JP3085072B2 - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体単結晶を引き
上げるワイヤを巻き取るワイヤ巻取機から発生する微粒
子が半導体融液に混入することのない単結晶引上装置に
関するものである。
上げるワイヤを巻き取るワイヤ巻取機から発生する微粒
子が半導体融液に混入することのない単結晶引上装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンやガリウムヒ素等の半導
体単結晶を育成する方法の一つにチョクラルスキー法
（ＣＺ法）がある。この方法は、育成される単結晶がル
ツボ材に非接触であるためにルツボにより汚染される危
険性が比較的少なく均質性の極めて高い単結晶が得られ
ること、外部から観測できるために成長を制御し易いこ
と、任意の引き上げ方位が選択できること、無転位結晶
のように格子欠陥の極めて少ない単結晶が育成できるこ
と等の特徴を有するために、様々な半導体単結晶の育成
に用いられている。
体単結晶を育成する方法の一つにチョクラルスキー法
（ＣＺ法）がある。この方法は、育成される単結晶がル
ツボ材に非接触であるためにルツボにより汚染される危
険性が比較的少なく均質性の極めて高い単結晶が得られ
ること、外部から観測できるために成長を制御し易いこ
と、任意の引き上げ方位が選択できること、無転位結晶
のように格子欠陥の極めて少ない単結晶が育成できるこ
と等の特徴を有するために、様々な半導体単結晶の育成
に用いられている。
【０００３】図３は、シリコン単結晶の育成に用いられ
る単結晶引上装置の一例を示す図である。この単結晶引
上装置１は、アルゴンガス（不活性ガス）が低圧で充填
されルツボが収容される気密容器２と、該気密容器２内
に垂直に立設され、軸線を中心として所定の角速度で回
転する円柱状のシャフト３と、該シャフト３上に固定さ
れた有底円筒状のグラファイト製のサセプタ４と、該サ
セプタ４に密着して固定された有底円筒状の石英製のル
ツボ５と、該ルツボ５の周囲に配設されたヒーター６と
から概略構成されている。前記気密容器２は、ルツボ５
を収容する有底円筒状の下部容器２ａと、上端部が同軸
的に縮径された円筒状の中部容器２ｂと、細径円筒状の
上部容器２ｃとから構成され、中部容器２ｂには、アル
ゴンガスが低圧（または常圧）で供給される不活性ガス
供給管７が設けられ、一方、上部容器２ｃの上端部には
回転駆動機構８により垂直な軸線の周りに回転自在なる
ハウジング９が設けられ、該ハウジング９には前記ルツ
ボ５に貯留されたシリコン融液（半導体融液）１１より
シリコン単結晶（半導体単結晶）１２を引き上げるワイ
ヤ１３を巻き取るためのワイヤ巻取機１４が収容されて
いる。
る単結晶引上装置の一例を示す図である。この単結晶引
上装置１は、アルゴンガス（不活性ガス）が低圧で充填
されルツボが収容される気密容器２と、該気密容器２内
に垂直に立設され、軸線を中心として所定の角速度で回
転する円柱状のシャフト３と、該シャフト３上に固定さ
れた有底円筒状のグラファイト製のサセプタ４と、該サ
セプタ４に密着して固定された有底円筒状の石英製のル
ツボ５と、該ルツボ５の周囲に配設されたヒーター６と
から概略構成されている。前記気密容器２は、ルツボ５
を収容する有底円筒状の下部容器２ａと、上端部が同軸
的に縮径された円筒状の中部容器２ｂと、細径円筒状の
上部容器２ｃとから構成され、中部容器２ｂには、アル
ゴンガスが低圧（または常圧）で供給される不活性ガス
供給管７が設けられ、一方、上部容器２ｃの上端部には
回転駆動機構８により垂直な軸線の周りに回転自在なる
ハウジング９が設けられ、該ハウジング９には前記ルツ
ボ５に貯留されたシリコン融液（半導体融液）１１より
シリコン単結晶（半導体単結晶）１２を引き上げるワイ
ヤ１３を巻き取るためのワイヤ巻取機１４が収容されて
いる。
【０００４】ハウジング９は、図４に示すように、底板
９ａの中央部には前記ワイヤ１３が挿通される開口部１
７が形成され、この開口部１７の上方に臨む位置には前
記ワイヤ１３が巻回される巻取ドラム１９が配設され、
さらに、底板９ａ上には、前記巻取ドラム１９を回転駆
