JPH0417212A - 透明導電膜とその製法 - Google Patents
透明導電膜とその製法Info
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- JPH0417212A JPH0417212A JP12195190A JP12195190A JPH0417212A JP H0417212 A JPH0417212 A JP H0417212A JP 12195190 A JP12195190 A JP 12195190A JP 12195190 A JP12195190 A JP 12195190A JP H0417212 A JPH0417212 A JP H0417212A
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、透明かつ低抵抗な透明プラスチック上の導電
膜とその製造方法に関する。
膜とその製造方法に関する。
（従来の技術）
ガラス或は、プラスチック基材、高分子フィルム上に透
明かつ低抵抗な酸化物を付着させた透明導電膜は、その
導電性を利用した用途、例えば、液晶デイスプレィ、Ｅ
Ｌデイスプレィといったフラットデイスプレィや、太陽
電池等の透明電極、ブラウン管の窓の透明静電、或は、
電磁シールド板、発熱体等の電気、電子分野の用途に広
（利用されている。又、このような酸化物透明導電膜の
中で、選択透過性を有するものは、その赤外光反射特性
を利用して、太陽エネルギー利用のためのコレクター用
窓材や建物、自動車等の熱線反射材としても、利用され
ている。
明かつ低抵抗な酸化物を付着させた透明導電膜は、その
導電性を利用した用途、例えば、液晶デイスプレィ、Ｅ
Ｌデイスプレィといったフラットデイスプレィや、太陽
電池等の透明電極、ブラウン管の窓の透明静電、或は、
電磁シールド板、発熱体等の電気、電子分野の用途に広
（利用されている。又、このような酸化物透明導電膜の
中で、選択透過性を有するものは、その赤外光反射特性
を利用して、太陽エネルギー利用のためのコレクター用
窓材や建物、自動車等の熱線反射材としても、利用され
ている。
これらの透明導電膜としては、通常、酸化すず（ＳｎＯ
□）、酸化インジウム（Ｉｎ２０３）或は酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を中心としたものが一般的であり、真空蒸着法、
スパッター法、ＣＶＤ法、スプレー法等により作成でき
ることが知られている。これらの酸化物膜は、厳密な作
成条件とすることで、実用可能な特性（表面抵抗数Ω／
口〜数ＭΩ／口、可視光透過率７０〜９５％）をもつ透
明導電膜とできることが知られている。
□）、酸化インジウム（Ｉｎ２０３）或は酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を中心としたものが一般的であり、真空蒸着法、
スパッター法、ＣＶＤ法、スプレー法等により作成でき
ることが知られている。これらの酸化物膜は、厳密な作
成条件とすることで、実用可能な特性（表面抵抗数Ω／
口〜数ＭΩ／口、可視光透過率７０〜９５％）をもつ透
明導電膜とできることが知られている。
（発明が解決しようとする課Ｈ）
このような、透明性と導電性を兼ねそなえた材料を得る
ことは、どのような製作法であっても、作製条件の細か
いコントロールが必要である。しかしながら、厳密にコ
ントロールした場合でも、通常の温度で成膜すると充分
に高い導電性が得られず、作製時に温度を上げるか、後
工程で、熱処理を施す必要があるのが現状である。この
際の温度特性としては、２５０℃以上好ましくは、４０
０℃以上が必要である。また、このような方法は下地基
板の温度も上昇させてしまうためガラス、セラミクスと
いった耐熱性の基板を用いる場合には、有効であるが、
ＰＥＴ等のプラスチック基材、高分子フィルムといった
材料には適用できない。そのため、プラスチック基材上
の透明導電膜では、耐熱性基板上のものほど特性のよい
ものが得られず、その応用範囲も限られた物となってい
た。
ことは、どのような製作法であっても、作製条件の細か
いコントロールが必要である。しかしながら、厳密にコ
ントロールした場合でも、通常の温度で成膜すると充分
に高い導電性が得られず、作製時に温度を上げるか、後
工程で、熱処理を施す必要があるのが現状である。この
際の温度特性としては、２５０℃以上好ましくは、４０
０℃以上が必要である。また、このような方法は下地基
板の温度も上昇させてしまうためガラス、セラミクスと
いった耐熱性の基板を用いる場合には、有効であるが、
ＰＥＴ等のプラスチック基材、高分子フィルムといった
材料には適用できない。そのため、プラスチック基材上
の透明導電膜では、耐熱性基板上のものほど特性のよい
ものが得られず、その応用範囲も限られた物となってい
た。
また、成膜後熱処理をおこなうには、別工程が必要とな
