KR100594383B1 - 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막의 구조적, 전기적, 및 광학적 특성이 최적화될 수 있는 펄스 주파수 및 기판 온도 환경에서 ZnO:Al 세라믹을 타겟으로 이용하여 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링으로 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막을 증착하는 방법을 개시한다.
본 발명의 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막 제조 방법은, ZnO:Al 세라믹이 타겟으로 이용되며, 소정 진공도가 유지된 스퍼터링 챔버 내부에 설치된 상기 타겟에 일정 주파수를 갖는 펄스를 인가하고, 상기 타겟에서 스퍼터된 물질이 증착되는 기판은 일정 온도로 가열시켜서 펄스 DC 스퍼터링을 진행함으로써 상기 기판에 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막을 증착시킴을 특징으로 하며, 상기 펄스의 주파수는 대략 30 kHz로 설정되고, 상기 기판 온도는 대략 400℃로 설정된다.
스퍼터링, 산화 아연, 펄스 주파수, 기판 온도, 마그네트론

Description

알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막 제조 방법{Method for fabricating Al-doped ZnO thin films}
도 1은 AZO의 펄스 주파수 변화에 따른 결정성을 조사하기 위한 XRD 분석 결과를 나타내는 그래프.
도 2는 AZO의 펄스 주파수 변화에 따른 XRD 피크의 반가폭(FWHM) 및 결정립 크기를 Scherrer법으로 계산한 결과를 나타내는 그래프.
도 3a 내지 도 3c는 AZO의 펄스 주파수 변화에 따른 표면 형상을 관찰하기 위한 SEM 측정 사진.
도 4는 AZO의 펄스 주파수 변화에 따른 증착률을 나타내는 그래프.
도 5는 AZO의 펄스 주파수 변화에 따른 비저항의 변화를 나타내는 그래프.
도 6은 AZO의 펄스 주파수 변화에 따른 광투과율을 나타내는 그래프.
도 7은 AZO의 도 6의 결과에서 구해지는 광 밴드갭 에너지를 나타내는 그래프.
도 8은 AZO의 기판 온도 변화에 따른 결정성을 조사하기 위한 XRD 분석 결과를 나타내는 그래프.
도 9는 AZO의 기판 온도 변화에 따른 XRD 피크의 반가폭(FWHM) 및 결정립 크기를 Scherrer법으로 계산한 결과를 나타내는 그래프.
도 10a 내지 도 10e는 AZO의 기판 온도 변화에 따른 표면 형상을 관찰하기 위한 SEM 측정 사진.
도 11은 AZO의 기판 온도 변화에 따른 비저항성의 변화를 나타내는 그래프.
도 12는 AZO의 기판 온도 변화에 따른 광투과율을 나타내는 그래프.
본 발명은 산화 아연 박막의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 박막의 구조적, 전기적, 및 광학적 특성이 최적화될 수 있는 펄스 주파수 및 기판 온도 환경에서 ZnO:Al 세라믹을 타겟으로 이용하여 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링으로 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막을 증착하는 방법에 관한 것이다.
투명한 전도성 산화막은 LCD, 평판 디스플레이 소자나 박막 태양전지와 같은 광소자의 투명 전극으로 응용될 뿐만 아니라 투명한 전자파 차폐막으로도 응용될 수 있다.
상기한 응용을 위해서 투명한 전도성 산화막은 낮은 비저항값 (10-3∼10-4 Ω-cm)과 가시광선 영역에서의 높은 광 투과율 (85%이상)을 가져야 한다.
지금까지 투명 전도막으로써 ITO (In2O3:Sn) 막이 가장 널리 사용되고 있으며, ITO 막은 광학적, 전기적 성질이 우수하다. 그러나, ITO 막은 In의 생산단가가 높고, 수소 플라즈마에 노출되는 경우 열화에 의한 안정성이 떨어지는 문제점이 있다.
이를 대체하기 위하여 다양한 소재에 대한 연구가 진행된 바 있고, ITO에 대체하여 ZnO 박막이 제시된 바 있다.
