JPH04170388A - 結晶育成装置 - Google Patents
結晶育成装置Info
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- JPH04170388A JPH04170388A JP29602290A JP29602290A JPH04170388A JP H04170388 A JPH04170388 A JP H04170388A JP 29602290 A JP29602290 A JP 29602290A JP 29602290 A JP29602290 A JP 29602290A JP H04170388 A JPH04170388 A JP H04170388A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、チョクラルスキー法による半導体の結晶育成
装置に関するものである。
装置に関するものである。
（従来の技術）
チョクラルスキー法において結晶育成する直前に、結晶
の原料となる多結晶を融解する工程がある。従来、この
工程において多結晶を融解するためには、るつぼの温度
を原料の融点よりも１００度程産廃い温度に保つ必要が
ある。この時点においてるつぼが原料融液に侵食を受け
、るつぼが劣化し結果として結晶育成コストの上昇を引
き起こしていた。
の原料となる多結晶を融解する工程がある。従来、この
工程において多結晶を融解するためには、るつぼの温度
を原料の融点よりも１００度程産廃い温度に保つ必要が
ある。この時点においてるつぼが原料融液に侵食を受け
、るつぼが劣化し結果として結晶育成コストの上昇を引
き起こしていた。
（発明が解決しようとする課題）
融液表面からの輻射による抜熱のために、原料融液の作
製時にるつぼ温度を原料の融点よりも１００度程産廃い
温度に保つ必要がある。このためにるつぼと原料融液の
反応によりるつぼが劣化し、場合によってはるつぼが破
壊に至るケースもあり改良が望まれていた。
製時にるつぼ温度を原料の融点よりも１００度程産廃い
温度に保つ必要がある。このためにるつぼと原料融液の
反応によりるつぼが劣化し、場合によってはるつぼが破
壊に至るケースもあり改良が望まれていた。
本発明の目的は、融液表面からの輻射熱の発散を抑制し
るつぼ温度の上昇を抑制しつつ融液原料を作製すること
が可能な結晶育成装置を提供することにある。
るつぼ温度の上昇を抑制しつつ融液原料を作製すること
が可能な結晶育成装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の結晶育成装置はチョクラルスキー法結晶育成装
置において、原料上部に原料（融体）表面の上部に原料
加熱源（ヒータ）を設置し、原料融解後に該加熱源を移
動し、待避させる機能を備えることを特徴とする。
置において、原料上部に原料（融体）表面の上部に原料
加熱源（ヒータ）を設置し、原料融解後に該加熱源を移
動し、待避させる機能を備えることを特徴とする。
あるいは、上記加熱源の代りに高反射板を設置し、原料
融解後に、該反射板を待避させる移動機構を備えること
を特徴とする。高反射板としては反射率の高い金属板や
、多層コーティング反射膜等を用いることができる。
融解後に、該反射板を待避させる移動機構を備えること
を特徴とする。高反射板としては反射率の高い金属板や
、多層コーティング反射膜等を用いることができる。
（作用）
本発明の第１の発明は、原料融液の作製時に融液表面に
融体加熱源を設置することが可能で、しかも融液原料を
作製後はこれをるつぼ上面より移動撤去することが可能
な結晶育成装置に関するものである。これにより原料融
液作製時に融体表面からの輻射熱の発散を抑制し、るつ
ぼ温度を低下することが可能である。これによりるつぼ
の劣化を低減できる。
融体加熱源を設置することが可能で、しかも融液原料を
作製後はこれをるつぼ上面より移動撤去することが可能
な結晶育成装置に関するものである。これにより原料融
液作製時に融体表面からの輻射熱の発散を抑制し、るつ
ぼ温度を低下することが可能である。これによりるつぼ
の劣化を低減できる。
あるいは第２の発明は、原料融液の作製時に融液表面に
高反射率板、例えば金属製の反射鏡を設置することが可
能で、しかも融液原料を作製後はるつぼ上面より移動撤
去することが可能な結晶育成装置に関するものである。
高反射率板、例えば金属製の反射鏡を設置することが可
能で、しかも融液原料を作製後はるつぼ上面より移動撤
去することが可能な結晶育成装置に関するものである。
この方法でも同様に原料融液作製時に融体表面からの輻
射熱の発散を抑制し、るつぼ温度を低下することが可能
である。
射熱の発散を抑制し、るつぼ温度を低下することが可能
である。
（実施例）
本発明をチョクラルスキー法によるシリコンの結晶育成
装置を例にとって説明する。第１の実施例を第１図に示
す。結晶育成装置１は、るつぼ２と種結晶用シャフト３
、熱電対６を備え、原料（融液）の上部にヒータ（加熱
源）４が設置され、融液を上部から加熱でき、るつぼ上
面からの輻射熱で抑制できる。
装置を例にとって説明する。第１の実施例を第１図に示
す。結晶育成装置１は、るつぼ２と種結晶用シャフト３
、熱電対６を備え、原料（融液）の上部にヒータ（加熱
源）４が設置され、融液を上部から加熱でき、るつぼ上
面からの輻射熱で抑制できる。
ヒータ４はモリブデン製とした。融液原料の作製が終了
した時点で移動機構７によりヒータ４をるつぼ２上部よ
り移動し待避させ、種結晶用シャフト３を用いて、シリ
コンの結晶育成が可能となる。
した時点で移動機構７によりヒータ４をるつぼ２上部よ
り移動し待避させ、種結晶用シャフト３を用いて、シリ
コンの結晶育成が可能となる。
原料融液の作製時のるつぼ２の底の温度を熱電対６によ
り観測した。ヒータ４を用いると、摂氏１５００度であ
り、従来のヒータを用いない場合の１５５０度と比べ５
０度の温度差があることがわかった。これはヒータ４に
より、るつぼ上面よりの輻射熱を抑制でき、るつぼ内の
温度が均質化できたがらである。原料融液の作製が従来
よす５０度も低い温度でできるので、るつぼの低温化が
でき、るつぼと原料融液との反応が抑制され、るつぼの
使用可能回数の増加、即ち長寿命化が達成できた。これ
により、装置の使用効率が良くなるとともに低コスト化
が実現できた。移動機構７として第１図には歯車を用い
たものを示したが、これに限らず、通常用いられる他の
移動機構でもよい。
り観測した。ヒータ４を用いると、摂氏１５００度であ
り、従来のヒータを用いない場合の１５５０度と比べ５
