JPH04155828A - 熱処理装置 - Google Patents
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- JPH04155828A JPH04155828A JP2280522A JP28052290A JPH04155828A JP H04155828 A JPH04155828 A JP H04155828A JP 2280522 A JP2280522 A JP 2280522A JP 28052290 A JP28052290 A JP 28052290A JP H04155828 A JPH04155828 A JP H04155828A
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、熱処理装置に関し、特に被処理体を高温下で
熱処理するための熱処理装置に関する。
熱処理するための熱処理装置に関する。
（従来の技術）
従来から、半導体ウェハ製造工程の各種薄膜形成装置の
ＣＶＤ装置、エキタピシャル成長装置や酸化膜形成装置
、あるいはドーピング装置の熱拡散装置等に熱処理装置
が採用されている。
ＣＶＤ装置、エキタピシャル成長装置や酸化膜形成装置
、あるいはドーピング装置の熱拡散装置等に熱処理装置
が採用されている。
この種の半導体ウェハの各種熱処理に使用される一般拡
散型の熱処理装置は、被処理体である複数の半導体ウェ
ハが配置される炉室を形成するプロセスチューブと、こ
のプロセスチューブの外周に設けられる発熱抵抗体と、
この発熱抵抗体を包囲して設けられる断熱材とを備えて
いる。
散型の熱処理装置は、被処理体である複数の半導体ウェ
ハが配置される炉室を形成するプロセスチューブと、こ
のプロセスチューブの外周に設けられる発熱抵抗体と、
この発熱抵抗体を包囲して設けられる断熱材とを備えて
いる。
この場合、発熱抵抗体としてＦｅＣｒＡｌ製等のスパイ
ラルヒータが用いられ、炉室内を例えば１２００℃程度
まで高温加熱し得るようになっている。
ラルヒータが用いられ、炉室内を例えば１２００℃程度
まで高温加熱し得るようになっている。
また、断熱材としては、セラミックファイバ等が用いら
れ、輻射熱および伝導熱として奪われる熱量を減少させ
て、効率よく加熱し得るようにしている。
れ、輻射熱および伝導熱として奪われる熱量を減少させ
て、効率よく加熱し得るようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来の一般拡散型の熱処理装置にあっては加熱装置
の発熱抵抗体としてＦｅＣｒＡｌ製のヒータを用いるこ
ととしており、このヒータは許容電流密度がそれ程高く
ないため、炉室内の昇降温速度が例えば１分間で１０℃
程度しか得られず、従って高速昇降温処理ができず、処
理速度が遅いという問題があった。
の発熱抵抗体としてＦｅＣｒＡｌ製のヒータを用いるこ
ととしており、このヒータは許容電流密度がそれ程高く
ないため、炉室内の昇降温速度が例えば１分間で１０℃
程度しか得られず、従って高速昇降温処理ができず、処
理速度が遅いという問題があった。
これに対して、例えば１０秒間で５００〜１０００℃昇
降温する昇降温速度の速いランプ加熱型の熱処理装置も
知られているが、この場合には半導体ウェハの面内温度
差が大きく、半導体ウェハの面内温度差が例えば４０℃
程度にもなって半導体ウェハにスリップ等の結晶欠陥が
生じてしまうこととなるという問題があった。
降温する昇降温速度の速いランプ加熱型の熱処理装置も
知られているが、この場合には半導体ウェハの面内温度
差が大きく、半導体ウェハの面内温度差が例えば４０℃
程度にもなって半導体ウェハにスリップ等の結晶欠陥が
生じてしまうこととなるという問題があった。
また、高温に加熱された発熱抵抗体は熱変形が大きく、
発熱抵抗体と断熱材が接触すると、発熱抵抗体と断熱材
が反応し発熱抵抗体が断線するという問題点があった。
発熱抵抗体と断熱材が接触すると、発熱抵抗体と断熱材
が反応し発熱抵抗体が断線するという問題点があった。
そこで本発明は、炉室内の高速昇降温処理を可能にして
、被処理体の処理速度を高めることがて、き、熱的反応
により発熱抵抗体が断線することのない熱処理装置を提
供することを、その解決課題としている。
、被処理体の処理速度を高めることがて、き、熱的反応
により発熱抵抗体が断線することのない熱処理装置を提
供することを、その解決課題としている。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記課題を解決するためになしたもので、そ
の解決手段として本発明の熱処理装置は、複数の被処理
体が配置される炉室を形成、するプロセスチューブと、 前記プロセスチューブの外周に設けられる発熱抵抗体と
１ 、 前記発熱抵抗体を包囲して設けられる断熱材とを備
える熱処理装置において、 前記発熱抵抗体を二ケイ化モリブデンにて形成し、 前記断熱材の表面を二酸化ケイ素に対して不活性の材料
にて形成した構成としている。
の解決手段として本発明の熱処理装置は、複数の被処理
