JP4207783B2 - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
但し、チャンバ1内を排気するための排気手段やガス導入手段等は省略されている。
直径が280mmのパイロリティックナイトライド(以下、「PBN」と記す)製の単結晶成長用容器9及び10mm角の矩形断面形状の種結晶12を用い、単結晶成長用容器9、種結晶12を相対的に回転させて定径部17cの直径が110mm、長さが400mmのGaAsの単結晶17の成長を20回行った。成長過程において種付け部17aが液体封止剤16中を通過するまでの引上速度を5mm/hとし、種付け部17aが液体封止剤16中を通過後の引上速度を8mm/hとした。
種付け部17aが液体封止剤16中を通過するまでの引上速度を5mm/h以下、種付け部17aが液体封止剤16中を通過後の引上速度を5mm/h以上、15mm/h以下とした以外は、実施例1と同様の方法で、GaAsの単結晶成長を50回行った。
引上速度は、液体封止剤16中を通過後の引上速度のみならず、液体封止剤16中を通過するまでの引上速度も、種付け部から最終成長部までの全成長過程で、8mm/hと一定とした以外は実施例1と同様の方法で、GaAs単結晶17の成長を行った。GaAsの単結晶17の成長は50回行い、All Singleの割合は50%以下であった。
成長過程において種付け部が液体封止剤中を通過するまでの引上速度を5mm/hより早くした以外は実施例1と同様の方法で、GaAs単結晶17の成長を行った。GaAs単結晶成長は20回行い、All Singleの割合は、50%以下であった。
成長過程において、種付け部が液体封止剤中を通過するまでの間、引上速度を5mm/hとし、成長過程において種付け部が液体封止剤中を通過後の引上速度を15mm/hより早くした以外は、実施例1と同様の方法で、GaAs単結晶17の成長を行った。GaAs単結晶成長は20回行い、All Singleの割合は、50%以下であった。
5 ヒータ(加熱手段)
9 単結晶成長用容器(るつぼ)
12 種結晶
14 成長炉
15 原料融液
16 液体封止剤
17 GaAs単結晶(化合物半導体単結晶)
17a 種付け部
18 固液界面
Claims (2)
- 結晶成長容器内に化合物半導体原料及び封止剤を投入し、加熱手段により原料及び封止剤を加熱して、原料融液とその上に液体封止剤とを形成し、種結晶を原料融液層に接触させて種付けを行い、種付け部を原料融液から引上げて化合物半導体単結晶を成長する製造方法において、
成長過程において前記種付け部が前記液体封止剤中を通過するまでの引上速度が、5mm/h以下であり、前記種付け部が前記液体封止剤中を通過した後の引上速度が、5mm/h以上、15mm/h以下であり、かつ前記種付け部が前記液体封止剤中を通過するまでと前記液体封止剤中を通過した後との引上速度を異ならせることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - 前記化合物半導体単結晶がGaAs単結晶であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体単結晶の製造方法。
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