JPS62207799A - ３−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその装置 - Google Patents
３−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその装置Info
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- JPS62207799A JPS62207799A JP4853486A JP4853486A JPS62207799A JP S62207799 A JPS62207799 A JP S62207799A JP 4853486 A JP4853486 A JP 4853486A JP 4853486 A JP4853486 A JP 4853486A JP S62207799 A JPS62207799 A JP S62207799A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は■−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその
装置に係り、特にリザーバ方式直接合成引上げ法による
製造方法及びその装置に関するものである。
装置に係り、特にリザーバ方式直接合成引上げ法による
製造方法及びその装置に関するものである。
［従来の技術］
■−ｖ族化合物半導体の中でＶ族元素が高い蒸気圧を有
する化合物半導体、例えばＩｎＰ。
する化合物半導体、例えばＩｎＰ。
ＧａＰ、 ＧａＡＳ等の単結晶製造方法として、Ｖ族元
素を収容すると共にその一端のみが解放されている容器
（以下、リザーバとする）を利用したリザーバ方式直接
合成引上げ法が知られている。この方法により実際に単
結晶を製造する際には、単結晶の合成時と引上げ時とに
関してリザーバの位置を固定しておくかあるいは移動さ
せるかによって２つの方式が考えられる。
素を収容すると共にその一端のみが解放されている容器
（以下、リザーバとする）を利用したリザーバ方式直接
合成引上げ法が知られている。この方法により実際に単
結晶を製造する際には、単結晶の合成時と引上げ時とに
関してリザーバの位置を固定しておくかあるいは移動さ
せるかによって２つの方式が考えられる。
第４図はリザーバを固定しておくリザーバ固定方式によ
る直接合成弓！上げ法を実施するための製造装置の構成
図である。この製造装置を用いてＩｎＰ単結晶の製造を
試みた。なお、図中ＩＶ−ＩＶ線の左側には合成時の、
右側には引上げ時の装置の断面構成が示されている。ま
ず、６インチ（１５，２０）サイズ石英ルツボ４１内に
Ｉｎ４２を２５００ ｇ、液体封止剤となるＢ２０３４
３を６００ｇ収容し、一方リザーバ４４内には赤リン４
５を８００ｇ収容した。このリザーバ４４は支持棒４６
及び支持板４７により容器４８内上方に固定されている
。なお、合成前は注入管４９の先端がルツボ４１内のＢ
２０３４３に接触しないようにルツボ４１を操作棒５０
により下げておく。
る直接合成弓！上げ法を実施するための製造装置の構成
図である。この製造装置を用いてＩｎＰ単結晶の製造を
試みた。なお、図中ＩＶ−ＩＶ線の左側には合成時の、
右側には引上げ時の装置の断面構成が示されている。ま
ず、６インチ（１５，２０）サイズ石英ルツボ４１内に
Ｉｎ４２を２５００ ｇ、液体封止剤となるＢ２０３４
３を６００ｇ収容し、一方リザーバ４４内には赤リン４
５を８００ｇ収容した。このリザーバ４４は支持棒４６
及び支持板４７により容器４８内上方に固定されている
。なお、合成前は注入管４９の先端がルツボ４１内のＢ
２０３４３に接触しないようにルツボ４１を操作棒５０
により下げておく。
次に、ルツボ加熱用ヒータ５１によりルツボ４１内を加
熱しｒ Ｉｎ４２及びＢ２０３４３を溶解し、さらに容
器４８内の圧力をＡｒガス４０Ｋｇ／ｃＩＲ２に制御し
た後、ルツボ４１を上昇し、注入管４９の先端をＩｎ４
２内に挿入する。その後、リザーバ加熱用ヒータ５２に
よりリザーバ４４内を加熱し、赤リン４５の蒸気をＩｎ
４２内に注入させて合成を行なった。この時、Ｉｎ融液
４２の温度を１１００℃とした。
熱しｒ Ｉｎ４２及びＢ２０３４３を溶解し、さらに容