体が配置される炉室を形成、するプロセスチューブと、 前記プロセスチューブの外周に設けられる発熱抵抗体と
１ 、 前記発熱抵抗体を包囲して設けられる断熱材とを備
える熱処理装置において、 前記発熱抵抗体を二ケイ化モリブデンにて形成し、 前記断熱材の表面を二酸化ケイ素に対して不活性の材料
にて形成した構成としている。
（作用）
上記構成の熱処理装置にあっては、ニケイ化モリブデン
製の発熱抵抗体は、許容される表面負荷密度が１２００
℃で約２０ Ｗ ／ ｃｄと大きい。
製の発熱抵抗体は、許容される表面負荷密度が１２００
℃で約２０ Ｗ ／ ｃｄと大きい。
そのため電源を入れてから１分間に５０〜１００℃で炉
室内は加熱される。
室内は加熱される。
従って、スリップの発生や結晶欠陥を生じさせることの
ない昇温速度で、炉室内を高速で昇降温処理できること
となる。
ない昇温速度で、炉室内を高速で昇降温処理できること
となる。
また、このニケイ化モリブデン製の発熱抵抗体は、加熱
されると二酸化ケイ素が表面に析出され、発熱抵抗体の
表面保護膜を形成することとなる。
されると二酸化ケイ素が表面に析出され、発熱抵抗体の
表面保護膜を形成することとなる。
上記二酸化ケイ素は、発熱抵抗体を包囲する断熱材と反
応側ると表面保護膜が浸蝕され、ニケイ化モリブデン製
の発熱抵抗体が断線する原因となるが、断熱材の表面を
二酸化ケイ素に対して不活性な材料にて形成しているた
め、上記発熱抵抗体が断線するようなことはない。
応側ると表面保護膜が浸蝕され、ニケイ化モリブデン製
の発熱抵抗体が断線する原因となるが、断熱材の表面を
二酸化ケイ素に対して不活性な材料にて形成しているた
め、上記発熱抵抗体が断線するようなことはない。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図〜第５図は、本発明の一実施例を示す図である。
この実施例は、半導体ウェハの製造に用いる縦形の熱処
理装置を示す。
理装置を示す。
この熱処理装置は、石英製のプロセスチューブ１０が例
えばステンレススチールからなるベースフレート１２上
に縦方向に立設支持されており、このプロセスチューブ
１ｏの内側に炉室１４が形成されるようになっている。
えばステンレススチールからなるベースフレート１２上
に縦方向に立設支持されており、このプロセスチューブ
１ｏの内側に炉室１４が形成されるようになっている。
また、上記プロセスチューブ１０はケーシング３２内に
納められるようになっている。
納められるようになっている。
このプロセスチューブ１ｏによって形成される炉室１４
内には、保？Ｍ筒１８に載置されたボート２０が挿脱可
能となっていて、このボート２ｏに多数枚の被処理体で
ある半導体ウェハ２２が水平に等間隔に配列支持され、
図示しない処理ガス供給源よりガスを供給し半導体ウェ
ハ２２に対して気相成長処理を実行可能となっている。
内には、保？Ｍ筒１８に載置されたボート２０が挿脱可
能となっていて、このボート２ｏに多数枚の被処理体で
ある半導体ウェハ２２が水平に等間隔に配列支持され、
図示しない処理ガス供給源よりガスを供給し半導体ウェ
ハ２２に対して気相成長処理を実行可能となっている。
なお、保温筒１８は、フランジキャップ２４上ζ＝搭載
され、このフランジキャップ２４は図示せぬエレベータ
アームに取り付けられて上下移動し、上記保温筒１８及
びボート２ｏを上下移動させるとともに、上記プロセス
チューブ１０のボート挿入孔２６を密封しうるようにな
っている。
され、このフランジキャップ２４は図示せぬエレベータ
アームに取り付けられて上下移動し、上記保温筒１８及
びボート２ｏを上下移動させるとともに、上記プロセス
チューブ１０のボート挿入孔２６を密封しうるようにな
っている。
上記プロセスチューブ１０の外周には発熱抵抗体３０か
設けられており、この発熱抵抗体３０の外側には発熱抵
抗体３０を支持、包囲する断熱材３４が設けられている
。
設けられており、この発熱抵抗体３０の外側には発熱抵
抗体３０を支持、包囲する断熱材３４が設けられている
。
発熱抵抗体３０は、上記炉室１４内を例えばトップ、セ
ンター及びボトムの３ゾーンに分けて、それぞれを好適
な温度条件下で加熱し得るようにトップ側、センター側
及びボトム側のそれぞれの発熱抵抗体３０ａ、３Ｑｂ、
３０Ｃにて構成されるような３ゾ一ン方式をとっている
。なお、ゾーン分割は３ゾーンに限らす５ゾーンなど適
宜必要に応じて決めればよい。また、断熱材３４も上記
トップ、センター及びボトムの３ゾーンに対応してトッ
プ側、センター側及びボトム側のそれぞれの断熱部材３
４ ａ、３４ｂ、３４ ｃにて構成されている。
ンター及びボトムの３ゾーンに分けて、それぞれを好適
な温度条件下で加熱し得るようにトップ側、センター側
及びボトム側のそれぞれの発熱抵抗体３０ａ、３Ｑｂ、
３０Ｃにて構成されるような３ゾ一ン方式をとっている
。なお、ゾーン分割は３ゾーンに限らす５ゾーンなど適
宜必要に応じて決めればよい。また、断熱材３４も上記
トップ、センター及びボトムの３ゾーンに対応してトッ
プ側、センター側及びボトム側のそれぞれの断熱部材３
４ ａ、３４ｂ、３４ ｃにて構成されている。
