JPH11243139A - 半導体ウェハ支持装置とこれを用いた半導体ウェハ処理方法 - Google Patents
半導体ウェハ支持装置とこれを用いた半導体ウェハ処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のボートはウェハをロッドで保持していた
ため、ウェハのロッド近傍部に膜厚の薄い部分が生じて
いた。 【解決手段】第１、第２のプレート１１、１２の相互間
には複数のロッド１３〜１６が配置されている。これら
ロッド１３〜１６には耐熱性ストリング１９例えばＳｉ
Ｃからなる複数の支持部材１７が張られ、これら支持部
材１７にウェハ１８が保持される。ウェハ１８は支持部
材１７に保持された状態で各ロッド１３〜１６から離れ
ている。このため、ウェハに均一な厚みの膜を形成でき
る。
ため、ウェハのロッド近傍部に膜厚の薄い部分が生じて
いた。 【解決手段】第１、第２のプレート１１、１２の相互間
には複数のロッド１３〜１６が配置されている。これら
ロッド１３〜１６には耐熱性ストリング１９例えばＳｉ
Ｃからなる複数の支持部材１７が張られ、これら支持部
材１７にウェハ１８が保持される。ウェハ１８は支持部
材１７に保持された状態で各ロッド１３〜１６から離れ
ている。このため、ウェハに均一な厚みの膜を形成でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハを熱処理する際に、ウェハを支持する半導体ウェハの
サポート装置と、このサポート装置を用いた半導体ウェ
ハの処理方法に関する。
ハを熱処理する際に、ウェハを支持する半導体ウェハの
サポート装置と、このサポート装置を用いた半導体ウェ
ハの処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化、アニール及びＬＰＣＶＤ（Low Pr
essure Chemical Vapor Deposition）のような半導体装
置の製造方法における高温処理は、炉型の装置を使用し
て行われる。現在は、一般に縦形炉が使用されている。
この縦形炉は、直立した石英チューブとボートを有し、
一度のバッチ処理で１００枚以上のウェハを処理可能と
されている。しかし、縦形炉は処理に長時間を必要とす
る。この主たる理由は一度の処理量が多いことである。
一度に処理するウェハの数が多い場合、全ての処理工程
においてかなり長時間を必要とする。すなわち、カセッ
トとボート間でのウェハの移送に長時間を要し、ウェハ
が装着されたボートを炉内にローディングしてから炉内
の温度が一定となるまでに長時間を必要とする。さら
に、炉内の温度を昇温したり、降温するために長時間を
要し、均一性を保持するための低成長レートにより長い
処理時間を必要とする。処理に長時間を要しても、 縦形
炉は一度の処理量が多いためスループットは、他の半導
体製造装置に比べて比較的高い。しかし、近時、多くの
複雑な製造工程を有する先進のデバイスを開発するにあ
たり、ターンアラウンドタイムを向上するため、処理時
間の短縮化の要求が高まっている。このため、高スルー
プットで処理時間の短い装置やプロセスが望まれてい
る。
essure Chemical Vapor Deposition）のような半導体装
置の製造方法における高温処理は、炉型の装置を使用し
て行われる。現在は、一般に縦形炉が使用されている。
この縦形炉は、直立した石英チューブとボートを有し、
一度のバッチ処理で１００枚以上のウェハを処理可能と
されている。しかし、縦形炉は処理に長時間を必要とす
る。この主たる理由は一度の処理量が多いことである。
一度に処理するウェハの数が多い場合、全ての処理工程
においてかなり長時間を必要とする。すなわち、カセッ
トとボート間でのウェハの移送に長時間を要し、ウェハ
が装着されたボートを炉内にローディングしてから炉内
の温度が一定となるまでに長時間を必要とする。さら
に、炉内の温度を昇温したり、降温するために長時間を
要し、均一性を保持するための低成長レートにより長い
処理時間を必要とする。処理に長時間を要しても、 縦形
炉は一度の処理量が多いためスループットは、他の半導
体製造装置に比べて比較的高い。しかし、近時、多くの
複雑な製造工程を有する先進のデバイスを開発するにあ
たり、ターンアラウンドタイムを向上するため、処理時
間の短縮化の要求が高まっている。このため、高スルー
プットで処理時間の短い装置やプロセスが望まれてい
る。
【０００３】ミニバッチ炉は、これらの要求を解決する
ための一つの手段である。若干の工程のプロセス時間
は、バッチサイズの縮小により減少される。しかし、実
プロセス時間はバッチサイズの縮小だけでは簡単に削減
できない。同一のプロセス条件はミニバッチ炉によって
も同様の長さのプロセス時間を必要とする。この問題を
解消するため、この装置に適した新しいプロセス条件に
より速い膜形成レートを達成することが要求されてい
る。
ための一つの手段である。若干の工程のプロセス時間
は、バッチサイズの縮小により減少される。しかし、実
プロセス時間はバッチサイズの縮小だけでは簡単に削減
できない。同一のプロセス条件はミニバッチ炉によって
も同様の長さのプロセス時間を必要とする。この問題を
解消するため、この装置に適した新しいプロセス条件に
より速い膜形成レートを達成することが要求されてい
る。
【０００４】広いピッチのウェハボートによる高温、高
圧、高ガスフローレートの条件は、上記ミニバッチ炉の
問題を解決するための一つの良好な方策である。しか
し、この新しいプロセス条件において、ウェハ内の膜厚
の均一性は制御上の重要な問題の一つである。つまり、
高い膜形成レート、ガス圧の分散の僅かな差異、容積、
及び流速は膜厚の均一性に微妙に影響する。