り、熱処理温度までの上昇、下降、そして、保持時間も
かかる上、雰囲気コントロール等もあり、かなり煩雑で
ある。このようなことからも、短時間の処理で十分な特
性をもつプラスチック基材上の透明導電膜が望まれてい
た。
り、熱処理温度までの上昇、下降、そして、保持時間も
かかる上、雰囲気コントロール等もあり、かなり煩雑で
ある。このようなことからも、短時間の処理で十分な特
性をもつプラスチック基材上の透明導電膜が望まれてい
た。
さらには、従来の熱処理においては、透明導電膜の部分
的、かつ選択的な特性（導電性、透明性）の改善はきわ
めて困難であった。
的、かつ選択的な特性（導電性、透明性）の改善はきわ
めて困難であった。
（課題を解決するための手段）
本発明は前記従来方法における諸問題を解決すべく検討
した結果到達したものである。すなわち本発明は、透明
なプラスチック基材上に設けられた透明導電膜であって
、該透明導電膜がレーザー照射処理されたものであるこ
とを特徴とする透明導電膜であり、透明なプラスチック
基材上に設けられた透明導電膜であって、該透明導電膜
が波長５５０ｎｍの光透過率が７０％未満で比抵抗が１
×１０−３Ωｅ１以上の部分と、波長５５０ｎｍの光透
過率が８０％以上で比抵抗が４Ｘ１０−’Ωｃｍ以下と
の部分とを有することを特徴とする透明導電膜であり、
また透明なプラスチック基材上に導電膜を設け、該導電
膜に対してレーザー照射処理を行い、該膜の透明性が波
長５５０ｎｍの光透過率で８０％以上の透明導電膜とな
すことを特徴とする透明導電膜の製法であります。
した結果到達したものである。すなわち本発明は、透明
なプラスチック基材上に設けられた透明導電膜であって
、該透明導電膜がレーザー照射処理されたものであるこ
とを特徴とする透明導電膜であり、透明なプラスチック
基材上に設けられた透明導電膜であって、該透明導電膜
が波長５５０ｎｍの光透過率が７０％未満で比抵抗が１
×１０−３Ωｅ１以上の部分と、波長５５０ｎｍの光透
過率が８０％以上で比抵抗が４Ｘ１０−’Ωｃｍ以下と
の部分とを有することを特徴とする透明導電膜であり、
また透明なプラスチック基材上に導電膜を設け、該導電
膜に対してレーザー照射処理を行い、該膜の透明性が波
長５５０ｎｍの光透過率で８０％以上の透明導電膜とな
すことを特徴とする透明導電膜の製法であります。
本発明は、透明性や、導電性の稍劣るプラスチック基材
上の膜にレーザーを照射処理することで、基材である透
明なプラスチック基材に損傷を与えることなく、該膜の
透明性を極たんに向上させまた導電性をも向上さすこと
を見い出してなしえたものである。
上の膜にレーザーを照射処理することで、基材である透
明なプラスチック基材に損傷を与えることなく、該膜の
透明性を極たんに向上させまた導電性をも向上さすこと
を見い出してなしえたものである。
本発明における透明導電膜としては、特に限定されるも
のでなく、金属薄膜（Ａυ等）タイプ、金属酸化物薄膜
（ＩＴＯ，５ｕ０２．ＴｌＯ２等）タイプ、多層薄＊
（Ａｇ／ＴｌＯ２等）が挙げられるが、透明性、導電性
、機械的特性等から、金属酸化物薄膜タイプが好ましい
。
のでなく、金属薄膜（Ａυ等）タイプ、金属酸化物薄膜
（ＩＴＯ，５ｕ０２．ＴｌＯ２等）タイプ、多層薄＊
（Ａｇ／ＴｌＯ２等）が挙げられるが、透明性、導電性
、機械的特性等から、金属酸化物薄膜タイプが好ましい
。
上記酸化物膜としては、酸化インジウム、酸化インジウ
ムスズ（ＩＴＯ） 、酸化スズ、酸化亜鉛等がある。透
明導電膜の作成法としては真空蒸着、スパッター、Ｃｖ
Ｄ１スプレー法等が知られているが、本発明では、その
作製法を限定するものではない。
ムスズ（ＩＴＯ） 、酸化スズ、酸化亜鉛等がある。透
明導電膜の作成法としては真空蒸着、スパッター、Ｃｖ
Ｄ１スプレー法等が知られているが、本発明では、その
作製法を限定するものではない。
また、これらの酸化物膜は、厳密な作成条件とすること
でのみ、実用可能な特性（表面抵抗数十〇／口〜数ＭΩ
／口、可視光透過率７０〜９５％）をもつ透明導電膜と
できることが知られているが、本発明のレーザー処理前
の材料特性としては、例えば酸化不足で透明でない材料
や、過酸化杖態で導電性のない材料に特に好ましく適用
できる。
でのみ、実用可能な特性（表面抵抗数十〇／口〜数ＭΩ
／口、可視光透過率７０〜９５％）をもつ透明導電膜と
できることが知られているが、本発明のレーザー処理前
の材料特性としては、例えば酸化不足で透明でない材料
や、過酸化杖態で導電性のない材料に特に好ましく適用
できる。
特に、透明性で７０％未満、より好ましくは６０％未満
のもの、比抵抗でｌＸｌ０−’Ωｅｌ１以上のものに好
ましく適用できる。
のもの、比抵抗でｌＸｌ０−’Ωｅｌ１以上のものに好
ましく適用できる。
これらの材料に照射するレーザーとしては、アルゴンレ
ーザー Ｈｅ−Ｎｅレーザー Ｈｅ−Ｃｄレーザー、ル
ビーレーザー、チッソレーザーＣＯ□レーザー ＹＡＧ
