JP3360415B2

JP3360415B2 - 回路パターン形成方法

Info

Publication number: JP3360415B2
Application number: JP10941994A
Authority: JP
Inventors: 隆児大谷; 啓明北村; 剛岡本; 策雄鎌田; 良幸内野々; 勲二中嶋; 俊之鈴木
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1994-05-24
Filing date: 1994-05-24
Publication date: 2002-12-24
Anticipated expiration: 2017-12-24
Also published as: JPH07321446A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は回路パターンの形成方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板表面に回路パターンを形
成する方法として、以下に説明する概略二種類の方法が
よく行われている。これらの方法は、レジストのパター
ン形状に対応したフォトツールを準備しておいて、この
フォトツールを使用して同一の回路パターンを大量に生
産できる点で優れているものである。

【０００３】その第一の方法としては、基板の全表面に
回路パターンとなる金属膜を形成し、この金属膜の上に
パターン形状にレジスト膜を形成してエッチング処理
し、不要な部分の金属膜を除去する方法である。しか
し、この方法は一旦基板表面に形成した金属膜をエッチ
ング除去しているので、材料が無駄になるものである。
このため、例えば金などのように高価な金属膜を使いに
くく、回収するにもそれ相当のコストがかかるものであ
る。

【０００４】この点を改善した第二の方法としては、め
っき活性を有するように基板表面を処理したのち、この
基板表面にめっき耐性のあるレジスト膜を逆のパターン
形状に形成し、基板表面にパターン状に金属膜を形成
し、回路パターンとする方法がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
代表的な二種類の従来例にあっては、レジスト膜のパタ
ーンを形成するために、均一なレジスト膜を形成し、露
光し、現像する工程が必要であり、工程が煩雑となる問
題があった。また、回路パターンの形成されていない基
板表面には、エッチング液、めっき処理液またはレジス
トなどが残る可能性があり、絶縁性または回路特性に影
響を与える恐れがある。また、立体形状の基板表面に回
路パターンを形成することが困難であるという問題もあ
る。

【０００６】本発明は、以上のような問題点を解決する
ためになされたものであり、その目的は、簡単で効率の
よい工程で絶縁性などの性能のよい回路パターンを形成
でき、しかも立体形状の基板にも対応できる回路パター
ンの形成方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１記載の発明は、基板表面に回路パターン形状に対応
したスリット孔を設けたターゲットを近接させると共
に、基板と反対側のターゲット面上に略均一なプラズマ
を発生させ、ターゲットのスリット孔側面をスパッタリ
ングさせることを特徴として構成している。

【０００８】請求項２記載の発明は、基板表面に回路パ
ターン形状に対応したスリット孔を設けたターゲットを
近接させると共に、基板と反対側のターゲット面上に略
均一なプラズマを発生させ、ターゲットのスリット孔側
面をスパッタリングさせて形成された回路パターン上
に、めっき膜から成る回路パターンを重ねて形成するこ
とを特徴として構成している。

【０００９】請求項３記載の発明は、基板表面に回路パ
ターン形状に対応したスリット孔を設けたターゲットを
近接させると共に、基板と反対側のターゲット面上に略
均一なプラズマを発生させ、ターゲットのスリット孔側
面をスパッタリングさせる回路パターンの形成方法にお
いて、複数また同一のターゲットを順に用いて複数回同
一基板上にスパッタリングを行い、回路パターンを同一
基板上に重ねて形成することを特徴として構成してい
る。

【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１、２また
は３記載の発明において、立体形状の基板表面に対応す
る立体形状のターゲットを近接させることを特徴として
構成している。

【００１１】請求項５記載の発明は、請求項１、２また
は３記載の発明において、ターゲットを抵抗体材料とし
たことを特徴として構成している。

【００１２】請求項６記載の発明は、請求項１、２また
は３記載の発明において、基板の表面に酸化物の層を形
成し、酸化物と金属との割合を順に変化させて表面が略
純粋な金属となっていることを特徴として構成してい
る。

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明では、ターゲットに回路パ
ターン形状に対応したスリット孔を設け、このスリット
孔側面をスパッタリングさせることによって、ターゲッ
トに近接させた基板表面にスパッタリング膜から成る回
路パターンが転写されている。つまり、回路パターン形
状に対応したスリット孔の形状が、スパッタリングによ
ってそのまま回路パターン形状となって基板表面に直に
転写されている。