圧、高ガスフローレートの条件は、上記ミニバッチ炉の
問題を解決するための一つの良好な方策である。しか
し、この新しいプロセス条件において、ウェハ内の膜厚
の均一性は制御上の重要な問題の一つである。つまり、
高い膜形成レート、ガス圧の分散の僅かな差異、容積、
及び流速は膜厚の均一性に微妙に影響する。
【０００５】ここで、ＬＰＣＶＤによるＢＰＳＧ（Boro
-Phospho-silicate glass ）膜の形成を例として、新し
いプロセス条件について説明する。図９（ａ）は、従来
のボートを示している。このボート１００は例えば石英
により構成され、ウェハ１０６を支持するための４本の
ロッド１０１〜１０４を有している。各ロッド１０１〜
１０４は、ウェハ１０６を支持するための複数のスリッ
ト１０５を有している。
-Phospho-silicate glass ）膜の形成を例として、新し
いプロセス条件について説明する。図９（ａ）は、従来
のボートを示している。このボート１００は例えば石英
により構成され、ウェハ１０６を支持するための４本の
ロッド１０１〜１０４を有している。各ロッド１０１〜
１０４は、ウェハ１０６を支持するための複数のスリッ
ト１０５を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１０は、従来のボー
トを用いて新しいプロセス条件によりＢＰＳＧ膜を形成
した場合における、典型的なウェハ内のＢＰＳＧ膜の膜
厚の等高線マップを示している。図１０から明らかなよ
うに、ウェハのエッジ部分に４箇所膜厚の薄い部分１０
７がある。図９（ｂ）に示すように、これら膜厚の薄い
部分１０７はウェハ１０６の外縁に位置し、ボート１０
０のロッド１０１〜１０４に対応している。ロッド１０
１〜１０４近傍の膜厚が薄くなる理由は次のように考え
られる。
トを用いて新しいプロセス条件によりＢＰＳＧ膜を形成
した場合における、典型的なウェハ内のＢＰＳＧ膜の膜
厚の等高線マップを示している。図１０から明らかなよ
うに、ウェハのエッジ部分に４箇所膜厚の薄い部分１０
７がある。図９（ｂ）に示すように、これら膜厚の薄い
部分１０７はウェハ１０６の外縁に位置し、ボート１０
０のロッド１０１〜１０４に対応している。ロッド１０
１〜１０４近傍の膜厚が薄くなる理由は次のように考え
られる。
【０００７】（１）ロッドが抵抗ヒータの輻射熱を遮
り、ロッド近傍に位置するウェハの温度が十分に上昇し
ない。 （２）ボートロッドがプロセスガスの流れを遮断し、ウ
ェハに接するガス量が減少する。
り、ロッド近傍に位置するウェハの温度が十分に上昇し
ない。 （２）ボートロッドがプロセスガスの流れを遮断し、ウ
ェハに接するガス量が減少する。
【０００８】（３）ボートロッドが熱伝導経路を構成
し、ウェハのロッドが接する部分の温度が低下する。 （１）（３）の場合、ウェハの温度が局所的に低下する
ため、膜の堆積レートが減少する。（２）の場合、反応
ガスが局所的に減少するため、膜の堆積レートが減少す
る。このように、従来のボートは種々の問題を有してお
り、ボートの改良が望まれている。
し、ウェハのロッドが接する部分の温度が低下する。 （１）（３）の場合、ウェハの温度が局所的に低下する
ため、膜の堆積レートが減少する。（２）の場合、反応
ガスが局所的に減少するため、膜の堆積レートが減少す
る。このように、従来のボートは種々の問題を有してお
り、ボートの改良が望まれている。
【０００９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、ウェハ表面
に均一な膜厚を有する膜を形成することが可能な半導体
ウェハ支持装置とそれを用いた半導体ウェハ処理方法を
提供しようとするものである。
れたものであり、その目的とするところは、ウェハ表面
に均一な膜厚を有する膜を形成することが可能な半導体
ウェハ支持装置とそれを用いた半導体ウェハ処理方法を
提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハ支
持装置は、上記課題を解決するため、第１のプレート
と、前記第１のプレートに対向して配置された第２のプ
レートと、前記第１、第２のプレートの相互間に配置さ
れ、相互間隔が前記半導体ウェハの直径より大きく設定
された複数のロッドと、前記複数のロッドの相互間に配
置され、前記半導体ウェハを保持する複数のライン状の
支持部材とを具備する。
持装置は、上記課題を解決するため、第１のプレート
と、前記第１のプレートに対向して配置された第２のプ
レートと、前記第１、第２のプレートの相互間に配置さ
れ、相互間隔が前記半導体ウェハの直径より大きく設定
された複数のロッドと、前記複数のロッドの相互間に配
置され、前記半導体ウェハを保持する複数のライン状の
支持部材とを具備する。
【００１１】前記支持部材は、耐熱性のストリングによ
り構成されている。前記支持部材は、一対の前記ロッド
の相互間に前記ストリングを互いに平行して張って構成
されている。
り構成されている。前記支持部材は、一対の前記ロッド
の相互間に前記ストリングを互いに平行して張って構成
されている。
【００１２】前記支持部材は、前記ロッドの相互間に前
記ストリングを網目状に張って構成されている。一端が
前記支持部材に接続され、他端が固定され、周囲温度が
高温のとき、その長さが短くなるスプリングをさらに具
備する。
記ストリングを網目状に張って構成されている。一端が
前記支持部材に接続され、他端が固定され、周囲温度が
高温のとき、その長さが短くなるスプリングをさらに具
備する。
【００１３】前記スプリングはシリコンカーバイド（Ｓ
ｉＣ）により構成されている。本発明の半導体ウェハ支
持装置は、第１のプレートと、前記第１のプレートに対
向して配置され、複数のスリットを有する第２のプレー