器４８内の圧力をＡｒガス４０Ｋｇ／ｃＩＲ２に制御し
た後、ルツボ４１を上昇し、注入管４９の先端をＩｎ４
２内に挿入する。その後、リザーバ加熱用ヒータ５２に
よりリザーバ４４内を加熱し、赤リン４５の蒸気をＩｎ
４２内に注入させて合成を行なった。この時、Ｉｎ融液
４２の温度を１１００℃とした。
赤リン４５がリザーバ４４内からなくなったところで、
第４図右側に示すようにルツボ４１の位置を下降し、リ
ザーバ加熱用ヒータ５２による加熱を停止した。□さら
に、引上軸５３により種結晶５４を下降してルツボ４１
内に合成されたＩｎ融液５５に接触させた後、種結晶５
４の引上げを行なった。
第４図右側に示すようにルツボ４１の位置を下降し、リ
ザーバ加熱用ヒータ５２による加熱を停止した。□さら
に、引上軸５３により種結晶５４を下降してルツボ４１
内に合成されたＩｎ融液５５に接触させた後、種結晶５
４の引上げを行なった。
しかしながら、種結晶５４付近の温・度が高過ぎ、種結
晶５４からリンが揮散して表面荒れを生じ、単結晶の引
上げを行なうことができなかった。
晶５４からリンが揮散して表面荒れを生じ、単結晶の引
上げを行なうことができなかった。
これは、上述したように合成時と引上げ時とにおけるル
ツボ４１の位置が変化するのでこのルツボ４１を加熱す
るためのルツボ加熱用ヒータ５１を長く構成する必要が
あり、このために単結晶引上げに適した温度環境を得る
ことができなかったものと考えられる。
ツボ４１の位置が変化するのでこのルツボ４１を加熱す
るためのルツボ加熱用ヒータ５１を長く構成する必要が
あり、このために単結晶引上げに適した温度環境を得る
ことができなかったものと考えられる。
一方、■族元素を収容するルツボの位置を固定し、Ｖ族
元素を収容するリザーバを移動させるリザーバ移動方式
を採用すれば、ルツボ加熱用ヒータを長くする必要がな
く、所望の温度環境を得ることができる。しかしながら
、リザーバを引上軸に固定して引上軸によりリザーバを
移動させると、合成終了後の種付は作業を行なうことが
できず、引上軸の他にリザーバ草持用の駆動軸を新たに
設けてこの駆動軸によりリザーバを移動させると、装置
の上部が極めて複雑な機構になると共に装置自体高価な
ものとなってしまう。
元素を収容するリザーバを移動させるリザーバ移動方式
を採用すれば、ルツボ加熱用ヒータを長くする必要がな
く、所望の温度環境を得ることができる。しかしながら
、リザーバを引上軸に固定して引上軸によりリザーバを
移動させると、合成終了後の種付は作業を行なうことが
できず、引上軸の他にリザーバ草持用の駆動軸を新たに
設けてこの駆動軸によりリザーバを移動させると、装置
の上部が極めて複雑な機構になると共に装置自体高価な
ものとなってしまう。
［発明が解決しようとする問題点１
以上のように従来は、リザーバ固定方式では単結晶引上
げ時の温度環境の適正化を図ることができず、リザーバ
移動方式では種付は作業を行なうことができないかある
いは装置の上部が複雑になり装置が高価になるという問
題があった。
げ時の温度環境の適正化を図ることができず、リザーバ
移動方式では種付は作業を行なうことができないかある
いは装置の上部が複雑になり装置が高価になるという問
題があった。
かくして、本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消
し、簡単な構造で直接合成単結晶引上げを可能とする■
−ｖ族化白化合部半導体単結晶製造方法その装置を提供
することにある。
し、簡単な構造で直接合成単結晶引上げを可能とする■
−ｖ族化白化合部半導体単結晶製造方法その装置を提供
することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明の■−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法は上記目
的を達成するために、ルツボ内で加熱溶解された■族元
素内に上記ルツボの上方に位置する密閉容器内で加熱蒸
気化されたＶ族元素蒸気を導入して合成した後、上記密
閉容器を上昇持機させると共に上記ルツボの上方から種
結晶を降下させてこれを上記ルツボ内の合成融液に接触
し、その後上記種結晶を上昇させて単結晶を引上げる方
法である。
