JPH07206584A - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JPH07206584A JPH07206584A JP6013099A JP1309994A JPH07206584A JP H07206584 A JPH07206584 A JP H07206584A JP 6013099 A JP6013099 A JP 6013099A JP 1309994 A JP1309994 A JP 1309994A JP H07206584 A JPH07206584 A JP H07206584A
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- JP
- Japan
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- crucible
- single crystal
- crystal
- compound semiconductor
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、単結晶育成技術、特に液体封止カ
イロポーラス法を適用した化合物半導体単結晶の製造方
法を提供する。 【構成】 高圧容器内、不活性雰囲気下に配置したルツ
ボ中で、原料と液体封止材を融解させ、次いで、前記原
料融液に種結晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞれ回
転しながら加熱温度を制御し、所定直径の単結晶の成長
を行う化合物半導体単結晶の製造方法において、単結晶
の回転中心からルツボの内壁までの同一水平面における
最短距離を最長距離との比（最短距離／最長距離）が
０．７５以上０．９９以下となるようにして単結晶の成
長を行うことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方
法。 【効果】 結晶とルツボとの間に十分な隙間を形成する
ため、結晶とルツボとの間の滑り抵抗を低減し、原料融
液の対流の制御を容易ならしめ、単結晶化率を向上する
ことができる。
イロポーラス法を適用した化合物半導体単結晶の製造方
法を提供する。 【構成】 高圧容器内、不活性雰囲気下に配置したルツ
ボ中で、原料と液体封止材を融解させ、次いで、前記原
料融液に種結晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞれ回
転しながら加熱温度を制御し、所定直径の単結晶の成長
を行う化合物半導体単結晶の製造方法において、単結晶
の回転中心からルツボの内壁までの同一水平面における
最短距離を最長距離との比（最短距離／最長距離）が
０．７５以上０．９９以下となるようにして単結晶の成
長を行うことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方
法。 【効果】 結晶とルツボとの間に十分な隙間を形成する
ため、結晶とルツボとの間の滑り抵抗を低減し、原料融
液の対流の制御を容易ならしめ、単結晶化率を向上する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶育成技術、特に
液体封止カイロポーラス法（以下、ＬＥＫ法と称する）
を適用した化合物半導体単結晶の成長装置に関するもの
である。
液体封止カイロポーラス法（以下、ＬＥＫ法と称する）
を適用した化合物半導体単結晶の成長装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｃ
ｄＴｅ等のIII−Ｖ族およびII−VI族化合物半導体は、
融点付近で高い蒸気圧を有するために原料融液上をＢ2
Ｏ3等からなる液体封止材層で覆う液体封止法により単
結晶の成長が行われている。現在、この液体封止法とし
ては液体封止チョクラルスキー法（ＬＥＣ法）やＬＥＫ
法等が知られている。ＬＥＣ法は、結晶の成長とともに
種結晶を引き上げていく方法であり、種付けにより結晶
方位が制御可能で、また高純度結晶を得やすいため、工
業化されているが、直径制御が困難であって均一の直胴