トと、前記第１、第２のプレートの相互間に配置され、
これらの相互間隔が前記半導体ウェハの直径より大きく
設定された複数のロッドと、一端が前記第１のプレート
に取着され、他端が前記第２のプレートの対応する前記
スリットを通って第２のプレートの裏面に配置された複
数のストリングと、前記ストリングのそれぞれに設けら
れ、半導体ウェハを保持する複数のガードとを具備す
る。
ｉＣ）により構成されている。本発明の半導体ウェハ支
持装置は、第１のプレートと、前記第１のプレートに対
向して配置され、複数のスリットを有する第２のプレー
トと、前記第１、第２のプレートの相互間に配置され、
これらの相互間隔が前記半導体ウェハの直径より大きく
設定された複数のロッドと、一端が前記第１のプレート
に取着され、他端が前記第２のプレートの対応する前記
スリットを通って第２のプレートの裏面に配置された複
数のストリングと、前記ストリングのそれぞれに設けら
れ、半導体ウェハを保持する複数のガードとを具備す
る。
【００１４】前記ストリングの他端にそれぞれ接続さ
れ、前記ストリングに所定のテンションを与える重りを
さらに具備する。前記各スリットは、前記第２のプレー
トに放射状に設けられ、前記ストリングの他端は、前記
スリット内を半導体ウェハの周囲とこれより外側の範囲
を移動する。
れ、前記ストリングに所定のテンションを与える重りを
さらに具備する。前記各スリットは、前記第２のプレー
トに放射状に設けられ、前記ストリングの他端は、前記
スリット内を半導体ウェハの周囲とこれより外側の範囲
を移動する。
【００１５】前記ストリングは、シリコンカーバイト
（ＳｉＣ）ファイバにより構成される。本発明の半導体
ウェハ処理方法は、半導体ウェハをライン状の支持部材
に支持する工程と、この支持部材に支持された半導体ウ
ェハを炉内にロードし、前記半導体ウェハを熱処理する
工程と、前記支持部材に支持され、処理された前記半導
体ウェハを前記炉内からアンロードする工程とを具備す
る。
（ＳｉＣ）ファイバにより構成される。本発明の半導体
ウェハ処理方法は、半導体ウェハをライン状の支持部材
に支持する工程と、この支持部材に支持された半導体ウ
ェハを炉内にロードし、前記半導体ウェハを熱処理する
工程と、前記支持部材に支持され、処理された前記半導
体ウェハを前記炉内からアンロードする工程とを具備す
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１、図２（ａ）、２
（ｂ）は、本発明の第１の実施例を示すものであり、縦
形炉に適用されるボートを示している。このボート１０
は第１のプレート１１と第２のプレート１２を有し、こ
れら第１、第２のプレート１１、１２の相互間に複数の
ロッド１３、１４、１５、１６が設けられている。前記
第１、第２のプレート１１、１２、及びロッド１３〜１
６の材質は、例えば石英あるいはＣＶＤ−ＳｉＣ（シリ
コンカーバイド）が塗布されたＳｉＣが好ましい。図２
（ａ）に示すように、ロッド１３と１４との相互間距
離、及びロッド１５と１６との相互間距離はウェハ１８
の直径より長く設定され、各ロッド１３〜１６はウェハ
１８に接しないようにされている。これらロッド１３〜
１６の相互間には、複数のウェハ１８を支持するための
複数の支持部材１７が互いに所定間隔空けて配置されて
いる。これら支持部材１７の相互間隔は、例えば従来の
ボートに収容されるウェハの相互間隔、すなわち、前記
スリットの相互間隔とほぼ等しく設定されている。
て図面を参照して説明する。図１、図２（ａ）、２
（ｂ）は、本発明の第１の実施例を示すものであり、縦
形炉に適用されるボートを示している。このボート１０
は第１のプレート１１と第２のプレート１２を有し、こ
れら第１、第２のプレート１１、１２の相互間に複数の
ロッド１３、１４、１５、１６が設けられている。前記
第１、第２のプレート１１、１２、及びロッド１３〜１
６の材質は、例えば石英あるいはＣＶＤ−ＳｉＣ（シリ
コンカーバイド）が塗布されたＳｉＣが好ましい。図２
（ａ）に示すように、ロッド１３と１４との相互間距
離、及びロッド１５と１６との相互間距離はウェハ１８
の直径より長く設定され、各ロッド１３〜１６はウェハ
１８に接しないようにされている。これらロッド１３〜
１６の相互間には、複数のウェハ１８を支持するための
複数の支持部材１７が互いに所定間隔空けて配置されて
いる。これら支持部材１７の相互間隔は、例えば従来の
ボートに収容されるウェハの相互間隔、すなわち、前記
スリットの相互間隔とほぼ等しく設定されている。
【００１７】前記支持部材１７は、図２（ａ）に示すよ
うに、ロッド１３〜１６の相互間に亘って張られた例え
ば耐熱性ストリング１９により構成されている。このス
トリング１９の材質は、例えば縒ったＳｉＣファイバが
好ましいが、ＳｉＣファイバに限定されるものではな
い。このＳｉＣファイバは約１５ｎｍの直径を有し、１
３００℃以上の耐熱性、２ＧＰの機械的強度を有してお
り本発明に適している。
うに、ロッド１３〜１６の相互間に亘って張られた例え
ば耐熱性ストリング１９により構成されている。このス
トリング１９の材質は、例えば縒ったＳｉＣファイバが
好ましいが、ＳｉＣファイバに限定されるものではな
い。このＳｉＣファイバは約１５ｎｍの直径を有し、１
３００℃以上の耐熱性、２ＧＰの機械的強度を有してお
り本発明に適している。
【００１８】図２（ｂ）は、ストリング１９の断面を示
している。このストリング１９は、複数本のＳｉＣファ
イバ１９ａを束ねて縒り、この表面にＳｉＣを塗布する
ことにより構成されている。このストリング１９は、例
えば約０．５ｍｍの直径を有している。ストリング１９
の直径は、これに限定されず、支持するウェハの特性に
応じて、これより太くすることも、細くすることも可能