レーザ−、ガラスレーザ、金属蒸気レーザー、エキシマ
レーザ−等、特に限定するものではない。しかし、実用
上、波長域、出力、価格の点からは、ＹＡＧレーザ−Ｃ
Ｏ。レーザー等が好ましいといえる。レーザーの出力の
下限値としては、酸化物透明導電膜の導電、透過特性を
改善、例えば、透過率８０％以上、表面抵抗を数百０７
口以下にするのに必要なパワーであり、更に、特性をあ
る範囲内に制御することも可能である値である。また上
限値としては、プラスチック基材が熱的に損傷を受けな
い範囲が望ましい。
ーザー Ｈｅ−Ｎｅレーザー Ｈｅ−Ｃｄレーザー、ル
ビーレーザー、チッソレーザーＣＯ□レーザー ＹＡＧ
レーザ−、ガラスレーザ、金属蒸気レーザー、エキシマ
レーザ−等、特に限定するものではない。しかし、実用
上、波長域、出力、価格の点からは、ＹＡＧレーザ−Ｃ
Ｏ。レーザー等が好ましいといえる。レーザーの出力の
下限値としては、酸化物透明導電膜の導電、透過特性を
改善、例えば、透過率８０％以上、表面抵抗を数百０７
口以下にするのに必要なパワーであり、更に、特性をあ
る範囲内に制御することも可能である値である。また上
限値としては、プラスチック基材が熱的に損傷を受けな
い範囲が望ましい。
本発明のプラスチック基材としては、従来公知の各種プ
ラスチックを任意に使用できる。具体的には、ポリエス
テル、ポリアミド、ポリプロピレニン、ポリカーボネイ
ト、ポリイミド、ポリパラバン酸、ポリアミドイミド、
ポリベンゾイミダゾール、トリアセテート、ポリアクリ
ル、セルロース樹脂、フッソ樹脂等がある。これらのプ
ラスチックはこれを基材として使用するに当たって適宜
シート、その他の成形品として用いられる。
ラスチックを任意に使用できる。具体的には、ポリエス
テル、ポリアミド、ポリプロピレニン、ポリカーボネイ
ト、ポリイミド、ポリパラバン酸、ポリアミドイミド、
ポリベンゾイミダゾール、トリアセテート、ポリアクリ
ル、セルロース樹脂、フッソ樹脂等がある。これらのプ
ラスチックはこれを基材として使用するに当たって適宜
シート、その他の成形品として用いられる。
レーザーの照射により、良好な導電特性と透明性を合わ
せもつ透明導電膜を作成でき、膜特性の改善が可能とな
る。更に、レーザー照射の場合、熱処理と異なり、基板
の温度をほとんど上げずに材料（導電膜）のみの温度を
上げることが可能である。そのため、プラスチック基材
のような熱に弱い基板対しても、適用可能であり、ガラ
ス基板等と同等以上の特性をもつ透明導電膜の作成が可
能となる。
せもつ透明導電膜を作成でき、膜特性の改善が可能とな
る。更に、レーザー照射の場合、熱処理と異なり、基板
の温度をほとんど上げずに材料（導電膜）のみの温度を
上げることが可能である。そのため、プラスチック基材
のような熱に弱い基板対しても、適用可能であり、ガラ
ス基板等と同等以上の特性をもつ透明導電膜の作成が可
能となる。
（実施例）
〈実施例１〉
反応性スパッターによって作成したポリアクリレートの
シート（厚さ１．、）上のＩＴＯ膜（Ｓｎ５ｗｔ％）に
対し、ＹＡＧレーザーを照射した。
シート（厚さ１．、）上のＩＴＯ膜（Ｓｎ５ｗｔ％）に
対し、ＹＡＧレーザーを照射した。
この時ＹＡＧレーザーの実効出力は４Ｗ、加工速度は０
．３ｍ／ｗｉｎである。照射前は、表面抵抗数＋ＭΩ／
口以上、５５０ｎｍ波長光の透過率５８％の材料特性を
もつものであったが、照射後には、表面抵抗２０Ω／口
、比抵抗率２．ｌＸ１０−’ΩＣ１１１透過率９５％と
導電性と透明性を合わせもつ膜になった。
．３ｍ／ｗｉｎである。照射前は、表面抵抗数＋ＭΩ／
口以上、５５０ｎｍ波長光の透過率５８％の材料特性を
もつものであったが、照射後には、表面抵抗２０Ω／口
、比抵抗率２．ｌＸ１０−’ΩＣ１１１透過率９５％と
導電性と透明性を合わせもつ膜になった。
〈比較例１〉
実施例１とほぼ同等の特性をもつポリアクリレートのシ
ート上のＩＴＯ膜に対し、電気炉で熱処理を行った。条
件は、１５０℃、３０分保持とし、Ａｒガス雰囲気とし
た。その結果、得られた■ＴＯ膜の特性は、表面抵抗３
００Ω／口、比抵抗率１０ＸＩＯ−４Ωｃｍ、透過率８
５％となった。この処理後のものは、実施例１にくらべ
て部分的に、そりやしわが見られた。
ート上のＩＴＯ膜に対し、電気炉で熱処理を行った。条
件は、１５０℃、３０分保持とし、Ａｒガス雰囲気とし
た。その結果、得られた■ＴＯ膜の特性は、表面抵抗３
００Ω／口、比抵抗率１０ＸＩＯ−４Ωｃｍ、透過率８
５％となった。この処理後のものは、実施例１にくらべ
て部分的に、そりやしわが見られた。
〈実施例２〉
ポリカーボネイト基板上に真空蒸着で作成した５ｎＯｚ
（Ｓｂ５ｗｔ％）に対し、ＹＡＧレーダーを照射し
た。その結果、照射前数Ｍｏ２口、光透過率５３％であ
ったものが、表面抵抗で２００Ω／口、光透過率９３％
と大幅に改善された。
（Ｓｂ５ｗｔ％）に対し、ＹＡＧレーダーを照射し
た。その結果、照射前数Ｍｏ２口、光透過率５３％であ
