JPS60127296A - ひ化ガリウム単結晶の製造方法 - Google Patents
ひ化ガリウム単結晶の製造方法Info
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- JPS60127296A JPS60127296A JP58232557A JP23255783A JPS60127296A JP S60127296 A JPS60127296 A JP S60127296A JP 58232557 A JP58232557 A JP 58232557A JP 23255783 A JP23255783 A JP 23255783A JP S60127296 A JPS60127296 A JP S60127296A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液体封止チョクラルスキー法（Ｌｉｑｕｌｄ
Ｆｆｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ
法、以下「ＬＦｉＯ法」という。）によるひ化ガリウム
（ＧａＡθ→単結晶の製造方法に関する。
Ｆｆｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ
法、以下「ＬＦｉＯ法」という。）によるひ化ガリウム
（ＧａＡθ→単結晶の製造方法に関する。
ＧａＡｓ単結晶をＬ１ｉｉＯ法により製造すると断面が
円形でかつ大直径の単結晶を製造できる特徴がある。
円形でかつ大直径の単結晶を製造できる特徴がある。
しかしながら、従来用いられていたＬＫＯ法による単結
晶成長装置は単一の容器からなる結晶成長容器の内部に
ルツボ加熱用のヒーターを設置し、さらに結晶成長容器
の器壁を冷却する、いわゆるコールドウオール（００１
ａ Ｗａｌｌ）法であるので、結晶成長容器内に極めて
急峻な温度勾配が生じ、その結果、良質の単結晶を得る
ことは困難であった。また、コールドウオール法の場合
同容器壁にひ素が凝結するのでＧａＡｓの解離圧に相当
するひ索然気圧を維持してＧａＡｓの分解を抑制するこ
とは、困難であり、ひ索然気圧を維持する代りにＡｒそ
の他の不活性気体を用いて数十ｋｙ／ｃｒＡの圧力をか
けてＧａＡｓの分解を防止していた。したがって、結晶
成長容器は、安全確保のため１０ ｏ ｋｇ’／ ｃｔ
ｄ以上の耐圧を必要としていた。
晶成長装置は単一の容器からなる結晶成長容器の内部に
ルツボ加熱用のヒーターを設置し、さらに結晶成長容器
の器壁を冷却する、いわゆるコールドウオール（００１
ａ Ｗａｌｌ）法であるので、結晶成長容器内に極めて
急峻な温度勾配が生じ、その結果、良質の単結晶を得る
ことは困難であった。また、コールドウオール法の場合
同容器壁にひ素が凝結するのでＧａＡｓの解離圧に相当
するひ索然気圧を維持してＧａＡｓの分解を抑制するこ
とは、困難であり、ひ索然気圧を維持する代りにＡｒそ
の他の不活性気体を用いて数十ｋｙ／ｃｒＡの圧力をか
けてＧａＡｓの分解を防止していた。したがって、結晶
成長容器は、安全確保のため１０ ｏ ｋｇ’／ ｃｔ
ｄ以上の耐圧を必要としていた。
本発明者は、かかる高耐圧の容器を要せず、かつ、容器
内の温度勾配も緩やかであるＧａＡｓ単結晶のＬＫＣ法
による製造方法を開発することを目的として鋭意研究を
重ねた結果本発明に到達したものである。
内の温度勾配も緩やかであるＧａＡｓ単結晶のＬＫＣ法
による製造方法を開発することを目的として鋭意研究を
重ねた結果本発明に到達したものである。
本発明の上記の目的は気密性及び耐圧性を有する外囲器
及び上記外囲器の内部に設けられた結晶成長容器を有し
、かつ、上記外囲器及び結晶成長容器がそれぞれに気密
に保持されている単結晶成長装置を用いてＬＫＣ法によ
りＧａＡθ単結晶を製造する方法において、回転可能に
保持されたルツボ、該ルツボ加熱用ヒーター及び単結晶
引上げ軸を具備した上記結晶成長容器内部に／〜、２
ｋｇ ／ ｃｒｌｌのひ素蒸気圧を維持し、かつ、上記
結晶成長容器の器壁の温度を少なくともｊ夕０’Ｑに保
持することを特徴とする方法によシ達せられる。
及び上記外囲器の内部に設けられた結晶成長容器を有し