である。
している。このストリング１９は、複数本のＳｉＣファ
イバ１９ａを束ねて縒り、この表面にＳｉＣを塗布する
ことにより構成されている。このストリング１９は、例
えば約０．５ｍｍの直径を有している。ストリング１９
の直径は、これに限定されず、支持するウェハの特性に
応じて、これより太くすることも、細くすることも可能
である。
【００１９】このストリング１９は、ロッド１３と１４
の相互間に張られた第１の部分１７ａ、ロッド１５と１
６の相互間で前記第１の部分１７ａと平行に張られた第
２の部分１７ｂ、ロッド１３と１６の相互間に張られた
第３の部分１７ｃ、ロッド１４と１５の相互間で、前記
第３の部分１７ｃと交差して張られた第４の部分１７ｄ
とから構成されている。ストリング１９の張り方は、こ
の例に限定されるものではない。例えば第３、第４の部
分１７ｃ、１７ｄを除き、第１、第２の部分１７ａ、１
７ｂだけとしてもよい。この場合、交差した第３、第４
の部分１７ｃ、１７ｄによる段差が無いため、簡単な構
成でウェハを安定に支持できる。
の相互間に張られた第１の部分１７ａ、ロッド１５と１
６の相互間で前記第１の部分１７ａと平行に張られた第
２の部分１７ｂ、ロッド１３と１６の相互間に張られた
第３の部分１７ｃ、ロッド１４と１５の相互間で、前記
第３の部分１７ｃと交差して張られた第４の部分１７ｄ
とから構成されている。ストリング１９の張り方は、こ
の例に限定されるものではない。例えば第３、第４の部
分１７ｃ、１７ｄを除き、第１、第２の部分１７ａ、１
７ｂだけとしてもよい。この場合、交差した第３、第４
の部分１７ｃ、１７ｄによる段差が無いため、簡単な構
成でウェハを安定に支持できる。
【００２０】図３は、ストリング１９の張り方の他の例
を示している。この場合、ロッド１３〜１６に矩形状に
張られた部分３１と、この部分３１の内側に網目状に張
られた部分３２とを有している。この構成によってもウ
ェハ１８を安定に支持できる。
を示している。この場合、ロッド１３〜１６に矩形状に
張られた部分３１と、この部分３１の内側に網目状に張
られた部分３２とを有している。この構成によってもウ
ェハ１８を安定に支持できる。
【００２１】上記ボート１０は、各支持部材１７上にウ
ェハ１８を保持した状態で、図示せぬ縦形炉に収容され
る。この縦形炉の周囲には図示せぬ抵抗ヒータが配置さ
れるとともに、炉内にガスを供給するための配管が設け
られている。前記炉内に収容されたウェハ１８は所定の
条件でプロセスが実行され、ウェハ１８上に膜が堆積さ
れる。
ェハ１８を保持した状態で、図示せぬ縦形炉に収容され
る。この縦形炉の周囲には図示せぬ抵抗ヒータが配置さ
れるとともに、炉内にガスを供給するための配管が設け
られている。前記炉内に収容されたウェハ１８は所定の
条件でプロセスが実行され、ウェハ１８上に膜が堆積さ
れる。
【００２２】上記実施例によれば、ウェハ１８は、プロ
セス中、耐熱性のストリング１９からなる支持部材１７
上に保持され、ロッド１３〜１６から離れている。この
ため、抵抗ヒータの輻射熱がロッドにより遮られること
を防止でき、ウェハのロッド近傍に位置する部分の温度
を十分に上昇できる。しかも、ロッド１３〜１６がウェ
ハ１８に接触せず、極細いストリング１９が接触してい
るだけである。このため、ウェハ１８に接する熱伝導経
路が僅かであるため、ウェハ面内の温度分布を均一化で
きる。また、ロッドがウェハ１８表面のプロセスガスの
流れを遮断しないため、ウェハ全面に十分な量のガスを
接触させることができる。このように、ウェハ１８全面
の温度分布を均一化できるとともに、ウェハ全面に均一
にガスを接触させることができるため、ウェハ１８の表
面に均一な膜厚の膜を形成できる。
セス中、耐熱性のストリング１９からなる支持部材１７
上に保持され、ロッド１３〜１６から離れている。この
ため、抵抗ヒータの輻射熱がロッドにより遮られること
を防止でき、ウェハのロッド近傍に位置する部分の温度
を十分に上昇できる。しかも、ロッド１３〜１６がウェ
ハ１８に接触せず、極細いストリング１９が接触してい
るだけである。このため、ウェハ１８に接する熱伝導経
路が僅かであるため、ウェハ面内の温度分布を均一化で
きる。また、ロッドがウェハ１８表面のプロセスガスの
流れを遮断しないため、ウェハ全面に十分な量のガスを
接触させることができる。このように、ウェハ１８全面
の温度分布を均一化できるとともに、ウェハ全面に均一
にガスを接触させることができるため、ウェハ１８の表
面に均一な膜厚の膜を形成できる。
【００２３】また、支持部材１７を構成するストリング
１９は極く細く、熱容量が小さいため、短時間に昇温、
及び降温できる。したがって、炉内の温度を上昇させた
り、下降させる際の影響を少なくできる。
１９は極く細く、熱容量が小さいため、短時間に昇温、
及び降温できる。したがって、炉内の温度を上昇させた
り、下降させる際の影響を少なくできる。
【００２４】なお、ロッド１３〜１６の配置及びロッド
の本数は、この実施例に限定されるものではなく、ウェ
ハ１８の搬送、及び膜の形成に影響のない位置、及び本
数であればよい。また、支持部材１７はストリングに限
定されるものではなく、ライン状の部材であればよい。
さらに、この実施例は、ウェハの表面に膜を形成する場
合について説明したが、これに限定されるものではな
く、他の熱処理や気相エッチング処理等にも適用でき
る。
の本数は、この実施例に限定されるものではなく、ウェ
ハ１８の搬送、及び膜の形成に影響のない位置、及び本
数であればよい。また、支持部材１７はストリングに限
定されるものではなく、ライン状の部材であればよい。
さらに、この実施例は、ウェハの表面に膜を形成する場
合について説明したが、これに限定されるものではな