【００１４】また、その上、この方法のスパッタリング
膜は、基板表面を強く粗面化することなく、密着性よく
形成される。

【００１５】請求項２記載の発明では、まずスパッタリ
ング膜の回路パターンが形成され、この膜の上にさらに
めっき膜から成る回路パターンを重ねて形成している。
スパッタリング膜の回路パターンは、スリット孔の形状
そのままに直接基板上に転写されて得られ、めっき膜は
厚く形成することが容易なので、膜厚みの厚い回路パタ
ーンを短時間に形成することができる。

【００１６】請求項３記載の発明では、同一のターゲッ
トを用いて複数回同一基板上にスパッタリングすること
によって、同じ回路パターンが同一基板上に多数形成さ
れる。このとき、基板より小さいターゲットを用い、タ
ーゲットと基板との位置を変えることによって、同一基
板上の異なる位置に同じ形状で同じ材質の回路パターン
を多数形成することができる。さらに、回路パターンの
一部を重ねることによって、同じ繰り返し単位を持つ大
きな連続した回路パターンとすることもできる。

【００１７】また、材質、スリット孔または材質とスリ
ット孔とが異なるターゲットを用いることによって、同
一基板上に材質、形状または材質と形状とが異なる回路
パターンを多数形成し、合成された回路パターンを形成
することができる。

【００１８】請求項４記載の発明では、立体形状の基板
表面に対応する立体形状のターゲットを用いることによ
って、立体形状の基板表面にも、上記の発明と同様に回
路パターンが転写されている。

【００１９】請求項５記載の発明では、ターゲットを抵
抗体材料としており、抵抗体がスパタリング膜として得
られ、薄膜の抵抗体回路パターンが直接形成されてい
る。

【００２０】請求項６記載の発明では、基板の表面に酸
化物の層を形成し、酸化物と金属との割合を順に変化さ
せて表面が略純粋な金属となっている。基板と回路パタ
ーン膜との接合界面が酸化物層となって密着性を向上さ
せている。

【００２１】

【実施例】本発明の一実施例を以下に添付図に基づいて
説明する。

【００２２】実施例１を図１ないし図７に基づいて以下
に説明する。図１および図３はこの実施例で用いる基板
１およびタッゲット２を示す斜視図であり、図２は回路
パターン６の形成状態を示す説明図である。また、図４
はターゲット２のスリット孔３の形状を示す断面図であ
り、図５ないし図７はプラズマチャンバー４の構成を示
す概略図である。

【００２３】図１は基板１およびターゲット２を示し、
この図において、基板１はセラミックスまたは合成樹脂
などの絶縁性の材料から成る平板である。ターゲット２
は回路パターンの材料となる金属として銅を用いてい
る。回路パターン６となる金属としては、この他いろい
ろな材料を用いることができるが、代表的なものを例示
すれば、金、ニッケル、銀、パラジウムまたはアルミニ
ウムなどがある。ターゲット２には基板１の表面に形成
しようとする回路パターンの形状に対応したスリット孔
３が設けられており、一般的な機械加工によって形成さ
れる約１mmの厚さのものである。

【００２４】そして、上記の基板１にターゲット２を重
ねて近接させた状態にして、図２に示すように、プラズ
マ形成可能な真空チャンバー４内に配設する。このチャ
ンバー４内にはアルゴンガスが10^-3トールに減圧されて
導入され、ターゲット２をチャンバー４に対して負とな
るようなバイアス電圧をかけ、ターゲット２とチャンバ
ー４との間で放電させることによってプラズマ５を形成
することができる。ターゲット２を負とするバイアス電
圧は、チャンバー４をアース電位としてターゲット２に
負のバイアス電圧をかけるか、または、ターゲット２を
アース電位として、チャンバー４に正のバイアス電圧を
かけるようにすればよい。このバイアス電圧としては、
10〜1000Ｖ程度が安定に放電されるので適当である。ま
た、アルゴンガスの他に、キセノン、クリプトン、ネオ
ンまたは窒素などのガスも使用することができる。

【００２５】以上のようにして、基板１と反対側のター
ゲット２面上に略均一なプラズマ５を発生させ、ターゲ
ット２のスリット孔３側面をスパッタリングさせること
によって、図３に示すように、基板１表面にスパッタリ
ング膜から成る回路パターン６を形成することができ
る。すなわち、スパッタリングされたターゲット２のス
リット孔３側面の銅原子２ａが、基板１表面のスリット
孔３の部分に密着して回路パターン６が転写されるもの
である。

