JPH04178634A - 液晶ディスプレイ用ｔｆｔ基板 - Google Patents
液晶ディスプレイ用ｔｆｔ基板Info
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- JPH04178634A JPH04178634A JP2307700A JP30770090A JPH04178634A JP H04178634 A JPH04178634 A JP H04178634A JP 2307700 A JP2307700 A JP 2307700A JP 30770090 A JP30770090 A JP 30770090A JP H04178634 A JPH04178634 A JP H04178634A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶ディスプレイ用のＴＦＴ基板に関する。
従来、この種のＴＦＴ基板は、第２図に示すようにＣｒ
でゲート電８ｉｉ８を形成し、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）て蓄積容量下部電極９を形成
し、それらの上に５ｉＯ２１０およびＳ ｉ Ｎｘ４の
ケート絶縁膜を成膜した後、ａ−３ｉ５を形成すると共
にゲート絶縁膜４をはさんで蓄積容量対自宅ｌ１６ｃを
形成する。そして最後にＩＴＯの表示電極７を形成して
完成する。
でゲート電８ｉｉ８を形成し、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）て蓄積容量下部電極９を形成
し、それらの上に５ｉＯ２１０およびＳ ｉ Ｎｘ４の
ケート絶縁膜を成膜した後、ａ−３ｉ５を形成すると共
にゲート絶縁膜４をはさんで蓄積容量対自宅ｌ１６ｃを
形成する。そして最後にＩＴＯの表示電極７を形成して
完成する。
あるいは第３図に示すようにゲート電極２をＴａを用い
て形成し、一部を陽極酸化して酸化膜３を形成し、その
上にゲート絶縁膜４を成膜する。蓄積容量を含めた工程
は、第２図と同じである。この例の場合には、ＳｉＯ２
のケート絶縁膜が必要でない。
て形成し、一部を陽極酸化して酸化膜３を形成し、その
上にゲート絶縁膜４を成膜する。蓄積容量を含めた工程
は、第２図と同じである。この例の場合には、ＳｉＯ２
のケート絶縁膜が必要でない。
上述した従来のＴＦＴ基板の製造は、次のような欠点を
有している。
有している。
まず第２図の例では、Ｃｒのゲート電極８． ＮＴｏ
の蓄積容量下部電極９．５ｉ０２１０と５ｉＮｘ４のゲ
ー■・絶縁膜、ＴＦＴ用のａ−８ｉ５゜Ｃｒのドレイン
・ソース電極、ＩＴＯの表示電極７の７回の成膜工程が
必要であり、成膜装置の台数も多くなるという欠点かあ
る。又、形成される蓄積容量は、ケート絶縁１１ｓｉｏ
：＋１０゜Ｓ ｉ Ｎｘ４の膜厚の変動かそのまオバラ
ツキとなり、又、蓄積容量下部電極９の面積か大きいた
め、欠陥数の存在する確立も大きくなるという欠点があ
る。
の蓄積容量下部電極９．５ｉ０２１０と５ｉＮｘ４のゲ
ー■・絶縁膜、ＴＦＴ用のａ−８ｉ５゜Ｃｒのドレイン
・ソース電極、ＩＴＯの表示電極７の７回の成膜工程が
必要であり、成膜装置の台数も多くなるという欠点かあ
る。又、形成される蓄積容量は、ケート絶縁１１ｓｉｏ
：＋１０゜Ｓ ｉ Ｎｘ４の膜厚の変動かそのまオバラ
ツキとなり、又、蓄積容量下部電極９の面積か大きいた
め、欠陥数の存在する確立も大きくなるという欠点があ
る。
同じく第３図の例では、成膜工程か５ｉ０２の分たけ１
回減るが、同じような欠点を有している。
回減るが、同じような欠点を有している。
本発明のＴＦＴ基板は、ケート電極と蓄積容量下部電極
をＴａで同時に形成し、さらに同時に陽極酸化を行い、
ゲート電極の一部はゲート絶縁膜、蓄積容量電極の一部
は誘電体となる構造を有している。
をＴａで同時に形成し、さらに同時に陽極酸化を行い、
ゲート電極の一部はゲート絶縁膜、蓄積容量電極の一部
は誘電体となる構造を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例の断面図である。
は本発明の一実施例の断面図である。
ガラス基板１の上にＴａを１０００人〜１０，０００Ａ
にマグネトロンスパッタ法などの公知の方法によってス
パッタする。さらに公知のホトリソグラフィ技術を用い
てパターン化してケート電極２ａと蓄積容量下部電極２
ｂを形成する。次に接続部になる陽極酸化されてはなら
ない部分にレジスｌ〜を残したパターンで基板全体を陽
極酸化してＴａ酸化９４３を形成する。陽極酸化は公知
の技術であるが、クエン酸０．０１％位の水溶液中で１
００■前後の陽極化成が適当である。さらに、ケート電
極と蓄積容量電極を分離するため、エツチングを行った
後、ＳｉＮｘのゲート絶縁膜４を成膜する。さらにＴＦ
Ｔ用のａ−３ｉ５をプラズマＣＶ Ｄ法等の公知の方法
にて成膜する６蓄積容量の対向電極を形成するためゲー
ト絶縁膜４に穴を明けＣｒでドレイン・ソースｔ＆６ａ
、６ｂ。
にマグネトロンスパッタ法などの公知の方法によってス
パッタする。さらに公知のホトリソグラフィ技術を用い
てパターン化してケート電極２ａと蓄積容量下部電極２
ｂを形成する。次に接続部になる陽極酸化されてはなら
ない部分にレジスｌ〜を残したパターンで基板全体を陽
極酸化してＴａ酸化９４３を形成する。陽極酸化は公知
の技術であるが、クエン酸０．０１％位の水溶液中で１
００■前後の陽極化成が適当である。さらに、ケート電
極と蓄積容量電極を分離するため、エツチングを行った
後、ＳｉＮｘのゲート絶縁膜４を成膜する。さらにＴＦ
Ｔ用のａ−３ｉ５をプラズマＣＶ Ｄ法等の公知の方法
にて成膜する６蓄積容量の対向電極を形成するためゲー
ト絶縁膜４に穴を明けＣｒでドレイン・ソースｔ＆６ａ
、６ｂ。
蓄積容量対向電極６ｃおよび配線６ｄを形成する。最後
にＩＴＯの表示電極７をスパッタによって形成してＴＦ
Ｔ基板が完成する。
にＩＴＯの表示電極７をスパッタによって形成してＴＦ
Ｔ基板が完成する。
こうして得られたＴＦＴ基板は成膜工程が少く、蓄積容