く、他の熱処理や気相エッチング処理等にも適用でき
る。
【００２５】ところで、ストリング１９の環境温度は、
ウェハの搬送工程における室温からプロセス工程におけ
る高温まで広範囲である。このような広範囲の温度条件
において、ストリング１９はウェハを確実に保持するた
め、常に一定のテンションに保持される必要がある。
ウェハの搬送工程における室温からプロセス工程におけ
る高温まで広範囲である。このような広範囲の温度条件
において、ストリング１９はウェハを確実に保持するた
め、常に一定のテンションに保持される必要がある。
【００２６】図４は、第１の実施例の変形例を示すもの
であり、ストリング１９のテンションを一定に保持する
ための例を示している。この例はロッド１３〜１６が温
度により変形することにより、ストリング１９のテンシ
ョンを一定に保持する。すなわち、周囲温度が低温の場
合、ロッド１３〜１６は実線で示すように僅かに外側に
湾曲している。この状態より温度が上昇し高温になる
と、ロッド１３〜１６は破線で示すように大きく外側に
湾曲する。この変形量はストリング１９の伸び量と一致
している。このため、高温状態において、ストリング１
９が伸びた場合においても、ストリング１９のテンショ
ンを一定に保つことができる。
であり、ストリング１９のテンションを一定に保持する
ための例を示している。この例はロッド１３〜１６が温
度により変形することにより、ストリング１９のテンシ
ョンを一定に保持する。すなわち、周囲温度が低温の場
合、ロッド１３〜１６は実線で示すように僅かに外側に
湾曲している。この状態より温度が上昇し高温になる
と、ロッド１３〜１６は破線で示すように大きく外側に
湾曲する。この変形量はストリング１９の伸び量と一致
している。このため、高温状態において、ストリング１
９が伸びた場合においても、ストリング１９のテンショ
ンを一定に保つことができる。
【００２７】図５（ａ）、図５（ｂ）は、第１の実施例
の変形例を示すものであり、ストリング１９のテンショ
ンを調整可能とするための例を示している。図５（ａ）
において、例えばロッド１６の支持部材１７の配設位置
には、ロッドの軸方向と直交する貫通口５１が設けられ
ている。この貫通口５１に支持部材１７を構成するスト
リング１９の一端部を通す。この貫通口５１の外部に位
置するストリング１９の一端部をスプリング５２を介在
して第２のプレート１２に固定する。前記スプリング５
２はストリング１９と同一の材料により構成されてい
る。このスプリング５２の長さは、常温時にストリング
１９を最適な張力より強い張力で張るように設定され、
周囲温度が高くなると長くなり、最適な張力でウェハを
保持するように設定されている。
の変形例を示すものであり、ストリング１９のテンショ
ンを調整可能とするための例を示している。図５（ａ）
において、例えばロッド１６の支持部材１７の配設位置
には、ロッドの軸方向と直交する貫通口５１が設けられ
ている。この貫通口５１に支持部材１７を構成するスト
リング１９の一端部を通す。この貫通口５１の外部に位
置するストリング１９の一端部をスプリング５２を介在
して第２のプレート１２に固定する。前記スプリング５
２はストリング１９と同一の材料により構成されてい
る。このスプリング５２の長さは、常温時にストリング
１９を最適な張力より強い張力で張るように設定され、
周囲温度が高くなると長くなり、最適な張力でウェハを
保持するように設定されている。
【００２８】図５（ｂ）において、スプリング５３の長
さは、常温時にストリング１９を最適な張力で張るよう
に設定され、周囲温度が高くなるとストリング１９の伸
びに応じて長くなる。このため、スプリング５３の長さ
をストリング１９の伸縮量と一致させることにより、ス
トリング１９のテンションを周囲温度に拘わらず一定に
保持できる。
さは、常温時にストリング１９を最適な張力で張るよう
に設定され、周囲温度が高くなるとストリング１９の伸
びに応じて長くなる。このため、スプリング５３の長さ
をストリング１９の伸縮量と一致させることにより、ス
トリング１９のテンションを周囲温度に拘わらず一定に
保持できる。
【００２９】図６は、本発明の第２の実施例を示してい
る。図６において、ボート６０は例えばリング状の第１
のプレート（トッププレート）６１と第２のプレート
（ボトムプレート）６２を有し、これら第１、第２のプ
レート６１、６２の相互間に複数のロッド６３、６４、
６５、６６が設けられている。前記第１、第２のプレー
ト６１、６２、及びロッド６３〜６６の材質は、例えば
石英あるいはＣＶＤ−ＳｉＣが塗布されたＳｉＣが好ま
しい。ロッド６３と６４との相互間距離、及びロッド６
５と６６との相互間距離はウェハの直径より長く設定さ
れ、各ロッド６３〜６６はウェハに接しないようにされ
ている。これらロッド６３〜６６は第１、第２のプレー
ト６１、６２を支持しているだけであり、第１、第２の
プレート６１、６２の相互間に複数のウェハを支持する
ための複数の耐熱性ストリング６７、６８、６９、７
０、７１、７２が互いに所定間隔空けて配置されてい
る。各ストリング６７〜７２は、前記ストリング１９と
同様の材質であり、その直径は例えば０．５ｍｍであ
る。
る。図６において、ボート６０は例えばリング状の第１
のプレート（トッププレート）６１と第２のプレート
（ボトムプレート）６２を有し、これら第１、第２のプ
レート６１、６２の相互間に複数のロッド６３、６４、
６５、６６が設けられている。前記第１、第２のプレー
ト６１、６２、及びロッド６３〜６６の材質は、例えば
石英あるいはＣＶＤ−ＳｉＣが塗布されたＳｉＣが好ま
しい。ロッド６３と６４との相互間距離、及びロッド６
５と６６との相互間距離はウェハの直径より長く設定さ
れ、各ロッド６３〜６６はウェハに接しないようにされ