動する駆動機構２０が設置されている。
９ａの中央部には前記ワイヤ１３が挿通される開口部１
７が形成され、この開口部１７の上方に臨む位置には前
記ワイヤ１３が巻回される巻取ドラム１９が配設され、
さらに、底板９ａ上には、前記巻取ドラム１９を回転駆
動する駆動機構２０が設置されている。
【０００５】この単結晶引上装置１を用いてシリコン単
結晶を成長させるには、まず、ルツボ５内にシリコン原
料を所定量投入し、不活性ガス供給管７によりアルゴン
ガスを低圧（または常圧）で供給しつつ該シリコン原料
をヒーター６により加熱溶融しシリコン融液１１とす
る。次に、シリコン融液１１の液面２１の中央付近を所
定のシリコン単結晶成長温度に保ち、ワイヤ巻取機１４
を稼働させてワイヤ１３を下降させ、該ワイヤ１３に吊
り下げられたシリコン種結晶２２をシリコン融液１１に
なじませた後、このシリコン種結晶２２を垂直方向の軸
線を中心として所定の角速度で回転させながら所定の速
度で垂直上方に引き上げ、シリコン単結晶を成長させ
る。十分無転位の結晶になった後にこの単結晶の径を徐
々に大径化し所定の径のシリコン単結晶１２とする。
結晶を成長させるには、まず、ルツボ５内にシリコン原
料を所定量投入し、不活性ガス供給管７によりアルゴン
ガスを低圧（または常圧）で供給しつつ該シリコン原料
をヒーター６により加熱溶融しシリコン融液１１とす
る。次に、シリコン融液１１の液面２１の中央付近を所
定のシリコン単結晶成長温度に保ち、ワイヤ巻取機１４
を稼働させてワイヤ１３を下降させ、該ワイヤ１３に吊
り下げられたシリコン種結晶２２をシリコン融液１１に
なじませた後、このシリコン種結晶２２を垂直方向の軸
線を中心として所定の角速度で回転させながら所定の速
度で垂直上方に引き上げ、シリコン単結晶を成長させ
る。十分無転位の結晶になった後にこの単結晶の径を徐
々に大径化し所定の径のシリコン単結晶１２とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の単結
晶引上装置１では、ワイヤ１３はワイヤ巻取機１４によ
り巻回されて引き上げられるものであるから、ワイヤ巻
取機１４により発生した微粒子２３，２３，…が開口部
１７を通過して気密容器２内に落下しシリコン融液１１
に混入するという問題があった。これらの微粒子２３，
２３，…は、シリコン融液１１に混入してシリコン単結
晶１２に取り入れられた場合、該シリコン単結晶１２に
パーティクルが発生し、該シリコン単結晶１２の半導性
が大きく低下することとなり、均一なシリコン単結晶を
得る際の大きな阻害要因となる。したがって、有害不純
物となる微粒子２３，２３，…のシリコン融液１１への
混入を防ぐ方策を施す必要があった。
晶引上装置１では、ワイヤ１３はワイヤ巻取機１４によ
り巻回されて引き上げられるものであるから、ワイヤ巻
取機１４により発生した微粒子２３，２３，…が開口部
１７を通過して気密容器２内に落下しシリコン融液１１
に混入するという問題があった。これらの微粒子２３，
２３，…は、シリコン融液１１に混入してシリコン単結
晶１２に取り入れられた場合、該シリコン単結晶１２に
パーティクルが発生し、該シリコン単結晶１２の半導性
が大きく低下することとなり、均一なシリコン単結晶を
得る際の大きな阻害要因となる。したがって、有害不純
物となる微粒子２３，２３，…のシリコン融液１１への
混入を防ぐ方策を施す必要があった。
【０００７】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、半導体単結晶を引き上げるワイヤを巻き
取るワイヤ巻取機から発生する微粒子が半導体融液に混
入することのない単結晶引上装置を提供することにあ
る。
ものであって、半導体単結晶を引き上げるワイヤを巻き
取るワイヤ巻取機から発生する微粒子が半導体融液に混
入することのない単結晶引上装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様な単結晶引上装置を採用した。す
なわち、気密容器の内部に設けられたルツボと、該ルツ
ボに貯留された半導体融液より半導体単結晶を引き上げ
