JPH04171957A - 半導体素子が実装される基板の検査方法、及びその基板を検査する検査治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の検査方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体装置の検査方法としては、第２図に示され
るような方法が知られていた。第２図において、１は基
板であり、この上に配線パターン２が形成されている。

この配線パターン２は、検査後に接続される半導体素子
の能動素子形成面上の金属突起に相対する位置に少くと
も形成されている。３は半導体素子接続領域を示してい
る。このような半導体装置を検査する場合、後で接続す
る半導体素子の金属突起に相対する位置と外部装置と接
続される位置に、プローブビン４が保持治具５に立てら
れている。これか、基板１上の配線パターン２に押しつ
けられ、必要な電気的導通を得て、例えば、配線パター
ン２の切断の有無、ショートの有無などを検査すること
ができる。この方法で、複数の半導体素子に相当する配
線パターンを有する半導体装置を検査する場合、第２図
に示されるように、その複数の半導体素子に相対するよ
うにプローブピンが立てられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、従来の半導体装置の検査方法では、複数の半導
体素子に対応する半導体装置を検査する時に、多数のプ
ローブピンを高い位置精度を保って配置しなければなら
ず、その配置は困難であるため検査装置は高価になって
しまうという問題点を有していた。

そこで、本発明の半導体装置の検査方法では、安価な検
査装置を利用できる半導体装置の検査方法を提供するこ
とを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するため、本発明の半導体装置の検査方
法では、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された配線
パターンと、前記絶縁基板の前記配線パターンの第１部
分に能動素子形成面か対向して存在する半導体素子と、
前記配線パターンの第１部分と前記半導体素子の間に存
在する導電性物質とから少くとも成る半導体装置におい
て、前記絶縁基板上の前記配線パターンは、複数の前記
半導体素子に相対する第１部分を有しており、前記複数
の半導体素子との間に存在する前記導電性物質が加圧さ
れることて、前記配線パターンの第１部分と前記複数の
半導体素子の間に電気的導通を生じ、同時に前記配線パ
ターンの第２部分に押しつけられた導電性部材によって
前記配線パターンと前記導電性部材との間に電気的導通
を生しることによって検査の行われることを特徴とする
。

また、本発明の半導体装置の検査治具では、前記複数の
半導体素子と、前記導電部材は、同一平面上に載置され
ていることを特徴とする。

〔作　用〕

本発明によれば、導電性物質を有する半導体素子を複数
個、導電性物質に相対する位置に形成されている基板上
の配線パターンに押しっけ、かつ導電部材を配線パター
ンの半導体装置の外部接続力所に押しつける検査方式と
したので以下の作用を有する。半導体素子と配線パター
ンは導電性物質を介して押しつけられているので、半導
体素子の動作に必要な配線パターンとの電気的導通を得
ることができる。また配線パターンは、装置外部との導
通が必要な部分に導電部材を押しつけられるので、電気
的導通が発現し、半導体装置の電気的な駆動が可能にな
るので、半導体装置の電気的な検査が可能となる。

〔実　施　例〕

以下に、本発明の実施例を図面に基き、詳細に説明する
。

第１図は、本発明による半導体装置の検査方法を示す斜
視図である。１は基板であり、少くとも表面が絶縁され
ている。基板の材質としては、ガ、ラス、セラミクス、
ガラスエポキシ、ポリイミド、ホウロウ、プラスチック
、ポリエステル等であることが多い。２は配線パターン
であって、Ｃｕ。

Ｎｉ、Ａｐ、Ｃｒ、ＡｕＳＡｇ等を、スパッタ、蒸着、
メツキ等で形成した後、フォト−エツチング工程で目的
のパターンに形成されることが多い。

３は半導体素子接続領域であって、後述の方法によって
半導体素子が接続される。配線パターン２は、３の半導
体接続領域で、半導体素子ｌＯ上に半導体素子から外部
に接続されるために形成されている金属突起１１に相対
するように形成されている。半導体素子１０は、保持治
具１０に、基板１と平行度を保って、少くとも金属突起
１１は保持治具１０から出るような状態でうめ込まれる
。

金属突起１１と、配線パターン２は１．後述の半導体素
子の接続時と同じ状態で、押しつけられることになる。

４はプローブピンであり、導電性部材として用いられ、
保持治具５の中にうめ込まれているが、金属突起１１と
の段差を吸収するために、バネ性を有している場合が多
い。金属突起１１および、プローブピン４は、くり返し
配線パターンに押しつけられるため、硬度の高いタング
ステン等で形成されることが多い。このように、本発明
による半導体装置の検査治具は、金属突起を有する半導
体素子と、プローブピンが埋め込まれている。プローブ
ピンは、半導体装置を駆動あるいは検査するための外部
の装置、信号、電源に接続されている。保持治具は、絶
縁物の、ガラスエポキシ、セラミクス等で形成されてい
ることが多い。

