JPH04181794A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH04181794A JPH04181794A JP30863790A JP30863790A JPH04181794A JP H04181794 A JPH04181794 A JP H04181794A JP 30863790 A JP30863790 A JP 30863790A JP 30863790 A JP30863790 A JP 30863790A JP H04181794 A JPH04181794 A JP H04181794A
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Links
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
耐熱性ポリイミド樹脂上に、銅を主体とする薄膜配線を
バターニングする、特に高速ディジタル回路に有用な回
路基板の製造方法に関し、導体配線の下の耐熱性ポリイ
ミド樹脂を劣化させずに配線パターンを形成することを
目的とし、導体層を厚み方向に二分する、導体金属以外
の金属からなる中間層を設け、この中間層までは２００
ｅＶ以上のエネルギーでイオンビームエツチングし、次
に１５０ｅＶ以下のエネルギーでイオンビームエツチン
グするように構成する。
バターニングする、特に高速ディジタル回路に有用な回
路基板の製造方法に関し、導体配線の下の耐熱性ポリイ
ミド樹脂を劣化させずに配線パターンを形成することを
目的とし、導体層を厚み方向に二分する、導体金属以外
の金属からなる中間層を設け、この中間層までは２００
ｅＶ以上のエネルギーでイオンビームエツチングし、次
に１５０ｅＶ以下のエネルギーでイオンビームエツチン
グするように構成する。
本発明は、耐熱性ポリイミド樹脂上に、銅を主体とする
薄膜配線をバターニングする、特に高速ディジタル回路
に有用な回路基板の製造方法に関する。
薄膜配線をバターニングする、特に高速ディジタル回路
に有用な回路基板の製造方法に関する。
導体配線のエツチングには、ウェットエツチング、リア
クティブイオンエツチング、およびイオンビームエツチ
ングが知られている。銅のウェットエツチングは塩化第
二鉄を使用するが、サイドエツチングが著しいので、実
用上の最小線幅は３０〜５０迦程度である。ハロゲンを
含む分子のガスによるリアクティブイオンエツチングは
銅をほとんどエツチングしないので、配線のバターニン
グには使用できない。不活性ガスを使用するイオンビー
ムエツチングは銅をエツチングするが、その下の耐熱性
ポリイミド樹脂にイオンビームを照射すると、樹脂の表
面は機械的強度が低下し、クラックを生ずる欠点があっ
た。
クティブイオンエツチング、およびイオンビームエツチ
ングが知られている。銅のウェットエツチングは塩化第
二鉄を使用するが、サイドエツチングが著しいので、実
用上の最小線幅は３０〜５０迦程度である。ハロゲンを
含む分子のガスによるリアクティブイオンエツチングは
銅をほとんどエツチングしないので、配線のバターニン
グには使用できない。不活性ガスを使用するイオンビー
ムエツチングは銅をエツチングするが、その下の耐熱性
ポリイミド樹脂にイオンビームを照射すると、樹脂の表
面は機械的強度が低下し、クラックを生ずる欠点があっ
た。
本発明は、薄膜配線をイオンビームエツチングするとき
、配線の下の耐熱性ポリイミド樹脂を劣化させないこと
を目的とする。
、配線の下の耐熱性ポリイミド樹脂を劣化させないこと
を目的とする。
口課題を解決するた島の手段：
上記課題は、耐熱性ポリイミド樹脂を基板又は層間絶縁
膜として用い、該耐熱性ポリイミド樹脂上に密着層を介
して導体層を形成する回路基板の製造方法であって、導
体金属層４′４片を厚み方向に量分する、導体金属以外
の金属からなる中間層４−３を設け、この中間層４−３
までは２００ｅＶ以上のエネルギーでイオンビームエツ
チングし、次に１５０ｅＶ以下のエネルギーでイオンビ
ームエツチングし、これによって配線パターンを形成す
ることを特徴とする、回路基板の製造方法によって解決
することができる。
膜として用い、該耐熱性ポリイミド樹脂上に密着層を介
して導体層を形成する回路基板の製造方法であって、導
体金属層４′４片を厚み方向に量分する、導体金属以外
の金属からなる中間層４−３を設け、この中間層４−３
までは２００ｅＶ以上のエネルギーでイオンビームエツ
チングし、次に１５０ｅＶ以下のエネルギーでイオンビ