が得難く、また結晶成長時の固液界面付近の温度勾配が
大きいため熱応力が大きくなり転位欠陥が多いという欠
点を有している。
ｄＴｅ等のIII−Ｖ族およびII−VI族化合物半導体は、
融点付近で高い蒸気圧を有するために原料融液上をＢ2
Ｏ3等からなる液体封止材層で覆う液体封止法により単
結晶の成長が行われている。現在、この液体封止法とし
ては液体封止チョクラルスキー法（ＬＥＣ法）やＬＥＫ
法等が知られている。ＬＥＣ法は、結晶の成長とともに
種結晶を引き上げていく方法であり、種付けにより結晶
方位が制御可能で、また高純度結晶を得やすいため、工
業化されているが、直径制御が困難であって均一の直胴
が得難く、また結晶成長時の固液界面付近の温度勾配が
大きいため熱応力が大きくなり転位欠陥が多いという欠
点を有している。
【０００３】これに対し、ＬＥＫ法は、結晶の引上げを
行わず耐火性ルツボの中で結晶成長を行うために、成長
結晶の直径はルツボ内径に依存する。そのため、直径制
御が容易であるとともに、結晶成長時の融液中温度勾配
が数℃／cmであってＬＥＣ法に比して１桁小さいため、
熱応力が小さく、転位欠陥が少ないという利点を有して
いる。
行わず耐火性ルツボの中で結晶成長を行うために、成長
結晶の直径はルツボ内径に依存する。そのため、直径制
御が容易であるとともに、結晶成長時の融液中温度勾配
が数℃／cmであってＬＥＣ法に比して１桁小さいため、
熱応力が小さく、転位欠陥が少ないという利点を有して
いる。
【０００４】かかるＬＥＫ法は、例えば図５のような装
置を用いて行われている。図５に示す結晶成長装置は、
密閉型の高圧容器１内に円筒状のヒーター２が配設され
ており、このヒーター２の中央には、耐火性のルツボ３
が配置されている。また、このルツボ３は、ルツボ受け
４により支持されている。さらに、このルツボ受け４
は、その下端に固着された支持軸５により回転可能に支
持されている。そして、このルツボ３中には、ＧａＡｓ
等の原料融液６が入れられており、原料融液６の上面は
Ｂ2Ｏ3等からなる液体封止材層７で覆われている。一
方、ルツボ３の上方からは、高圧容器１内に結晶引上げ
軸８が上下動かつ回転可能に垂下されており、この結晶
引上げ軸８によって種結晶９を保持し、ルツボ３中の原
料融液６の表面に接触させることができるようになって
いる。
置を用いて行われている。図５に示す結晶成長装置は、
密閉型の高圧容器１内に円筒状のヒーター２が配設され
ており、このヒーター２の中央には、耐火性のルツボ３
が配置されている。また、このルツボ３は、ルツボ受け
４により支持されている。さらに、このルツボ受け４
は、その下端に固着された支持軸５により回転可能に支
持されている。そして、このルツボ３中には、ＧａＡｓ
等の原料融液６が入れられており、原料融液６の上面は
Ｂ2Ｏ3等からなる液体封止材層７で覆われている。一
方、ルツボ３の上方からは、高圧容器１内に結晶引上げ
軸８が上下動かつ回転可能に垂下されており、この結晶
引上げ軸８によって種結晶９を保持し、ルツボ３中の原
料融液６の表面に接触させることができるようになって
いる。
【０００５】ＬＥＫ法では、このような結晶成長装置を
用いて、先ず、図５に示すように、結晶引上げ軸８によ
って種結晶９を原料融液６中に浸漬する。次いで、不均
一な結晶成長を防止するため、ルツボ３と引上げ軸８と
を回転させながら原料融液の対流を制御し、引上げは行
わずに単結晶を成長させる。単結晶１０は、成長終了後
に、単結晶１０を原料融液６から切り離すために液体封
止材層７上方の高圧不活性ガス１１中に引き上げて冷却
させるようにしている。
用いて、先ず、図５に示すように、結晶引上げ軸８によ
って種結晶９を原料融液６中に浸漬する。次いで、不均
一な結晶成長を防止するため、ルツボ３と引上げ軸８と
を回転させながら原料融液の対流を制御し、引上げは行
わずに単結晶を成長させる。単結晶１０は、成長終了後
に、単結晶１０を原料融液６から切り離すために液体封
止材層７上方の高圧不活性ガス１１中に引き上げて冷却
させるようにしている。
【０００６】ＬＥＫ法における結晶成長過程では、結晶
はルツボに倣って成長するため、ルツボ内に成長する結
晶の水平断面形状は結晶引上げ軸の軸芯を中心としたル