本発明の半導体装置の検査治具、検査方法を用いれば、
例えば、１の基板が、Ｘ−Ｙマトリクス型の表示装置で
あるような場合、第１図に示される基板とは直角方向に
も別の基板が載置されるか、又は、同一基板上の配線パ
ターンが図の配線パターンとは直角方向にも存在してい
る。このような半導体装置を検査する場合は、検査治具
も直角方向に必要個数を用いて、必要な配線パターンす
べてに必要な信号、電源を接続するために、検査治具上
の半導体素子の金属突起のプローブピンを、配線パター
ンに押しつける。−枚の基板上に配線パターンが直角方
向に配置されている半導体装置では、直角方向に配置さ
れている検査治具を同一面同一方向から配線パターンに
押しつけ、２枚の基板で配線パターンか直角方向に配置
されている半導体装置では、直角方向に配置されている
検査治具を２枚の基板をはさみ込むように、互いに反対
方向から配線パターンに押しつけることて、半導体装置
の検査を行う。

次に、本発明による半導体装置の検査方法を第３図を用
いてさらに詳細に説明する。第３図は、本発明による半
導体装置の検査方法を示す断面模式図である。第３図（
ａ）において、１は基板であり、その表面に配線パター
ン２が形成されている。半導体素子１０と半導体素子外
部とを接続する必要のある部分に電極１２が形成されて
いる。

これは、Ｃｒ−Ｃｕ５Ｔｉ−Ｐｄ等の金属を被着して形
成されることが多く、その上に、Ａｕ、Ｃｕ１ハンダ等
の金属を、電気メツキ、スパッタ、蒸着等で数μｍ〜数
１０μｍの厚さで金属突起１１が形成されている。電極
４は、半導体素子５に供給する電源、入力信号、あるい
は出力信号を半導体素子外部へ取り出す接続部も含まれ
ているが、この電極に相対する部分に、配線パターンが
形成されている。尚、保持治具は図示していない。

次に、検査方法の具体的手順について説明する。

ＩＣプローブカード等を用いて良品と判断された半導体
素子１０を、第３図（ａ）に示すように金属突起３と、
それに相対する配線パターン２とを位置合わせした後、
基板１に押しつける。半導体素子５に半導体装置外部と
結線されるべき配線パターン上にプローブピン４を押し
つける。この状態で、電気的には、半導体装置が完成し
た状態になるから、半導体装置を電気的な異常がないか
どうかの検査を行うことができる。ブロービングピン４
は、第１図（ａ）に示すような針状導電性物質で、タン
グステンや、Ｎｉメツキした鉄等であるが、突起を有す
る導電性物質であれば何でも良い。さらに異方性導電膜
による配線パターンとの接続を行っても良い。

その後の半導体素子１０と基板１との接続方法の１例を
示す。基板１の配線パターン２上の半導体素子１０と相
対する部分に、光又は熱硬化性を有する絶縁樹脂１３を
塗布、又は設置する。（第１図（ｂ））次に、金属突起
１１と、配線パターン２とが所定の位置になるように位
置合わせを行ない、両者を圧接し、電気的接続を得る。

この状態で絶縁樹脂１３の硬化に必要なエネルギー（光
又は熱）を加えれば、絶縁樹脂１３は硬化し、接続は完
成する。（第１図（Ｃ））。これを複数の半導体素子に
、順次又は−括して行い、半導体素子の接続は完了する
。

〔発明の効果〕

以上、説明したように、本発明の半導体装置の検査方法
および検査治具では、複数の半導体素子と、導電部材と
を同一の検査治具上に、被検査基板の配線パターンに相
対するように保持し、かつ押しつける方法としたので、
多数のピンプローブを高い位置精度を保って配置する必
要が無いため、検査治具を含む検査装置は、安価なもの
となるという効果を有する。また、高精度に保持する必
要のあるビンプローブの数が少くてすむため、保守に用
する費用も少くて済むという効果も有する。

さらに、直交する配線パターンを有する半導体装置を検
査する場合は、検査治具が基板に押しつけられる際、よ
り多数のプローブビンが直角方向の高い位置精度を有し
て配置されることが必要無（１にめ、検査装置の価格、
および保守性は、従来のビンプローブ方式に比較してよ
り、低価格、高い保守性を有することになるという効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による半導体装置の検査方法および検
査治具を示す斜視図であり、第２図は、従来の半導体装
置の検査方法および検査治具を示す斜視図である。第３
図は、本発明による半導体装置の検査方法を示す断面模
式図である。 １・・・基板 ２・・・配線パターン ３・・・半導体素子接続領域 ４・・・プローブビン ５・・・保持治具 １０・・・半導体素子 １１・・・金属突起 １２・・・電極 １３・・・絶縁樹脂 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（他１名）第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された配線パ
   ターンと、前記絶縁基板の前記配線パターンの第１部分
   に能動素子形成面が対向して存在する半導体素子と、前
   記配線パターンの第１部分と前記半導体素子の間に存在
   する導電性物質とから少くとも成る半導体装置において
   、前記絶縁基板上の前記配線パターンは、複数の前記半
   導体素子に相対する第１部分を有しており、前記複数の
   半導体素子との間に存在する前記導電性物質が加圧され
   ることで前記配線パターンの第１部と前記複数の半導体
   素子の間に電気的導通を生じ、同時に前記配線パターン
   の第２部分に押しつけられた導電性部材によって前記配
   線パターンと前記導電性部材との間に電気的導通を生じ
   ることによって検査の行われることを特徴とする半導体
   装置の検査方法。
2. （２）前記複数の半導体素子と、前記導電部材は、同一
   平面上に載置されていることを特徴とする半導体装置の
   検査治具。