的を達成するために、ルツボ内で加熱溶解された■族元
素内に上記ルツボの上方に位置する密閉容器内で加熱蒸
気化されたＶ族元素蒸気を導入して合成した後、上記密
閉容器を上昇持機させると共に上記ルツボの上方から種
結晶を降下させてこれを上記ルツボ内の合成融液に接触
し、その後上記種結晶を上昇させて単結晶を引上げる方
法である。
この製造方法は、圧力容器内に加熱支持され溶解された
■族元素を収容するルツボと、該ルツボ上に昇降自在に
支持されると共にＶ族元素を加熱蒸気化しこれを上記ル
ツボ内に導入するための密閉容器と、上記ルツボ内に上
記Ｖ族元素蒸気を導入した後上記密閉容器を上昇移動さ
せて待機させる待機手段と、上記密閉容器を上記ルツボ
上に昇降移動させると共に種結晶を担持し、上記ルツボ
内の合成融液に接触させて単結晶を引上げるための昇降
手段とを備えた■−ｖ族化合物半導体単結晶製造装置に
より実施することができる。
■族元素を収容するルツボと、該ルツボ上に昇降自在に
支持されると共にＶ族元素を加熱蒸気化しこれを上記ル
ツボ内に導入するための密閉容器と、上記ルツボ内に上
記Ｖ族元素蒸気を導入した後上記密閉容器を上昇移動さ
せて待機させる待機手段と、上記密閉容器を上記ルツボ
上に昇降移動させると共に種結晶を担持し、上記ルツボ
内の合成融液に接触させて単結晶を引上げるための昇降
手段とを備えた■−ｖ族化合物半導体単結晶製造装置に
より実施することができる。
［作 用］
以上のような構成の製造装置を用いることによって、合
成時には密閉容器を降下させてＶ族元素の蒸気をルツボ
内に導入して■族元素との合成を行ない、その後昇降手
段によって密閉容器を上昇移動させると共にこれを待機
手段により待機さ仕、さらに昇降手段により種付けして
単結晶を引上げることができる。
成時には密閉容器を降下させてＶ族元素の蒸気をルツボ
内に導入して■族元素との合成を行ない、その後昇降手
段によって密閉容器を上昇移動させると共にこれを待機
手段により待機さ仕、さらに昇降手段により種付けして
単結晶を引上げることができる。
さらに、昇降手段として密閉容器を係止するための係止
部材を有する引上軸、待機手段としてルツボの上方に位
置し密閉容器の上昇時にこれを保持する保持部材をそれ
ぞれ用いれば、引上軸の操作のみで密閉容器の上昇・下
降及び上方で゛の待機並びに種付け・引上げを行なうこ
とが可能となり、装置の上部は極めて簡単な機構となる
。
部材を有する引上軸、待機手段としてルツボの上方に位
置し密閉容器の上昇時にこれを保持する保持部材をそれ
ぞれ用いれば、引上軸の操作のみで密閉容器の上昇・下
降及び上方で゛の待機並びに種付け・引上げを行なうこ
とが可能となり、装置の上部は極めて簡単な機構となる
。
また、合成時及び引上げ時を通してルツボの位置が固定
されているので、ルツボ加熱用ヒータを長くする必要が
なく、単結晶引上げ時に所望の温度環境を形成すること
ができる。
されているので、ルツボ加熱用ヒータを長くする必要が
なく、単結晶引上げ時に所望の温度環境を形成すること
ができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を添付図面に従って説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る■−Ｖ族化合物半導体
単結晶製造装置の構成図であり、図中ニーＩ線の左側に
は合成時の、右側には引上げ時の装置の断面構成が示さ
れている。ルツボ１は６インチ（１５，２ｃｍｇ ）サ
イズのもので石英からなり圧力容器２の底部に設置され
たルツボ用サセプタ３により保持されている。このルツ
ボ１及びルツボ用サセプタ３の外周部にこれらを囲繞す
るようにルツボ加熱用ヒータ４が設けられている。さら
に、これらルツボ１．ルツボ用サセプタ３及びルツボ加
熱用ヒータ４を内包すると共にその上部が開口している
保温室５が保温材から形成されている。
単結晶製造装置の構成図であり、図中ニーＩ線の左側に
は合成時の、右側には引上げ時の装置の断面構成が示さ
れている。ルツボ１は６インチ（１５，２ｃｍｇ ）サ
イズのもので石英からなり圧力容器２の底部に設置され
たルツボ用サセプタ３により保持されている。このルツ
ボ１及びルツボ用サセプタ３の外周部にこれらを囲繞す
