JPH04173958A - 透明導電性薄膜の形成方法 - Google Patents
透明導電性薄膜の形成方法Info
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- JPH04173958A JPH04173958A JP29789190A JP29789190A JPH04173958A JP H04173958 A JPH04173958 A JP H04173958A JP 29789190 A JP29789190 A JP 29789190A JP 29789190 A JP29789190 A JP 29789190A JP H04173958 A JPH04173958 A JP H04173958A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、液晶、エレクトロルミネッセンス素子から
なるデイスプレィ等を製造するときに、基板の表面に設
ける透明導電性薄膜の形成方法に関するものである。
なるデイスプレィ等を製造するときに、基板の表面に設
ける透明導電性薄膜の形成方法に関するものである。
従来、基板の表面に設ける透明導電性薄膜としては、可
視光透過率、導電性、耐久性、エツチング性等の特性が
優れていることから、酸化インジウム(xnzoz)に
所定量の酸化スズ(S no 、)を含有したI T
O(Indium−Tin−Oxide)薄膜か主に用
いられている。
視光透過率、導電性、耐久性、エツチング性等の特性が
優れていることから、酸化インジウム(xnzoz)に
所定量の酸化スズ(S no 、)を含有したI T
O(Indium−Tin−Oxide)薄膜か主に用
いられている。
このITO薄膜を基板の表面に形成する方法として、
■ 加熱して熱分解反応した原料ガスを基板の表面に堆
積させる熱CVD法等の化学蒸着法(CVD法)。
積させる熱CVD法等の化学蒸着法(CVD法)。
■ 蒸発源に配置した原料を加熱して蒸発原子とし、こ
の蒸発原子を基板の表面に堆積させる真空蒸着法。
の蒸発原子を基板の表面に堆積させる真空蒸着法。
■ ターゲットをイオン種でスパッタリングし、飛散し
たターゲット粒子を基板の表面に堆積させるスパッタリ
ング法。さらに、飛散したターゲット粒子をイオン化し
、電界で数eV〜数KeVまで加速して基板の表面に堆
積させるイオンプレーディング法等の物理蒸着法(PV
D法)。
たターゲット粒子を基板の表面に堆積させるスパッタリ
ング法。さらに、飛散したターゲット粒子をイオン化し
、電界で数eV〜数KeVまで加速して基板の表面に堆
積させるイオンプレーディング法等の物理蒸着法(PV
D法)。
等の方法でITO薄膜を基板の表面に形成している。
しかしながら上記のような各形成方法では、つぎのよう
な問題を有している。
な問題を有している。
化学蒸着法(CVD法)では、基板を高温度(約500
°C以上)に保持する必要かあり、基板か熱劣化したり
、基板を構成する材料か限定される。
°C以上)に保持する必要かあり、基板か熱劣化したり
、基板を構成する材料か限定される。
真空蒸着法では、材料を加熱して得られる蒸発原子の一
部しか基板の表面に堆積(蒸着)せず、効率か悪いとと
もに、形成されるITO薄膜の表面の凹凸が大きく、薄
膜厚さに不均一が生じる。
部しか基板の表面に堆積(蒸着)せず、効率か悪いとと
もに、形成されるITO薄膜の表面の凹凸が大きく、薄
膜厚さに不均一が生じる。
さらに、物理蒸着法(PVD法)では、薄膜表面の凹凸
を小さ(して厚さが均一な薄膜を形成することができる
が、基板温度、電界強度等の形成条件の制御が難しく、
形成される薄膜に不純物を含有し易い。
を小さ(して厚さが均一な薄膜を形成することができる
が、基板温度、電界強度等の形成条件の制御が難しく、
形成される薄膜に不純物を含有し易い。
この発明の目的は、厚さの不均一がなく不純物が含有し
難いことはもちろんのこと、低温度の条件で低抵抗値か
つ高透過率の特性を有する透明導電性薄膜を得ることが
できる透明導電性薄膜の形成方法を提供することである