さらに、これら断熱部材３４ａ、３４ｂ、３４Ｃは、円
筒状のもので、半円筒状のものを２個組合せて形成され
るようになっており、これに対応して上記発熱抵抗体３
０ｇ、３０ｂ、３０ｃ’も半円筒状のものを２個組合せ
るようになっている。
筒状のもので、半円筒状のものを２個組合せて形成され
るようになっており、これに対応して上記発熱抵抗体３
０ｇ、３０ｂ、３０ｃ’も半円筒状のものを２個組合せ
るようになっている。
発熱塵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、ニケイ化モリブ
デン（ＭｏＳｉ２）製のものとしている。
デン（ＭｏＳｉ２）製のものとしている。
具体的には、ニケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２）を主成
分としたヒーター（カンタル社製のカンタルスーパー発
熱体）が採用できる。このニケイ化モリブデン製の発熱
抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０Ｃは、常温で抵抗値が非常
に小さく、高温になると抵抗値が大きくなる。ニケイ化
モリブデンは、従来用いられているＦｅＣｒＡ１発熱体
の最大表面負荷が１２００℃において例えば２Ｗ／ｃｒ
ｄであるのに対し、２０Ｗ／ＣｒＴ′ｌ′と１０倍の発
熱量であって、強力なパワー増加が得られ、従来用いら
れているＦｅＣｒＡ１発熱体が１０℃／分の温度上昇で
あるのに対し、１００℃／分と温度上昇を急俊にするこ
とができる。
分としたヒーター（カンタル社製のカンタルスーパー発
熱体）が採用できる。このニケイ化モリブデン製の発熱
抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０Ｃは、常温で抵抗値が非常
に小さく、高温になると抵抗値が大きくなる。ニケイ化
モリブデンは、従来用いられているＦｅＣｒＡ１発熱体
の最大表面負荷が１２００℃において例えば２Ｗ／ｃｒ
ｄであるのに対し、２０Ｗ／ＣｒＴ′ｌ′と１０倍の発
熱量であって、強力なパワー増加が得られ、従来用いら
れているＦｅＣｒＡ１発熱体が１０℃／分の温度上昇で
あるのに対し、１００℃／分と温度上昇を急俊にするこ
とができる。
また、発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、第３図及
び第５図に示すように、−本の線材を上下部でＵ字状に
折り曲げて、縦形に連続するミャンダ状に形成しである
。
び第５図に示すように、−本の線材を上下部でＵ字状に
折り曲げて、縦形に連続するミャンダ状に形成しである
。
そして、このミャンダ状に形成した発熱抵抗体３０ａ、
３０ｂ、３０ｃをステープル３６にて上記各断熱部材３
４ ａ ％ ３４ ｂ ％ ３４ ｃの内側面に取付は
保持させるようになっている。このステープル３６は、
発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃの上部ては各々の折
曲部の頂部に取り付けて発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３
０ｃを吊下げ支持するとともに、発熱抵抗体３０ ａ
％ ３０ ｂ １３０ ｃの下部では各々の折曲部を避
けて直線部分を支持して位置を固定するようにしており
、このように発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃの下端
を解放状態にしておくことによって、発熱抵抗体３０ａ
１３０ｂ、３０ｃの熱膨張、収縮による上下方向の長さ
変化を許容できるようにしている。
３０ｂ、３０ｃをステープル３６にて上記各断熱部材３
４ ａ ％ ３４ ｂ ％ ３４ ｃの内側面に取付は
保持させるようになっている。このステープル３６は、
発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃの上部ては各々の折
曲部の頂部に取り付けて発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３
０ｃを吊下げ支持するとともに、発熱抵抗体３０ ａ
％ ３０ ｂ １３０ ｃの下部では各々の折曲部を避
けて直線部分を支持して位置を固定するようにしており
、このように発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃの下端
を解放状態にしておくことによって、発熱抵抗体３０ａ
１３０ｂ、３０ｃの熱膨張、収縮による上下方向の長さ
変化を許容できるようにしている。
さらに、上記発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、加
熱されると表面に二酸化ケイ素（Ｓ ｉ ０２ ）が析
出される発熱抵抗体３０の表面保護膜を形成し、発熱抵
抗体３０が大気中の酸素と反応して酸化し、断線するこ
とを防止している。
熱されると表面に二酸化ケイ素（Ｓ ｉ ０２ ）が析
出される発熱抵抗体３０の表面保護膜を形成し、発熱抵
抗体３０が大気中の酸素と反応して酸化し、断線するこ