るようにルツボ加熱用ヒータ４が設けられている。さら
に、これらルツボ１．ルツボ用サセプタ３及びルツボ加
熱用ヒータ４を内包すると共にその上部が開口している
保温室５が保温材から形成されている。
一方、圧力容器２の上部から圧力容器２内に引上軸６が
挿入され、ざらにリザーバ用サセプタ７がこの引上軸６
のまわりに回転自在に且つ引上軸６に沿って昇降自在に
設けられている。リザーバ用サセプタ７は第２図及び第
３図にその横断面を示すように引上軸６を中心としてそ
のまわりに３つの受は部８を有し、ここにそれぞれリザ
ーバ９を保持している。また、引上軸６の下側部には放
射状の３本の腕を有する係止部材１０が設けられており
、第２図のようにこの係止部材１０の腕をリザーバ用サ
セプタ７の受は部８の下に位置させることによってリザ
ーバ用サセプタ７を引上軸６で支持できるように構成さ
れている。保温室５の上部にはリザーバ用サセプタ７の
降下時にこれを囲繞する筒状の保持部材１１が設けられ
ており、この保持部材１１の内周部にはリザーバ用サセ
プタ７の上昇時にその受は部８を係止保持する３つの凸
部１２が形成されている。さらに、保持部材１１の外周
部にこれを囲繞するようにリザーバ加熱用ヒータ１３が
配置されている。また、各リザーバ９にはその内部に収
容されたＶ族元素の蒸気をルツボ１内に注入するための
注入管１４が下方に延出して設けられている。
挿入され、ざらにリザーバ用サセプタ７がこの引上軸６
のまわりに回転自在に且つ引上軸６に沿って昇降自在に
設けられている。リザーバ用サセプタ７は第２図及び第
３図にその横断面を示すように引上軸６を中心としてそ
のまわりに３つの受は部８を有し、ここにそれぞれリザ
ーバ９を保持している。また、引上軸６の下側部には放
射状の３本の腕を有する係止部材１０が設けられており
、第２図のようにこの係止部材１０の腕をリザーバ用サ
セプタ７の受は部８の下に位置させることによってリザ
ーバ用サセプタ７を引上軸６で支持できるように構成さ
れている。保温室５の上部にはリザーバ用サセプタ７の
降下時にこれを囲繞する筒状の保持部材１１が設けられ
ており、この保持部材１１の内周部にはリザーバ用サセ
プタ７の上昇時にその受は部８を係止保持する３つの凸
部１２が形成されている。さらに、保持部材１１の外周
部にこれを囲繞するようにリザーバ加熱用ヒータ１３が
配置されている。また、各リザーバ９にはその内部に収
容されたＶ族元素の蒸気をルツボ１内に注入するための
注入管１４が下方に延出して設けられている。
次に、このような製造装置を用いて ＩｎＰ単結晶を製
造する方法を述べる。
造する方法を述べる。
まず、ルツボ１内にＴｎｉ５を２５００ｇ、液体封止剤
としてＢ２Ｏ３ｊ６を６００ｇ収容し、一方各リザーバ
９内には赤リン１７を計８００ｇ収容した。なお、注入
管１４の先端がルツボ１内の８２０３１６に接触しない
ように引上軸６によりリザーバ用サセプタ７を保持部材
１１の凸部１２上に係止させておく。また、引上軸６の
下端に種結晶１８を装着する。
としてＢ２Ｏ３ｊ６を６００ｇ収容し、一方各リザーバ
９内には赤リン１７を計８００ｇ収容した。なお、注入
管１４の先端がルツボ１内の８２０３１６に接触しない
ように引上軸６によりリザーバ用サセプタ７を保持部材
１１の凸部１２上に係止させておく。また、引上軸６の
下端に種結晶１８を装着する。
次に、ルツボ用加熱ヒータ４によりルツボ１内を加熱し
てＩｎ１５及び８２０３１６を溶解し、さらに圧力容器
２内の圧力を静ガス４０Ｋｆｌ／１ｙｔｔ２に制御する
。その後、係止部材１０の腕をリザーバ用サセプタ７の
受は部８の下部に係合させたまま引上軸６をわずかに上
昇させてリザーバ用サセプタ７を保持部材１１の凸部１
２から離すと共に引上軸６を回転させて第２図のように
受は部８が保持部材１１の凸部１２に当接しない位置と
してから引上軸６を下降し、注入管１４の先端をルツボ
１内のＩｎ１ａ液１５内に挿入したところで引上軸６を
保持する。そして、リザーバ加熱用ヒータ１３によりリ
ザーバ９内を加熱して赤リン１７を気化させ、その蒸気
を注入管１４を介してＩｎ融液１５内に注入し合成を行
なう（第１図左側）。この時のＩｎ融液１５の温度を１
１００℃とする。
てＩｎ１５及び８２０３１６を溶解し、さらに圧力容器
２内の圧力を静ガス４０Ｋｆｌ／１ｙｔｔ２に制御する
