KR20080079048A - 산화아연계 박막 및 그 제조방법 - Google Patents

산화아연계 박막 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080079048A
KR20080079048A KR1020070019081A KR20070019081A KR20080079048A KR 20080079048 A KR20080079048 A KR 20080079048A KR 1020070019081 A KR1020070019081 A KR 1020070019081A KR 20070019081 A KR20070019081 A KR 20070019081A KR 20080079048 A KR20080079048 A KR 20080079048A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
zinc oxide
intermediate layer
zno
based thin
Prior art date
Application number
KR1020070019081A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100982129B1 (ko
Inventor
장현우
방정식
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020070019081A priority Critical patent/KR100982129B1/ko
Priority to PCT/KR2008/001097 priority patent/WO2008105614A1/en
Priority to US12/449,743 priority patent/US8303856B2/en
Priority to EP08723135.3A priority patent/EP2115185B1/en
Priority to JP2009551950A priority patent/JP5005772B2/ja
Publication of KR20080079048A publication Critical patent/KR20080079048A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100982129B1 publication Critical patent/KR100982129B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G9/00—Compounds of zinc
    • C01G9/02—Oxides; Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

기판; 과 제 1 XRD피크를 갖는 산화아연계 박막(ZnO:M) 사이에, M'2O3 를 포함하는 중간층(interlayer)을 구비하여, 상기 제 1 XRD피크보다 +0.05°~ +0.5°만큼 이동된 제 2 XRD 피크를 갖도록 조절된 것이 특징인 산화아연계 박막 및 그 제조방법을 제공한다. (이 때, 상기 M은 ZnO에 포함되는 도판트이며, M 및 M'는 13족 원소 및 +3의 산화수를 갖는 전이금속으로 구성된 군에서 선택된 원소이고, 상기 제 1 XRD피크 및 제 2 XRD 피크는 CuKα(λ=0.154nm) radiation에 의한 2θ= 34°±0.5°사이에 위치하는 산화아연(ZnO)의 (002)피크이다.)
본 발명은 산화아연계 박막에 있어서, 기판과 산화아연층 사이에 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물 박막을 중간층으로 구비함으로써, 전자 이동도의 저하없이 전자 농도를 증가시키는 효과를 가져올 수 있으며, 스퍼터링시 고에너지 입자에 의해 발생할 수 있는 결함(defect)를 감소시켜, 투명 도전성 박막의 전기적 특성, 특히 비저항 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 금속산화물 중간층에 의해 스퍼터링 증착시 박막 면의 중앙과 주변 간에 생기는 전기적 특성의 불균일 문제도 최소화할 수 있다.
투명 도전막, 산화아연, 금속산화물, 중간층, 스퍼터링

Description

산화아연계 박막 및 그 제조방법{ZINC OXIDE-BASED THIN FILM AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}
도 1은 실시예 1에 따라 제조된 투명 도전막의 단면도이다.
도 2는 실시예 1과 비교예 1에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성에 대한 결과이다.
도 3은 실시예 1과 비교예 1에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성을 도전막 면 상의 위치별로 측정한 결과이다.
도 4는 실시예 2, 3, 및 비교예 2에서 제조된 투명 도전막의 XRD 분석 결과이다.
<도면 부호에 대한 설명>
1 : 기판 2 : 금속 산화물 중간층 3 : 산화 아연계 박막
본 발명은 향상된 비저항 특성을 가지며, 면 전체에 걸쳐 균일한 물성을 갖는 산화아연계 박막에 관한 것이다.
투명전극은 각종 디스플레이의 전극, 태양전지 등의 광전 변환 소자 및 터치 패널 등에 다양하게 사용되고 있으며, 유리, 투명필름 등의 투명 기판 위에 투명 도전성 박막을 형성하여 제조된다. 현재 주로 사용되고 있는 투명 도전성 재료는 주석(Sn)이 도핑된 인듐산화물(ITO, Indium tin oxide)로서, 투명도가 우수하고 낮은 비저항 (1×10-4 ~ 2×10-4 Ω㎝)을 갖는 것으로 알려져 있다.
투명 도전성 박막을 제조하는 방법은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 이온빔 증착(ion beam deposition), 펄스레이저 증착(pulsed laser deposition) 등의 진공 증착 방법과 스프레이 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating)과 같은 습식방법 등의 다양한 방법이 있다. 이러한 방법들 중 스퍼터링과 같은 진공 증착 방식이 좀 더 선호되고 있으며, 진공 증착 방식은 플라즈마를 이용하기 때문에 높은 입자 에너지를 가진 막을 성장시킬 수 있어, 다른 방식보다 높은 밀도를 가지는 양질의 막을 얻을 수 있다. 또한, 추가적인 열처리 없이 낮은 온도에서도 양질의 박막을 성장시킬 수 있다는 장점도 있다.