とを防止している。
上記発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃと直接接触する
上記ステープル３６の少なくとも表面を例えば１２００
℃という高温においても上記二酸化ケイ素に対して不活
性な材料にて形成し、上記の析出した二酸化ケイ素が浸
蝕され発熱抵抗体３０がステープル３０の接触部で断線
しないようにしている。二酸化ケイ素に対して不活性な
材料としては、例えば、鉄Ｆｅ、銅Ｃｕ、ニッケルＮｉ
などがある。なお、ステープル３６全体を二酸化ケイ素
に対して不活性な材料あるいは発熱抵抗体３０ａ、３０
ｂ、３０ｃと同一の材料で形成するようにしてもよい。
上記ステープル３６の少なくとも表面を例えば１２００
℃という高温においても上記二酸化ケイ素に対して不活
性な材料にて形成し、上記の析出した二酸化ケイ素が浸
蝕され発熱抵抗体３０がステープル３０の接触部で断線
しないようにしている。二酸化ケイ素に対して不活性な
材料としては、例えば、鉄Ｆｅ、銅Ｃｕ、ニッケルＮｉ
などがある。なお、ステープル３６全体を二酸化ケイ素
に対して不活性な材料あるいは発熱抵抗体３０ａ、３０
ｂ、３０ｃと同一の材料で形成するようにしてもよい。
また、発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、第５図に
示すように、隣接する境界部分において、各端部の曲折
部が交互に長短の状態になっており、その長短の曲折部
が交互に噛み合い状態で配設されるようになっている。
示すように、隣接する境界部分において、各端部の曲折
部が交互に長短の状態になっており、その長短の曲折部
が交互に噛み合い状態で配設されるようになっている。
従って、発熱抵抗体３０ａ ｓ ３０ ｂ ｓ ３０
ｃは、隣接境界部分において隙間なく配設され、その結
果トップ、センター、ボトムの各ゾーン間の境界部にお
いて均一な加熱かなし得るようになっている。なお、発
熱抵抗体は、トップ、センター、ボトムの各ゾーン内に
おいて上下に複数組合せるようにしてもよく、その場合
には各隣接部分において上述のように交互に組合せるよ
うにすることでゾーン内を均一な温度に維持てきる。ま
た組合せ状態は上述の例に限らず、均一な温度に維持で
きる各種の組合せが可能である。
ｃは、隣接境界部分において隙間なく配設され、その結
果トップ、センター、ボトムの各ゾーン間の境界部にお
いて均一な加熱かなし得るようになっている。なお、発
熱抵抗体は、トップ、センター、ボトムの各ゾーン内に
おいて上下に複数組合せるようにしてもよく、その場合
には各隣接部分において上述のように交互に組合せるよ
うにすることでゾーン内を均一な温度に維持てきる。ま
た組合せ状態は上述の例に限らず、均一な温度に維持で
きる各種の組合せが可能である。
断熱材３４は、各断熱部材３４ａ、３４ｂ、３４ｃがセ
ラミックファイバにて形成されている。
ラミックファイバにて形成されている。
これら各断熱部材３４ａ、３４ｂ、３４ｃは、発熱抵抗
体３０ａ、３０ｂ、３０ｃと反応して腐食しないように
、その半径ｒ１が発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０．ｃ
の半径ｒ２よりも大きく設定され、発熱抵抗体３０ａ、
３０ｂ、３０ｃと接触しないようになっている。
体３０ａ、３０ｂ、３０ｃと反応して腐食しないように
、その半径ｒ１が発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０．ｃ
の半径ｒ２よりも大きく設定され、発熱抵抗体３０ａ、
３０ｂ、３０ｃと接触しないようになっている。
断熱部材３４ ａ ｓ ３４ ｂ １３４ ｃの表面３
８を二酸化ケイ素に対して不活性な材料で形成するよう
にして、上記発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃが加熱
された際にたとえ変形して断熱部材３４ａ、３４ｂ、３
４Ｃと接触しても、発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０Ｃ
の表面に形成された二酸化ケイ素膜が浸蝕され断線する
ことかないようになっている。二酸化ケイ素に対して不
活性な材料としては、上述のように例えば、鉄Ｆｅ、銅
Ｃｕ１ニッケルＮｉなとがある。この二酸化ケイ素と不
活性な材料からなる表面３８の形成は、塗布によるもの
でも、積層によるものでもよく、種々の手段が採用でき
る。
８を二酸化ケイ素に対して不活性な材料で形成するよう
にして、上記発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃが加熱
された際にたとえ変形して断熱部材３４ａ、３４ｂ、３
４Ｃと接触しても、発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０Ｃ
の表面に形成された二酸化ケイ素膜が浸蝕され断線する
ことかないようになっている。二酸化ケイ素に対して不
活性な材料としては、上述のように例えば、鉄Ｆｅ、銅
Ｃｕ１ニッケルＮｉなとがある。この二酸化ケイ素と不