、かつ、上記外囲器及び結晶成長容器がそれぞれに気密
に保持されている単結晶成長装置を用いてＬＫＣ法によ
りＧａＡθ単結晶を製造する方法において、回転可能に
保持されたルツボ、該ルツボ加熱用ヒーター及び単結晶
引上げ軸を具備した上記結晶成長容器内部に／〜、２
ｋｇ ／ ｃｒｌｌのひ素蒸気圧を維持し、かつ、上記
結晶成長容器の器壁の温度を少なくともｊ夕０’Ｑに保
持することを特徴とする方法によシ達せられる。
本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明方法の実施に用いられる装置の一例の縦
断正面模型図である。／は外囲器である。外囲器／は、
ステンレス等にょシ作られ、気密性を有し、かつ約１０
ｋｔ）／ｃｒｌ程度の内圧に耐えることが必要である。
断正面模型図である。／は外囲器である。外囲器／は、
ステンレス等にょシ作られ、気密性を有し、かつ約１０
ｋｔ）／ｃｒｌ程度の内圧に耐えることが必要である。
λは、導孔である。
２を通じて、外囲器／の内圧及び雰囲気を調節する。３
は、外囲器／の内部に設けられた結晶成長容器である。
は、外囲器／の内部に設けられた結晶成長容器である。
結晶成長容器３は、耐熱性を有し、Ａｓ 等に侵されな
い材料で作製される。
い材料で作製される。
そのような材料としてはＴａ、Ｍｏ等が好ましい。
グは、結晶成長容器３の内圧及び雰囲気を調節するため
の導孔である。導孔≠は外囲器／を貫通して設けられる
。外囲器／と結晶成長容器３はそれぞれに気密に保持さ
れる。ｊは、ルツボである。ルツボｊには、Ｇａ また
はＧａＡｓ多結晶及び烏０３等の封止剤を装入する。ル
ツボｊを形成する材料は、ＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）
が最も好ましく、石英、グラファイト等も用いられる。
の導孔である。導孔≠は外囲器／を貫通して設けられる
。外囲器／と結晶成長容器３はそれぞれに気密に保持さ
れる。ｊは、ルツボである。ルツボｊには、Ｇａ また
はＧａＡｓ多結晶及び烏０３等の封止剤を装入する。ル
ツボｊを形成する材料は、ＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）
が最も好ましく、石英、グラファイト等も用いられる。
２は、ルッボタを回転可能に保持する回転軸である。回
転軸ｔは、外囲器／及び結晶 ３− 成長容器３の底面を貫通して設けられており外部から保
持、駆動される。回転軸ｔが外囲器／を貫通する部分は
、パイトンゴム、テフロン等のシール材を用いて気密を
保持する。また、回転軸ｔが結晶成長容器３の底面を通
過する部分は、セラミックシール又はＳ Ｂ２０４融液
、 Ｇａ 融液等を用いる液体シールにより気密を保持
し、Ａｓ の漏れを防止する。７は、ルツボ５を加熱す
るヒーターである。ヒーター７によりルツボを／２３１
０−１Ｊたはそれ以上に加熱してＧａＡｓ融液を得る。
転軸ｔは、外囲器／及び結晶 ３− 成長容器３の底面を貫通して設けられており外部から保
持、駆動される。回転軸ｔが外囲器／を貫通する部分は
、パイトンゴム、テフロン等のシール材を用いて気密を
保持する。また、回転軸ｔが結晶成長容器３の底面を通
過する部分は、セラミックシール又はＳ Ｂ２０４融液
、 Ｇａ 融液等を用いる液体シールにより気密を保持
し、Ａｓ の漏れを防止する。７は、ルツボ５を加熱す
るヒーターである。ヒーター７によりルツボを／２３１
０−１Ｊたはそれ以上に加熱してＧａＡｓ融液を得る。
ｒはひ素容器である。ひ素容器ｇは、アルミナもしくは
窒化ホウ素（ｓｉｓＮ＋）または、Ｔａ、ＭＯ等の金属
容器の内面をアルミナ、Ｓｉ３Ｎ。
窒化ホウ素（ｓｉｓＮ＋）または、Ｔａ、ＭＯ等の金属
容器の内面をアルミナ、Ｓｉ３Ｎ。
等によってコーティングしたものが適当である。
ひ素容器ｇには、ひ索然気吹出管り及び上下動可能な支
持棒１０を設ける。容器♂はルツボｊの上方に設け、支
持棒ＩＯにより、外囲器ｌの外部からの操作によシ上下
させることができる。
持棒１０を設ける。容器♂はルツボｊの上方に設け、支
持棒ＩＯにより、外囲器ｌの外部からの操作によシ上下
させることができる。
吹出管りは、容器ｇの下方に延伸して設けられる。直接