ZnO 박막은 ITO 박막에 비하여 생산 가격이 낮고 플라즈마에서의 안정성이 좋으며 낮은 온도에서 공정이 가능할 뿐만 아니라 ITO보다 식각이 쉽다. 그러므로, ZnO 박막은 a-Si, CuInSe2 계열의 태양전지나 큰 면적의 표시 장치 등의 투명 전극용 또는 window 재료로서 ITO를 대체해 왔다.
ZnO 박막의 제조법으로는 CVD (chemical vapor deposition), ALE (atomic layer epitaxy), VPE (vapor phase epitaxy), MBE (melecular beam epitaxy) 및 PLD (pulse laser deposition) 등이 있다.
ZnO 박막이 가 산업적으로 응용되기 위해서는 대면적 증착이 가능한 방법이 제시되어야 하며, 이를 위하여 높은 증착율을 가지면서 박막 특성을 우수하게 제어할 수 있는 제조 방법의 적용이 필요하다.
그러나, 종래의 통상적인 ZnO 박막 제조 방법은 상기한 대면적 증착이 용이하지 않고, 증착률과 박막 특성의 제어에 한계를 갖는 문제점이 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 박막의 구조적, 전기적, 및 광학적 특성이 최적화될 수 있는 펄스 주파수 및 기판 온도 환경에서 ZnO:Al 세라믹을 타겟으로 이용하여 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링으로 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막을 증착하는 방법에 관한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막 제조 방법은, ZnO:Al 세라믹이 타겟으로 이용되며, 소정 진공도가 유지된 스퍼터링 챔버 내부에 설치된 상기 타겟에 일정 주파수를 갖는 펄스를 인가하고, 상기 타겟에서 스퍼터된 물질이 증착되는 기판은 일정 온도로 가열시켜서 펄스 DC 스퍼터링을 진행함으로써 상기 기판에 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막을 증착시킴을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 펄스의 주파수는 30 kHz ±5 kHz의 범위로 설정됨이 바람직하고, 상기 기판 온도는 400℃ ±50℃의 범위로 설정됨이 바람직하다.
이하, 본 발명에 따른 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막 제조 방법의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막 제조 방법은 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 실시된다.
펄스 DC 마그네트론 스퍼터링법이 실시되는 스퍼터링 챔버 내부에는 스퍼터된 물질이 증착되는 기판이 배치되며, 타겟에는 소정 주파수의 펄스가 공급되면서 타겟이 기판에 대하여 소장 각도 경사지게 설치되고, 타겟 주변에 이온화 효율을 높이고 고밀도 플라즈마를 얻기 위한 자장 형성 장치가 구성된다.
펄스 DC 마그네트론 스퍼터링법은 기존의 RF 스퍼터링에 비하여 증착률이 높고, 작업 중 타겟에 발생하는 아크 방전이 최소화되어 안정적으로 박막을 제조할 수 있는 이점이 있다. 또한, MOCVD나 PLD에 비해서 낮은 온도에서 박막 증착이 가능하며 공정 비용이 절감될 수 있는 장점을 가진 증착법이다.
상술한 장점을 갖는 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링법이 본 발명에 적용되며, 그에 따라 유리 기판 위에 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막이 증착된다.
본 발명은 산화 아연 박막이 구조적, 전기적 및 광학적 특성을 일정 수준 이상 갖도록 펄스 주파수와 기판 온도를 일정한 범위로 설정한다.
본 발명의 실시 예로써 기판은 소다 라임 글래스(Soda lime glass)및 비알카리성 Corning 7059 재질의 유리 기판 등이 사용되고, 타겟은 99.0 at% ZnO 와 1.0 at% Al2O3 파우더를 균일하게 혼합하여 이를 소결하여 일정한 직경의 ZnO:Al (순도: 99.99%) 세라믹을 이용하였다.
그리고, 스퍼터링 챔버의 초기 진공도는 5×10-6 Torr로 유지하고, ZnO:Al 타겟 표면의 불순물을 제거하기 위하여 셔터를 닫은 상태에서 예비 스퍼터링을 실시한다.
구체적으로, 본 발명의 실시예는 다음 <표 1>과 같은 파라메터로 조건을 설정하여 스퍼터링을 진행한다.