活性な材料からなる表面３８の形成は、塗布によるもの
でも、積層によるものでもよく、種々の手段が採用でき
る。
このように、断熱部材３４ ａ、３４ｂ、３４ ｃと、
発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０Ｃとの非接触構造に加
え、断熱部材３４ ａ、３４ｂ、３４ ｃの表面３８を
二酸化ケイ素と不活性な材料にて形成することによって
、発熱抵抗体３０の表面に形成された二酸化ケイ素膜の
浸食防止を図っている。
発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０Ｃとの非接触構造に加
え、断熱部材３４ ａ、３４ｂ、３４ ｃの表面３８を
二酸化ケイ素と不活性な材料にて形成することによって
、発熱抵抗体３０の表面に形成された二酸化ケイ素膜の
浸食防止を図っている。
本実施例では、上述のように、加熱装置２８の発熱抵抗
体３０ａ、３０ｂ、３０ｃをニケイ化モリブデン製とす
ることによって、高速昇降温かなし得、バッチ処理で半
導体ウエノ１の処理速度を向上させることが可能となる
。
体３０ａ、３０ｂ、３０ｃをニケイ化モリブデン製とす
ることによって、高速昇降温かなし得、バッチ処理で半
導体ウエノ１の処理速度を向上させることが可能となる
。
発熱抵抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃを固定するステーブ
ル３６の表面を二酸化ケイ素と不活性の材料にて形成す
るようにすることで、発熱抵抗体３０の表面に形成され
た二酸化ケイ素膜の浸食を防止することが可能となる。
ル３６の表面を二酸化ケイ素と不活性の材料にて形成す
るようにすることで、発熱抵抗体３０の表面に形成され
た二酸化ケイ素膜の浸食を防止することが可能となる。
さらに、断熱部材３４ ａ、３４ ｂ、３４ ｃと、発
熱抵抗体３０ｇ、３０ｂ、３０ｃとの非接触構造に加え
、たとえ発熱により発熱抵抗体３ｏが変形し断熱部材３
０と接触しても断熱部材３４ａ１３４ｂ、３４ｃの表面
３８を二酸化ケイ素と不活性な材料にて形成することに
よって、断熱部材３４ ａ、３４ｂ、３４ ｃが発熱抵
抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃの表面に析出する二酸化ケ
イ素と反応して浸食されるのを防止し発熱抵抗体の断線
を防止することが可能となる。
熱抵抗体３０ｇ、３０ｂ、３０ｃとの非接触構造に加え
、たとえ発熱により発熱抵抗体３ｏが変形し断熱部材３
０と接触しても断熱部材３４ａ１３４ｂ、３４ｃの表面
３８を二酸化ケイ素と不活性な材料にて形成することに
よって、断熱部材３４ ａ、３４ｂ、３４ ｃが発熱抵
抗体３０ａ、３０ｂ、３０ｃの表面に析出する二酸化ケ
イ素と反応して浸食されるのを防止し発熱抵抗体の断線
を防止することが可能となる。
なお、上記実施例においては、縦型の熱処理装置につい
て説明したが、これに限らず横型の熱処理装置にも適用
できるものである。この場合、各発熱抵抗体は、横型で
折返されるものを使用するのがよく、この発熱抵抗体を
断熱部材に固定する場合には、発熱抵抗体の両端部を固
定せずに、中間の直線部分を固定するようにして、左右
方向の伸縮を可能にするとよい。
て説明したが、これに限らず横型の熱処理装置にも適用
できるものである。この場合、各発熱抵抗体は、横型で
折返されるものを使用するのがよく、この発熱抵抗体を
断熱部材に固定する場合には、発熱抵抗体の両端部を固
定せずに、中間の直線部分を固定するようにして、左右
方向の伸縮を可能にするとよい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の熱処理装置は、加熱装置
の発熱抵抗体をニケイ化モリブデンにて形成することと
したため、この発熱抵抗体は最大表面不可が通常の発熱
体の１０倍と大きく炉室内は、電源を入れてから急速に
加熱されることとなる。従って、炉室内を高速で昇降温
処理でき、半導体ウェハの処理速度を向上させることが
できることとなるという効果がある。
の発熱抵抗体をニケイ化モリブデンにて形成することと
したため、この発熱抵抗体は最大表面不可が通常の発熱
体の１０倍と大きく炉室内は、電源を入れてから急速に
加熱されることとなる。従って、炉室内を高速で昇降温
処理でき、半導体ウェハの処理速度を向上させることが
できることとなるという効果がある。
また、発熱抵抗体を包囲して設けられる断熱材の表面を
二酸化ケイ素に対して不活性の材料にて形成することと
したため、上記の発熱抵抗体が加熱されて変形し断熱材
と接触してもこの二酸化ケイ素は断熱材と反応すること
がなく、従って発熱抵抗体の表面に形成された二酸化ケ
イ素膜が浸食されるのを防止することができ、発熱抵抗
体の断線を防止できるという効果がある。
二酸化ケイ素に対して不活性の材料にて形成することと
したため、上記の発熱抵抗体が加熱されて変形し断熱材
と接触してもこの二酸化ケイ素は断熱材と反応すること
がなく、従って発熱抵抗体の表面に形成された二酸化ケ
イ素膜が浸食されるのを防止することができ、発熱抵抗