合成法によりＧａＡｓ単結晶を製造する ４− 場合は、支持棒ＩＯを操作してルッボタに収容したＢ２
Ｏ３融液層を貫通してＧａ 中に吹出管を挿入してＧａ
とひ素を反応させてＧａＡｓ を合成する。／／は、
容器ｇを加熱するヒーターである。
合成法によりＧａＡｓ単結晶を製造する ４− 場合は、支持棒ＩＯを操作してルッボタに収容したＢ２
Ｏ３融液層を貫通してＧａ 中に吹出管を挿入してＧａ
とひ素を反応させてＧａＡｓ を合成する。／／は、
容器ｇを加熱するヒーターである。
融点付近におけるＧａＡｓの解離圧は／〜、２ ｋｇ
／ｄであるので容器ざ内のひ素を１．ＤＯ−ｔｊｏＣに
加熱して上記解離圧に相当するひ素蒸気圧を発生させる
。ヒーター７及び／／によシ結晶成長容器の器壁の温度
を少なくとも、ｔｊＯＣ以上、好ましくはｊｒｏ−１０
０Ｃに維持してひ素が器壁に付着するのを防止する。
／ｄであるので容器ざ内のひ素を１．ＤＯ−ｔｊｏＣに
加熱して上記解離圧に相当するひ素蒸気圧を発生させる
。ヒーター７及び／／によシ結晶成長容器の器壁の温度
を少なくとも、ｔｊＯＣ以上、好ましくはｊｒｏ−１０
０Ｃに維持してひ素が器壁に付着するのを防止する。
なお、ひ素容器ざは必要に応じて一個またはそれ以上設
置してもよい。
置してもよい。
／２は単結晶引上げ軸である。引上げ軸／２は、回転及
び上下動可能に保持して所定の速度で回転させながらル
ツボｊから単結晶を引き上げる。
び上下動可能に保持して所定の速度で回転させながらル
ツボｊから単結晶を引き上げる。
支持棒／θ、引上げ軸／−等可動部分が外囲器ｌ及び結
晶成長容器３を貫通する部分は回転軸２と同様に処理し
て気密を保持する。
晶成長容器３を貫通する部分は回転軸２と同様に処理し
て気密を保持する。
本発明方法によってＧａＡｓ単結晶を成長させるにあた
って、ルツボｊに所定量のＢ２Ｏ３及びＧａＡｓ 多結
晶及び所望のドーパント、例えばＳｉ、Ｓ、Ｔｅ、Ｚｎ
等を収容する。直接合成法による場合はＧａＡｓ 多結
晶の代りにＧａのみを収容する。
って、ルツボｊに所定量のＢ２Ｏ３及びＧａＡｓ 多結
晶及び所望のドーパント、例えばＳｉ、Ｓ、Ｔｅ、Ｚｎ
等を収容する。直接合成法による場合はＧａＡｓ 多結
晶の代りにＧａのみを収容する。
また、ひ素容器に所定量のひ素を収容する。
続いて、導孔ノ及び弘を通じて外囲器／及び結晶成長容
器２の内部をＡｒ 等の不活性ガスで置換する。両容器
内の不活性ガスの圧力は１〜７に！ｊ／ ｃｒｆｌ程度
とし、かつ、両容器を実質的に等圧に保持する。
器２の内部をＡｒ 等の不活性ガスで置換する。両容器
内の不活性ガスの圧力は１〜７に！ｊ／ ｃｒｆｌ程度
とし、かつ、両容器を実質的に等圧に保持する。
ヒーター７によりルツボを加熱してＢ２Ｏ３融液に覆わ
れたＧａＡｓ融液を得る。また、ヒーター／／によシひ
素容器を乙０Ｏ−Ｘ夕ｏＣに加熱して／ −，２ｋｇ
／ ｃｒｄの蒸気圧のひ素蒸気を発生させる。
れたＧａＡｓ融液を得る。また、ヒーター／／によシひ
素容器を乙０Ｏ−Ｘ夕ｏＣに加熱して／ −，２ｋｇ
／ ｃｒｄの蒸気圧のひ素蒸気を発生させる。
なお、直接合成法による場合は、ひ素蒸気吹出管りをＧ
ａ 中に挿入してひ素蒸気を吹込みＧａＡｅを合成する
。
ａ 中に挿入してひ素蒸気を吹込みＧａＡｅを合成する
。
ＧａＡｓ 融液が形成されると、引上げ軸／２に装置し
たＧａＡｓ種結晶をＧａＡＳ融液に接触させ続いて単結
晶を成長させる。その際、ルツボタと引上げ軸／２の回
転数及び回転方向を調節して固液界面の形状を制御する
。
たＧａＡｓ種結晶をＧａＡＳ融液に接触させ続いて単結
晶を成長させる。その際、ルツボタと引上げ軸／２の回
転数及び回転方向を調節して固液界面の形状を制御する
。
本発明方法によると結晶成長容器内の温度勾配が緩やか
であるので熱歪が少なく、得られたＧａＡｓ単結晶の結
晶性が良好である。また、ひ素蒸気によって、ＧａＡｓ
の解離圧と平衡をとっているので高圧を要せず、したが
って、単結晶成長装置の製造が容易、かつ、安価となる
。
であるので熱歪が少なく、得られたＧａＡｓ単結晶の結
晶性が良好である。また、ひ素蒸気によって、ＧａＡｓ
の解離圧と平衡をとっているので高圧を要せず、したが
って、単結晶成長装置の製造が容易、かつ、安価となる
