JPH05335718A - 導体配線の形成方法 - Google Patents
導体配線の形成方法Info
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- JPH05335718A JPH05335718A JP13720492A JP13720492A JPH05335718A JP H05335718 A JPH05335718 A JP H05335718A JP 13720492 A JP13720492 A JP 13720492A JP 13720492 A JP13720492 A JP 13720492A JP H05335718 A JPH05335718 A JP H05335718A
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- conductor wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導体配線の形成において、配線基板の面積，
材質の制約をなくし、かつ形成条件が容易で工程を大幅
に削減する。 【構成】 絶縁体基板１１上に導電性有機膜１２を形成
したのち、この有機膜１２上に電解、あるいは無電解め
っきで金属めっき膜１３を形成する。この形成工程によ
れば、常温常圧下での形成が可能であり、基板面積，材
質に制約を受けることはない。形成条件の設定は容易と
なり、工程を大幅に削減することができる。
材質の制約をなくし、かつ形成条件が容易で工程を大幅
に削減する。 【構成】 絶縁体基板１１上に導電性有機膜１２を形成
したのち、この有機膜１２上に電解、あるいは無電解め
っきで金属めっき膜１３を形成する。この形成工程によ
れば、常温常圧下での形成が可能であり、基板面積，材
質に制約を受けることはない。形成条件の設定は容易と
なり、工程を大幅に削減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積度の高いＬＳＩ実
装用の配線基板に関し、特に微細かつ高多層配線がで
き、高密度実装が可能な基板の導体配線の形成方法に関
するものである。
装用の配線基板に関し、特に微細かつ高多層配線がで
き、高密度実装が可能な基板の導体配線の形成方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の導体配線の形成方法とし
ては、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｐ
ｄ，Ｐｔなどの金属を基板上に、スパッタリング法、あ
るいは真空蒸着法などを用いて単層あるいはこれら金属
を重ね合わせた多層構造からなる金属膜を形成し、リソ
グラフィ技術を用いて選択的にエッチングを行って配線
を形成する方法が知られている。
ては、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｐ
ｄ，Ｐｔなどの金属を基板上に、スパッタリング法、あ
るいは真空蒸着法などを用いて単層あるいはこれら金属
を重ね合わせた多層構造からなる金属膜を形成し、リソ
グラフィ技術を用いて選択的にエッチングを行って配線
を形成する方法が知られている。
【０００３】図３は、従来技術による導体配線の形成方
法の概略工程図である。図３（ａ）において、絶縁体基
板３１上にスパッタリング法、あるいは蒸着法などによ
り金属膜３２が形成される。この金属膜３２は、必要に
応じて種々の金属を重ね合わせた多層構造をとることも
ある。さらに最適な膜厚を得たいときには、金属膜３２
上に電解、あるいは無電解めっき法を用いてめっき膜３
３を形成することもあり、この金属膜３２とめっき膜３
３とを含めて金属層３４という。
法の概略工程図である。図３（ａ）において、絶縁体基
板３１上にスパッタリング法、あるいは蒸着法などによ
り金属膜３２が形成される。この金属膜３２は、必要に
応じて種々の金属を重ね合わせた多層構造をとることも
ある。さらに最適な膜厚を得たいときには、金属膜３２
上に電解、あるいは無電解めっき法を用いてめっき膜３
３を形成することもあり、この金属膜３２とめっき膜３
３とを含めて金属層３４という。
【０００４】図３（ｂ）において、金属層３４を形成
後、フォトレジスト３５が金属層３４上に設けられ、こ
れにより選択的なエッチングが可能となる。エッチング
終了後、レジスト３５が取り除かれ、図３（ｃ）に示す
導体配線３６が形成される。
後、フォトレジスト３５が金属層３４上に設けられ、こ
れにより選択的なエッチングが可能となる。エッチング
終了後、レジスト３５が取り除かれ、図３（ｃ）に示す
導体配線３６が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したスパッタリン
グ法、あるいは真空蒸着法などによる金属導体配線の形
成方法では、金属膜を形成しているときに基板３１の温
度が上昇するので耐熱性が要求されることから、基板３
１の材料に制限を与えてしまうという問題点がある。
グ法、あるいは真空蒸着法などによる金属導体配線の形