るワイヤと、前記気密容器の上部に設けられ該ワイヤを
引き上げるワイヤ巻取機と、該ワイヤ巻取機を収容する
ハウジングとを備えてなる単結晶引上装置において、前
記ハウジングに、該ハウジング内を前記気密容器内より
低圧にする減圧手段を設けてなることを特徴としてい
る。
に、この発明は次の様な単結晶引上装置を採用した。す
なわち、気密容器の内部に設けられたルツボと、該ルツ
ボに貯留された半導体融液より半導体単結晶を引き上げ
るワイヤと、前記気密容器の上部に設けられ該ワイヤを
引き上げるワイヤ巻取機と、該ワイヤ巻取機を収容する
ハウジングとを備えてなる単結晶引上装置において、前
記ハウジングに、該ハウジング内を前記気密容器内より
低圧にする減圧手段を設けてなることを特徴としてい
る。
【０００９】
【作用】この発明の単結晶引上装置では、半導体単結晶
を成長させるに際し、前記減圧手段を用いて前記ハウジ
ング内を気密容器内より低圧にする。これより、ワイヤ
巻取機から発生した微粒子は、圧力の高い気密容器側の
不活性ガスにより押し上げられて該気密容器内には落下
せず、圧力の低いハウジング内に滞留することとなり、
減圧手段により該ハウジングの外方へ排出される。した
がって、微粒子は気密容器内に落下する虞がなくなり、
半導体融液に混入するという問題が解消され、均一な半
導体単結晶を得ることが可能になる。
を成長させるに際し、前記減圧手段を用いて前記ハウジ
ング内を気密容器内より低圧にする。これより、ワイヤ
巻取機から発生した微粒子は、圧力の高い気密容器側の
不活性ガスにより押し上げられて該気密容器内には落下
せず、圧力の低いハウジング内に滞留することとなり、
減圧手段により該ハウジングの外方へ排出される。した
がって、微粒子は気密容器内に落下する虞がなくなり、
半導体融液に混入するという問題が解消され、均一な半
導体単結晶を得ることが可能になる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例である単結晶引上
装置について図１及び図２を参照して説明する。この単
結晶引上装置は従来例で説明した単結晶引上装置１を改
良したものであり、図１及び図２において図３及び図４
に示す構成要素と同一の要素には同一符号を付し説明を
省略する。
装置について図１及び図２を参照して説明する。この単
結晶引上装置は従来例で説明した単結晶引上装置１を改
良したものであり、図１及び図２において図３及び図４
に示す構成要素と同一の要素には同一符号を付し説明を
省略する。
【００１１】この単結晶引上装置３１は、前記ハウジン
グ９の天板９ｂ中央部に円形の開口部３２が形成され、
該開口部３２にシール材３３を介して排気管３４が接続
され、該排気管３４に真空ポンプ（減圧手段）３５が接
続されたもので、シリコン単結晶１２引き上げ時におい
ては該真空ポンプ３５を稼働させることによりハウジン
グ９内が前記気密容器２内より低圧に保持されている。
グ９の天板９ｂ中央部に円形の開口部３２が形成され、
該開口部３２にシール材３３を介して排気管３４が接続
され、該排気管３４に真空ポンプ（減圧手段）３５が接
続されたもので、シリコン単結晶１２引き上げ時におい
ては該真空ポンプ３５を稼働させることによりハウジン
グ９内が前記気密容器２内より低圧に保持されている。
【００１２】次に、上記の単結晶引上装置３１を用いて
シリコン単結晶１２を作製する方法について説明する。
まず、ルツボ５内にシリコン原料を所定量投入し、不活
性ガス供給管７によりアルゴンガスを低圧（または常
圧）で供給しつつ該シリコン原料をヒーター６により加
熱溶融しシリコン融液１１とする。また、同時に真空ポ
ンプ３５を稼働させ、ハウジング９内を前記気密容器２
内より低圧に保持する。
シリコン単結晶１２を作製する方法について説明する。
まず、ルツボ５内にシリコン原料を所定量投入し、不活
性ガス供給管７によりアルゴンガスを低圧（または常
圧）で供給しつつ該シリコン原料をヒーター６により加
熱溶融しシリコン融液１１とする。また、同時に真空ポ
ンプ３５を稼働させ、ハウジング９内を前記気密容器２
内より低圧に保持する。
【００１３】次に、シリコン融液１１の液面２１の中央