。
本発明方法を実施例に基づいてさらに具体的に説明する
。
。
実施例
第１図に縦断正面模型図を示す装置において、外囲器／
として耐圧１０ ｋｇ ／ｃｒ＆、かつ、外部に対して
気密に保持されたステンレス製の容器を用い、結晶成長
容器としてＴａ 製の容器を用いた。
として耐圧１０ ｋｇ ／ｃｒ＆、かつ、外部に対して
気密に保持されたステンレス製の容器を用い、結晶成長
容器としてＴａ 製の容器を用いた。
ＰＢＮ製のルツボｊ Ｉｃ Ｇａ １０００ ｆ及びＢ
、０３をｔ、ｔｏｏｙ収容し、ひ素容器にひ素／２００
９−を収容した。引上げ軸／コに種結晶を装着し単結晶
の成長方向を＜ｉｏｏ＞方向としだ。
、０３をｔ、ｔｏｏｙ収容し、ひ素容器にひ素／２００
９−を収容した。引上げ軸／コに種結晶を装着し単結晶
の成長方向を＜ｉｏｏ＞方向としだ。
外囲器／及び結晶成長容器３内を導孔２及び弘を通じて
１０ ’ Ｔｏｒｒまで減圧にし、続いてＡｒを導入し
、両容器内のＡｒ圧をｊ ｋｙ ／ ｃｒｌとした。
１０ ’ Ｔｏｒｒまで減圧にし、続いてＡｒを導入し
、両容器内のＡｒ圧をｊ ｋｙ ／ ｃｒｌとした。
ヒーター７及び／ｌによりルツボＪ−ヲ／２ｊ０Ｃ及び
ひ素容器ｇをｘ＋ｔＣにそれぞれ加熱した。続いて、ひ
素容器♂を降下して吹出管りをＧａ 中に挿入し、かつ
、容器ｇを＋＋ｔＣに保持してＧａ 中にひ素蒸気を吹
き込みＧａＡｓ を合成した。ＧａＡｓ の合成が完了
した後、吹出管りをルツボタから引上げ、続いて引上げ
軸／２を下げて種結晶とＧａＡｓ融液を接触させて単結
晶の成長を開始した。単結晶引上げ中はひ素容器ｒの温
度を６μｔｐに保持した。また結晶成長容器３の器壁の
温度はｔｏｏＣであった。
ひ素容器ｇをｘ＋ｔＣにそれぞれ加熱した。続いて、ひ
素容器♂を降下して吹出管りをＧａ 中に挿入し、かつ
、容器ｇを＋＋ｔＣに保持してＧａ 中にひ素蒸気を吹
き込みＧａＡｓ を合成した。ＧａＡｓ の合成が完了
した後、吹出管りをルツボタから引上げ、続いて引上げ
軸／２を下げて種結晶とＧａＡｓ融液を接触させて単結
晶の成長を開始した。単結晶引上げ中はひ素容器ｒの温
度を６μｔｐに保持した。また結晶成長容器３の器壁の
温度はｔｏｏＣであった。
得られたＧａＡ ｓ単結晶はＥＰＤがよ×１０３〜／Ｘ
１０’ｃｒｎ’であシ、従来法による単結晶の３×１０
４〜ｇ×１０４α−２に比較してＥＰＤが大−日 − きく低下した。またＥＰＤの面内分布はＵ字型であった
。。
１０’ｃｒｎ’であシ、従来法による単結晶の３×１０
４〜ｇ×１０４α−２に比較してＥＰＤが大−日 − きく低下した。またＥＰＤの面内分布はＵ字型であった
。。
また、比抵抗は♂×ＩＯ７〜、？Ｘ ／ ０８Ω・儂で
あった。なお、Ａｓ、、Ｈ３雰囲気中でＩｒ０Ｃ，２０
分の条件でアニールした後では３×１０７〜／×１０８
Ω・儂であり、比抵抗の熱安定性は良好であった。
あった。なお、Ａｓ、、Ｈ３雰囲気中でＩｒ０Ｃ，２０
分の条件でアニールした後では３×１０７〜／×１０８
Ω・儂であり、比抵抗の熱安定性は良好であった。
第１図は本発明方法の実施に用いる装置の一例の縦断正
面模型図である。 ／・・・・・・・・・外囲器 ２・・・・・・・・・結晶成長容器 ！・・・・・・・・・ルツボ ｒ・・・・・・・・・ひ素容器 １２・・・・・・・・・単結晶引上げ軸特許出願人 三
菱モンサント化成株式会社三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 要否用 − （ほか７名） 範１胃 手続補正書（自発） ／ 事件の表示 昭和ｓｇ年特許願第、２．３２Ａ；５
７号コ 発明の名称 ひ化ガリウム単結晶の製造方法３
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （ＸＯ＜＝）三菱モンサンド化成株式会社グ代
理人 〒１００ 住 戸ｔ 東京都千代田区丸の内皿丁目Ｓ番λ号Ｓ 補
正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄乙 補正の内
容 明細書第Ｓ頁第１／行目を次の通シ訂正する。 「液を得る。ｇはひ素容器である。ひ素容器ｇは、石英
、」 以 上