量の安定したものとなる。
量の安定したものとなる。
なお、本実施例では、ゲート電極と蓄積容量電極との回
路切断３エツチングで行なったが、レーザを用いて行な
ってもよい。
路切断３エツチングで行なったが、レーザを用いて行な
ってもよい。
以上説明したように本発明は、ゲート電極および蓄積容
量下部電極にＴａを同時にスパッタすること、およびＴ
ａの一部を陽極化成した膜をゲート絶縁膜として使用す
ることにより、従来のゲート絶縁膜のＳ ］０２の成膜
が省略されることにより、少くとも１〜２回の成膜工程
の省略すなわち、成膜装置台数の減少できる効果がある
。
量下部電極にＴａを同時にスパッタすること、およびＴ
ａの一部を陽極化成した膜をゲート絶縁膜として使用す
ることにより、従来のゲート絶縁膜のＳ ］０２の成膜
が省略されることにより、少くとも１〜２回の成膜工程
の省略すなわち、成膜装置台数の減少できる効果がある
。
さらに本発明により形成された蓄積容量値はＴａの陽極
酸化の際の化成電圧に応じた値を示しバラツキを±５％
以内に収められ良質の蓄積容量が得られることにより、
本発明によるＴＦＴ基板を用いた液晶ディスプレイは表
示特性のバラツキを少くすることができる効果がある。
酸化の際の化成電圧に応じた値を示しバラツキを±５％
以内に収められ良質の蓄積容量が得られることにより、
本発明によるＴＦＴ基板を用いた液晶ディスプレイは表
示特性のバラツキを少くすることができる効果がある。
第１図は本発明の液晶ディスプレイ用ＴＦＴ基板の一実
施例の断面図、第２図および第３図はそれぞれ従来の液
晶ディスプレイ用ＴＦＴ基板の断面図である。 １・・ガラス基板、２ａ・・ゲート電極、２ｂ・・・蓄
積容量下部電極、３・・Ｔａ酸化膜、４・・・ゲート絶
縁膜、５−ａ−８ｉ、６ａ、６ｂ＝−ドレイ〉′ ソー
ス電極、６ｃ・・・蓄積容量対向電極、６ｄ・・・配線
、７・・・表示電極、８・・ゲート電極、９・・・蓄積
容量下部電極、１０・・・ゲート絶縁膜。
施例の断面図、第２図および第３図はそれぞれ従来の液
晶ディスプレイ用ＴＦＴ基板の断面図である。 １・・ガラス基板、２ａ・・ゲート電極、２ｂ・・・蓄
積容量下部電極、３・・Ｔａ酸化膜、４・・・ゲート絶
縁膜、５−ａ−８ｉ、６ａ、６ｂ＝−ドレイ〉′ ソー
ス電極、６ｃ・・・蓄積容量対向電極、６ｄ・・・配線
、７・・・表示電極、８・・ゲート電極、９・・・蓄積
容量下部電極、１０・・・ゲート絶縁膜。
Claims (1)
- ガラス基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と蓄積容
量とを多数設けてなる液晶ディスプレイＴＦＴ基板にお
いて、陽極酸化されたＴａ薄膜を有し、これを絶縁膜お
よびコンデンサとして用いることを特徴とする液晶ディ
スプレイ用ＴＦＴ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307700A JPH04178634A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 液晶ディスプレイ用ｔｆｔ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307700A JPH04178634A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 液晶ディスプレイ用ｔｆｔ基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04178634A true JPH04178634A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17972184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2307700A Pending JPH04178634A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 液晶ディスプレイ用ｔｆｔ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04178634A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5734177A (en) * | 1995-10-31 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, active-matrix substrate and method for fabricating the same |
| KR100272309B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2000-11-15 | 김영환 | 초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법 |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP2307700A patent/JPH04178634A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5734177A (en) * | 1995-10-31 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, active-matrix substrate and method for fabricating the same |
| KR100272309B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2000-11-15 | 김영환 | 초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법 |
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