ツボ内に内接する最大の円となる。ＬＥＣ法と比較する
と、種結晶の引上げを行わないため比較的長尺の単結晶
を効率良く作ることは困難である問題点があった。
はルツボに倣って成長するため、ルツボ内に成長する結
晶の水平断面形状は結晶引上げ軸の軸芯を中心としたル
ツボ内に内接する最大の円となる。ＬＥＣ法と比較する
と、種結晶の引上げを行わないため比較的長尺の単結晶
を効率良く作ることは困難である問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みてなされたもので、特に成長した単結晶
とルツボとの間の滑り抵抗に着目し鋭意検討した結果、
ルツボと単結晶との隙間を制御することにより、比較的
長尺の化合物半導体単結晶を容易に得ることができるこ
とを見出し本発明に到った。
な問題点に鑑みてなされたもので、特に成長した単結晶
とルツボとの間の滑り抵抗に着目し鋭意検討した結果、
ルツボと単結晶との隙間を制御することにより、比較的
長尺の化合物半導体単結晶を容易に得ることができるこ
とを見出し本発明に到った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、高
圧容器内、不活性雰囲気下に配置したルツボ中で、原料
と液体封止材を融解させ、次いで、前記原料融液に種結
晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞれ回転しながら加
熱温度を制御し、所定直径の単結晶の成長を行う化合物
半導体単結晶の製造方法において、種結晶の回転中心よ
りルツボの内壁までの同一水平面における最短距離と最
長距離の比（最短距離／最長距離）が、０．７５以上
０．９９以下となるようにして単結晶の成長を行うこと
を特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法である。
圧容器内、不活性雰囲気下に配置したルツボ中で、原料
と液体封止材を融解させ、次いで、前記原料融液に種結
晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞれ回転しながら加
熱温度を制御し、所定直径の単結晶の成長を行う化合物
半導体単結晶の製造方法において、種結晶の回転中心よ
りルツボの内壁までの同一水平面における最短距離と最
長距離の比（最短距離／最長距離）が、０．７５以上
０．９９以下となるようにして単結晶の成長を行うこと
を特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法である。
【０００９】ＬＥＫ法においては、結晶はルツボに倣っ
て成長するため、ルツボ内に成長する結晶の水平断面形
状は結晶引上げ軸の軸芯を中心とし、ルツボ内に内接す
る最大の円となる。ただし、ルツボと結晶との間に残留
する液体封止材膜厚分小さくなる。従来使用されている
図４に示すような円形の水平断面形状のルツボでは、成
長した結晶の水平断面形状とルツボ断面形状はほぼ合同
の円となるため、成長した結晶とルツボとの隙間が微小
となり、この隙間を液体封止材が満たし、成長した結晶
とルツボとの間の滑り抵抗が非常に大きくなる。そのた
め、ルツボと引上げ軸を別個に回転し続けることが困難
となるため、結晶成長に適した原料融液の対流を制御す
ることが困難となり、大きな単結晶が得られにくくな
る。
て成長するため、ルツボ内に成長する結晶の水平断面形
状は結晶引上げ軸の軸芯を中心とし、ルツボ内に内接す
る最大の円となる。ただし、ルツボと結晶との間に残留
する液体封止材膜厚分小さくなる。従来使用されている
図４に示すような円形の水平断面形状のルツボでは、成
長した結晶の水平断面形状とルツボ断面形状はほぼ合同
の円となるため、成長した結晶とルツボとの隙間が微小
となり、この隙間を液体封止材が満たし、成長した結晶
とルツボとの間の滑り抵抗が非常に大きくなる。そのた
め、ルツボと引上げ軸を別個に回転し続けることが困難
となるため、結晶成長に適した原料融液の対流を制御す
ることが困難となり、大きな単結晶が得られにくくな
る。
【００１０】本発明では、化合物半導体単結晶とルツボ
間の滑り抵抗を、化合物半導体単結晶とルツボの間の滑