成方法では、金属膜を形成しているときに基板３１の温
度が上昇するので耐熱性が要求されることから、基板３
１の材料に制限を与えてしまうという問題点がある。
【０００６】さらに、これら形成方法では、減圧下で行
うため、形成条件の制約がきびしく、また装置の大型化
にも限界があり、導体配線を形成する基板の面積に制約
を受けてしまうという問題点もある。
うため、形成条件の制約がきびしく、また装置の大型化
にも限界があり、導体配線を形成する基板の面積に制約
を受けてしまうという問題点もある。
【０００７】本発明の目的は、基板の面積，材質に制約
がなく、かつ形成条件が容易で工程を大幅に削減しうる
導体配線の形成方法を提供することにある。
がなく、かつ形成条件が容易で工程を大幅に削減しうる
導体配線の形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の導体配線の形成方法においては、導電性有
機膜形成工程と、金属膜形成工程とを有し、絶縁体基板
上にパターン化された導体配線を形成する方法であっ
て、導電性有機膜形成工程は、絶縁体基板上に導電性有
機膜を設ける工程であり、金属膜形成工程は、電解めっ
き又は無電解めっき処理を用いて導電性有機膜上に金属
めっき膜を形成する工程であり、めっき膜形成後、パタ
ーン化処理が施され、導体配線は、導電性有機膜上のパ
ターン化された金属めっき膜である。
め、本発明の導体配線の形成方法においては、導電性有
機膜形成工程と、金属膜形成工程とを有し、絶縁体基板
上にパターン化された導体配線を形成する方法であっ
て、導電性有機膜形成工程は、絶縁体基板上に導電性有
機膜を設ける工程であり、金属膜形成工程は、電解めっ
き又は無電解めっき処理を用いて導電性有機膜上に金属
めっき膜を形成する工程であり、めっき膜形成後、パタ
ーン化処理が施され、導体配線は、導電性有機膜上のパ
ターン化された金属めっき膜である。
【０００９】また、導電性有機膜形成工程と、金属膜形
成工程とを有し、絶縁体基板上にパターン化された導体
配線を形成する方法であって、導電性有機膜形成工程
は、絶縁体基板上にパターン化処理を施して選択的に付
着させた反応触媒の部分にのみ導電性有機膜を形成する
工程であり、金属膜形成工程は、導電性有機膜上に金属
めっき膜を設ける工程であり、導体配線は、反応触媒上
のパターン化された金属めっき膜である。
成工程とを有し、絶縁体基板上にパターン化された導体
配線を形成する方法であって、導電性有機膜形成工程
は、絶縁体基板上にパターン化処理を施して選択的に付
着させた反応触媒の部分にのみ導電性有機膜を形成する
工程であり、金属膜形成工程は、導電性有機膜上に金属
めっき膜を設ける工程であり、導体配線は、反応触媒上
のパターン化された金属めっき膜である。
【００１０】
【作用】基板上への導電性有機膜の形成は、常温常圧下
で行うことができ、また短時間での形成が可能である。
このため、基板の面積，材質に制約を受けることはな
く、形成条件もきわめて容易である。有機導電性膜上に
電解、あるいは無電解めっきで金属層を形成するのは、
有機導電性膜のみからなる導体配線では、配線抵抗が高
く、また耐熱性，耐溶剤性などの信頼性にも問題がある
からである。
で行うことができ、また短時間での形成が可能である。
このため、基板の面積，材質に制約を受けることはな
く、形成条件もきわめて容易である。有機導電性膜上に
電解、あるいは無電解めっきで金属層を形成するのは、
有機導電性膜のみからなる導体配線では、配線抵抗が高
く、また耐熱性，耐溶剤性などの信頼性にも問題がある
からである。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されない。図１は、本
発明による導体配線の形成方法の一実施例の概略工程図
である。図１において、符号１１は絶縁体基板、１２は
導電性有機膜、１３は金属めっき膜、１４はレジスト、
１５は導体配線を意味する。
が、本発明はこれら実施例に限定されない。図１は、本
発明による導体配線の形成方法の一実施例の概略工程図
である。図１において、符号１１は絶縁体基板、１２は
導電性有機膜、１３は金属めっき膜、１４はレジスト、
１５は導体配線を意味する。
【００１２】まず、図１（ａ）に示すように、プラスチ
ック，セラミックなどからなる絶縁体基板１１の表面
に、導電性有機膜１２を設ける。この導電性有機膜１２
を電極として電解、あるいは無電解めっき法により、金
属めっき膜１３を形成する。
ック，セラミックなどからなる絶縁体基板１１の表面
に、導電性有機膜１２を設ける。この導電性有機膜１２
を電極として電解、あるいは無電解めっき法により、金
属めっき膜１３を形成する。
【００１３】導電性有機膜１２には、例えばポリアセチ
レン，ポリパラフェニレン，ポリフェニレンビニレン，
ポリピロール，ポリチオフェン，ポリアニリンなどの共
役炭化水素系を用いることができる。その後、選択的に
エッチングし、レジスト１４を金属めっき膜１３上にパ
ターン形成し、図１（ｂ）のようにエッチングを実施す
る。
レン，ポリパラフェニレン，ポリフェニレンビニレン，
ポリピロール，ポリチオフェン，ポリアニリンなどの共