ームエツチングし、これによって配線パターンを形成す
ることを特徴とする、回路基板の製造方法によって解決
することができる。
耐熱性樹脂、特にポリイミドの劣化は、照射するイオン
ビームのエネルギー強度に依存する。第３ 図１ｔイ、
ｔ ンｉ流１Ｆ０．０５ｍＡ／ｃｄ、照射時ｒＶＪ３０
分のときのアルゴンイオンのエネルギーとポリイミド表
面強度との関係を示し、第４図はこれと同一条件におけ
るアルゴンイオンのエネルギーとポリイミド表面抵抗と
の関係を示す。これらより明かなように、エネルギーが
１５０ｅＶ以下ではポリイミドの表面はほとんど劣化し
ないことが判る。ポリイミド上のバターニングすべき導
体銅層を厚さ方向に量分する金属は、導体金属以外の金
属であればよいので特に限定しないが、チタン、モリブ
デン、ニッケノペクロム、またはクロムを含む合金など
を挙げることができ、たとえばクロムを中間層とし、こ
の中間層に達するまでは２００ｅＶ以上、通常は５００
〜１５００ｅＶでイオンビームエラチンクラ行う。これ
には二次イオン質量分析しながらエツチングを行い、二
次イオンにクロムを検出すれば、１５０ｅＶ以下とする
。これによってエツチングがポリイミドまで達しても、
その表面を劣化させることはない。なお銅がポリイミド
に接する面には通常のように密着層としてクロムをつけ
るので、クロム中間層、銅導体層、クロム密着層の下が
ポリイミドとなる。
ビームのエネルギー強度に依存する。第３ 図１ｔイ、
ｔ ンｉ流１Ｆ０．０５ｍＡ／ｃｄ、照射時ｒＶＪ３０
分のときのアルゴンイオンのエネルギーとポリイミド表
面強度との関係を示し、第４図はこれと同一条件におけ
るアルゴンイオンのエネルギーとポリイミド表面抵抗と
の関係を示す。これらより明かなように、エネルギーが
１５０ｅＶ以下ではポリイミドの表面はほとんど劣化し
ないことが判る。ポリイミド上のバターニングすべき導
体銅層を厚さ方向に量分する金属は、導体金属以外の金
属であればよいので特に限定しないが、チタン、モリブ
デン、ニッケノペクロム、またはクロムを含む合金など
を挙げることができ、たとえばクロムを中間層とし、こ
の中間層に達するまでは２００ｅＶ以上、通常は５００
〜１５００ｅＶでイオンビームエラチンクラ行う。これ
には二次イオン質量分析しながらエツチングを行い、二
次イオンにクロムを検出すれば、１５０ｅＶ以下とする
。これによってエツチングがポリイミドまで達しても、
その表面を劣化させることはない。なお銅がポリイミド
に接する面には通常のように密着層としてクロムをつけ
るので、クロム中間層、銅導体層、クロム密着層の下が
ポリイミドとなる。
なお、１５０ｅＶ以下のイオンビームエツチングは、エ
ンドホール型イオンガンを利用して行うことが便宜であ
る。
ンドホール型イオンガンを利用して行うことが便宜であ
る。
第２図に示すように、セラミック基板］上に、通常のク
ロム密着層、銅導体層、クロム密着層を順次スパッタリ
ングし、通常のフォトリングラフィ法によって導体パタ
ーン２を形成した。これに感光性ポリイミドを用いて絶
縁層３を形成し、その上に本発明の導体層４を形成した
。この導体層４は、第１図に詳細な断面を例示するよう
に、下からクロム０．１淘（４−１）、銅１廁（４−２
）、クロム０．１陶（４−３） 、銅４Ｉ！ｍ（４−４
）、りｏム０．１−（４−５）の順に同一チャンバ内で
スパッタリングして形成し、その上に感光性レジストを
用いて、レジストパターン５を形成した。
ロム密着層、銅導体層、クロム密着層を順次スパッタリ
ングし、通常のフォトリングラフィ法によって導体パタ
ーン２を形成した。これに感光性ポリイミドを用いて絶
縁層３を形成し、その上に本発明の導体層４を形成した
。この導体層４は、第１図に詳細な断面を例示するよう
に、下からクロム０．１淘（４−１）、銅１廁（４−２
）、クロム０．１陶（４−３） 、銅４Ｉ！ｍ（４−４
）、りｏム０．１−（４−５）の順に同一チャンバ内で
スパッタリングして形成し、その上に感光性レジストを
用いて、レジストパターン５を形成した。
通常のイオンビームエツチング装置を用い、アルゴンイ
オンエネルギー１０００ｅＶ、イオン電流密度Ｑ、５
ｍＡ ／ ｃｒｌで、レジストパターン５をマスクとし
て、クロム密着層（４−５）と、銅導体層（４−４）と
をエツチングし、クロム中間層（４−３）に達したこと
を二次イオン質量分析で確め、次にエンド庁、−ル型イ
オンガンを用いて、イオンエネルギーを１００ｅＶとし
、イオン電流密度Ｑ、 ５ ｍＡ ／ ｃｆｆｌで残り