付近を所定のシリコン単結晶成長温度に保ち、ワイヤ巻
取機１４を稼働させてワイヤ１３を下降させ、該ワイヤ
１３に吊り下げられたシリコン種結晶２２をシリコン融
液１１になじませた後、このシリコン種結晶２２を垂直
方向の軸線を中心として所定の角速度で回転させながら
所定の速度で垂直上方に引き上げ、シリコン単結晶を成
長させる。十分無転位の結晶になった後にこの単結晶の
径を徐々に大径化し所定の径のシリコン単結晶１２とす
る。
付近を所定のシリコン単結晶成長温度に保ち、ワイヤ巻
取機１４を稼働させてワイヤ１３を下降させ、該ワイヤ
１３に吊り下げられたシリコン種結晶２２をシリコン融
液１１になじませた後、このシリコン種結晶２２を垂直
方向の軸線を中心として所定の角速度で回転させながら
所定の速度で垂直上方に引き上げ、シリコン単結晶を成
長させる。十分無転位の結晶になった後にこの単結晶の
径を徐々に大径化し所定の径のシリコン単結晶１２とす
る。
【００１４】ここでは、真空ポンプ３５を稼働させるこ
とにより、ハウジング９内が気密容器２内より低圧に保
持されているので、ワイヤ巻取機１４から発生した微粒
子２３，２３，…は、開口部１７より上昇してくるアル
ゴンガスにより押し上げられて該気密容器２内には落下
することがない。したがって、これらの微粒子２３，２
３，…は圧力の低いハウジング９内に滞留することとな
り、真空ポンプ３５により排気管３４からハウジング９
の外方へ速やかに排出される。これより、ワイヤ巻取機
１４から微粒子２３，２３，…が発生してもシリコン融
液１１に混入する虞がなくなり、有害な不純物の混入の
ない均一なシリコン単結晶１２を得ることができる。
とにより、ハウジング９内が気密容器２内より低圧に保
持されているので、ワイヤ巻取機１４から発生した微粒
子２３，２３，…は、開口部１７より上昇してくるアル
ゴンガスにより押し上げられて該気密容器２内には落下
することがない。したがって、これらの微粒子２３，２
３，…は圧力の低いハウジング９内に滞留することとな
り、真空ポンプ３５により排気管３４からハウジング９
の外方へ速やかに排出される。これより、ワイヤ巻取機
１４から微粒子２３，２３，…が発生してもシリコン融
液１１に混入する虞がなくなり、有害な不純物の混入の
ない均一なシリコン単結晶１２を得ることができる。
【００１５】以上説明した様に、この発明に係る単結晶
引上装置３１によれば、前記ハウジング９に真空ポンプ
３５を接続し、該真空ポンプ３５を稼働させることによ
りハウジング９内を前記気密容器２内より低圧に保持す
ることとしたので、ワイヤ巻取機１４から発生した微粒
子２３，２３，…は、ハウジング９内に滞留し、真空ポ
ンプ３５により該ハウジング９の外方へ速やかに排出さ
せることができ、これらの微粒子２３，２３，…がシリ
コン融液１１に混入する虞がなくなる。したがって、有
害な不純物の混入のない均一なシリコン単結晶１２を成
長させることができる。
引上装置３１によれば、前記ハウジング９に真空ポンプ
３５を接続し、該真空ポンプ３５を稼働させることによ
りハウジング９内を前記気密容器２内より低圧に保持す
ることとしたので、ワイヤ巻取機１４から発生した微粒
子２３，２３，…は、ハウジング９内に滞留し、真空ポ
ンプ３５により該ハウジング９の外方へ速やかに排出さ
せることができ、これらの微粒子２３，２３，…がシリ
コン融液１１に混入する虞がなくなる。したがって、有
害な不純物の混入のない均一なシリコン単結晶１２を成
長させることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の単結晶引
上装置によれば、前記ハウジングに、該ハウジング内を
前記気密容器内より低圧にする減圧手段を設けてなるこ
ととしたので、ワイヤ巻取機から発生した微粒子はハウ
ジング内に滞留し、該減圧手段により該ハウジングの外
方へ速やかに排出させることができ、これらの微粒子が
半導体融液に混入する虞がなくなる。したがって、有害
な不純物の混入のない均一な半導体単結晶を成長させる
ことができる。
上装置によれば、前記ハウジングに、該ハウジング内を
前記気密容器内より低圧にする減圧手段を設けてなるこ