役炭化水素系を用いることができる。その後、選択的に
エッチングし、レジスト１４を金属めっき膜１３上にパ
ターン形成し、図１（ｂ）のようにエッチングを実施す
る。
【００１４】最後にレジスト１４を剥離し、図１（ｃ）
のように導体配線１５を形成する。あるいは、絶縁体で
ある基板１１上にリソグラフィ技術を用い、あらかじめ
選択的に反応触媒を付着させることにより、先に目的と
する導体配線のパターンを導電性有機膜で形成してしま
う方法もある。
のように導体配線１５を形成する。あるいは、絶縁体で
ある基板１１上にリソグラフィ技術を用い、あらかじめ
選択的に反応触媒を付着させることにより、先に目的と
する導体配線のパターンを導電性有機膜で形成してしま
う方法もある。
【００１５】図２は、本発明による導体配線の形成方法
の他の実施例の概略工程図である。図２において、符号
２１は絶縁体基板、２２はレジスト、２３は反応触媒、
２４は導電性有機膜，２５は金属めっき膜，２６は導体
配線を意味する。
の他の実施例の概略工程図である。図２において、符号
２１は絶縁体基板、２２はレジスト、２３は反応触媒、
２４は導電性有機膜，２５は金属めっき膜，２６は導体
配線を意味する。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すように、絶縁体で
ある基板２１上にレジスト２２のパターンを設ける。そ
の後、反応触媒２３をレジストの形成されていない部分
に付着させる。蒸着法などで導電性有機膜２４を形成
し、レジストを剥離する。このとき、導電性有機膜２４
は、図２（ｂ）のように反応触媒２３を付着した部分の
みに形成されるので、配線パターン加工が容易となる。
最後に無電解めっき法などにより図２（ｃ）のように金
属めっき膜２５を形成して導体配線２６を完成する。
ある基板２１上にレジスト２２のパターンを設ける。そ
の後、反応触媒２３をレジストの形成されていない部分
に付着させる。蒸着法などで導電性有機膜２４を形成
し、レジストを剥離する。このとき、導電性有機膜２４
は、図２（ｂ）のように反応触媒２３を付着した部分の
みに形成されるので、配線パターン加工が容易となる。
最後に無電解めっき法などにより図２（ｃ）のように金
属めっき膜２５を形成して導体配線２６を完成する。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の導体配線の
形成方法は、絶縁体である基材上に導電性有機膜を形成
したのち、この有機膜上に電解、あるいは無電解めっき
で金属層を形成するものであるため、常温常圧下で行う
ことができ、導体配線を形成する基板の面積，材質に制
約を受けることなく形成できる効果がある。また簡単な
設備で、かつ短時間での形成ができるので製造コストが
低減できる効果もある。
形成方法は、絶縁体である基材上に導電性有機膜を形成
したのち、この有機膜上に電解、あるいは無電解めっき
で金属層を形成するものであるため、常温常圧下で行う
ことができ、導体配線を形成する基板の面積，材質に制
約を受けることなく形成できる効果がある。また簡単な
設備で、かつ短時間での形成ができるので製造コストが
低減できる効果もある。
【００１８】さらには絶縁体である基材上にリソグラフ
ィ技術を用いてあらかじめ選択的に反応触媒を付着させ
たのち、導電性有機膜を形成する工程によれば、容易に
微細配線を形成できる効果がある。
ィ技術を用いてあらかじめ選択的に反応触媒を付着させ
たのち、導電性有機膜を形成する工程によれば、容易に
微細配線を形成できる効果がある。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による導体配線の形
成方法の一実施例の概略工程図である。
成方法の一実施例の概略工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による導体配線の形
成方法の他の実施例の概略工程図である。
成方法の他の実施例の概略工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、従来技術による導体配線の
形成方法の概略工程図である。
形成方法の概略工程図である。
１１ 絶縁体基板 １２ 導電性有機膜 １３ 金属めっき膜 １４ レジスト １５ 導体配線 ２１ 絶縁体基板 ２２ レジスト ２３ 反応触媒 ２４ 導電性有機膜 ２５ 金属めっき膜 ２６ 導体配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/24 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性有機膜形成工程と、金属膜形成工
程とを有し、絶縁体基板上にパターン化された導体配線
を形成する方法であって、 導電性有機膜形成工程は、絶縁体基板上に導電性有機膜
を設ける工程であり、 金属膜形成工程は、電解めっき又は無電解めっき処理を
用いて導電性有機膜上に金属めっき膜を形成する工程で
あり、めっき膜形成後、パターン化処理が施され、 導体配線は、導電性有機膜上のパターン化された金属め