。
難いことはもちろんのこと、低温度の条件で低抵抗値か
つ高透過率の特性を有する透明導電性薄膜を得ることが
できる透明導電性薄膜の形成方法を提供することである
。
〔課題を解決するための手段〕
この発明の透明導電性薄膜の形成方法は、真空itの内
部にアルゴンガス(Ar)と3%以下の酸素ガス(O2
)とからなる混合ガスを導入するとともに、ターゲット
に高周波電圧を印加してマグネトロンスパッタリングを
行い、ターゲットの構成材料を基板の表面に堆積させる
ものである。
部にアルゴンガス(Ar)と3%以下の酸素ガス(O2
)とからなる混合ガスを導入するとともに、ターゲット
に高周波電圧を印加してマグネトロンスパッタリングを
行い、ターゲットの構成材料を基板の表面に堆積させる
ものである。
この発明の透明導電性薄膜の形成方法は、アルゴンガス
(Ar)と3%以下の酸素ガス(O2)とからなる混合
ガスを導入し、ターゲットに高周波電圧を印加してマグ
ネトロンスパッタリングを行い、ターゲットの構成材料
を基板の表面に堆積させることにより、基板の表面に堆
積するターゲット構成材料の結晶性を高め、グレンサイ
ズ(結晶粒)を大きくすることができる。
(Ar)と3%以下の酸素ガス(O2)とからなる混合
ガスを導入し、ターゲットに高周波電圧を印加してマグ
ネトロンスパッタリングを行い、ターゲットの構成材料
を基板の表面に堆積させることにより、基板の表面に堆
積するターゲット構成材料の結晶性を高め、グレンサイ
ズ(結晶粒)を大きくすることができる。
この発明の透明導電性薄膜の形成方法の一実施例を第1
図ないし第4図に基づいて説明する。
図ないし第4図に基づいて説明する。
第1図は、透明導電性薄膜を基板の表面に形成する装置
の縦断面概念図である。
の縦断面概念図である。
この装置は、ガス導入部7が設けられ、排気部7′から
真空ポンプ(図示せず)で内部を真空排気できる真空チ
ャンバlOの内部において1.水を循環させることによ
り水冷できるホルダ2にガラス基板(コーニング社製2
品番7059)からなる基板1が固定されている。そし
て、基板Iの下方には内部にマグネット9を配設し、上
面に酸化スズ(S no りを10wt%含有した酸化
インジウム(InzOs)の焼結体からなるターゲット
4を取付けたターゲットホルダ3が設けられている。こ
のターゲットホルダ3には、マツチングボックス5を介
して高周波電源6が接続されている。
真空ポンプ(図示せず)で内部を真空排気できる真空チ
ャンバlOの内部において1.水を循環させることによ
り水冷できるホルダ2にガラス基板(コーニング社製2
品番7059)からなる基板1が固定されている。そし
て、基板Iの下方には内部にマグネット9を配設し、上
面に酸化スズ(S no りを10wt%含有した酸化
インジウム(InzOs)の焼結体からなるターゲット
4を取付けたターゲットホルダ3が設けられている。こ
のターゲットホルダ3には、マツチングボックス5を介
して高周波電源6が接続されている。
このような構造の装置において、真空ポンプ(図示せず
)を作動させて真空チャンバ10の内部を1.5 x
10−’[Torrl以下の高真空状態に保持した後、
アルゴンガス(Ar)に酸素ガス(O2)を混合した混
合ガスをガス導入部7から真空チャンバlOの内部に導
入し、真空チャンバIOの内部の真空度を1 x l
O−”[Torr]に保持する。そして、ホルダ2を水
冷しながらターゲットホルダ3に高周波電源6とマツチ
ングボックス5とて8 〔W/d〕の高周波電圧を印加
してプラズマ8を発生させ、ターゲット4の構成材料(
10wt%SnO2含有In2Oりを基板lの表面に2
000 C人〕の厚さ堆積してITO薄膜からなる透明
導電性薄膜を形成した。
)を作動させて真空チャンバ10の内部を1.5 x
10−’[Torrl以下の高真空状態に保持した後、
アルゴンガス(Ar)に酸素ガス(O2)を混合した混
合ガスをガス導入部7から真空チャンバlOの内部に導
入し、真空チャンバIOの内部の真空度を1 x l
O−”[Torr]に保持する。そして、ホルダ2を水