の層のエツチングを終了した。ポリイミド絶縁層３に表
面の劣化は認とられなかった。
オンエネルギー１０００ｅＶ、イオン電流密度Ｑ、５
ｍＡ ／ ｃｒｌで、レジストパターン５をマスクとし
て、クロム密着層（４−５）と、銅導体層（４−４）と
をエツチングし、クロム中間層（４−３）に達したこと
を二次イオン質量分析で確め、次にエンド庁、−ル型イ
オンガンを用いて、イオンエネルギーを１００ｅＶとし
、イオン電流密度Ｑ、 ５ ｍＡ ／ ｃｆｆｌで残り
の層のエツチングを終了した。ポリイミド絶縁層３に表
面の劣化は認とられなかった。
こ発明の効果口・
本発明によれば、ポリイミドなどの耐熱性樹脂を劣化さ
せることなく、その上に微細な配線パターンを形成する
ことができる。
せることなく、その上に微細な配線パターンを形成する
ことができる。
第１図は、イオンビームエツチングすべき導体層の詳細
を示す断面図であり、 第２図は、第１図の導体層を含む部分の回路基板の断面
図であり、 第３図はアルゴンイオンのエネルギーとポリイミドの表
面強度との関係図であり、 第４図はアルゴンイオンのエネルギーとポリイミドの表
面抵抗との関係図である。 １・・・セラミック基板、 ２・・・クロム−銅−クロム層、 ３・・・ポリイミド層、 ４・・・クロム−銅−クロム−銅−クロム層、４−１・
・・クロム密着層、４−２・・・銅導体層、４−３・・
・クロム中間層、４−４・・・銅導体層、４−５・・・
クロム密着層、５・・・レジストパターン。
を示す断面図であり、 第２図は、第１図の導体層を含む部分の回路基板の断面
図であり、 第３図はアルゴンイオンのエネルギーとポリイミドの表
面強度との関係図であり、 第４図はアルゴンイオンのエネルギーとポリイミドの表
面抵抗との関係図である。 １・・・セラミック基板、 ２・・・クロム−銅−クロム層、 ３・・・ポリイミド層、 ４・・・クロム−銅−クロム−銅−クロム層、４−１・
・・クロム密着層、４−２・・・銅導体層、４−３・・
・クロム中間層、４−４・・・銅導体層、４−５・・・
クロム密着層、５・・・レジストパターン。
Claims (2)
- １．耐熱性ポリイミド樹脂を基板又は層間絶縁層として
用い、該耐熱性ポリイミド樹脂上に密着層を介して導体
層を形成する回路基板の製造方法であって、導体金属層
（４）を厚み方向に二分する、導体金属以外の金属から
なる中間層（４−３）を設け、この中間層（４−３）ま
では２００ｅＶ以上のエネルギーでイオンビームエッチ
ングし、次に１５０ｅＶ以下のエネルギーでイオンビー
ムエッチングし、これによって配線パターンを形成する
ことを特徴とする、回路基板の製造方法。 - ２．導体金属層（４）が銅（４−２，４−４）、中間層
（４−３）および密着層（４−１，４−５）がクロム又
はクロムを含む金属の混合物からなり、アルゴンイオン
ビームを用いてエッチングする、請求項１記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30863790A JPH04181794A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30863790A JPH04181794A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181794A true JPH04181794A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=17983451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30863790A Pending JPH04181794A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04181794A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294873A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP30863790A patent/JPH04181794A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294873A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
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