【００２６】ここで、上記の転写をうまく行うために
は、スリット孔３の形状を適切にするとよい。その形状
としては、図４に示すターゲット２の断面図において、
アスペクト比 (d/D)を 0.8〜 1.2程度の範囲とし、さら
に、やや基板１側にスリット孔３が狭くなるような傾斜
を設けることが適切である。このような形状とすること
によって、プラズマ５の当たる確率が高くなって銅原子
が効率よく転写されるようになる。

【００２７】上記のプラズマ５の密度を10¹¹個/cm³程度
のオーダーにすることによって、 100〜 300Å／分の成
膜速度で回路パターン６を形成することができる。

【００２８】具体的なプラズマ形成用のチャンバー４と
しては、例えば、図５に示す電子衝撃型、図６に示す高
周波励起型、または図７に示すマイクロ波励起型などを
用いることができる。図５に示す電子衝撃型では、プラ
ズマチャンバー４内にマグネット７、陽極８および熱陰
極９を配設し、熱陰極９によってプラズマ５を形成して
いる。また、図６に示す高周波励起型では高周波コイル
１０に高周波電流を印加してプラズマ５を形成し、図７
に示すマイクロ波励起型ではマイクロ波発生部１１とコ
イル１２とによる磁界によってＥＣＲプラズマ５を形成
しているものである。

【００２９】プラズマ形成用のチャンバー４としては、
上述したようないろいろな方式のものが使用されるが、
例えば、図５に示した電子衝撃型のもので200Vのバイア
ス電圧を加えて120Wの放電を行うことによって、15分間
で2000Åの銅厚みの回路パターン６を得ることができ
る。なお、図６または図７に示すように、二組の近接さ
せたターゲット２と基板１とを、チャンバー４内にプラ
ズマ５を挟むように対向させて配設することによって、
効率よく回路パターン６を形成することができる。さら
に二組以上配設し、効率よく回路パターン６を形成する
こともできる。

【００３０】以上のようにして形成する回路パターン６
では、ターゲット２のスリット孔３の形状が、そのまま
回路パターン６の形状となって基板１表面に転写され、
ターゲット２の金属から成る回路パターン６が基板１表
面に得られている。

【００３１】従って、従来のように、レジストパターン
を介在させてエッチングすることなく、直に回路パター
ン６が得られるので、材料を無駄にすることなく、短い
工程で効率のよい回路パターンの形成方法になってい
る。従って、特に高価な金またはパラジウムなどの金属
から成る回路パターン６を形成するのに好適な回路パタ
ーンの形成方法になっている。

【００３２】また、基板１表面に直にスパッタリングに
よる回路パターン６を形成しているので、回路パターン
６の存在しない基板１表面には他の余分な介在物が存在
する可能性がなく、絶縁性信頼性のよい回路パターン６
を形成することができる。また、この実施例の回路パタ
ーン６は、基板１表面を強く粗面化することなく、密着
性よく形成することができる。

【００３３】実施例２を以下に図８の製造工程を示す概
略説明図を参照して説明する。この実施例は、実施例１
の絶縁性の基板１を立体形状としたもので、ターゲット
２を基板１に合わせて立体形状とする他は実施例１と同
様に行うことができるものである。以下、詳述する。

【００３４】この図において、（Ａ）の図は基板１を示
し、セラミックスまたは合成樹脂などの絶縁性の材料か
ら成り、表面に立体形状を有しているものである。
（Ｂ）の図はターゲット２を示し、回路パターン６の材
料となる金属として銅を用いている。回路パターン６と
なる金属としては、この他いろいろな材料を用いること
ができる。また、（Ｃ）の図は（Ｂ）の図において仮想
線にて示した部分の断面を示している。ターゲット２に
は基板１の表面に形成しようとする回路パターン形状に
対応したスリット孔３が設けられており、一般的な機械
加工によって形成される約１mmの厚さのものである。ま
た、基板１表面の形状が複雑な場合は電鋳めっきによっ
て、立体形状にピッタリ合うように形成することも可能
である。