り抵抗を化合物半導体単結晶とルツボとの間に隙間を設
けることで低減することにより、大きな単結晶を効率よ
く得るものである。本発明における隙間の大きさは、単
結晶の回転中心よりルツボの内壁までの最短距離と最長
距離との比（最短距離／最長距離）が０．７５以上０．
９９以下の範囲である。ルツボの内壁までの最短距離／
最長距離比が、０．９９以上では、化合物半導体単結晶
とルツボ間の隙間が十分でなく、化合物半導体単結晶と
ルツボ間の滑り抵抗が大きくなり、単結晶が得られにく
くなる。一方、ルツボの内壁までの最短距離／最長距離
比が、０．７５以下になると、成長できる単結晶の直径
は、単結晶の回転中心とルツボとの最短距離に依存する
ため、単結晶の径が小さくなり好ましくない。また、ル
ツボと成長中の単結晶との隙間の液体封止材の厚さの分
布が大きくなるため、育成単結晶の水平方向の温度の揺
らぎが大きくなり、系の温度制御性が悪くなる欠点も有
する。より好ましくは、単結晶の回転中心よりルツボの
内壁までの最短距離と最長距離との比（最短距離／最長
距離）が、０．９４以上０．９８以下である。
間の滑り抵抗を、化合物半導体単結晶とルツボの間の滑
り抵抗を化合物半導体単結晶とルツボとの間に隙間を設
けることで低減することにより、大きな単結晶を効率よ
く得るものである。本発明における隙間の大きさは、単
結晶の回転中心よりルツボの内壁までの最短距離と最長
距離との比（最短距離／最長距離）が０．７５以上０．
９９以下の範囲である。ルツボの内壁までの最短距離／
最長距離比が、０．９９以上では、化合物半導体単結晶
とルツボ間の隙間が十分でなく、化合物半導体単結晶と
ルツボ間の滑り抵抗が大きくなり、単結晶が得られにく
くなる。一方、ルツボの内壁までの最短距離／最長距離
比が、０．７５以下になると、成長できる単結晶の直径
は、単結晶の回転中心とルツボとの最短距離に依存する
ため、単結晶の径が小さくなり好ましくない。また、ル
ツボと成長中の単結晶との隙間の液体封止材の厚さの分
布が大きくなるため、育成単結晶の水平方向の温度の揺
らぎが大きくなり、系の温度制御性が悪くなる欠点も有
する。より好ましくは、単結晶の回転中心よりルツボの
内壁までの最短距離と最長距離との比（最短距離／最長
距離）が、０．９４以上０．９８以下である。
【００１１】単結晶とルツボ間に上記条件を満足する隙
間を与える具体的な手段としては、 （１）使用するルツボの水平断面形状が単結晶とルツボ
間の滑り抵抗が小さくなるような形状のものを使用す
る。例えば、楕円形、卵形、星形、多角形、多角形の角
を丸めた形、円形・楕円形・卵形の一部を切り取った
形、不定形などが挙げられるが、隙間部分での封止材の
動きがスムーズになる楕円形が好ましい。 （２）種結晶の位置をルツボの中心軸上からずらす。等
が挙げられる。
間を与える具体的な手段としては、 （１）使用するルツボの水平断面形状が単結晶とルツボ
間の滑り抵抗が小さくなるような形状のものを使用す
る。例えば、楕円形、卵形、星形、多角形、多角形の角
を丸めた形、円形・楕円形・卵形の一部を切り取った
形、不定形などが挙げられるが、隙間部分での封止材の
動きがスムーズになる楕円形が好ましい。 （２）種結晶の位置をルツボの中心軸上からずらす。等
が挙げられる。
【００１２】上記手段によって、結晶とルツボ内壁との
間に比較的大きい隙間を生じるため、結晶とルツボとの
間の滑り抵抗を低減し、原料融液の対流の制御を容易な
らしめることができ、大きな単結晶を効率良く得ること
ができるという上記目的を達成することができる。ま
た、併せて、ルツボとルツボ受けとの間の滑りも防ぐこ
とができる。
間に比較的大きい隙間を生じるため、結晶とルツボとの
間の滑り抵抗を低減し、原料融液の対流の制御を容易な
らしめることができ、大きな単結晶を効率良く得ること
ができるという上記目的を達成することができる。ま
た、併せて、ルツボとルツボ受けとの間の滑りも防ぐこ
とができる。
【００１３】
（実施例１）結晶育成装置は図６に示すように従来装置
にトルク計１３を配置し、図１に示した楕円形状（短径
６５mm、長径６７mm）のルツボを使用した。まず、Ｇａ
Ａｓ多結晶３．８kg（原料融液高さ２００mm）と液体封