ととしたので、ワイヤ巻取機から発生した微粒子はハウ
ジング内に滞留し、該減圧手段により該ハウジングの外
方へ速やかに排出させることができ、これらの微粒子が
半導体融液に混入する虞がなくなる。したがって、有害
な不純物の混入のない均一な半導体単結晶を成長させる
ことができる。
【図１】本発明の単結晶引上装置の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の単結晶引上装置のハウジングの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図３】従来の単結晶引上装置を示す断面図である。
【図４】従来の単結晶引上装置のハウジングを示す断面
図である。
図である。
３１ 単結晶引上装置 ２ 気密容器 ５ ルツボ ９ ハウジング １１ シリコン融液（半導体融液） １２ シリコン単結晶（半導体単結晶） １３ ワイヤ １４ ワイヤ巻取機 ２２ シリコン種結晶 ２３ 微粒子 ３２ 開口部 ３３ シール材 ３４ 排気管 ３５ 真空ポンプ（減圧手段）
Claims (1)
- 【請求項１】 気密容器の内部に設けられたルツボと、
該ルツボに貯留された半導体融液より半導体単結晶を引
き上げるワイヤと、前記気密容器の上部に設けられ該ワ
イヤを引き上げるワイヤ巻取機と、該ワイヤ巻取機を収
容するハウジングとを備えてなる単結晶引上装置におい
て、 前記ハウジングに、該ハウジング内を前記気密容器内よ
り低圧にする減圧手段を設けてなることを特徴とする単
結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05350007A JP3085072B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05350007A JP3085072B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07196398A JPH07196398A (ja) | 1995-08-01 |
| JP3085072B2 true JP3085072B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=18407608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05350007A Expired - Lifetime JP3085072B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3085072B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3402040B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2003-04-28 | 信越半導体株式会社 | 単結晶保持装置 |
| JP5035144B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2012-09-26 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 単結晶引き上げ用ワイヤの洗浄装置およびその洗浄方法 |
| JP5067403B2 (ja) * | 2009-08-05 | 2012-11-07 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引き上げ装置 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP05350007A patent/JP3085072B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07196398A (ja) | 1995-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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