<표 1>
Parameter Value
Target ZnO+1.0 at% Al (99.99%), 2 inch diameter
Power mode Asymmetric bipolar pulsed dc Power: 200W Frequency: 10~50 kHz Positive duty: 15% Negative duty : 35%
Base pressure 5×10-6 Torr
Working pressure 5 mTorr
Ar gas flow rate 20 sccm
Substrate temperature 350℃
Substrate distance 7 cm
그리고, 본 발명에 따라 스퍼터링으로 증착되는 알루미늄이 도핑된 산화 아연(이하, "AZO"라 함) 박막은 타겟에 인가되는 펄스 주파수를 10∼50 kHz 범위로 변화시켜서 구조, 전기 및 광학적 특성에 미치는 영향을 비교한다. 또한, 유리 기판에 인가되는 온도를 상온에서 500℃ 까지 변화시켜 AZO 박막의 구조, 전기 및 광학적 특성의 변화를 비교한다.
AZO 박막은 SEM 단면 사진 촬영 및 스타일러스법으로 계산된 증착률을 기초로 250∼300 nm의 두께로 증착시켰다.
그리고, 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링으로 제조된 AZO 박막의 결정성을 조사하기 위하여 XRD 분석을 수행 하였고, 표면 형상 및 박막 두께를 확인하기 위하여 SEM 분석을 수행하였다. 증착률은 SEM 단면 측정으로부터 얻어진 박막 두께를 증착시간으로 나누어 계산하였다. 박막의 비저항은 박막 표면에 Cu 전극을 형성한 후, van der Pauw 방법을 사용하여 측정하였다. 또한, 광학적 특성을 조사하기 위하여 200∼800 nm의 파장 영역에서 UV-vis. 분광 분석기를 이용하여 투과도를 측정하고, 광학적 밴드갭을 계산하였다.
이하, 본 발명에 따라 펄스 주파수를 변화시키거나 기판 온도를 변화시키면서 증착한 AZO 박막의 구조적, 전기적, 및 광학적 특성에 대하여 비교한다.
육방정계 wurtzite 구조를 나타내는 ZnO 박막에서 기판 표면에 평행한 (002) 면은 높은 원자 충진율로 인해 가장 낮은 표면 에너지를 가지게 되며, 이로 인하여 ZnO는 박막 증착시 c축 방향으로 우선 성장한다.
타겟에 인가되는 펄스 주파수의 변화에 따라 제조된 AZO 박막의 결정성은 XRD 분석에 의하여 조사될 수 있으며, 그 결과는 도 1 및 도 2와 같다.
도 1을 참조하면, 인가된 펄스 주파수에 관계없이, ZnO (100) 및 (101) 결정면이 발견되지 않은 (002) 면으로의 우선 배향성이 매우 뛰어난 결정 성장을 나타낸다. 그 중 (002) 면의 피크 세기는 펄스 주파수가 30 kHz로 인가되었을 때 가장 크게 나타난다. 상기한 도 1의 결과로써 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링을 통하여 c축 결정 배향성이 매우 우수한 AZO 박막을 제조할 수 있음을 알 수 있으며, 특히 펄스 주파수가 30 kHz에서 결정 상장의 배향성이 가장 우수함을 알 수 있다.
또한, 도 2는 가변되는 펄스 주파수에 따라 제조된 AZO 박막의 (002) 면의 XRD 피크의 반가폭(FWHM) 및 결정립 크기를 나타낸다.
결정립 크기는 XRD 피크의 반가폭 크기로서 알 수 있는데, 일반적으로 반가폭 크기가 클수록 결정립 크기는 작아진다. 결정립 크기는 Scherrer법으로 계산가능하며, 반가폭이 감소할수록 결정립 크기는 증가한다.
도 2에서 알 수 있듯이, 펄스 주파수가 10 kHz에서 30 kHz로 증가할 때 반가폭은 감소하였으나, 30 kHz 이상에서는 반가폭이 다시 증가한다. 따라서, 30 kHz의 펄스 주파수가 인가되었을 때, 결정립이 가장 크게 성장하여 결정입계에서의 결함이 가장 작아졌다. 그러므로, 30 kHz의 펄스 주파수가 인가될 때 결정화도가 가장 우수한 AZO 박막이 성장됨을 알 수 있다.
