図に示したマルチチップモ
ジュール装置とほぼ同様な、第１６図に示したような、
マルチチップモジュール装置を形成している。

以上説明したような第１０図ないし第１２図、第１６図
に示したようなキャップ付枠体４００゜４００ａを用い
てマルチチップモジュール装置を形成すれば、ベース１
０．１００にキャップ付枠体４００．　４００　ａを封
着した際に、同時に、その枠体本体４２０内側に突出し
ているリード内端５２０、またはそのセラミック枠体８
００の導体線路８６０内端に接続している内部リード５
８０の一部を、それらのリード５００、内部リード５８
０自体の持つ弾発力により、ベース１０，１００上の配
線回路２０の外部回路接続用のパッド２２に、圧接によ
り、接続できる。それと共に、ベース１０，１００上に
キャップ付枠体４００．４００ａを封着する前や封着し
た後に、それらの枠体４００．４００ａ上面をキャップ
７００で気密に封する工程を省くことが可能となる。

なお、以上述べた第１、第２の製造方法において、ベー
ス１０のＲ囲等に、第６ＦＩ！Ｊないし第９図や第１１
図ないし第１３図や第１６図にそれぞれ示したような、
階段状等をした凹凸などからなるガイド部１４を設けて
おき、ベース１０上に枠体４０．４０ａまたはキャップ
付枠体４００，４００ａを封着する際に、それらの枠体
４０，４０ａ。

４００．４００ａ下部を上記ガイド部１４に嵌合させて
、それらの枠体４０，４０ａ、４００，４００ａをベー
ス１０上に位置決めするようにすれば、それらの枠体４
０．　４０　ａ、　　４００．　４００ａをベース１０
に対して容易かつ迅速に位置決めできて良い。これは、
第１０図ないし第１２図や第１！３Ｍや第１５図や１ｓ
１６図に示したような、枠体４００，４００ａ上面がキ
ャップ７００で覆われていて枠体４００，４００ａ内側
が見えないキャップ付枠体４００，４００ａであって、
それらの枠体４００，４００ａをベース１０，１００上
に封着する際に、それらの枠体４００，４００ａをベー
ス１０，１００に対して正確に位置決めして、それらの
枠体４００，４００ａに備えたリード内端５２０や内部
リード５８０をベース１０゜１００上に備えた配線回路
２０の所定部位のパッド２２に的確に圧接により接続す
る必要のある、本発明の第２の製造方法に特に有効であ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の第１．第２の製造方法に
よれば、マルチチップモジュール形成用の配線回路を薄
膜から形成しているので、その薄膜からなる配線回路を
、それに接続する高集積化した半導体チップに合わせて
、容易かつ的確に高密度化できる。

また、ベース上に枠体を封着する前に、上記配線回路を
ベース上に備えているので、枠体に邪魔されずに、ベー
ス上にマルチチップモジュール形成用の上記配線回路を
容易かつ的確に形成できる。

また、ベース上に枠体を封着する前に、上記配線回路を
備えたベース上に半導体チップを実装しているので、半
導体チップを実装する際に、ベースに熱が加わっても、
ベースをその周囲に自在に伸縮させて、ベースから半導
体チップに、それらの間の熱膨張係数の差に基づ（、過
大な熱応力が加わって、半導体チップにクラックが生じ
たり、半導体チップが破損したりすることを防止できる
。

さらに、本発明の第２の製造方法によれば、枠体をベー
ス上に封着する前や封着した後に、ベース上の配線回路
の外部回路接続用のパッドに枠体に備えたリードをワイ
ヤ等を用いて接続したり、枠体上面をキャップで気密に
封じたりする必要がなくなって、マルチチップモジュー
ル装置を、手数を掛けずに、容易かつ迅速に形成できる
。

加えて、ベース上にキャップ付枠体を封着する際に、同
時に、配線回路の外部回路接続用のパッドに圧接するリ
ードを、パッドに、その表面に備えたろう材を用いて、
ろう付けするようにする第２の製造方法にあっては１．
（ラドに圧接するリードをさらにろう付けによりパッド
により確実に接続できる。

また、ベース上に枠体またはキャップ付枠体を封着する
際に、それらの枠体下部をベースに設けたガイド部に嵌
合させて、それらの枠体をベース上に位置決めするよう
にする第１、第２の製造方法にあっては、それらの枠体
をベース上に封着する際に、それらの枠体をベースに対
して容易かつ迅速に位置決めできる。