최근, 평면 디스플레이 시장이 커지면서 ITO에 대한 수요가 급속하게 증가하고 있지만, 인듐의 높은 가격으로 인한 수급 불안정 및 인체에의 유해성 때문에, ITO를 대체할 수 있는 저가의 투명 도전성 재료의 개발이 요구되는 실정이다.
그러한 대체물로서는 산화주석(SnO2) 및 산화아연(ZnO) 등이 고려되고 있다. 이와 관련하여, 산화아연에 알루미늄(Al)을 도핑하여 낮은 비저항(2×10-4 ~ 3×10-4 Ω㎝)을 가지는 도전성 박막을 제조하려는 시도 등이 있었다. 산화아연(ZnO)의 경 우 넓은 밴드갭(~3.3ev)을 가지는 반도체 물질로서, 도핑을 통해 우수한 투과도(85% 이상)와 낮은 비저항을 가질 수 있다는 것이 알려졌으며, 도핑된 산화아연의 경우 비교적 저가이고, 인체에 무해한 재료이므로, ITO를 대체할 수 있는 재료로서 큰 관심을 받고 있다. 현재로서는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 규소(Si) 및/또는 인듐(In)이 첨가된 산화아연(ZnO)을 재료로 한 투명전극용 재료에 대해 주로 연구가 집중되고 있으나, 전기전도성 측면에서는 아직 ITO에 미치지 못하기 때문에, 이를 해결해야 하는 문제점이 있다.
일반적으로, 일정한 두께의 투명 도전막의 비저항은 전자의 농도와 이동도에 반비례하는 관계(ρ = 1/(eμN), e : 전기전하, μ : 이동도, N : 전자 농도)를 갖기 때문에 투명전극의 비저항(ρ)을 감소시키기 위해서는 전자 농도를 증가시키거나 이동도를 증가시켜야 한다. 일반적으로 손쉽게 전자 농도를 증가시키는 방법으로는 스퍼터링 타겟에 첨가되어 있는 도판트(dopant)의 양을 증가시키는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 전자 농도가 일정 농도 이상(N > 1×1020cm-3)이 되면 전자와 산란중심(scattering center)인 도판트와의 충돌에 의해서 이동도는 감소하게 된다(N < 1×1020cm-3 인 경우는 결정립 경계(grain boundary)에서의 산란(scattering)에 의해 좌우되는 것으로 알려져 있다). 즉 스퍼터링 타겟에 첨가되어 있는 도판트(dopant)의 양을 증가시켜서 얻어지는 전자 농도의 증가는 이동도의 감소를 수반하게 되고, 그 결과 비저항은 거의 그대로 유지되거나 오히려 증가하게 된다. 이러한 전자 농도와 이동도의 관계는 여러 연구진에 의해서 실험적으로 밝혀져 있다. 따라서, 기존의 방법으로는 투명 도전막의 전기적 특성을 향상시키는 데에 한계가 있다.
본 발명자들은 산화아연계 박막을 제조함에 있어서, 기판과 산화아연 박막 사이에 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물로 된 중간층(interlayer)을 구비함으로써 전자 이동도의 저하 없이 전자 농도를 증가시키는 효과를 얻을 수 있으며, 스퍼터링시 고에너지 입자에 의해 발생하는 결함(defect)을 제거할 수 있다는 사실을 인식하였다. 또한 상기 금속산화물 중간층에 의해 박막 면 상의 전기적 특성 분포를 균일하게 할 수 있다는 것도 밝혀 내었다.
이에 본 발명은 기판; +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 포함하는 중간층; 및 산화아연계 박막 층을 구비하는 산화아연계 박막 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판; 과 제 1 XRD피크를 갖는 산화아연계 박막(ZnO:M) 사이에, M'2O3 를 포함하는 중간층(interlayer)을 구비하여, 상기 제 1 XRD피크보다 +0.05°~ +0.5°만큼 이동된 제 2 XRD 피크를 갖도록 조절된 것이 특징인 산화아연계 박막을 제공한다.
(이 때, 상기 M은 ZnO에 포함되는 도판트이며, M 및 M'는 13족 원소 및 +3의 산화수를 갖는 전이금속으로 구성된 군에서 선택된 원소이고, 상기 제 1 XRD피크 및 제 2 XRD 피크는 CuKα(λ=0.154nm) radiation에 의한 2θ= 34°± 0.5°사이에 위치하는 산화아연(ZnO)의 (002)피크이다.)
또한, 본 발명은 a)기판 위에 M'2O3 를 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및 b)상기 중간층 위에 산화아연계 박막(ZnO:M)을 형성하는 단계를 포함하여 제 1 XRD피크보다 +0.05°~ +0.5°만큼 이동된 제 2XRD피크를 갖도록 조절된 것이 특징인 산화아연계 박막의 제조방법을 제공한다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 기판과 산화아연계 박막층 사이에 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 포함하는 중간층(interlayer)을 개재(介在)시킴으로써, 산화아연계 박막의 비저항을 감소시킬 수 있고, 또한 박막 면 전체적으로 균일한 물성을 갖도록 하는 것이 특징이다.