또한, AZO 박막의 표면 형상은 SEM 측정으로 확인할 수 있으며, 도 3a는 펄스 주파수가 10 kHz가 인가되는 경우이고, 도 3b는 펄스 주파수가 30 kHz가 인가되는 경우이며, 도 3c는 펄스 주파수가 50 kHz가 인가되는 경우의 AZO 박막 표면의 SEM 사진이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, AZO 박막의 표면은 인가된 펄스 주파수에 상관없이 치밀하고 평탄한 돔 형태의 섬유상 (fibrous grain)으로 갖는다. 그러나 이 중 30 kHz의 주파수가 인가되었을 때 AZO 박막은 가장 치밀하고 평탄하게 성장됨을 알 수 있다.
도 3a 내지 도 3c의 결과는 Thornton의 구조영역모델 (structure zone model)과 일치한다.
구조영역모델에 따르면, 표면 구조는 T/Tm (T: 기판온도, Tm: ZnO 녹는점) 및 Ar 압력에 따라 4가지 형태로 나누는데, 본 실험에서는 T/Tm = 0.27, Ar 압력이 5 mTorr로써 Thornton이 제시한 섬유상이 제조되는 조건과 일치한다.
또한, 도 4는 펄스 주파수의 변화에 따른 AZO 박막의 증착률을 나타낸다.
AZO 박막은 펄스 주파수가 10 kHz일 때 가장 큰 26 nm/min의 증착율을 보이며, 펄스 주파수가 증가함에 따라 선형적으로 감소하여 50 kHz일 때는 8.5 nm/min의 가장 낮은 증착율을 보인다.
일반적으로 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링에 의한 박막 증착시 펄스 주파수는 증착률에 별다른 영향을 미치지 않는다. 그러나, 본 발명과 같이 Ar 가스 분위기 하의 스퍼터링에 있어서 펄스 주파수가 증착률에 상당한 영향을 미치는 결과를 얻는다.
도 5는 펄스 주파수에 따른 AZO 박막의 비저항의 변화를 나타낸다.
증착된 AZO 박막은 펄스 주파수를 10 kHz부터 30 kHz로 증가시켰을 때는 비저항이 점차로 감소하여 30 kHz의 펄스 주파수가 인가되었을 때 8.67×10-4 Ω-cm의 가장 낮은 비저항을 갖는다. 그 후 증착된 AZO 박막은 펄스 주파수를 증가시켰을 때 비저항이 약간 증가한다.
도 5는 도 1 및 도 2에서 나타난 펄스 주파수에 따른 결정립 크기 및 c축 성장성의 변화와 일치하는 결과로써, 결정립 크기 및 c축 성장성과 비저항 간에 매우 밀접한 상관관계가 있음을 나타낸다.
이와 같이, 펄스 주파수가 30 kHz를 인가하였을 때 AZO 박막이 가장 낮은 비저항을 가지는 이유는, 30 kHz의 펄스 주파수 까지는 증착속도가 감소함에 따라 입사된 입자가 안정한 위치로 이동하기가 쉬워 결정화가 촉진되고 이는 c축 방향으로 결정립을 성장시켜 입자간 저항이 감소하지만, 30 kHz 이상의 주파수가 인가되었을 때는 플라즈마 밀도의 증가에 다른 입자의 운동 에너지의 증가로 인해 박막 성장 중에 결함밀도가 증가하기 때문이다.
한편, 도 6은 펄스주파수의 변화에 따른 AZO 박막의 상온에서 200∼800 nm 파장 영역에서의 투과 스펙트럼을 나타낸다.
도 6에서 약 350 nm에서 흡수단이 나타났으며, AZO 박막의 가시광선 영역에서의 투과율은 85∼90%이다. AZO 박막은 인가된 펄스 주파수에 관계없이 명확한 oscillation을 보여주는 간섭 줄무늬 모양 (interference fringes)이 스펙트럼에 나타나는데, 이는 AZO 박막의 표면 평활도가 우수함을 의미한다.