。その後、係止部材１０の腕をリザーバ用サセプタ７の
受は部８の下部に係合させたまま引上軸６をわずかに上
昇させてリザーバ用サセプタ７を保持部材１１の凸部１
２から離すと共に引上軸６を回転させて第２図のように
受は部８が保持部材１１の凸部１２に当接しない位置と
してから引上軸６を下降し、注入管１４の先端をルツボ
１内のＩｎ１ａ液１５内に挿入したところで引上軸６を
保持する。そして、リザーバ加熱用ヒータ１３によりリ
ザーバ９内を加熱して赤リン１７を気化させ、その蒸気
を注入管１４を介してＩｎ融液１５内に注入し合成を行
なう（第１図左側）。この時のＩｎ融液１５の温度を１
１００℃とする。
このようにして、リザーバ９内の全ての赤リン１７がＩ
ｎ融液１５内に注入されたところで、引上軸６を引上げ
てリザーバ用サセプタ７を上昇させ、保持部材１１の上
部でこれを回転してリザーバ用サセプタ７の受は部８を
保持部材１１の凸部１２直上に位置させた後、引上軸６
を下降させて第３図に示すようにリザーバ用サセプタ７
を保持部材１１に保持させる。さらに、引上軸６のみを
わずかに下降させてから引上＠６及びルツボ１をそれぞ
れ所定の回転数でＩ−Ｉ線のまわりに回転させる。そし
て、引上軸６をさらに下降し、その下端に装着されてい
る種結晶１８をルツボ１内の合成融液１９に接触させて
種付けを行なった後（第１図右側）、引上軸６を上昇さ
せてＩｎＰ単結晶の引上げを行なう。
ｎ融液１５内に注入されたところで、引上軸６を引上げ
てリザーバ用サセプタ７を上昇させ、保持部材１１の上
部でこれを回転してリザーバ用サセプタ７の受は部８を
保持部材１１の凸部１２直上に位置させた後、引上軸６
を下降させて第３図に示すようにリザーバ用サセプタ７
を保持部材１１に保持させる。さらに、引上軸６のみを
わずかに下降させてから引上＠６及びルツボ１をそれぞ
れ所定の回転数でＩ−Ｉ線のまわりに回転させる。そし
て、引上軸６をさらに下降し、その下端に装着されてい
る種結晶１８をルツボ１内の合成融液１９に接触させて
種付けを行なった後（第１図右側）、引上軸６を上昇さ
せてＩｎＰ単結晶の引上げを行なう。
以上のような方法により、成長方位を＜ １１１＞。
種結晶の回転数３ｒｐＨｌ、ルツボの回転数５ｒｐｍ、
引上速度１０．／ｈの条件でＩｎＰ単結晶の製造を行な
ったところ、種結晶及び成長結晶共に表面荒れすること
なく、最大径８０網１重量２Ｋｆｌ、長さ１６０履の単
結晶を引上げることができた。
引上速度１０．／ｈの条件でＩｎＰ単結晶の製造を行な
ったところ、種結晶及び成長結晶共に表面荒れすること
なく、最大径８０網１重量２Ｋｆｌ、長さ１６０履の単
結晶を引上げることができた。
このＩｎＰ単結晶をスライスしてウェハを形成し、結晶
特性の評価を行なったところ、ｙａｎ ｄｅｒｐ ａ
ｕｗ法によるホール測定結果はｎ −４〜８×１０”
ａｍ−’ 、 ｕ ＝ ４１００〜４４００ｃＩＲ２／
Ｖ・ＳｅＣ、ｔ： タＥＰＤ測定結果は平均値４Ｘ
１０’ ｃａｌ−２１最大値８Ｘ１０４α−２を示し、
アンドープＩｎＰ単結晶として類を見ない優れた特性を
有することが確認された。
特性の評価を行なったところ、ｙａｎ ｄｅｒｐ ａ
ｕｗ法によるホール測定結果はｎ −４〜８×１０”
ａｍ−’ 、 ｕ ＝ ４１００〜４４００ｃＩＲ２／
Ｖ・ＳｅＣ、ｔ： タＥＰＤ測定結果は平均値４Ｘ
１０’ ｃａｌ−２１最大値８Ｘ１０４α−２を示し、
アンドープＩｎＰ単結晶として類を見ない優れた特性を
有することが確認された。
なお、本発明はＩｎＰに限ることなく、ＧａＰやＧａＡ
Ｓ等他の■−ｖ族化合物半導体の単結晶製造に適用でき
ることは言うまでもない。
Ｓ等他の■−ｖ族化合物半導体の単結晶製造に適用でき
ることは言うまでもない。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、次のごとき優れた
効果を発揮する。
効果を発揮する。
（１） ルツボの位置が固定されているので、ルツボ
加熱用ヒータを長くする必要がなく、ルツボの温度制御
が容易となり、単結晶引上げ時に最適な温度環境を形成
することができる。
加熱用ヒータを長くする必要がなく、ルツボの温度制御
が容易となり、単結晶引上げ時に最適な温度環境を形成
することができる。