전술한 바와 같이 산화아연계 박막의 비저항을 감소시키는 방법의 하나로, 전자 농도를 증가시키기 위해 도판트의 농도를 증가시키는 경우에는 전자 간의 충돌로 인해 이동도가 감소되어, 원하는 비저항 값을 얻지 못하는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명에서와 같이 중간층을 개재시킬 경우에는 스퍼터링시 타겟에 포함되는 도판트의 농도는 그대로 유지한 채 전자 이동도의 감소 없이 전자 농도를 증가시키는 효과를 가져올 수 있다.
상기 전자 농도 증가 효과의 원인에 대해 아직까지 명확히 밝혀져 있지는 않으나, 1)산화물에 포함된 양이온이 확산(diffusion)되어 산화아연 박막 내의 도판 트 농도를 증가시키는 효과를 가져오거나 또는 2)중간층에 의해 산화아연 박막 내의 억셉터(acceptor)로 작용할 수 있는 결함(defect)이 제거됨으로써 전자 농도의 감소 효과가 제거되는 효과에 의한 것으로 생각된다.
예컨대, 스퍼터링으로 산화아연 박막을 증착시 타겟 물질인 산화아연으로부터 해리된 산소입자(O-)는 타겟의 셀프 바이어스(self-bias)에 의해 높은 에너지를 갖게 되며, 이러한 고 에너지 입자가 투명 도전막에 함께 혼입되어 침입형 결함(interstitial defect)으로 작용하거나, 박막에 충돌하여 결함(defect)를 발생시킬 수 있다. 이러한 산소 침입형 결합(Oi defect)은 산화아연 박막 내에서 억셉터(acceptor)로 작용하여 전자농도 감소의 원인이 될 수 있다. 또한, 이러한 결함이 산란 중심(scattering center)로 작용하여 전자 이동도의 감소를 가져오기도 한다. 따라서, 이러한 결함의 작용에 의해 투명 도전막의 비저항을 증가시키는 결과를 가져온다.
그러나, 본 발명에서와 같이 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 포함하는 중간층을 개재시키는 경우에는 상기와 같은 침입형 산소 결함(interstitial oxygen defect)을 비롯한 결함을 제거하여 막의 비저항을 감소시킬 수 있다.
이러한 사실은 산화아연계 박막의 XRD분석에 의한 산화아연(002) 피크의 쉬프트(shift)로부터 확인할 수 있다. XRD 분석시 2θ= 34°부근에서 나타나는 산화아연 (002) 피크는 박막 내에 많은 결함이나 스트레스가 존재하는 경우에 비대칭적인 피크 모양을 나타내며, JCPDS(Joint Committee on Poweder Diffraction Standards)상에 알려진 표준 ZnO(002)의 피크 위치보다 낮은 각도에서 나타나는 것으로 알려져 있다. 그러나 본 발명에서와 같이 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 중간층으로 개재시키면 피크의 모양이 대칭적으로 변화하고, 피크의 위치도 높은 각도로 이동하게 된다. 이는 중간층에 의해 투명 도전막 내의 결함이나 스트레스, 특히 침입형 산소 결함(interstitial oxygen defect)이 감소했다는 것을 나타내는 것이다.
중간층이 상기의 결함을 감소시키는 원인에 대해서 역시 명확하게 밝혀진 바는 없으나, 1)높은 에너지를 갖는 산소입자(O-)의 작용이 산화물 중간층에 포함된 산소와의 상호작용에 의해 상쇄되어 스퍼터링 초기 단계에서 결함 발생 요인이 제거되거나 또는 2)산화물 중간층이 기판에 걸리는 전기장(electric field)의 변화를 야기하여 높은 에너지를 갖는 산소입자(O-)의 작용을 완화시키는 것으로 생각된다.
이 때, 상기 XRD 피크의 쉬프트 값은 측정 조건에 따라서 조금씩 달라질 수는 있으나, CuKα(λ=0.15405nm)복사(radiation)에 의할 때 중간층이 없는 경우에 비해서 +0.05°~ +0.5°범위인 경우가 바람직하다. 상기 XRD 피크 쉬프트가 상기 범위보다 작은 경우에는 중간층 개재에 의한 비저항 특성 향상의 효과가 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우에는 결정격자의 변형 및/또는 응력 등이 발생하는 경우로 역시 비저항 특성에 좋지 않은 영향을 끼칠 수 있다.