ている。これらロッド６３〜６６は第１、第２のプレー
ト６１、６２を支持しているだけであり、第１、第２の
プレート６１、６２の相互間に複数のウェハを支持する
ための複数の耐熱性ストリング６７、６８、６９、７
０、７１、７２が互いに所定間隔空けて配置されてい
る。各ストリング６７〜７２は、前記ストリング１９と
同様の材質であり、その直径は例えば０．５ｍｍであ
る。
【００３０】前記第１のプレート６１の中央部には円形
の第３のプレート６１ａが取着され、前記各ストリング
６７〜７２の一端は、第３のプレート６１ａに固定され
ている。第３のプレート６１ａは、例えばウェハより若
干小さな直径を有しており、前記各ストリング６７〜７
２は、第３のプレート６１ａの周辺から垂下されてい
る。これらストリング６７〜７２は、前記ロッド６３〜
６６の相互間に位置し、各ストリング６７〜７２の他端
は、第２のプレート６２に放射状に開口された複数のス
リット７４、７５、７６、７７、７８、７９を通って第
２のプレート６２の裏面に延出されている。各ストリン
グ６７〜７２の他端には、重り８０、８１、８２、８
３、８４、８５が取着され、所定のテンションが設定さ
れている。各ストリング６７〜７２は前記スリット７４
〜７９の内部を第２のプレート６２の半径に沿って移動
可能とされている。さらに、各ストリング６７〜７２の
第２、第３のプレート６２、６１ａの相互間に位置する
部分には、複数のウェハを支持するための複数のガード
８６が設けられている。これらガード８６は、例えば各
ストリング６７〜７２に所定間隔空けて設けられた図示
せぬ複数のノッチ上に配置されている。各ストリング６
７〜７２に取着されたガード８６の位置は互いに一致さ
れている。前記各ガード８６は、例えばＳｉＣにより構
成されている。
の第３のプレート６１ａが取着され、前記各ストリング
６７〜７２の一端は、第３のプレート６１ａに固定され
ている。第３のプレート６１ａは、例えばウェハより若
干小さな直径を有しており、前記各ストリング６７〜７
２は、第３のプレート６１ａの周辺から垂下されてい
る。これらストリング６７〜７２は、前記ロッド６３〜
６６の相互間に位置し、各ストリング６７〜７２の他端
は、第２のプレート６２に放射状に開口された複数のス
リット７４、７５、７６、７７、７８、７９を通って第
２のプレート６２の裏面に延出されている。各ストリン
グ６７〜７２の他端には、重り８０、８１、８２、８
３、８４、８５が取着され、所定のテンションが設定さ
れている。各ストリング６７〜７２は前記スリット７４
〜７９の内部を第２のプレート６２の半径に沿って移動
可能とされている。さらに、各ストリング６７〜７２の
第２、第３のプレート６２、６１ａの相互間に位置する
部分には、複数のウェハを支持するための複数のガード
８６が設けられている。これらガード８６は、例えば各
ストリング６７〜７２に所定間隔空けて設けられた図示
せぬ複数のノッチ上に配置されている。各ストリング６
７〜７２に取着されたガード８６の位置は互いに一致さ
れている。前記各ガード８６は、例えばＳｉＣにより構
成されている。
【００３１】次に、図７、８を参照して、上記構成のボ
ート６０にウェハを装着する場合の動作について説明す
る。なお、図７、８において、第１のプレート６１とロ
ッド６３〜６６は省略している。
ート６０にウェハを装着する場合の動作について説明す
る。なお、図７、８において、第１のプレート６１とロ
ッド６３〜６６は省略している。
【００３２】図７に示すように、先ず、各ストリング６
７〜７２が第２のプレート６２の外側方向に移動され、
各ストリング６７〜７２の相互間隔が広げられる。この
状態において、第２、第３のプレート６２、６１ａの相
互間で、各ストリング６７〜７２の相互間に複数のウェ
ハ８７が挿入される。この後、各ストリング６７〜７２
を第２のプレート６２の内側方向に移動して閉じると、
図８に示すように、各ストリング６７〜７２が各ウェハ
８７の周囲に接するとともに、各ウェハ８７は前記各ガ
ード８６上に保持される。このように、ボート６０にウ
ェハ８７を装着した状態で、このボート６０は図示せぬ
縦形炉内にロードされ、所要のプロセスが実行される。
このプロセスが終了した後、ボート６０が炉内からアン
ロードされ、前述したと逆の動作によりボード６０から
ウェハが取り出される。
７〜７２が第２のプレート６２の外側方向に移動され、
各ストリング６７〜７２の相互間隔が広げられる。この
状態において、第２、第３のプレート６２、６１ａの相
互間で、各ストリング６７〜７２の相互間に複数のウェ
ハ８７が挿入される。この後、各ストリング６７〜７２
を第２のプレート６２の内側方向に移動して閉じると、
図８に示すように、各ストリング６７〜７２が各ウェハ
８７の周囲に接するとともに、各ウェハ８７は前記各ガ
ード８６上に保持される。このように、ボート６０にウ
ェハ８７を装着した状態で、このボート６０は図示せぬ
縦形炉内にロードされ、所要のプロセスが実行される。
このプロセスが終了した後、ボート６０が炉内からアン
ロードされ、前述したと逆の動作によりボード６０から
ウェハが取り出される。
【００３３】上記第２の実施例によれば、複数の耐熱性
ストリング６７〜７２により複数のウェハ８７を保持し
ている。各ストリング６７〜７２は直径が極細いため、
ウェハに対する抵抗ヒータの熱を遮断することがなく、
しかも、熱伝導経路少ないためウェハの温度を低下させ
ることがない。さらに、各ストリング６７〜７２がウェ
ハに対するプロセスを遮ることが少ない。したがって、
ウェハ表面に膜厚が均一な膜を形成できる。
ストリング６７〜７２により複数のウェハ８７を保持し
ている。各ストリング６７〜７２は直径が極細いため、
ウェハに対する抵抗ヒータの熱を遮断することがなく、