冷しながらターゲットホルダ3に高周波電源6とマツチ
ングボックス5とて8 〔W/d〕の高周波電圧を印加
してプラズマ8を発生させ、ターゲット4の構成材料(
10wt%SnO2含有In2Oりを基板lの表面に2
000 C人〕の厚さ堆積してITO薄膜からなる透明
導電性薄膜を形成した。
このとき、ガス導入部7から真空チャンバ10の内部に
導入する混合ガスのアルゴンガス(Ar)に混合する酸
素ガス(O□)の割合を変化させて透明導電性薄膜を形
成し、各透明導電性薄膜の混合ガス中の酸素ガス(O□
)の容量(%)に対する比抵抗〔Ω・口〕と、可視光透
過率〔%〕とを測定し、結果を第2図に示す。
導入する混合ガスのアルゴンガス(Ar)に混合する酸
素ガス(O□)の割合を変化させて透明導電性薄膜を形
成し、各透明導電性薄膜の混合ガス中の酸素ガス(O□
)の容量(%)に対する比抵抗〔Ω・口〕と、可視光透
過率〔%〕とを測定し、結果を第2図に示す。
その結果、比抵抗の値は、アルゴンガス(Ar)のみを
導入した場合、つまり混合ガスに酸素ガス(O2)を混
合しないときは、2XIO−’(Ω・−〕を示し、混合
ガスとしてアルゴンガス(Ar)に酸素ガス(O2)を
1.3%混合したときは最低値のlXl0−’(Ω・国
〕を示す。さらに、アルゴンガス(Ar)に混合する酸
素ガス(O2)の割合を増加していくと、比抵抗か大き
くなる傾向を示し、酸素ガス(O2)を約3.5%以上
混合すると比抵抗か2X10−’(Ω・口3以上の値を
示す。
導入した場合、つまり混合ガスに酸素ガス(O2)を混
合しないときは、2XIO−’(Ω・−〕を示し、混合
ガスとしてアルゴンガス(Ar)に酸素ガス(O2)を
1.3%混合したときは最低値のlXl0−’(Ω・国
〕を示す。さらに、アルゴンガス(Ar)に混合する酸
素ガス(O2)の割合を増加していくと、比抵抗か大き
くなる傾向を示し、酸素ガス(O2)を約3.5%以上
混合すると比抵抗か2X10−’(Ω・口3以上の値を
示す。
一方、可視光透過率は、酸素ガス(O2)を混合せずに
アルゴンガス(Ar)のみを導入したときは80 〔%
〕を示し、混合ガスとしてアルゴンガス(Ar)に酸素
ガス(O2)を1.3%混合したときは85〔%〕と向
上する。なお、アルゴンガス(Ar)に混合する酸素ガ
ス(O□)を2%以上とした場合でも、可視光透過率は
大きく変化せず、はぼ一定 1の85%となることが確
認された。
アルゴンガス(Ar)のみを導入したときは80 〔%
〕を示し、混合ガスとしてアルゴンガス(Ar)に酸素
ガス(O2)を1.3%混合したときは85〔%〕と向
上する。なお、アルゴンガス(Ar)に混合する酸素ガ
ス(O□)を2%以上とした場合でも、可視光透過率は
大きく変化せず、はぼ一定 1の85%となることが確
認された。
つぎに、アルゴンガス(Ar)に混合する酸素ガス(O
2)の割合を変化させたとき、形成される透明導電性薄
膜の結晶性評価をX線回折法により行い結果を第3図お
よび第4図に示す。
2)の割合を変化させたとき、形成される透明導電性薄
膜の結晶性評価をX線回折法により行い結果を第3図お
よび第4図に示す。
第3図は、アルゴンガス(Ar)に混合する酸素ガス(
O□)の混合割合(%)を変化させた各透明導電性薄膜
のX線回折時の回折角(θ=回折角)に対応する回折ピ
ークの強度曲線(縦軸は相対任意強度)を示すもので、
混合ガスとしてアルゴンガス(Ar)に混合する酸素ガ
ス(O2)の割合を50%、または酸素ガス(O2)の
みとして形成した透明導電性薄膜は、立方晶1n203
(222)面の回折ピークしか確認されない。
O□)の混合割合(%)を変化させた各透明導電性薄膜
のX線回折時の回折角(θ=回折角)に対応する回折ピ
ークの強度曲線(縦軸は相対任意強度)を示すもので、
混合ガスとしてアルゴンガス(Ar)に混合する酸素ガ
ス(O2)の割合を50%、または酸素ガス(O2)の
みとして形成した透明導電性薄膜は、立方晶1n203
(222)面の回折ピークしか確認されない。
これに対し、低い比抵抗を示す透明導電性薄膜つまり混