한편, 본 발명은 기판과 산화아연계 박막 사이에 금속산화물 중간층을 개재시킴으로 인하여, 박막의 면 전체에 걸쳐 균일한 전기적 특성을 확보할 수 있다. 종래에는 스퍼터링으로 산화아연 박막 증착시 박막 면의 중앙 부분과 주변 부분 간에 전기적 특성의 차이가 발생하는 문제점이 있었다. 이는 박막 면의 중앙부분에 에너지가 큰 입자들이 충돌하여 그 부분에 여러가지 결함 및 응력을 발생시키게 되어 국부적으로 비저항 등 전기적 특성이 나빠지기 때문이다. 이러한 물성의 불균일성은 투명 도전막을 다양한 분야에 응용하는 데에 있어서 큰 걸림돌로 작용할 수 있다. 상기와 같은 불균일성 문제(특히, 박막의 중앙부분에 국한된)는 타겟과 기판의 크기 비율에 따라 일어나는 문제일 수도 있으며, 증착물질의 특성에 기인한 것일 수도 있다. 즉, 증착물질이 ITO(Indium Zinc Oxide)인 경우에는 타겟 및 기판의 크기에 관계없이 박막 면 전체의 전기적 특성 불균일 문제가 거의 발생하지 않으나, 증착물질이 산화아연인 경우에는 그러한 문제가 좀 더 심각한 형태로 나타날 수 있다.
그러나, 본 발명에서와 같이 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 중간층으로 개재시키는 경우에는 상기의 고(高) 에너지 입자의 충돌에 의한 결함 발생을 산화물 중간층에 의해 감소시켜 줄 수 있기 때문에, 박막 면 전체적으로 균일한 전기적 특성을 갖는 투명 도전막을 제작할 수 있다.
따라서, 본 발명의 산화아연계 박막은 상기 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물 중간층에 의해 산화아연계 박막 내의 2이상의 지점에서 측정한 비저항 간의 편차가 0.01% ~ 60% 범위일 수 있다.
본 발명에서, 상기 산화아연계 박막은 ZnO:M 과 같은 화학식으로 나타낼 수 있으며, 상기 M은 도판트 원소로서, 13족 원소 또는 +3의 산화수를 갖는 전이금속 일 수 있고, 그 비제한적인 예는 B, Al, Ga, In, Tl, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni등이 있다.
상기 도판트 원소는 +3가 양이온의 형태로 산화아연(ZnO)에 도핑될 수있으며 이 때, Zn자리를 치환하여 잉여의 전자가 발생하는 n형 도판트로서 작용하므로 산화아연계 투명 도전막의 전자 농도를 증가시킬 수 있다. 다만, 전자의 이동도를 저하시키지 않기 위해서 상기 도판트의 농도는 0.1 wt% ~ 10 wt% 범위인 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 중간층 박막은 M'2O3 형태의 산화물을 포함할 수 있으며, 상기 M은 도판트 원소로서, 13족 원소 또는 +3의 산화수를 갖는 전이금속일 수 있고, 그 비제한적인 예로는 주기율표상 13족 원소의 산화물(B2O3, Al2O3, Ga2O3, In2O3, Tl2O3) 또는 전이금속 산화물(Sc2O3, V2O3, Cr2O3, Mn2O3, Fe2O3, Co2O3, Ni2O3 ) 등이 있다.
상기의 M'2O3 이외의 산화물(예를 들면 SiO2 등)을 중간층 박막으로 사용하는 경우에는 XRD상의 ZnO (002) 피크 쉬프트도 거의 일어나지 않고, 산화아연계 박막의 비저항 감소도 미미하다. (비교예 4 및 도 7참조)
본 발명에서는 상기 중간층에 포함되는 산화물의 양이온 M'와 산화아연계 박막에 포함되는 도판트 원소 M이 서로 동일한 원소 인 것이 바람직하다. 도판트와 산화물의 양이온 원소가 모두 +3가의 산화수를 갖는 경우이기만 하면, 본 발명에서와 같은 XRD 피크 쉬프트 및 비저항 감소 효과가 나타나지만, 도판트와 산화물 양 이온 원소가 동일한 경우에 이러한 효과는 더욱 커지게 된다. (도 5 참조) 또한, 본 발명에서 상기 도판트 M과 중간층에 포함되는 산화물 M'2O3의 조합은 Al과 Al2O3 또는 Ga 와 Ga2O3 인 것이 더욱 바람직하다. 상기와 같이 본 발명에서 M과 M'는 서로 동일한 원소인 것이 바람직하기는 하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, M과 M'가 +3가의 산화수를 갖는 양이온인 한 모두 본 발명의 범위에 속한다.
본 발명에 사용되는 기판은 투명성이 있는 기판이면 특별히 제한되지 않으며, 그 비제한적인 예는 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 있고, 플라스틱 기판의 비제한적인 예로는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene 2,6-naphthalate), PES(polyether sulfone), PEI(polyether imide), PMMA(polymethylmethacrylate), PC(polycarbonate) 등이 있다.
본 발명의 산화아연계 박막은 특정한 용도에 한정하지는 않으나, 바람직하게는 투명 도전막으로 사용될 수 있으며, TFT(Thin Film Transistor) 등에도 적용 가능하다.
본 발명의 산화아연계 박막은 다음과 같이
a)기판 위에 M'2O3 를 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및
b)상기 중간층 위에 산화아연계 박막(ZnO:M)을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다.
본 발명에서 상기 산화 아연계 박막은 PVD(Physical Vapor Deposition)방법, 예컨대 이온 플레이팅(ion-plating), 또는 스퍼터링(sputtering) 등에 의하여 증착 될 수 있고, 상기 중간층은 CVD(Chemical Vapor Deopostion)및 PVD(Physical Vapor Deposition), 예컨대 이베퍼레이션(evaporation), 이온 플레이팅(ion plating), 스퍼터링(sputtering) 등의 방법에 의해 증착될 수 있다.
바람직하게는 상기 중간층 및 산화아연계 박막은 스퍼터링 방법에 의해 증착될 수 있고, 더욱 바람직하게는 RF 마그네트론 스퍼터링(Radio Frequency Magnetron Sputtering)에 의해 증착될 수 있다. 다만, 본 발명이 상기 방법에 한정되는 것은 아니며, 박막 증착 방법이기만 하면 특별히 제한되지 않는다.
예컨대, 본 발명의 박막의 제조방법의 일 실시예를 살펴보면, 스퍼터링 챔버 내에 기판과 산화물 타겟을 일정간격으로 서로 대향하여 위치시키고, 아르곤(Ar) 가스를 플라즈마화 시킨 후, 타겟에 걸린 바이어스 전압에 의해 아르곤 플라즈마를 가속시켜 타겟에 충돌시킨다. 아르곤 플라즈마의 충돌에 의해 떨어져 나온 타겟 물질은 기판 위에 증착되어 산화물 박막을 성막(成膜)시킨다. 한편, 동일한 시스템에서 타겟 만을 산화아연으로 교체한 후 동일한 공정을 수행하면, 상기 산화물 중간층이 성막된 기판 상에 산화아연계 박막을 증착시킬 수 있다. 이 때, 박막의 두께는 스퍼터링 시간 등을 조절함으로써 용이하게 조절 가능하다.
특히, 본 발명의 방법은 하나의 시스템에서 금속산화물 박막과 산화아연계 투명 도전막을 연속적으로 증착하는 것이 가능하다는 점에서 번거로운 과정 없이 용이하게 박막을 제조할 수 있다는 장점이 있다. 다만, 본 발명의 금속 산화물 박막과 산화아연계 박막이 하나의 시스템 내에서 연속적으로 증착되는 방법에 한정하는 것은 아니며, 각각 독립적으로 증착될 수도 있다. 예컨대, 금속 산화물 박막만 기판 상에 증착시킨 후, 챔버를 옮겨서 다른 챔버에서 산화아연계 박막을 증착할 수도 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 자세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명이 이로써 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] Al doped ZnO / Al 2 O 3 interlayer / Glass 투명도전막 제조
<중간층(interlayer) 증착>
유리 기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 Al2O3 박막을 증착하였다. 스퍼터링 타겟은 Al2O3 소결체 타겟을 이용하였고, 증착된 Al2O3 박막의 두께는 19nm, 20nm, 32nm 의 세 가지 시편을 준비하였다.
이외의 스퍼터링 조건은 바이어스 전압(bias voltage) 약 -350V, 챔버 내의 압력 3×10-3 torr, 아르곤(Ar) 가스의 유량 50sccm 이었다.
<산화아연계 투명도전막 증착>
상기 제작된 Al2O3중간층 위에 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 ZnO(Al 2wt% 도핑) 박막을 증착하였다. 스퍼터링 타겟은 ZnO(Al 2wt% 도핑) 소결체 타겟을 이용하였고, 증착된 ZnO 박막의 두께는 140nm(±7nm) 였다. 이외에 다른 스퍼터링 조건은 중간층 증착의 경우와 동일하였다.
[실시예 2] Ga doped ZnO / Ga 2 O 3 interlayer / Glass 투명도전막 제조
중간층(interlayer)으로 Ga2O3를 증착하였고, ZnO에 Ga이 5.5 wt% 도핑된 것 을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.
[실시예 3] Ga doped ZnO/Al 2 O 3 interlayer/Glass 투명도전막 제조
ZnO에 Ga이 5.5 wt% 도핑된 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.
[실시예 4] Al doped ZnO / Ga 2 O 3 interlayer / Glass 투명도전막 제조
중간층(interlayer)으로 Ga2O3를 증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.
[비교예 1] Al doped ZnO / Glass 투명도전막 제조
중간층을 증착하지 않고, 유리 기판 상에 바로 ZnO(Al 2wt%도핑)를 증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.
[비교예 2] Ga doped ZnO/Glass 투명도전막 제조
중간층을 증착하지 않고, 유리 기판 상에 바로 ZnO(Ga 5.5 wt%도핑)를 증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.