体の断線を防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る縦形の熱処理装置を示
す概略断面図、 第２図は第１図の発熱抵抗体及び断熱材部分の横断面図
、 第３図は第１図及び第２図に示す発熱抵抗体及び断熱材
の部分斜視図、 第４図は発熱抵抗体及び断熱材の拡大断面図、第５図は
発熱抵抗体の配設状態を示す正面図図である。 １０・・・プロセスチューブ １４・・・炉室 ２２・・・半導体ウェハ２８・・・加
熱装置 ３０ａ１３０ｂ１３０ｃ・・・発熱抵抗体３４・・・断
熱材 ３４ａ、３４ｂ、３４ｃ −−−断熱部材３６・・・ス
テーブル ３８・・・断熱部材の表面 代理人 弁理士 井 上 −（他１名）第１図 ２４２６旧 １２ 第２図 第３図
す概略断面図、 第２図は第１図の発熱抵抗体及び断熱材部分の横断面図
、 第３図は第１図及び第２図に示す発熱抵抗体及び断熱材
の部分斜視図、 第４図は発熱抵抗体及び断熱材の拡大断面図、第５図は
発熱抵抗体の配設状態を示す正面図図である。 １０・・・プロセスチューブ １４・・・炉室 ２２・・・半導体ウェハ２８・・・加
熱装置 ３０ａ１３０ｂ１３０ｃ・・・発熱抵抗体３４・・・断
熱材 ３４ａ、３４ｂ、３４ｃ −−−断熱部材３６・・・ス
テーブル ３８・・・断熱部材の表面 代理人 弁理士 井 上 −（他１名）第１図 ２４２６旧 １２ 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の被処理体が配置される炉室を形成するプロセスチ
ューブと、 前記プロセスチューブの外周に設けられる発熱抵抗体と
、 前記発熱抵抗体を包囲して設けられる断熱材とを備える
熱処理装置において、 前記発熱抵抗体を二ケイ化モリブデンにて形成し、 前記断熱材の表面を二酸化ケイ素に対して不活性の材料
にて形成したことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28052290A JP3307924B2 (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 熱処理装置 |
| KR1019910018290A KR0159527B1 (ko) | 1990-10-18 | 1991-10-17 | 열처리장치 |
| US07/779,254 US5324920A (en) | 1990-10-18 | 1991-10-18 | Heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28052290A JP3307924B2 (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155828A true JPH04155828A (ja) | 1992-05-28 |
| JP3307924B2 JP3307924B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=17626280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28052290A Ceased JP3307924B2 (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 熱処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307924B2 (ja) |
| KR (1) | KR0159527B1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06300452A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | 連続式熱処理炉 |
| JPH076973A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Kokusai Electric Co Ltd | 加熱装置 |
| JPH11317282A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-11-16 | Riken Corp | 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法 |
| JP2001313153A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Nikko Materials Co Ltd | ＭｏＳｉ２を主成分とするヒーターの取付け方法 |
| US7002113B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-02-21 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc. | Heater inspection apparatus and semiconductor manufacturing apparatus having heater inspection apparatus mounted thereon |