（２） その結果、極めて品質の優れた単結晶を製造
することができる。
することができる。
（３） 引上軸１本のみでリザーバ（密閉容器）の昇
降及び上方での待機並びに種付け・引上げの操作を行な
うことができるので、装置の機構、特に装置上部の機構
が簡単なものとなり、従って装置の製造コストの低下を
図ることができる。
降及び上方での待機並びに種付け・引上げの操作を行な
うことができるので、装置の機構、特に装置上部の機構
が簡単なものとなり、従って装置の製造コストの低下を
図ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る■−ｖ族化合物半導体
単結晶製造装置の合成時及び引上げ時における断面構成
図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の製造方法を説
明するための装置の横断面図、第４図はリザーバ固定方
式による直接合成引上げ法を実施するための製造装置の
合成時及び引上げ時における断面構成図である。 図中、１はルツボ、２は圧力容器、４はルツボ加熱用ヒ
ータ、６は引上軸、９はリザーバ、１０は係止部材、１
１は保持部材、１３はリザーバ加熱用ヒータ、１５はＩ
ｎ、 １７は赤リン、１８は種結晶である。
単結晶製造装置の合成時及び引上げ時における断面構成
図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の製造方法を説
明するための装置の横断面図、第４図はリザーバ固定方
式による直接合成引上げ法を実施するための製造装置の
合成時及び引上げ時における断面構成図である。 図中、１はルツボ、２は圧力容器、４はルツボ加熱用ヒ
ータ、６は引上軸、９はリザーバ、１０は係止部材、１
１は保持部材、１３はリザーバ加熱用ヒータ、１５はＩ
ｎ、 １７は赤リン、１８は種結晶である。
Claims (7)
- （１） ルツボ内で加熱溶解されたIII族元素内に上記
ルツボの上方に位置する密閉容器内で加熱蒸気化された
Ｖ族元素蒸気を導入して合成した後、上記密閉容器を上
昇持機させると共に上記ルツボの上方から種結晶を降下
させてこれを上記ルツボ内の合成融液に接触し、その後
上記種結晶を上昇させて単結晶を引上げることを特徴と
するIII−Ｖ族化合物半導体単結晶製造方法。 - （２） 圧力容器内に加熱支持され溶解されたIII族元
素を収容するルツボと、該ルツボ上に昇降自在に支持さ
れると共にＶ族元素を加熱蒸気化しこれを上記ルツボ内
に導入するための密閉容器と、上記ルツボ内に上記Ｖ族
元素蒸気を導入した後上記密閉容器を上昇移動させて待
機させる待機手段と、上記密閉容器を上記ルツボ上に昇
降移動させると共に種結晶を担持し、上記ルツボ内の合
成融液に接触させて単結晶を引上げるための昇降手段と
を備えたことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体単結
晶製造装置。 - （３） 上記ルツボが上記圧力容器内底部に位置されて
上方に開口されると共にその外周部に加熱ヒータを有し
たことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の装置。 - （４） 上記密閉容器が上記圧力容器内において上記ル
ツボの開口部上方からその下方に昇降移動自在に支持さ
れると共に内部に発生するＶ族元素蒸気を上記ルツボに
導入するための注入管を有したことを特徴とする特許請
求の範囲第２項または第３項記載の装置。 - （５） 上記昇降手段が上記密閉容器を係止する係止部
材を有する引上軸からなることを特徴とする特許請求の
範囲第２項ないし第４項のうちいずれか１項記載の装置
。 - （６） 上記待機手段が上記ルツボの上方に位置され上
記密閉容器の上昇時にこれを保持する保持部材からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項ないし第５項の
うちいずれか１項記載の装置。 - （７） 上記係止部材が上記引上軸の所定の回転角にお
いてのみ上記密閉容器を係止すると共に上記保持部材が
上記密閉容器の上記引上軸のまわりの所定角においての
み上記密閉容器を保持することを特徴とする特許請求の
範囲第６項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61048534A JPH0684277B2 (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61048534A JPH0684277B2 (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62207799A true JPS62207799A (ja) | 1987-09-12 |
| JPH0684277B2 JPH0684277B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=12806027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61048534A Expired - Fee Related JPH0684277B2 (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684277B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6479098A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-24 | Nippon Mining Co | Single crystal growth device |
| US5229082A (en) * | 1990-01-25 | 1993-07-20 | Westinghouse Electric Corp. | Melt replenishment system for dendritic web growth |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606920A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 防眩装置 |
| JPS60127296A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-06 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウム単結晶の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61048534A patent/JPH0684277B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606920A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 防眩装置 |
| JPS60127296A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-06 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウム単結晶の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6479098A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-24 | Nippon Mining Co | Single crystal growth device |
| US5229082A (en) * | 1990-01-25 | 1993-07-20 | Westinghouse Electric Corp. | Melt replenishment system for dendritic web growth |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684277B2 (ja) | 1994-10-26 |
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|---|---|---|---|
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