合ガスとしてアルゴンガス(Ar)に混合する酸素ガス
(O2)の割合を、0. 1.3. 2%として形成し
た各透明導電性薄膜は、立方晶Tn20s(222)面
、(400)面および(622)面の回折ピークが確認
され、特に酸素ガス(O2)の混合割合(%)を1.3
%として形成し、比抵抗か最も低い値を示す透明導電性
薄膜は、回折ピーク強度が強く、また半値幅の狭い立方
晶In20z(400)面の回折ピークを示し、立方晶
1n203(400)面の回折ピーク強度に対する立方
晶Tn203(222)面の回折ピーク強度は、0,3
となる。
合ガスとしてアルゴンガス(Ar)に混合する酸素ガス
(O2)の割合を、0. 1.3. 2%として形成し
た各透明導電性薄膜は、立方晶Tn20s(222)面
、(400)面および(622)面の回折ピークが確認
され、特に酸素ガス(O2)の混合割合(%)を1.3
%として形成し、比抵抗か最も低い値を示す透明導電性
薄膜は、回折ピーク強度が強く、また半値幅の狭い立方
晶In20z(400)面の回折ピークを示し、立方晶
1n203(400)面の回折ピーク強度に対する立方
晶Tn203(222)面の回折ピーク強度は、0,3
となる。
第4図は、第3図に示した各透明導電性薄膜のX線回折
の回折ピークの強度曲線の立方晶In203(400)
面の回折ピーク強度(相対任意強度)と、各透明導電性
薄膜の比抵抗〔Ω・口〕との関係を示す特性グラフで、
立方晶1n20i(400)面の回折ピーク強度が大き
くなるに従って比抵抗の値が低くなることが分かり、立
方晶In203(400)面の結晶成長が比抵抗に大き
く関与していることが確認される。
の回折ピークの強度曲線の立方晶In203(400)
面の回折ピーク強度(相対任意強度)と、各透明導電性
薄膜の比抵抗〔Ω・口〕との関係を示す特性グラフで、
立方晶1n20i(400)面の回折ピーク強度が大き
くなるに従って比抵抗の値が低くなることが分かり、立
方晶In203(400)面の結晶成長が比抵抗に大き
く関与していることが確認される。
以上の結果より、アルゴンガス(Ar)と3%以下の酸
素ガス(O2)とからなる混合ガスを真空チャンバ10
の内部に導入し、ターゲット4に高周波電圧を印加して
プラズマ8を発生させ、マグネトロンスパッタリングで
ターゲット4の構成材料(10wt%5n02含有In
zOz)を基板1の表面に堆積させることにより、基板
1の表面に堆積形成するターゲット4の構成材料の結晶
性を高め、グレンサイズ(結晶粒)を大きくすることが
でき、低温度の条件下で低抵抗値かつ高透過率の特性を
有する透明導電性薄膜を得ることができる。
素ガス(O2)とからなる混合ガスを真空チャンバ10
の内部に導入し、ターゲット4に高周波電圧を印加して
プラズマ8を発生させ、マグネトロンスパッタリングで
ターゲット4の構成材料(10wt%5n02含有In
zOz)を基板1の表面に堆積させることにより、基板
1の表面に堆積形成するターゲット4の構成材料の結晶
性を高め、グレンサイズ(結晶粒)を大きくすることが
でき、低温度の条件下で低抵抗値かつ高透過率の特性を
有する透明導電性薄膜を得ることができる。
この発明の透明導電性薄膜の形成方法は、アルゴンガス
(Ar)と3%以下の酸素ガス(O2)とからなる混合
ガスを導入し、ターゲットに高周波電圧を印加してマグ
ネトロンスパッタリングを行い、ターゲットの構成材料
を基板の表面に堆積させることにより、結晶性を高め、
グレンサイズ(結晶粒)を大きくしたターゲットの構成
材料で透明導電性薄膜を形成するので、低抵抗値かつ高
透過率の特性を有する透明導電性薄膜を得ることかでき
る。
(Ar)と3%以下の酸素ガス(O2)とからなる混合
ガスを導入し、ターゲットに高周波電圧を印加してマグ
ネトロンスパッタリングを行い、ターゲットの構成材料
を基板の表面に堆積させることにより、結晶性を高め、
グレンサイズ(結晶粒)を大きくしたターゲットの構成
材料で透明導電性薄膜を形成するので、低抵抗値かつ高
透過率の特性を有する透明導電性薄膜を得ることかでき
る。
第1図はこの発明の透明導電性薄膜の形成方法の装置の