っき膜であることを特徴とする導体配線の形成方法。 - 【請求項２】 導電性有機膜形成工程と、金属膜形成工
程とを有し、絶縁体基板上にパターン化された導体配線
を形成する方法であって、 導電性有機膜形成工程は、絶縁体基板上にパターン化処
理を施して選択的に付着させた反応触媒の部分にのみ導
電性有機膜を形成する工程であり、 金属膜形成工程は、導電性有機膜上に金属めっき膜を設
ける工程であり、 導体配線は、反応触媒上のパターン化された金属めっき
膜であることを特徴とする導体配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13720492A JPH05335718A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 導体配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13720492A JPH05335718A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 導体配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335718A true JPH05335718A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15193225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13720492A Pending JPH05335718A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 導体配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335718A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041461A1 (fr) | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tsurumi Soda Co., Ltd. | Liquide de gravure pour polymère conducteur et procédé de formation de motif sur un polymère conducteur |
| JP2008088231A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Tsurumi Soda Co Ltd | 導電性高分子用エッチング液および導電性高分子をパターニングする方法 |
| JP2008115310A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | 導電性高分子用エッチング液及び導電性高分子をパターニングする方法 |
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| WO2009122923A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 鶴見曹達株式会社 | エッチング方法、及び、導電性高分子を有する基板 |
| WO2010058778A1 (ja) | 2008-11-19 | 2010-05-27 | 東亞合成株式会社 | パターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法及びパターニングされた導電性高分子膜を有する基板 |
| KR20110041434A (ko) | 2008-07-29 | 2011-04-21 | 도아고세이가부시키가이샤 | 도전성 고분자의 패턴 형성 방법 |
| CN103762159A (zh) * | 2014-01-23 | 2014-04-30 | 上海交通大学 | 一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法 |
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| JPS62247586A (ja) * | 1986-04-19 | 1987-10-28 | 原町精器株式会社 | プリント基板の製造方法 |
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| JPS63260195A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | 飯沼 博通 | プリント基板等の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13720492A patent/JPH05335718A/ja active Pending
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