【００３５】（Ｄ）の図は上記の基板１にターゲット２
を重ねて近接させようとしている状態を示している。基
板１にターゲット２を近接させた状態にして、プラズマ
形成可能な真空チャンバー４内に配設し、基板１と反対
側のターゲット２面上に略均一なプラズマ５を発生さ
せ、ターゲット２のスリット孔３側面をスパッタリング
させることによって、（Ｅ）の図に示すように、基板１
表面にスパッタリング膜から成る回路パターン６を形成
することができる。

【００３６】従って、この実施例によれば、実施例１に
示したと同様に、性能のよいスパッタリング膜の回路パ
ターン６が、立体形状の基板１の表面にも短い工程で効
率のよく形成されている。

【００３７】実施例３を図９および図１０を参照して以
下に説明する。図９はこの実施例の工程を示す説明図で
あり、図１０はこの実施例によって得られる回路板の斜
視図を示している。

【００３８】図９において、（Ａ）は第一の工程とし
て、ターゲット２にパラジウムを用いて、前記の実施例
１の方法によって、基板１上にパラジウムの回路パター
ン６ａを形成した状態を示している。ただし、回路パタ
ーン６ａの厚みは実施例１と異なり 200〜 900Åとして
いる。なお、さらに薄くして数十Å程度とすることも可
能であるが、（Ｂ）の第二工程におけるめっき析出性が
やや悪くなるので、安全側として 200〜 900Åとしてい
るものである。この程度の厚みであれば、２〜３分で第
一工程のスパッタリングを終了することができる。

【００３９】このあと、（Ｂ）の第二工程として、上記
の回路パターン６ａをめっき核として無電解銅めっきを
行い、約10μｍの銅めっき膜の回路パターン６ｂを回路
パターン６ａ上に重ねて形成し、図１０に示すような回
路板を得ている。

【００４０】なお、第一の工程のターゲット２を銅とし
て、15分間スパッタリングさせて2000Åの銅厚みの回路
パターン６ａを得、この回路パターン６ａを電極として
電解銅めっき膜の回路パターン６ｂを回路パターン６ａ
上に重ねて形成してもよい。または、電解めっき膜とせ
ずに無電解めっき膜としてもよく、無電解ニッケル、金
めっきなどのめっき膜を重ねて形成することもできる。

【００４１】以上のように、めっき膜を重ねて形成する
この実施例では、めっき膜だけでパターン形成する従来
の方法において、パターン形状にめっき核を基板１の表
面に形成することが煩雑であったのに対して、数分のス
パッタリングでこれを行うことができるので容易であ
り、しかも厚膜の回路パターン６を容易に短時間で形成
することができる。

【００４２】実施例４を図１１または図１２使用して以
下に説明する。これらの図は異なる回路パターンの概略
図を示している。

【００４３】この実施例は、異なる回路パターンを実施
例１で示した方法によって同一基板１上に順に重ねて形
成し、合成された回路パターンを形成するものである。

【００４４】図１１は異なるスリット孔３を備えるター
ゲット２を用いる例を示しており、まず最初に、（Ａ）
の回路パターン６ａに対応するスリット孔３ａを有する
ターゲット２ａを用いて回路パターン６ａを基板１に形
成する。次に、（Ｂ）の回路パターン６ｂに対応するス
リット孔３ｂを有するターゲット２ｂを用いて回路パタ
ーン６ｂを基板１に形成する。このとき、基板１とター
ゲット２ｂの位置関係を最初と略同じ関係にすることに
よって、（Ｃ）の合成された回路パターン６ｃを得るこ
とができる。

【００４５】図１２は同じターゲット２ａを用いる例を
示しており、まず最初に、（Ａ）の回路パターン６ａに
対応するスリット孔３ａを有するターゲット２ａを用い
て回路パターン６ａを基板１に形成する。次に、この同
じターゲット２ａを回路パターン６ａの幅だけ基板１よ
りずらして、（Ｂ）の同じ回路パターン６ａを基板１に
形成する。このようにして、（Ｃ）の回路パターン６ｃ
が合成される。

【００４６】以上のように、この実施例では数種類の基
本的な回路パターンに対応するスリット孔３を設けたタ
ーゲット２を準備しておくことによって、異なる回路パ
ターンを形成できるものである。