０度の温度差があることがわかった。これはヒータ４に
より、るつぼ上面よりの輻射熱を抑制でき、るつぼ内の
温度が均質化できたがらである。原料融液の作製が従来
よす５０度も低い温度でできるので、るつぼの低温化が
でき、るつぼと原料融液との反応が抑制され、るつぼの
使用可能回数の増加、即ち長寿命化が達成できた。これ
により、装置の使用効率が良くなるとともに低コスト化
が実現できた。移動機構７として第１図には歯車を用い
たものを示したが、これに限らず、通常用いられる他の
移動機構でもよい。
第２の実施例を第２図に示す。第１図のヒータ４の代り
に高反射率の反射板８を用いる点が異なる。ここでは反
射板８として金属（モリブデン）の円盤状のものを用い
た。表面は研磨またはエツチングにより鏡面としている
。原料が融解するまでは反射板８をるつぼ２の上部に設
置し、融液原料作製終了後に移動機構７により反射板８
をるつぼ２の上部から移動し、結晶育成を開始する。本
実施例でも第１の実施例と同様に原料融液作製時に約５
０度の原料融液温度の低温化即ちるつぼの温度の低温化
ができた。
に高反射率の反射板８を用いる点が異なる。ここでは反
射板８として金属（モリブデン）の円盤状のものを用い
た。表面は研磨またはエツチングにより鏡面としている
。原料が融解するまでは反射板８をるつぼ２の上部に設
置し、融液原料作製終了後に移動機構７により反射板８
をるつぼ２の上部から移動し、結晶育成を開始する。本
実施例でも第１の実施例と同様に原料融液作製時に約５
０度の原料融液温度の低温化即ちるつぼの温度の低温化
ができた。
これは反射板８により、原料融液からの輻射による放熱
を低減できたからである。
を低減できたからである。
第１、第２の実施例ではシリコンの育成を例にとって説
明したが、他の材料、ＧａＡｓ、 ＩｎＰ、 Ｇｅ等の
結晶育成装置に適用できる。
明したが、他の材料、ＧａＡｓ、 ＩｎＰ、 Ｇｅ等の
結晶育成装置に適用できる。
（発明の効果）
以上のように本発明を用いることにより、チョクラルス
キー型結晶育成装置において融液原料作製時に於けるる
つぼおよび原料融液の温度を低温化することが可能とな
った。これによりるつぼの劣化が防止でき、るつぼの寿
命が長期化できる。
キー型結晶育成装置において融液原料作製時に於けるる
つぼおよび原料融液の温度を低温化することが可能とな
った。これによりるつぼの劣化が防止でき、るつぼの寿
命が長期化できる。
生産効率があがるとともに、コストを低減できる。
第１図と第２図は本発明の結晶育成装置の実施例を示す
概略図である。 １、結晶育成装置 ２、るつぼ ３、種結晶用シャフト ４、ヒータ ５、原料融液 ６．熱電対 ７、移動機構 ８、反射板
概略図である。 １、結晶育成装置 ２、るつぼ ３、種結晶用シャフト ４、ヒータ ５、原料融液 ６．熱電対 ７、移動機構 ８、反射板
Claims (2)
- （１）チョクラルスキー法の結晶育成装置において、原
料上部に原料加熱源を設置し、原料融解後に該加熱源を
移動し、待避させる機能を具備することを特徴とする結
晶育成装置。 - （２）チョクラルスキー法の結晶育成装置において、原
料上部に高反射率板を設置し、原料融解後に該高反射率
板を待避させる機能を具備することを特徴とする結晶育
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29602290A JPH04170388A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29602290A JPH04170388A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 結晶育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170388A true JPH04170388A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17828107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29602290A Pending JPH04170388A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04170388A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0921213A1 (de) * | 1997-12-02 | 1999-06-09 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Heizvorrichtung zum Aufschmelzen von Halbleitermaterial |
| JP2013542169A (ja) * | 2010-11-15 | 2013-11-21 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | サファイアインゴットの成長装置 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29602290A patent/JPH04170388A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0921213A1 (de) * | 1997-12-02 | 1999-06-09 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Heizvorrichtung zum Aufschmelzen von Halbleitermaterial |
| US6171395B1 (en) | 1997-12-02 | 2001-01-09 | Wacker Siltronic Gesellschaft f{umlaut over (u)}r Halbleitermaterialien AG | Process and heating device for melting semiconductor material |
| JP2013542169A (ja) * | 2010-11-15 | 2013-11-21 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | サファイアインゴットの成長装置 |
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