面模型図である。 ／・・・・・・・・・外囲器 ２・・・・・・・・・結晶成長容器 ！・・・・・・・・・ルツボ ｒ・・・・・・・・・ひ素容器 １２・・・・・・・・・単結晶引上げ軸特許出願人 三
菱モンサント化成株式会社三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 要否用 − （ほか７名） 範１胃 手続補正書（自発） ／ 事件の表示 昭和ｓｇ年特許願第、２．３２Ａ；５
７号コ 発明の名称 ひ化ガリウム単結晶の製造方法３
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （ＸＯ＜＝）三菱モンサンド化成株式会社グ代
理人 〒１００ 住 戸ｔ 東京都千代田区丸の内皿丁目Ｓ番λ号Ｓ 補
正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄乙 補正の内
容 明細書第Ｓ頁第１／行目を次の通シ訂正する。 「液を得る。ｇはひ素容器である。ひ素容器ｇは、石英
、」 以 上
Claims (1)
- （１）気密性及び耐圧性を有する外囲器及び上記外囲器
の内部に設けられた結晶成長容器を有し、かつ、上記外
囲器及び結晶成長容器がそれぞれに気密に保持されてい
る単結晶成長装置を用いて液体封止チョクラルスキー法
によりひ化ガリウム単結晶を製造する方法において、回
転可能に保持されたルツボ、該ルツボ加熱用ヒーター、
ひ素容器、該ひ素容器加熱用ヒーター、及び単結晶引上
げ軸を具備した上記結晶成長容器内部に／〜２ ｋｇ
／ ａｒｔのひ索然気圧を維持し、かつ、上記結晶成長
容器の器壁の温度を少なくとも！！０７：に保持すると
とを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232557A JPS60127296A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | ひ化ガリウム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232557A JPS60127296A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | ひ化ガリウム単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127296A true JPS60127296A (ja) | 1985-07-06 |
Family
ID=16941188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232557A Pending JPS60127296A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | ひ化ガリウム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127296A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62207799A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Hitachi Cable Ltd | ３−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその装置 |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232557A patent/JPS60127296A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62207799A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Hitachi Cable Ltd | ３−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその装置 |
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