【００４７】また、ターゲット２の材質を変えて回路パ
ターンを合成することもできる。例えば、ターゲット２
ａとして銅、アルミニウム、銀または金などの導電性の
材料と、ターゲット２ｂとして酸化ルテニウムまたはニ
クロム合金などの抵抗体材料とを用いて合成されて回路
パターン６ｃを形成することによって、抵抗体を有する
回路板を得ることができる。この場合、抵抗体の回路パ
ターン６ｂをスパッタリング膜として形成しているの
で、高性能の薄膜の抵抗体回路パターンが直接得られて
いる。

【００４８】なお、めっき法などの他の方法によって形
成される回路パターン６と合成することもできる。この
場合、それぞれの回路パターン６がそれぞれに最適な方
法によって形成できて好ましいものである。例えば、厚
みの必要な回路パターン６はめっきなどによって形成す
る場合が考えられる。

【００４９】実施例５を図１３ないし図１４を用いて以
下に説明する。図１３はこの実施例の一製造工程を示す
説明図であり、図１４はこの実施例によって得られる回
路パターン６と基板１との接合部の構造を示す説明図で
ある。

【００５０】図１３はプラズマ５を発生させてスリット
孔３をスパッタリングさせている状態を示す説明図であ
る。この図において、ターゲット２として純銅のターゲ
ット２を大気中に晒すなどして、その表面をわずかに酸
化させておいたものである。このターゲット２をクリー
ニングすることなしに用い、実施例１で行ったように、
スパッタリングによって基板１に回路パターン６を形成
している。

【００５１】図１４は以上のようにして得られた回路パ
ターン６と基板１との接合部を示したものである。この
図に示すように、基板１と回路パターン６との界面に当
たる回路パターン６の部分６ａは数〜数１０Åの厚みの
酸化第一銅となり、次第に酸化第一銅の割合が減少して
酸化第一銅と純銅の混合層６ｂとなり、最終的に純粋な
銅６ｃになっている。このようにして形成される酸化第
一銅は、基板１と強く接合するので、アルミナなどのセ
ラミックスまたはポリイミドなどの基板１に回路パター
ン６を強く接合させることができる。

【００５２】回路パターン６の上記のような酸化層から
純粋な金属に変化する構造は、この他、ターゲット２に
純金属を用い、スパッタリングの初期に酸素ガスをチャ
ンバー４内に導入するか、または、スパッタリングを二
段階に分けて行い、初期に酸化第一銅のターゲット２を
用い、そののち純銅のターゲット２を用いるなどの方法
によって行うことができる。

【００５３】なお、上記の例は銅の場合について説明し
たが、銅に限らず、ニッケルまたはアルミニウムなどの
他の金属であっても、接合界面に酸化物層６ａを形成す
ることによって、回路パターン６の密着力を向上させる
ことができる。

【００５４】以上に説明したように、本実施例は、スパ
ッタリングによって基板１表面に回路パターン６を直接
に形成するものであって、従来のようにレジストパター
ンを必要とせず、またエッチング工程も必要でないもの
である。従って、本実施例によって、簡単で効率のよい
工程で絶縁性などの性能のよい回路パターン６を形成で
き、しかも立体形状の基板１にも対応できるものであ
る。

【００５５】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、回路パターン形
状に対応したターゲットのスリット孔形状が、そのまま
回路パターン形状となって基板表面に転写され、ターゲ
ットと同一の材質の回路パターンが基板表面に得られて
いる。従って、従来のようにレジストパターンを介在さ
せることなく、直に回路パターンが得られるので、パタ
ーン材料を無駄にすることなく、工程が短く、効率のよ
い回路パターンの形成方法になっている。

【００５６】また、基板表面に直に回路パターンが形成
されるので、回路パターンの存在しない基板表面にはエ
ッチング残りまたはレジスト残りなどの余分なものが存
在する可能性が少なく、絶縁性のよい回路パターンとす
ることができる。

【００５７】また、この方法のスパッタリング膜は、従
来の電解銅箔を接着させる方法またはめっき膜を形成す
る方法よりも、基板表面を強く粗面化することなく、密
着性よく形成することができる。

【００５８】請求項２記載の発明は、スパッタリング膜
の上にめっき膜を有する回路パターンを形成できる。こ
のとき、スパッタリング膜の回路パターンは、スリット
孔の形状そのままに直接基板上に転写されて得られるの
で、従来のめっき核付けを行う方法よりも簡単である。
その上、めっき膜は膜厚みを厚く形成することが容易な
ので、膜厚みの厚い回路パターンを短時間に形成するこ
とができる。