[비교예 3] excess Ga doped ZnO / Glass 투명도전막 제조
중간층을 증착하지 않고, 유리 기판 상에 바로 ZnO(Ga 3~7wt%도핑)를 증착한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.
[비교예 4] Al doped ZnO / SiO 2 interlayer / Glass 투명도전막 제조
SiO2를 중간층으로 증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.
[실험예 1]
상기 실시예 및 비교예에서 제작된 투명도전막에 대해서 Hall 효과 측정에 의해 전자 농도, 이동도, 및 비저항을 측정하였고, 박막의 두께 측정은 ST2000-DLX(케이맥, 한국)에 의해 측정하였으며, CuKα(λ=0.154nm)radiation을 이용하여 X선 회절분석(X-Ray Diffraction analysis, XRD)을 행하였다.
도 2는 실시예 1과 비교예 1(산화 알루미늄 박막의 두께 : 0nm)에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성에 대한 결과이다. Al2O3 중간층을 구비한 실시예 1의 경우, 중간층을 구비하지 않은 비교예 1에 비해 전자 농도가 증가하는 반면, 이동도는 감소하지 않고 거의 일정하게 나타남을 알 수 있다. 즉, 동일한 타겟을 이용하여 스퍼터링한 경우에도 Al2O3 중간층을 구비함에 의해 비저항 감소 효과를 얻을 수 있었다. 하지만, Al2O3 중간층의 두께와 투명 도전막의 전기적 특성은 별다른 상관관계가 나타나지 않았다.
도 3은 실시예 1과 비교예 1에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성을 도전막 면 상의 위치별로 측정한 결과이다. 도 3의 측정위치는 도전막 중앙을 0으로 하고, 상기 0 점을 지나고 도전막을 가로지는 임의의 직선을 그어 상기 0점으로부터 양쪽으로 균등하게 4등분 씩하여 0점으로부터 가까운 순서로 1(-1), 2(-2), 3(-3), 4(-4) 점을 설정하여 그 점에서 전기적 특성을 측정한 것이다.
우선, 박막 두께의 편차는 산화 알루미늄 중간층 여부에 관계없음을 알수 있다. 그러나, 전기적 특성의 경우는 산화 알루미늄 중간층 여부에 따라 큰 차이를 나타냄을 알 수 있다. 즉, 산화 알루미늄 중간층을 구비하지 않은 비교예 1의 경우에는 중앙 부분(position 0)에서 면저항과 비저항이 급격히 증가하며, 이는 에너지가 큰 입자들의 충돌에 의한 결함 형성 때문인 것으로 생각된다. 하지만 산화 알루미늄 중간층을 구비한 실시예 1의 경우에는 중앙 부분의 면저항과 비저항이 상당히 감소하여 다른 부분의 물성과 거의 유사하게 나타났다. 이는 산화 알루미늄 박막에 의해 에너지가 큰 입자들의 충돌에 의한 결함 형성을 감소시켜준 것이라고 생각된다.
도 4는 실시예 2, 3, 및 비교예 2에서 제조된 투명 도전막의 XRD 분석 결과이다. 중간층이 없는 비교예 2의 경우, 2θ= 34°부근에서 나타나는 (002) 피크가 비대칭적인 모양을 나타내며, 일반적으로 알려진 ZnO(002)의 피크 위치(JCPDS(Joint Committee on Poweder Diffraction Standards) 참고)보다 낮은 각도에서 나타났다. 이런 결과는 박막 내에 많은 결함이나 스트레스가 있을 때 나타나는 것으로 알려져 있다. 그러나 산화 알루미늄이나 산화 갈륨을 중간층으로 삽입하면 피크의 모양이 대칭적으로 변화하고, 피크의 위치도 높은 각도로 이동하였다. 이는 중간층에 의해 투명 도전막 내의 결함이나 스트레스가 감소했다는 것을 나타내는 것이다. 따라서, 도 3에서 본 바와 같이 전기적 물성이 전체 면에 균일하게 나타나는 것은 에너지가 큰 입자들의 충돌에 의한 충격을 중간층이 완화시켜 준다는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 실시예 1 및 4에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성을 도전막 면 상의 위치별로 측정한 결과이다. 중간층에 포함되는 산화물의 양이온 Ga와 산화아연계 박막에 포함되는 도판트 원소 Al을 서로 다르게 한 실시예 4의 경우, 중간층 포함원소와 도판트 원소가 동일한 실시예 1에 비해 박막 면 상의 물성 균일화 정도가 떨어지기는 하나, 중간층을 사용하지 않은 경우보다는 균일성이 향상되는 것을 알 수 있었다.
도 6은 비교예 3에 따라, 중간층을 증착하지 않고 도판트인 Ga의 농도를 증가시켜 제조한 산화아연 박막의 비저항, 전자농도, 및 전자 이동도에 대한 그래프이다. Ga 농도가 5.5wt% 까지는 비저항이 감소하는 모습을 보였으나, 그 이상 과잉의 Ga이 도핑되는 경우에는 전자농도, 전자 이동도가 모두 감소하여 비저항이 증가하는 것을 알 수 있다.