しかも、熱伝導経路少ないためウェハの温度を低下させ
ることがない。さらに、各ストリング６７〜７２がウェ
ハに対するプロセスを遮ることが少ない。したがって、
ウェハ表面に膜厚が均一な膜を形成できる。
【００３４】また、この実施例の場合、各ストリング６
７〜７２の間隔を広げた状態で、複数のウェハを同時に
一括して装着したり、取り出すことができるため、スル
ープットを向上できる。
７〜７２の間隔を広げた状態で、複数のウェハを同時に
一括して装着したり、取り出すことができるため、スル
ープットを向上できる。
【００３５】なお、この実施例では、第３のプレート６
１ａの直径をウェハより小さく設定したが、これに限ら
ず、ウェハの直径と同一としてもよい。この場合、各ス
トリング６７〜７２からウェハに対する応力を軽減でき
る。また、第３のプレート６１ａを第１のプレート６１
と別体としたが、これに限らず、第１、第３のプレート
を一体構成としてもよい。
１ａの直径をウェハより小さく設定したが、これに限ら
ず、ウェハの直径と同一としてもよい。この場合、各ス
トリング６７〜７２からウェハに対する応力を軽減でき
る。また、第３のプレート６１ａを第１のプレート６１
と別体としたが、これに限らず、第１、第３のプレート
を一体構成としてもよい。
【００３６】尚、耐熱性ストリングは、糸状、紐状の何
れでも適用可能である。この発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、発明の要旨を変えない範囲で種々変
形実施可能なことは勿論である。
れでも適用可能である。この発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、発明の要旨を変えない範囲で種々変
形実施可能なことは勿論である。
【００３７】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、ウェハはライン状の支持部材により支持されている
ため、ウェハをロッドから離して配置できる。このた
め、ロッドによる悪影響を減少でき、ウェハの温度分布
を均一化できるとともに、反応ガスをウェハ表面に均一
に接触できる。したがって、ウェハ表面に形成される膜
の厚さを均一化できる。
ば、ウェハはライン状の支持部材により支持されている
ため、ウェハをロッドから離して配置できる。このた
め、ロッドによる悪影響を減少でき、ウェハの温度分布
を均一化できるとともに、反応ガスをウェハ表面に均一
に接触できる。したがって、ウェハ表面に形成される膜
の厚さを均一化できる。
【００３８】しかも、ライン状の支持部材は極く細く熱
容量が小さいため、短時間に昇温、降温できる。したが
って、炉内の温度を上昇させたり、下降させる際の影響
を少なくできる。
容量が小さいため、短時間に昇温、降温できる。したが
って、炉内の温度を上昇させたり、下降させる際の影響
を少なくできる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す斜視図。
【図２】図２（ａ）は図１に示す支持部材を示す平面
図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す支持部材の一部を示
す断面図。
図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す支持部材の一部を示
す断面図。
【図３】支持部材の他の例を示す平面図。
【図４】第１の実施例の変形例を示すものであり、耐熱
性ストリングのテンションを保持する例を示す斜視図。
性ストリングのテンションを保持する例を示す斜視図。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）は、ぞれぞれ第１の実
施例の変形例を示すものであり、耐熱性ストリングのテ
ンションを保持する他の例を示す一部切除した側面図。
施例の変形例を示すものであり、耐熱性ストリングのテ
ンションを保持する他の例を示す一部切除した側面図。
【図６】本発明の第２の実施例を示す斜視図。
【図７】図６の動作を説明するために示すものであり、
要部のみを示す斜視図。
要部のみを示す斜視図。
【図８】図６の動作を説明するために示すものであり、
要部のみを示す斜視図。
要部のみを示す斜視図。
【図９】図９（ａ）は、従来のボートを示す斜視図、図
９（ｂ）は、従来のボートのロッドと膜厚の薄い部分と
の関係を示す平面図。
９（ｂ）は、従来のボートのロッドと膜厚の薄い部分と
の関係を示す平面図。
【図１０】図１０は、ウェハ内の膜厚の等高線マップを
示す図。
示す図。
１０…ボート、 １１、１２…第１、第２のプレート、 １３〜１６…ロッド、 １７…支持部材、 １８…ウェハ、 １９…耐熱性ストリング、 ５２、５３…スプリング、 ６１、６２…第１、第２のプレート、 ６３〜６６…ロッド、 ６７〜７２…耐熱性ストリング、 ７４〜７９…スリット、 ８０〜８５…重り、 ８６…ガード。
Claims (11)
- 【請求項１】 第１のプレートと、 前記第１のプレートに対向して配置された第２のプレー
トと、 前記第１、第２のプレートの相互間に配置され、相互間
隔が前記半導体ウェハの直径より大きく設定された複数
のロッドと、 前記複数のロッドの相互間に配置され、前記半導体ウェ
ハを保持する複数のライン状の支持部材とを具備するこ
とを特徴とする半導体ウェハ支持装置。 - 【請求項２】 前記支持部材は、耐熱性のストリングに
より構成されていることを特徴とする請求項１記載の半
導体ウェハ支持装置。 - 【請求項３】 前記支持部材は、一対の前記ロッドの相
互間に前記ストリングを互いに平行して張って構成され
ていることを特徴とする請求項２記載の半導体ウェハ支
持装置。 - 【請求項４】 前記支持部材は、前記ロッドの相互間に