止材としてＢ2Ｏ3を２５mmの厚さになるように秤量し
て、ｐＢＮ製のルツボに入れ、ヒーター２により加熱し
て炉内を１２５０℃以上に昇温し、ＧａＡｓおよびＢ2
Ｏ3を融解させた。このとき、Ａｓの揮散を防止するた
め、ガス導入管１２からアルゴンガスを導入し、高圧容
器１内を３０気圧とした。次にＧａＡｓ融液の表面温度
をＧａＡｓの融点よりもやや高い温度に調節してから、
結晶引き上げ軸８を下げて、（１００）面の種結晶９を
原料融液６に種付けし、融液を１℃/hrの割合で冷却し
ながら２００時間かけて結晶の成長を行った。この際、
結晶引き上げ軸８は３０rpm、ルツボ軸５は逆方向に３
０rpmで回転させた。育成開始から２００時間経過後、
単結晶１０がほぼルツボ底部まで成長した時点での軸ト
ルクは１．０kg・mであり、円形のルツボ使用時に比べ１
／４であった。また、育成した結晶は、全て単結晶とな
っていた。
にトルク計１３を配置し、図１に示した楕円形状（短径
６５mm、長径６７mm）のルツボを使用した。まず、Ｇａ
Ａｓ多結晶３．８kg（原料融液高さ２００mm）と液体封
止材としてＢ2Ｏ3を２５mmの厚さになるように秤量し
て、ｐＢＮ製のルツボに入れ、ヒーター２により加熱し
て炉内を１２５０℃以上に昇温し、ＧａＡｓおよびＢ2
Ｏ3を融解させた。このとき、Ａｓの揮散を防止するた
め、ガス導入管１２からアルゴンガスを導入し、高圧容
器１内を３０気圧とした。次にＧａＡｓ融液の表面温度
をＧａＡｓの融点よりもやや高い温度に調節してから、
結晶引き上げ軸８を下げて、（１００）面の種結晶９を
原料融液６に種付けし、融液を１℃/hrの割合で冷却し
ながら２００時間かけて結晶の成長を行った。この際、
結晶引き上げ軸８は３０rpm、ルツボ軸５は逆方向に３
０rpmで回転させた。育成開始から２００時間経過後、
単結晶１０がほぼルツボ底部まで成長した時点での軸ト
ルクは１．０kg・mであり、円形のルツボ使用時に比べ１
／４であった。また、育成した結晶は、全て単結晶とな
っていた。
【００１４】（実施例２）図２に示したような円の両端
を切った形状（平行部間の距離６５mm、径６７mm）のル
ツボを使用し、他の実験条件は全て（実施例１）と同条
件でＧａＡｓ結晶を育成した。育成開始から２００時間
経過後、単結晶１０がほぼルツボ底部まで成長した時点
での軸トルクは０．４０kg・mであり、円形のルツボ使用
時に比べ１／１０であった。また、育成した結晶は、全
て単結晶となっていた。なお、図３のような形状のルツ
ボでも同様の効果がある。
を切った形状（平行部間の距離６５mm、径６７mm）のル
ツボを使用し、他の実験条件は全て（実施例１）と同条
件でＧａＡｓ結晶を育成した。育成開始から２００時間
経過後、単結晶１０がほぼルツボ底部まで成長した時点
での軸トルクは０．４０kg・mであり、円形のルツボ使用
時に比べ１／１０であった。また、育成した結晶は、全
て単結晶となっていた。なお、図３のような形状のルツ
ボでも同様の効果がある。
【００１５】（比較例１）図４に示す円形形状（φ６５
mm）のルツボを用いた他は全て（実施例１）と同条件で
ＧａＡｓ結晶を育成した。約２００時間後、単結晶１０
がほぼルツボ底部まで成長した時点での軸トルクは４．
１３kg・mであった。また、育成した結晶は成長部途中か
ら多結晶化していた。
mm）のルツボを用いた他は全て（実施例１）と同条件で
ＧａＡｓ結晶を育成した。約２００時間後、単結晶１０
がほぼルツボ底部まで成長した時点での軸トルクは４．
１３kg・mであった。また、育成した結晶は成長部途中か
ら多結晶化していた。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、単結晶
とルツボとの間に隙間を形成させることにより、結晶と
ルツボとの間の滑り抵抗を低減し、原料融液の対流の制
御を容易ならしめ、大きな単結晶を容易に得るという上
記目的を達成することができるという効果がある。
とルツボとの間に隙間を形成させることにより、結晶と
ルツボとの間の滑り抵抗を低減し、原料融液の対流の制
御を容易ならしめ、大きな単結晶を容易に得るという上
記目的を達成することができるという効果がある。
【図１】 本発明の（実施例１）に示す