本発明のキャップ付枠体を用いてマルチチップモジュー
ル装置を形成すれば、枠体をベース上に封着する前や封
着した後に、枠体に備えたリードをベース上の配線回路
の外部回路接続用のパッドにワイヤ等を用いて接続した
り、枠体上面をキャップで気密に封じたりする必要がな
くなって、マルチチップモジュール装置を、手数を掛け
ずに、容易かつ迅速に形成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図と第２図と第３図と第４図と第５図はそれぞれ本
発明の第１のマルチチップモジュール装置の製造方法の
製造工程を示す説明図、第６図と第７図は本発明の他の
第１の製造方法により形成したマルチチップモジュール
装置の組み立て分解説明図と一部拡大断面図、第８図と
第９図と第１０図と第１１図と第１２図はそれぞれ本発
明の第２のマルチチップモジュール装置の製造方法の製
造工程を示す説明図、第１３図は本発明の他の第２の製
造方法により形成したマルチチップモジュール装置の一
部拡大断面図、第１４図と第１５図はそれぞれ本発明の
もう一つの第１と第２の製造方法により形成したマルチ
チップモジュール装置の正面断面図、第１６図は本発明
のさらにもう一つの第２の製造方法により形成したマル
チチップモジュール装置の一部拡大断面図である。 １０．１００・・・ベース、１４・・・ガイド部、２０
・・・配線回路、２２・・・パッド、３０・・・半導体
チップ、４０，４０ａ・・・枠体、４００．４００ａ・
・・キャップ付枠体、４２、　４２　ａ、　　４２０．
　４２０　ａ・・・枠体本体、５０．５００・・・リー
ド、５４・・・ワイヤ、５６０・・・外部リード、５８
０・・・内部リード、６０・・・ガラス、７０，７００
・・・キャップ、８０．８００・・・セラミック枠体、 ８６．８６０・・・導体線路、 ９０．９００・・・金属リング。 特許出願人　新光電気工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ベース上に、マルチチップモジュール形成用の薄膜
   からなる配線回路を備えて、その配線回路を備えたベー
   ス上に複数個の半導体チップを実装し、次に、前記ベー
   ス上に、前記配線回路と前記半導体チップとの周囲を囲
   む枠体を封着して、その枠体に備えたリードを前記配線
   回路の外部回路接続用のパッドに接続し、次に、前記枠
   体上面を、キャップで気密に封することを特徴とするマ
   ルチチップモジュール装置の製造方法。 ２、ベース上に、マルチチップモジュール形成用の薄膜
   からなる配線回路を備えて、その配線回路を備えたベー
   ス上に複数個の半導体チップを実装し、次に、前記ベー
   ス上に、前記配線回路と前記半導体チップとの周囲を囲
   む枠体であって、その上面をキャップで気密に封じてな
   るキャップ付枠体を封着すると同時に、その枠体に備え
   たリードを前記ベース上の配線回路の外部回路接続用の
   パッドに圧接により接続することを特徴とするマルチチ
   ップモジュール装置の製造方法。 ３、配線回路の外部回路接続用のパッド表面にろう材を
   備えておき、ベース上にキャップ付枠体を封着する際に
   、同時に、前記パッドに圧接するリードを前記パッドに
   その表面の前記ろう材を用いてろう付けするようにする
   請求項２記載のマルチチップモジュール装置の製造方法
   。 ４、ベースにガイド部を設けておき、ベース上に枠体ま
   たはキャップ付枠体を封着する際に、それらの枠体下部
   を前記ガイド部に嵌合させて、それらの枠体をベース上
   に位置決めするようにする請求項１、２または３記載の
   マルチチップモジュール装置の製造方法。 ５、ベース上に備えたマルチチップモジュール形成用の
   薄膜からなる配線回路とその配線回路を備えたベース上
   に実装した複数個の半導体チップとの周囲を囲む枠体で
   あって、その上面をキャップで気密に封じてなる枠体と
   、その枠体に備えたリードであって、枠体を前記ベース
   上に封着した際に、同時に、前記配線回路の外部回路接
   続用のパッドに圧接により接続可能なリードとからなる
   マルチチップモジュール装置製造用のキャップ付枠体。