前記ストリングを網目状に張って構成されていることを
特徴とする請求項２記載の半導体ウェハ支持装置。 - 【請求項５】 一端が前記支持部材に接続され、他端が
固定され、周囲温度が高温のとき、その長さが短くなる
スプリングをさらに具備することを特徴とする請求項１
記載の半導体ウェハ支持装置。 - 【請求項６】 前記スプリングはシリコンカーバイド
（ＳｉＣ）により構成されていることを特徴とする請求
項５記載の半導体ウェハ支持装置。 - 【請求項７】 第１のプレートと、 前記第１のプレートに対向して配置され、複数のスリッ
トを有する第２のプレートと、 前記第１、第２のプレートの相互間に配置され、これら
の相互間隔が前記半導体ウェハの直径より大きく設定さ
れた複数のロッドと、 一端が前記第１のプレートに取着され、他端が前記第２
のプレートの対応する前記スリットを通って第２のプレ
ートの裏面に配置された複数のストリングと、 前記ストリングのそれぞれに設けられ、半導体ウェハを
保持する複数のガードとを具備することを特徴とする半
導体ウェハ支持装置。 - 【請求項８】 前記ストリングの他端にそれぞれ接続さ
れ、前記ストリングに所定のテンションを与える重りを
さらに具備することを特徴とする請求項７記載の半導体
ウェハ支持装置。 - 【請求項９】 前記各スリットは、前記第２のプレート
に放射状に設けられ、前記ストリングの他端は、前記ス
リット内を半導体ウェハの周囲とこれより外側の範囲を
移動することを特徴とする請求項７記載の半導体ウェハ
支持装置。 - 【請求項１０】 前記ストリングは、シリコンカーバイ
ト（ＳｉＣ）ファイバにより構成されることを特徴とす
る請求項３、４、８又は９記載の半導体ウェハ支持装
置。 - 【請求項１１】 半導体ウェハをライン状の支持部材に
支持する工程と、 この支持部材に支持された半導体ウェハを炉内にロード
し、前記半導体ウェハを熱処理する工程と、 前記支持部材に支持され、処理された前記半導体ウェハ
を前記炉内からアンロードする工程とを具備することを
特徴とする半導体ウェハ処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/950,913 US6133121A (en) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | Apparatus for supporting semiconductor wafers and semiconductor wafer processing method using supporting apparatus |
| US950913 | 2001-09-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243139A true JPH11243139A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=25491019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10258712A Pending JPH11243139A (ja) | 1997-10-15 | 1998-09-11 | 半導体ウェハ支持装置とこれを用いた半導体ウェハ処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6133121A (ja) |
| JP (1) | JPH11243139A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH05102056A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Rohm Co Ltd | ウエハー支持具 |
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| JP3250628B2 (ja) * | 1992-12-17 | 2002-01-28 | 東芝セラミックス株式会社 | 縦型半導体熱処理用治具 |
| JP3348936B2 (ja) * | 1993-10-21 | 2002-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| US5443649A (en) * | 1994-11-22 | 1995-08-22 | Sibley; Thomas | Silicon carbide carrier for wafer processing in vertical furnaces |
| US5534074A (en) * | 1995-05-17 | 1996-07-09 | Heraeus Amersil, Inc. | Vertical boat for holding semiconductor wafers |
-
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-
1998
- 1998-09-11 JP JP10258712A patent/JPH11243139A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005184002A (ja) * | 2003-12-23 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 大型基板用カセット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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