一実施例の縦断面概念図、第2図はその混合ガス中の酸
素ガス(O2)の容量(%)に対する透明導電性薄膜の
比抵抗〔Ω・口〕と可視光透過率〔%〕との特性グラフ
、第3図はその透明導電性薄膜のX線回折時の回折角に
対応する回折ピークの強度曲線の特性グラフ、第4図は
その立方晶1ntOs (400)面の回折ピーク強
度に対する透明導電性薄膜の比抵抗〔Ω・口〕の特性グ
ラフである。 2・・・基板、4・・・ターゲット、8・・・プラズマ
第1図 1墓坂 第2図 町 。
一実施例の縦断面概念図、第2図はその混合ガス中の酸
素ガス(O2)の容量(%)に対する透明導電性薄膜の
比抵抗〔Ω・口〕と可視光透過率〔%〕との特性グラフ
、第3図はその透明導電性薄膜のX線回折時の回折角に
対応する回折ピークの強度曲線の特性グラフ、第4図は
その立方晶1ntOs (400)面の回折ピーク強
度に対する透明導電性薄膜の比抵抗〔Ω・口〕の特性グ
ラフである。 2・・・基板、4・・・ターゲット、8・・・プラズマ
第1図 1墓坂 第2図 町 。
Claims (1)
- 真空装置の内部にアルゴンガス(Ar)と3%以下の
酸素ガス(O_2)とからなる混合ガスを導入するとと
もに、ターゲットに高周波電圧を印加してマグネトロン
スパッタリングを行い、前記ターゲットの構成材料を基
板の表面に堆積させる透明導電性薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29789190A JPH04173958A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 透明導電性薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29789190A JPH04173958A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 透明導電性薄膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04173958A true JPH04173958A (ja) | 1992-06-22 |
Family
ID=17852449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29789190A Pending JPH04173958A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 透明導電性薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04173958A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07152041A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Casio Comput Co Ltd | 配線を有する電子デバイス |
KR20010069715A (ko) * | 2001-04-30 | 2001-07-25 | 조육형 | 플라스틱 필름의 연속 표면 개질장치 |
EP1956193A1 (de) * | 2007-02-05 | 2008-08-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Bauteil mit einer Leiterbahn aus Indium und Zinn sowie die Verwendung von Indium-Zinnoxid als Verschleissindikator |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29789190A patent/JPH04173958A/ja active Pending
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