그리고, AZO 박막의 광 밴드갭을 구하기 위하여 도 6에서 보여진 UV-vis. 투과율로부터 (αhυ)2 vs. hυ 의 관계를 구하였고, 이를 도 7에 나타내었다 (α: 흡수계수, h: 플랑크 상수, υ: 주파수).
도 7의 곡선의 변곡점에서 직선을 그어 에너지축의 교점까지 외삽을 하면 그 부분이 광 밴드갭 에너지를 나타낸다.
그 결과 타겟에 인가된 펄스 주파수가 AZO 박막의 밴드갭에 별다른 영향을 미치지 않는 것을 알 수 있으며, 전체적으로 3.53∼3.57 eV의 광 밴드갭 에너지을 갖는다. 이 값은 ZnO 다결정 박막의 밴드갭 에너지(약 3.30 eV) 보다 높은데, 이는 Al도핑으로 자유 전자 농도가 증가하여 발생하는 Burstein -Moss 효과와 일치하는 결과이다.
이상의 결과로부터 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 AZO 박막의 증착시, 타겟에 인가되는 펄스주파수의 변화는 박막의 결정화도, 결정립의 크기와 전기적 특성에 영향을 미치며, 바람직하기로는 AZO 박막은 펄스 주파수가 30 kHz일 때 가장 우수한 구조적 및 전기적 특성을 갖는다. 광학적 특성에서는 펄스 주파수의 변화에 따라 제조된 모든 시편에서 85%에서 90%의 높은 투과율을 나타내었고, 에너지 밴드갭은 3.53~3.57 eV로써, 순수한 ZnO 보다 다소 높게 측정되었다.
따라서, 본 발명은 AZO 박막이 산업적으로 응용되기 위한 구조적, 전기적, 및 광학적 특성을 갖기 위해서는 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링 공정을 30 kHz ±5 kH의 펄스 주파수가 제공되는 환경에서 실시함이 바람직하다.
한편, 기판 온도의 변화도 AZO 박막의 구조, 전기 및 광학적 특성에 영향을 미친다.
구체적으로, 기판 온도의 변화에 따라 제조된 AZO 박막의 결정성을 조사하기 위하여 XRD 분석을 실시하면 도 8과 같은 그래프를 구할 수 있다.
도 8을 참조하면, 낮은 온도에서 제조된 AZO 박막은 매우 약한 c축 배향성을 나타내지만, 기판온도가 증가할수록 (002) 면에 해당하는 피크의 세기가 매우 커져 높은 c축 배향성을 나타낸다. 즉, 기판 온도를 25℃부터 400℃까지 증가시켰을 때는 (002) 면에 해당하는 피크의 세기가 매우 급속하게 증가한다. 그러나, 이후 더 높은 온도인 500℃를 인가하였을 때는 피크의 세기가 다소 감소한다. 그러므로, AZO 박막은 400℃의 온도를 유리 기판에 인가하였을 때 (002) 우선 배향성이 가장 뛰어나다.
도 9는 기판 온도에 따라 제조된 AZO 박막의 (002) 면의 XRD 피크의 반가폭(FWHM) 및 결정립 크기를 나타낸다.
기판온도가 25℃부터 400℃ 까지 증가시켰을 때 반가폭은 감소하고, 400℃ 이상의 온도가 인가되었을 때 반가폭은 다소 증가한다. 이것은, 온도가 증가함에 따라 표면 이동도가 증가하여 원자들이 안정한 격자 위치로 이동할 수 있어 AZO 박막의 결정성이 향상된 것이다.
또한, 도 10a 내지 도 10e는 기판 온도에 따라 제조된 AZO 박막의 표면 형상을 관찰하기 위한 SEM 측정 사진이다.
상온에서 증착된 AZO 박막은 낮은 기판 온도에 의해, c-축 우선 배향성이 거의 나타나지 않는 결정립 형상을 나타내고, 기판 온도가 200 ℃ 가 인가 되었을 때는 표면이 매우 거칠은 polyhedral 결정립이 형성된다. 이는 Thornton 의 구조 영역 모델에서 영역 Ⅰ에 해당하는 구조와 일치한다. 그리고 AZO 박막은 기판 온도가 300℃ 인가되었을 때 표면 거칠기가 상당히 감소하고, 원주형(columnar)의 결정 구조를 갖는다. 그리고, AZO 박막은 기판 온도가 400℃ 이상 일 때는 매우 치밀하고 평탄한 돔 형태의 섬유상 구조를 갖는다.
