JPH04199865A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04199865A
JPH04199865A JP33620990A JP33620990A JPH04199865A JP H04199865 A JPH04199865 A JP H04199865A JP 33620990 A JP33620990 A JP 33620990A JP 33620990 A JP33620990 A JP 33620990A JP H04199865 A JPH04199865 A JP H04199865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
overcurrent
fuse
preventative
semiconductor device
electrical
Prior art date
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Pending
Application number
JP33620990A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunari Inoue
一成 井上
Hideaki Abe
英明 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路に関するもので、不具合発生
時等に伴う過電流によって、システムそのものの破壊を
防止する為、半導体集積回路に電流遮断用の装置を内蔵
させたものである。
〔従来の技術〕
第4図は例えばMO8型集積回路の入力端子と入力保護
回路を表わしたものてあり、 looは入力端子、 1
01は、放電素子用のトランジスタ、 +02は初段回
路、103は電源電位である。今、入力端子に頁の過電
圧か印加されたとすると、通常はOFF状態であるトラ
ンジスタ+01かON状態となり、入力端子からへ電流
バスかでき、回路を保護する。このように、従来の半導
体集積回路では、人力保護回路等で過電流か回路に流れ
ないよう回路に工夫か施されている。
〔発明か解決しようとする課題〕
しかし、例えば第5図はN型MOSトランジスタの構造
を示したものである。図において、 105はP型半導
体基板、 106.107はN型半導体拡散層、 10
8はゲート酸化膜、 109はゲート電極、110はト
レイン端子、 111はソース端子である。今、何らか
の原因で、トレイン側のAI−N”コンタクトの基板へ
の突きぬけ等の不具合が起こった際、ドレイン側からソ
ース側へ過電流か流れ、それによってシステムそのもの
を破壊してしまう恐れかある。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、何らかの不具合によってICに過電流か生じ
ても、そのシステムを保護するために、過電流を防止す
ることを目的とするものである。
〔課題を解決するだめの手段〕
この発明に係る半導体装置はAl−N”″コンタクトの
基板への突きぬけ等による過電流を防止する為に、IC
内部に過電流防止用のヒユーズを設けたものである。
〔作用〕
この発明における過電流防止用ヒユーズは、AI−N+
コンタクト基板への突きぬけ等により、過電流が流れた
際に切断され、ICそのものを使用不可能にするが、過
電流によるシステムの破壊は避けられる。
〔実施例〕
第1図は、この発明の第1の実施例を示す図である。
図において、lは金線ワイヤー、2は半導体集積回路の
チップ、3は電源電位のVや。のワイヤーである。IC
内部に過電流防止用のヒユーズとして、従来のy ce
ワイヤーの金線の代わりに、例えばハンダのようなヒユ
ーズ材料として使用できるものを用いる。このように構
成されたICにおいて、何らかの原因で過電流か生した
際、ヒユーズか切断されて、過電流か遮断される。
第2図はこの発明の他の実施例を示す図である。
図において、5は金線ワイヤー、6は電源電位y ee
のバット、7は配線、8はAI配線である。図において
、IC内部に過電流防止用のヒユーズとして、従来のV
 ecパッドの配線A1の代わりに、例えばハンダのよ
うなヒユーズ材料として使用てきるものを用いる。
第3図はこの発明の他の実施例を示す図である。
図において、10はビン、11はICのパッケージ、1
2は電源電位y ccのビンである。図において、過電
流防止用のヒユーズとして、ICのパッケージのV e
eピンの材料に、ヒユーズ材料を用いたちのである。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、IC内部に過電流防止
用のヒユーズを設けることにより、例えばAI−N”″
コンタクトの基板への突きぬけ等による過電流を防止し
、そのシステムそのものの破壊は避けられるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体装置図、第2
図はこの発明の他の実施例を示す半導体装置図、第3図
はこの発明の他の実施例を示す半導体装置図、第4図は
従来のMO3型集積回路を示す回路図、第5図は従来の
N型MO3)ランジスタの構成図を示す。 図において、(1)、(5)は金線ワイヤ、(2)はチ
ップ、(3)はワイヤー、(6)はV eeパット、(
7)はヒユーズ材料、(8)ハAl、α0)ハヒン、0
])ハハッケージ、02 ハVeeピンを示す。 第1圀 党?閉 笛3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  封止されたパッケージと、該パッケージ内部にチップ
    を有し、外部入力端子と当該外部入力端子に入力される
    電気的信号を前記封止された内部のチップ上に伝達する
    手段と、チップ上の電気的素子にて前記電気的信号を処
    理し出力する手段と、外部出力端子と当該外部出力端子
    へ前記チップ上で処理された電気的出力を伝達する手段
    をもつ所謂ICにおいて、電流制御用の第2の電気的素
    子を有し、該電気的素子は、定格以上の電流が流れた時
    に電流を永久的に遮断する作用をもつことを特徴とした
    半導体装置。
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