【００５９】請求項３記載の発明は、同一基板上の異な
る位置に同じ形状で同じ材質の回路パターンを多数形成
することができ、さらに、同じ繰り返し単位を持つ大き
な連続した回路パターンとすることもできる。

【００６０】また、同一基板上に材質、形状または材質
と形状とが異なる回路パターンを多数形成し、合成され
た回路パターンを形成することができる。例えば、導体
金属の回路パターンと薄膜の抵抗体回路パターンとを合
成して、薄膜抵抗の形成された導体回路パターンとする
ことなどができる。

【００６１】請求項４記載の発明は、立体形状の基板表
面に直にターゲットのスリット孔形状の回路パターンが
転写されており、立体形状の基板表面にも上記の性能の
よいスパッタリング膜の回路パターンを、短い工程で効
率よく形成することができる。

【００６２】請求項５記載の発明は、抵抗体の回路パタ
ーンをスパッタリング膜として形成し、薄膜の抵抗体回
路パターンが直接得られている。

【００６３】請求項６記載の発明は、基板と回路パター
ン膜との接合界面を酸化物層とすることができるので、
密着性のよい回路パターンを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１における基板およびターゲッ
トを示す斜視図である。

【図２】同上実施例の回路パターンの形成状態を示す説
明図である。

【図３】同上実施例における基板およびターゲットを示
す斜視図である。

【図４】同上実施例におけるターゲットのスリット孔の
形状を示す断面図である。

【図５】同上実施例におけるプラズマチャンバーの構成
を示す概略図である。

【図６】同上実施例におけるプラズマチャンバーの構成
を示す概略図である。

【図７】同上実施例におけるプラズマチャンバーの構成
を示す概略図である。

【図８】本発明の実施例２の製造工程を示す概略説明図
である。

【図９】本発明の実施例３の製造工程を示す概略説明図
である。

【図１０】同上実施例によって得られる回路板を示す斜
視図である。

【図１１】本発明の実施例４における回路パターンを示
す概略図である。

【図１２】同上実施例における回路パターンを示す概略
図である。

【図１３】本発明の実施例５の一製造工程を示す説明図
である。

【図１４】同上実施例によって得られる回路パターンと
基板との接合部の構造を示す説明図である。

【符号の説明】

１基板２ターゲット３スリット孔４チャンバー５プラズマ６回路パターン７マグネット８陽極９フィラメント 10 高周波コイル 11 マイクロ波発生部 12 コイル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鎌田策雄大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者内野々良幸大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者中嶋勲二大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者鈴木俊之大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (56)参考文献特開平３−195087（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−177792（ＪＰ，Ａ) 特開平２−247372（ＪＰ，Ａ) 特開平６−164105（ＪＰ，Ａ) 特開平５−217661（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面に回路パターン形状に対応した
スリット孔を設けたターゲットを近接させると共に、基
板と反対側のターゲット面上に略均一なプラズマを発生
させ、ターゲットのスリット孔側面をスパッタリングさ
せることを特徴とする回路パターン形成方法。
【請求項２】基板表面に回路パターン形状に対応した
スリット孔を設けたターゲットを近接させると共に、基
板と反対側のターゲット面上に略均一なプラズマを発生
させ、ターゲットのスリット孔側面をスパッタリングさ
せて形成された回路パターン上に、めっき膜から成る回
路パターンを重ねて形成することを特徴とする回路パタ
ーン形成方法。
【請求項３】基板表面に回路パターン形状に対応した
スリット孔を設けたターゲットを近接させると共に、基
板と反対側のターゲット面上に略均一なプラズマを発生
させ、ターゲットのスリット孔側面をスパッタリングさ
せる回路パターンの形成方法において、複数また同一の
ターゲットを順に用いて複数回同一基板上にスパッタリ
ングを行い、回路パターンを同一基板上に重ねて形成す
ることを特徴とする回路パターン形成方法。
【請求項４】立体形状の基板表面に対応する立体形状
のターゲットを近接させることを特徴とする請求項１、
２または３記載の回路パターン形成方法。
【請求項５】ターゲットを抵抗体材料としたことを特
徴とする請求項１、２または３記載の回路パターン形成
方法。
【請求項６】基板の表面に酸化物の層を形成し、酸化
物と金属との割合を順に変化させて表面が略純粋な金属
となっていることを特徴とする請求項１、２または３記
載の回路パターンの形成方法。