도 7은 비교예 4에 따라, SiO2를 중간층으로 증착한 산화아연 박막에 대한 비저항 및 XRD 분석결과이다. XRD 피크 시프트가 발견되지 않았으며, 비저항의 감소도 관찰되지 않았다. 다만, 박막 중앙 부분과 가장자리 부분의 전기적 특성 균일성은 중간층이 없는 경우에 비해 향상된 것을 알 수 있었다.
본 발명은 산화아연계 박막에 있어서, 기판과 산화아연층 사이에 +3가의 산 화수를 갖는 금속의 산화물 박막을 중간층으로 구비함으로써, 전자 이동도의 저하없이 전자 농도를 증가시키는 효과를 가져올 수 있으며, 스퍼터링시 고에너지 입자에 의해 발생할 수 있는 결함(defect)를 감소시켜, 투명 도전성 박막의 전기적 특성, 특히 비저항 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 금속산화물 중간층에 의해 스퍼터링 증착시 박막 면의 중앙과 주변 간에 생기는 전기적 특성의 불균일 문제도 최소화할 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판; 과 제 1 XRD피크를 갖는 산화아연계 박막(ZnO:M) 사이에, M'2O3 를 포함하는 중간층(interlayer)을 구비하여, 상기 제 1 XRD피크보다 +0.05°~ +0.5°만큼 이동된 제 2 XRD 피크를 갖도록 조절된 것이 특징인 산화아연계 박막.
    (이 때, 상기 M은 ZnO에 포함되는 도판트이며, M 및 M'는 13족 원소 및 +3의 산화수를 갖는 전이금속으로 구성된 군에서 선택된 원소이고, 상기 제 1 XRD피크 및 제 2 XRD 피크는 CuKα(λ=0.154nm) radiation에 의한 2θ= 34°± 0.5°사이에 위치하는 산화아연(ZnO)의 (002)피크이다.)
  2. 제 1항에 있어서, 상기 중간층에 포함되는 산화물의 양이온 M'와 산화아연계 박막에 포함되는 도판트 원소 M은 동일한 원소인 것이 특징인 산화아연계 박막.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 산화아연에 포함되는 도판트인 M의 함량은 0.1 wt% ~ 10 wt% 범위인 것이 특징인 산화아연계 박막.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 M과 M'2O3의 조합은 Al과 Al2O3 또는 Ga와 Ga2O3 인 것이 특징인 산화아연계 박막.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것이 특징인 산화아연계 박막.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 중간층 및 산화아연계 박막은 스퍼터링에 의해 증착된 것이 특징인 산화아연계 박막.
  7. 제 1항에 있어서, M'2O3를 포함하는 중간층에 의해 산화아연계 박막 내에 존재하는 침입형 산소 결함(interstitial oxygen defect, Oi)이 감소된 것이 특징인 산화아연계 박막.
  8. 제 1항에 있어서, M'2O3를 포함하는 중간층에 의해 산화아연계 박막 내의 2이상의 지점에서 측정한 비저항 간의 편차가 0.01% ~ 60% 인 것이 특징인 산화아연계 박막.
  9. 제 1항에 있어서, 투명 도전 막으로 사용되는 것이 특징인 산화아연계 박막.
  10. a)기판 위에 M'2O3 를 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및
    b)상기 중간층 위에 산화아연계 박막(ZnO:M)을 형성하는 단계를 포함하여
    제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 기재된 산화아연계 박막을 제조하는 방 법.
    (이 때, 상기 M은 ZnO에 포함되는 도판트이며, M 및 M'는 13족 원소 및 +3의 산화수를 갖는 전이금속으로 구성된 군에서 선택된 원소이다.)
  11. 제 10항에 있어서, 상기 중간층 및 산화아연계 박막은 스퍼터링에 의해 증착된 것이 특징인 산화아연계 박막의 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 a)단계와 b)단계는 하나의 시스템 내에서 연속적으로 수행되는 것이 특징인 산화아연계 박막의 제조방법.