【図６】のＡ−Ａ断面の説明図である。
【図２】
【図３】本発明の（実施例２）に示す
【図６】のＡ−Ａ断面の説明図である。
【図４】 （比較例１）における
【図６】のＡ−Ａ断面の説明図である。
【図５】 本発明で使用する装置の基本構成を示す。
【図６】（実施例１）（実施例２）（比較例１）におけ
る基本装置構成を示す。
る基本装置構成を示す。
１；高圧容器 ２；ヒーター ３；ルツボ ４；ルツボ受け ５；支持軸 ６；原料融液 ７；液体封止材層 ８；結晶引き上げ軸 ９；種結晶 １０；単結晶 １１；高圧不活性ガス １２；ガス導入管 １３；トルク計
Claims (1)
- 【請求項１】 高圧容器内、不活性雰囲気下に配置した
ルツボ中で、原料と液体封止材を融解させ、次いで、前
記原料融液に種結晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞ
れ回転させながら加熱温度を制御し、所定直径の単結晶
の成長を行う化合物半導体単結晶の製造方法において、
種結晶の回転中心よりルツボの内壁までの同一水平面に
おける最短距離と最長距離の比（最短距離／最長距離）
が、０．７５以上０．９９以下となるようにして単結晶
の成長を行うことを特徴とする化合物半導体単結晶の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6013099A JP2733898B2 (ja) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6013099A JP2733898B2 (ja) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07206584A true JPH07206584A (ja) | 1995-08-08 |
| JP2733898B2 JP2733898B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=11823715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6013099A Expired - Lifetime JP2733898B2 (ja) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2733898B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07291777A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-07 | Toshiba Corp | 半導体単結晶製造装置及び製造方法 |
| US8500905B2 (en) * | 2011-01-26 | 2013-08-06 | Dk Aztec Co., Ltd. | Kyropoulos sapphire single crystal growing apparatus using elliptic crucible |
-
1994
- 1994-01-12 JP JP6013099A patent/JP2733898B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07291777A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-07 | Toshiba Corp | 半導体単結晶製造装置及び製造方法 |
| US8500905B2 (en) * | 2011-01-26 | 2013-08-06 | Dk Aztec Co., Ltd. | Kyropoulos sapphire single crystal growing apparatus using elliptic crucible |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2733898B2 (ja) | 1998-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040728 |