ったものが、表面抵抗で２００Ω／口、光透過率９３％
と大幅に改善された。
（発明の効果）
本発明のプラスチック基材上の透明導電膜は、成膜速度
等の生産性を大幅に上昇させて得た、それによって透明
性、導電性の劣る導電膜に、レーザーを照射処理するこ
とにより、基材としてのプラスチックを損傷することな
く透明性、導電性の実用性をもった値にまで改善された
ものであり、さらには、部分的な処理が可能となり、必
要部分のみを透明性、導電性を向上さすことのできた膜
となすこともできる。
等の生産性を大幅に上昇させて得た、それによって透明
性、導電性の劣る導電膜に、レーザーを照射処理するこ
とにより、基材としてのプラスチックを損傷することな
く透明性、導電性の実用性をもった値にまで改善された
ものであり、さらには、部分的な処理が可能となり、必
要部分のみを透明性、導電性を向上さすことのできた膜
となすこともできる。
第１図は本発明の透明導電膜を作成する、レーザー処理
装置の概略図である。 特許出願人 東洋紡績株式会社
装置の概略図である。 特許出願人 東洋紡績株式会社
Claims (3)
- （１）透明なプラスチック基材上に設けられた透明導電
膜であって、該透明導電膜がレーザー照射処理されたも
のであることを特徴とする透明導電膜。 - （２）透明なプラスチック基材上に設けられた透明導電
膜であって、該透明導電膜が波長５５０ｎｍの光透過率
が７０％未満で比抵抗が１０＾−＾３Ωｃｍ以上の部分
と波長５５０ｎｍの光透過率が８０％以上で比抵抗が４
×１０＾−＾４Ωｃｍ以下の部分とを有することを特徴
とする透明導電膜。 - （３）透明なプラスチック基材上に導電膜を設け、該導
電膜に対して、レーザー照射処理を行い、透明性が波長
５５０ｎｍの光透過率で８０％以上の透明導電膜となす
ことを特徴とする透明導電膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12195190A JPH0417212A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 透明導電膜とその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12195190A JPH0417212A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 透明導電膜とその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417212A true JPH0417212A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14823957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12195190A Pending JPH0417212A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 透明導電膜とその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0417212A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000285752A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Hoya Corp | 透明電極及びその形成方法 |
| JP2012528779A (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-15 | サン−ゴバン グラス フランス | 薄膜層堆積方法及び得られる製品 |
| JP2016510297A (ja) * | 2013-01-18 | 2016-04-07 | サン−ゴバン グラス フランス | コーティングを備えた基材を得る方法 |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP12195190A patent/JPH0417212A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000285752A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Hoya Corp | 透明電極及びその形成方法 |
| JP2012528779A (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-15 | サン−ゴバン グラス フランス | 薄膜層堆積方法及び得られる製品 |
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