KR1020070019081A 2007-02-26 2007-02-26 산화아연계 박막 및 그 제조방법 KR100982129B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070019081A KR100982129B1 (ko) 2007-02-26 2007-02-26 산화아연계 박막 및 그 제조방법
PCT/KR2008/001097 WO2008105614A1 (en) 2007-02-26 2008-02-26 Conductive laminated body and method for preparing the same
US12/449,743 US8303856B2 (en) 2007-02-26 2008-02-26 Conductive laminated body and method for preparing the same
EP08723135.3A EP2115185B1 (en) 2007-02-26 2008-02-26 Conductive laminated body and method for preparing the same
JP2009551950A JP5005772B2 (ja) 2007-02-26 2008-02-26 導電性積層体およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070019081A KR100982129B1 (ko) 2007-02-26 2007-02-26 산화아연계 박막 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080079048A true KR20080079048A (ko) 2008-08-29
KR100982129B1 KR100982129B1 (ko) 2010-09-14

Family

ID=39880867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070019081A KR100982129B1 (ko) 2007-02-26 2007-02-26 산화아연계 박막 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100982129B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101103746B1 (ko) * 2010-02-19 2012-01-06 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판 및 그를 포함하는 태양전지
KR101127491B1 (ko) * 2009-07-29 2012-03-23 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판 제조방법
KR101160845B1 (ko) * 2011-08-23 2012-06-29 주식회사 나우테크 금속산화물계 투명전극의 제조방법
KR101293022B1 (ko) * 2009-11-16 2013-08-05 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판
KR101318241B1 (ko) * 2013-04-22 2013-10-15 충남대학교산학협력단 음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 단결정 실리콘 태양전지의 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08325711A (ja) * 1995-05-26 1996-12-10 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性金属酸化物被覆フィルムおよびその製造方法
EP0915523A3 (en) * 1997-10-29 2005-11-02 Canon Kabushiki Kaisha A photovoltaic element having a back side transparent and electrically conductive layer with a light incident side surface region having a specific cross section and a module comprising said photovoltaic element
JP2002075061A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Uchitsugu Minami 透明導電膜

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101127491B1 (ko) * 2009-07-29 2012-03-23 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판 제조방법
KR101293022B1 (ko) * 2009-11-16 2013-08-05 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판
KR101103746B1 (ko) * 2010-02-19 2012-01-06 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판 및 그를 포함하는 태양전지
KR101160845B1 (ko) * 2011-08-23 2012-06-29 주식회사 나우테크 금속산화물계 투명전극의 제조방법
KR101318241B1 (ko) * 2013-04-22 2013-10-15 충남대학교산학협력단 음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 단결정 실리콘 태양전지의 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100982129B1 (ko) 2010-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5005772B2 (ja) 導電性積層体およびその製造方法
Fang et al. Fabrication and vacuum annealing of transparent conductive AZO thin films prepared by DC magnetron sputtering
Fang et al. Influence of post-deposition annealing on the properties of transparent conductive nanocrystalline ZAO thin films prepared by RF magnetron sputtering with highly conductive ceramic target
Fang et al. Fabrication and characterization of transparent conductive ZnO: Al thin films prepared by direct current magnetron sputtering with highly conductive ZnO (ZnAl2O4) ceramic target
Rahmane et al. Power and pressure effects upon magnetron sputtered aluminum doped ZnO films properties
Lee et al. Structural, electrical and optical properties of ZnO: Al films deposited on flexible organic substrates for solar cell applications
Choi et al. Electrical, optical and structural properties of transparent and conducting ZnO thin films doped with Al and F by rf magnetron sputter
Lin et al. Effect of process conditions on the optoelectronic characteristics of ZnO: Mo thin films prepared by pulsed direct current magnetron sputtering
El Hajj et al. Optimization of ZnO/Ag/ZnO multilayer electrodes obtained by Ion Beam Sputtering for optoelectronic devices
Zhu et al. Sputtering deposition of transparent conductive F-doped SnO2 (FTO) thin films in hydrogen-containing atmosphere
KR101201099B1 (ko) 투명 도전막 및 이를 구비한 투명 전극
Du Ahn et al. Thermally stable, highly conductive, and transparent Ga-doped ZnO thin films
Noirfalise et al. Synthesis of fluorine doped zinc oxide by reactive magnetron sputtering
Sook Oh et al. Improvement of electrical and optical properties of molybdenum oxide thin films by ultralow pressure sputtering method
Ali et al. Properties of transparent conducting oxides formed from CdO alloyed with In2O3
KR100982129B1 (ko) 산화아연계 박막 및 그 제조방법
Chen et al. Fabrication of transparent conducting ATO films using the ATO sintered targets by pulsed laser deposition
Choi et al. Design and characterization of Ga-doped indium tin oxide films for pixel electrode in liquid crystal display
Li et al. The electrical and optical properties of molybdenum-doped indium oxide films grown at room temperature from metallic target
KR101236039B1 (ko) 도전 적층체 및 이의 제조방법
Huang et al. Influence of deposition parameters and annealing treatment on the properties of GZO films grown using rf magnetron sputtering
Liu et al. Magnetron sputtering deposition of Zn/AZO multilayer films: Towards the understanding of Zn diffusion in AZO film
Yeadon et al. Remote plasma sputtering of indium tin oxide thin films for large area flexible electronics
Pan et al. Al-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering: effect of sputtering parameters on the electrical and optical properties
KR101005973B1 (ko) 도전 적층체 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130830

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140716

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160817

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170718

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190625

Year of fee payment: 10