| US7027722B2 (en) | 2002-11-25 | 2006-04-11 | Koyo Thermo Systems Co., Ltd. | Electric heater for a semiconductor processing apparatus |
| JP2006100755A (ja) * | 2003-10-21 | 2006-04-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置並びに基板処理装置用電気ヒーター及びこれを備えた基板処理装置 |
| JP2009250548A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Alpha Oikos:Kk | 高温用加熱炉 |
| JP2014165500A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Tera Semicon Corp | バッチ式基板処理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101677560B1 (ko) * | 2014-03-18 | 2016-11-18 | 주식회사 유진테크 | 공정공간 높이별 가열온도를 조절할 수 있는 히터를 구비한 기판 처리 장치 |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP28052290A patent/JP3307924B2/ja not_active Ceased
-
1991
- 1991-10-17 KR KR1019910018290A patent/KR0159527B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06300452A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | 連続式熱処理炉 |
| JPH076973A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Kokusai Electric Co Ltd | 加熱装置 |
| JPH11317282A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-11-16 | Riken Corp | 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法 |
| JP2001313153A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Nikko Materials Co Ltd | ＭｏＳｉ２を主成分とするヒーターの取付け方法 |
| US7027722B2 (en) | 2002-11-25 | 2006-04-11 | Koyo Thermo Systems Co., Ltd. | Electric heater for a semiconductor processing apparatus |
| US7002113B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-02-21 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc. | Heater inspection apparatus and semiconductor manufacturing apparatus having heater inspection apparatus mounted thereon |
| JP2006100755A (ja) * | 2003-10-21 | 2006-04-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置並びに基板処理装置用電気ヒーター及びこれを備えた基板処理装置 |
| JP2009250548A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Alpha Oikos:Kk | 高温用加熱炉 |
| JP2014165500A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Tera Semicon Corp | バッチ式基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0159527B1 (ko) | 1999-02-01 |
| JP3307924B2 (ja) | 2002-07-29 |
| KR920008875A (ko) | 1992-05-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |