JPH04206244A - 絞り装置およびその製法 - Google Patents
絞り装置およびその製法Info
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- JPH04206244A JPH04206244A JP2329184A JP32918490A JPH04206244A JP H04206244 A JPH04206244 A JP H04206244A JP 2329184 A JP2329184 A JP 2329184A JP 32918490 A JP32918490 A JP 32918490A JP H04206244 A JPH04206244 A JP H04206244A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子線応用装置の絞り装置の性能向上に関する
ものである。
ものである。
従来技術は装置の性能を回復させるために絞り装置の絞
り板に付着した汚れを真空中で加熱処理を行って、付着
した汚れを蒸発させる方法が主に行われていたが、この
方法では絞り板の酸化による装置への影響について全く
配慮されておらず、実用的ではなかった。
り板に付着した汚れを真空中で加熱処理を行って、付着
した汚れを蒸発させる方法が主に行われていたが、この
方法では絞り板の酸化による装置への影響について全く
配慮されておらず、実用的ではなかった。
電子線応用装置である走査形電子顕ｉｕｔにおいての低
加速電圧（３ｋＶ以下）での観察は試料の帯電現象、試
料損傷が少く、無蒸着観察が可能となり、試料の表面構
造に忠実な情報を得ることができるため広く使われてい
る。しかし、低加速電圧で高分解能を維持するために最
も障害となっているのが絞り板の汚れや表面酸化膜によ
る像質の劣化である。絞り板の表面には電子線の衝撃に
より試料からのアウトガス等、周辺の有機ガス分子が付
着し、汚れを生ずる。この汚れを形成する物質（主とし
てハイドロカーボン）はＭａ物であるため、電子線を照
射することにより電子の帯電を生じ、電子線に歪が起る
ため、偉物を著しく劣化させる。そのため、絞り板は真
空中で加熱処理をすることにより付着した汚れを蒸発さ
せ、装置の性能回復をはかっている。しかし、この方法
では絞り板の表面に形成されている自然酸化膜を除去す
ることはできず、新品の絞り板を用いても装置の所定の
性能が得られないため、装置の信頼性を著しく低化させ
ている。
加速電圧（３ｋＶ以下）での観察は試料の帯電現象、試
料損傷が少く、無蒸着観察が可能となり、試料の表面構
造に忠実な情報を得ることができるため広く使われてい
る。しかし、低加速電圧で高分解能を維持するために最
も障害となっているのが絞り板の汚れや表面酸化膜によ
る像質の劣化である。絞り板の表面には電子線の衝撃に
より試料からのアウトガス等、周辺の有機ガス分子が付
着し、汚れを生ずる。この汚れを形成する物質（主とし
てハイドロカーボン）はＭａ物であるため、電子線を照
射することにより電子の帯電を生じ、電子線に歪が起る
ため、偉物を著しく劣化させる。そのため、絞り板は真
空中で加熱処理をすることにより付着した汚れを蒸発さ
せ、装置の性能回復をはかっている。しかし、この方法
では絞り板の表面に形成されている自然酸化膜を除去す
ることはできず、新品の絞り板を用いても装置の所定の
性能が得られないため、装置の信頼性を著しく低化させ
ている。
本発明は走査形電子顕微鏡の低加速電圧領域における像
質の劣化を防止し、装置の信頼性および性能を大幅に向
上させることを目的とする。
質の劣化を防止し、装置の信頼性および性能を大幅に向
上させることを目的とする。
上記目的を達成するために絞り板を真空中で加熱処理（
２０００℃程度）を行う。その後、絞り板表面に白金等
の貴金属薄膜をイオンスパッタコーティング等の手段を
用いて形成する。これによ −リ、絞り板の表面に良好
な導電性を与えることが可能となり装置の最高性能を維
持することができる。
２０００℃程度）を行う。その後、絞り板表面に白金等
の貴金属薄膜をイオンスパッタコーティング等の手段を
用いて形成する。これによ −リ、絞り板の表面に良好
な導電性を与えることが可能となり装置の最高性能を維
持することができる。
本絞り板装置は絞り板表面に白金等の貴金属が施こされ
ているため、絞り板に酸化膜等が存在しても良好な導電
性を与えることができる。また。
ているため、絞り板に酸化膜等が存在しても良好な導電
性を与えることができる。また。
酸化膜が形成されにくい構造となっているため、非点収
差等による像質劣化を防止することができる。
差等による像質劣化を防止することができる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は電子線応用装置の絞り板の構成および測定試料との
関係を示したものである。１は電子線、２はモリブデン
等で作製された高融点の絞り板、３は電子線通過孔、４
は測定試料である。
図は電子線応用装置の絞り板の構成および測定試料との
関係を示したものである。１は電子線、２はモリブデン
等で作製された高融点の絞り板、３は電子線通過孔、４
は測定試料である。
第２図は本発明により絞り板２の第１図Ａ−Ａ’の断面
構造を示したものである。第２回ａの５は絞り板２の表
面に形成された酸化膜、６は絞り板２に付着した汚れ、
７は白金等の貴金属膜である。
構造を示したものである。第２回ａの５は絞り板２の表
面に形成された酸化膜、６は絞り板２に付着した汚れ、
７は白金等の貴金属膜である。
この様に構成された絞り板２は電子線１が通過孔３を通
り、その通過孔３の大きさにより電子線１の開口角を決
定する。そして、試料４の表面を電子線１が走査して測
定を行う。電子線１の照射によって、絞り板２の周辺の
有機ガス分子が付着して汚れ６を生じる。この汚れ６を
除去するため絞り板２を真空中で熱処理し、汚れ６を蒸
発させる。すると、第２図すのように汚れを除去した形
になるが、絞り板２表面の酸化膜５は除去できないため
、電子線１を照射した場合に電子の帯電が生じる。これ
を防止するため、絞り板２に白金等の貴金属薄膜７をイ
オンスパッタコーティング等の手段により形成する。こ
れにより、第２図Ｃのような構造を有する絞り板２が製
造される。絞り板２は良好な導電性が得られ、電子の帯
電が原因となる装置性能の劣化を防止する効果が得られ
る。
り、その通過孔３の大きさにより電子線１の開口角を決
定する。そして、試料４の表面を電子線１が走査して測
定を行う。電子線１の照射によって、絞り板２の周辺の
有機ガス分子が付着して汚れ６を生じる。この汚れ６を
除去するため絞り板２を真空中で熱処理し、汚れ６を蒸
発させる。すると、第２図すのように汚れを除去した形
になるが、絞り板２表面の酸化膜５は除去できないため
、電子線１を照射した場合に電子の帯電が生じる。これ
を防止するため、絞り板２に白金等の貴金属薄膜７をイ
オンスパッタコーティング等の手段により形成する。こ
れにより、第２図Ｃのような構造を有する絞り板２が製
造される。絞り板２は良好な導電性が得られ、電子の帯
電が原因となる装置性能の劣化を防止する効果が得られ
る。
本発明による効果について、第２図と第３図を参照して
説明する。第３図は超高分解能走査形電子顕微鏡による
分解能試料（磁気テープ上の金蒸着粒子）を低加速電圧
１．ＯｋＶで測定した装置の性能データである。第３図
ａは第２図すの絞り板２表面に酸化膜５が形成された状
態の絞り板２を用いて得られたデータで、第３図すは第
２図Ｃの白金の貴金属薄膜７を有する絞り板２によるデ
ータである。第３図ａとｂを比較して判明するように第
３図ａは絞り板２の表面酸化５による装置性能劣化があ
るため金粒子の形状が不鮮明である。
説明する。第３図は超高分解能走査形電子顕微鏡による
分解能試料（磁気テープ上の金蒸着粒子）を低加速電圧
１．ＯｋＶで測定した装置の性能データである。第３図
ａは第２図すの絞り板２表面に酸化膜５が形成された状
態の絞り板２を用いて得られたデータで、第３図すは第
２図Ｃの白金の貴金属薄膜７を有する絞り板２によるデ
ータである。第３図ａとｂを比較して判明するように第
３図ａは絞り板２の表面酸化５による装置性能劣化があ
るため金粒子の形状が不鮮明である。
しかし、第３図すは金粒子の形状が明瞭に観察されてお
り装置性能を十分に発揮したデータが得られている。
り装置性能を十分に発揮したデータが得られている。
本発明は、以上説明したように電子線応用装置の絞り板
装置において、絞り板の酸化による装置性能の劣化を防
止する効果がある。また、装置の信頼性を向上させる効
果もある。
装置において、絞り板の酸化による装置性能の劣化を防
止する効果がある。また、装置の信頼性を向上させる効
果もある。
第１図は電子線応用装置の電子線と絞り板および試料と
の関係図、第２図は第１図Ａ−Ａ’の断面図、第３図は
装置性能データを示す図である。 １・・・電子線、２絞り板、３電子線通過孔、４試料、
５酸化膜、６絞り板に付着した汚れ、７白金等の貴金属
薄膜。 第１図 第２図 ｔ、ｊｑ 図 手続補正書（方式） ％式％ 絞シ装置およびその製法 正をする者 事件との関係 特許出願人 名 Ｎ、１５１０・株式会社 日 立 製作所環
人
の関係図、第２図は第１図Ａ−Ａ’の断面図、第３図は
装置性能データを示す図である。 １・・・電子線、２絞り板、３電子線通過孔、４試料、
５酸化膜、６絞り板に付着した汚れ、７白金等の貴金属
薄膜。 第１図 第２図 ｔ、ｊｑ 図 手続補正書（方式） ％式％ 絞シ装置およびその製法 正をする者 事件との関係 特許出願人 名 Ｎ、１５１０・株式会社 日 立 製作所環
人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子線応用装置の開口角を決定する絞り装置におい
て、酸化防止または、既に酸化している絞り板表面に導
電性を与える目的で絞り板に白金、白金−パラジウム、
金、金−パラジウムなどの貴金属薄膜を有することを特
徴とする絞り装置。 ２、請求項１記載の絞り装置の製法において、白金、白
金−パラジウム、金、金−パラジウム等を真空中での抵
抗加熱蒸発やイオンスパッタまたはメッキ等により絞り
板表面に貴金属薄膜を形成することを特徴とする絞り装
置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329184A JPH04206244A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 絞り装置およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329184A JPH04206244A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 絞り装置およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206244A true JPH04206244A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18218591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329184A Pending JPH04206244A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 絞り装置およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206244A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046830A1 (fr) * | 1999-02-08 | 2000-08-10 | Daiwa Tecthno Systems Co., Ltd. | Plaque diaphragme et son procede de traitement |
| JP2001189265A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Advantest Corp | マスク、半導体素子製造方法、電子ビーム露光装置、荷電ビーム処理装置において用いられる部材 |
| WO2006059803A1 (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences | 位相差電子顕微鏡用位相板及びその製造方法並びに位相差電子顕微鏡 |
| JP2008091270A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Topcon Corp | 荷電粒子ビーム装置における絞り装置のコンタミネーション除去方法及びその方法を用いた絞り装置のコンタミネーション除去装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329184A patent/JPH04206244A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046830A1 (fr) * | 1999-02-08 | 2000-08-10 | Daiwa Tecthno Systems Co., Ltd. | Plaque diaphragme et son procede de traitement |
| JP2001189265A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Advantest Corp | マスク、半導体素子製造方法、電子ビーム露光装置、荷電ビーム処理装置において用いられる部材 |
| GB2359188A (en) * | 2000-01-05 | 2001-08-15 | Advantest Corp | Mask or member used in charged beam processing apparatus comprising conductive non-oxidising layer or conductive oxide layer |
| GB2359188B (en) * | 2000-01-05 | 2002-06-26 | Advantest Corp | Electron beam exposure apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing mask |
| US6613482B1 (en) | 2000-01-05 | 2003-09-02 | Advantest Corporation | Member used for charged beam processing apparatus, and mask |
| DE10048646B4 (de) * | 2000-01-05 | 2006-08-03 | Advantest Corp. | Element zur Bestrahlung in einer Bearbeitungsvorrichtung mit geladenem Strahl und Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung |
| WO2006059803A1 (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences | 位相差電子顕微鏡用位相板及びその製造方法並びに位相差電子顕微鏡 |
| EP1845551A1 (en) * | 2004-12-03 | 2007-10-17 | Inter-University Research Institute Corporation NA | Phase plate for phase-contrast electron microscope, method for manufacturing the same and phase-contrast electron microscope |
| EP1845551A4 (en) * | 2004-12-03 | 2010-07-28 | Nagayama Ip Holdings Llc | PHASE PLATE FOR A PHASE CONTRAST ELECTRON MICROSCOPE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND PHASE CONTRAST ELECTRONIC MICROSCOPE |
| JP2008091270A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Topcon Corp | 荷電粒子ビーム装置における絞り装置のコンタミネーション除去方法及びその方法を用いた絞り装置のコンタミネーション除去装置 |
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