AZO 박막의 표면 형상은 기판에 인가되는 온도에 매우 민감하게 변화되며, 온도가 증가함에 따라서 표면 거칠기는 급격히 감소한다.
또한, 도 11은 기판 온도의 변화에 따른 AZO 박막의 비저항을 나타낸다.
도 11을 참조하면, AZO 박막의 비저항은 기판 온도가 증가함에 따라 감소하여 400℃의 온도가 기판에 인가되었을 때 7.40×10-4 의 가장 낮은 비저항 값을 갖는다. 그러나 400℃ 이상의 온도가 인가되었을 때 AZO 박막의 비저항 값이 다시 증가한다.
AZO 박막이 기판 온도가 증가하여 400℃ 일 때 가장 낮은 비저항 값을 나타내는 것은 산소의 흡착이 감소하여 전자 운반자 농도를 증가시키기 때문이고, 500℃가 인가되었을 때 비저항이 증가하는 것은 산소 공공 결함이 감소하여 운반자 농도가 다시 감소하기 때문이다.
도 12는 기판 온도의 변화에 따른 AZO 박막의 상온에서 200∼800 nm 파장 영역에서의 투과 스펙트럼이다. 모든 시편은 400∼800 nm에서 80∼90 % 의 높은 투과율을 나타내었지만, 상온 (25℃)에서 제조된 시편의 경우 상대적으로 낮은 투명도를 나타낸다. 상온에서 상대적으로 낮은 투과도를 보이는 것은, 불충분한 에너지 공급으로 인해 원자들의 이동도가 상대적으로 낮기 때문이다. 기판온도가 증가함에 따라 광 흡수단은 전체적으로 왼쪽으로 움직이는 현상을 갖는다.
따라서, 본 발명은 AZO 박막이 산업적으로 응용되기 위한 구조적, 전기적, 및 광학적 특성을 갖기 위해서는 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링 공정을 400℃ ±50℃ 로 기판 온도가 유지되는 환경에서 실시함이 바람직하다.
본 발명에 따른 실시 예로써 펄스 DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 AZo 박막을 증착할 때 400℃의 기판 온도와 30 kHz의 펄스 주파수가 인가됨이 바람직하며, 이 경우, 가장 뛰어난 c 축 배향성을 나타내었을 뿐만 아니라 가장 치밀하고 평탄한 박막 성장을 나타내었으며, 7.40×10-4 Ω-cm의 매우 낮은 비저항을 나타내었다. 또한, 광학적 특성 분석 결과, 가시광선 영역에서 85∼90%의 우수한 투명도를 나타내었고, 광 밴드갭 에너지는 약 3.53∼3.57 eV으로 나타났다.
따라서, 본 발명에 의하여 제조된 AZO 박막은 구조적, 전기적 및 광학적 특성이 우수하여 대면적 증착이 가능하고, 높은 증착률을 가지며, 박막 특성이 우수하다. 그러므로, LCD, 평판 디스플레이 소자나 태양 전지와 같은 광소자의 투명전극 또는 전자파 차폐막 등 다양한 산업 분야에 적용될 수 있는 이점이 있다.

Claims (4)

  1. ZnO:Al 세라믹이 타겟으로 이용되며, 소정 진공도가 유지된 스퍼터링 챔버 내부에 설치된 상기 타겟에 30±5 kHz 범위의 주파수를 갖는 펄스를 인가하고, 상기 타겟에서 스퍼터된 물질이 증착되는 기판은 400±50 ℃ 온도로 가열시켜서 펄스 DC 스퍼터링을 진행함으로써 상기 기판에 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막을 증착시킴을 특징으로 하는 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막 증착 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 펄스 DC 스퍼터링은 아르곤 가스 분위기에서 수행됨을 특징으로 하는 알루미늄이 도핑된 산화 아연 박막 증착 제조 방법.
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