JPH04147890A - 光記録材料 - Google Patents
光記録材料Info
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- JPH04147890A JPH04147890A JP2270545A JP27054590A JPH04147890A JP H04147890 A JPH04147890 A JP H04147890A JP 2270545 A JP2270545 A JP 2270545A JP 27054590 A JP27054590 A JP 27054590A JP H04147890 A JPH04147890 A JP H04147890A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、レーザー光等の光、熱等を用いて情報を記録
する光記録材料に関する。
する光記録材料に関する。
[発明の背景]
近年、レーザー光を用いた光学的記録は高密度な情報の
記録、保存および再生を可能とするため、活発な研究開
発がなされている。
記録、保存および再生を可能とするため、活発な研究開
発がなされている。
光学的記録の一例としては、光デ・イスクを挙げること
ができる。
ができる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、1μm程度に集束させたレーザー光を照射する
ことにより、高密度の情報記録を行うものである。その
記録は、照射されたレーザー光のもつエネルギーを吸収
した記録層において、分解、蒸発、昇華、溶解等の変化
を生じさせることにより行われる。
録層に、1μm程度に集束させたレーザー光を照射する
ことにより、高密度の情報記録を行うものである。その
記録は、照射されたレーザー光のもつエネルギーを吸収
した記録層において、分解、蒸発、昇華、溶解等の変化
を生じさせることにより行われる。
また、記録された情報の再生は、記録層に変化を与えな
い程度のエネルギーを有するレーザー光を照射し、記録
層に変化のあった部分とない部分の反射率の差等を読み
とることにより行われる。
い程度のエネルギーを有するレーザー光を照射し、記録
層に変化のあった部分とない部分の反射率の差等を読み
とることにより行われる。
従って、光学的記録材料としては、レーザー光のエネル
ギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用す
るレーザー光に対する吸収が大き0ことが必要となる。
ギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用す
るレーザー光に対する吸収が大き0ことが必要となる。
半導体レーザーは、安価であり、取り扱(為が簡便であ
るため、情報を記録する、あるいは、読み出すためのレ
ーザー光源として、半導体レーザーを用いることができ
れば有利である。しかしながら、半導体レーザーは出力
が小さく、また、発生する光も赤外乃至は近赤外線であ
って、情報記録のためには不利な条件を有していた。
るため、情報を記録する、あるいは、読み出すためのレ
ーザー光源として、半導体レーザーを用いることができ
れば有利である。しかしながら、半導体レーザーは出力
が小さく、また、発生する光も赤外乃至は近赤外線であ
って、情報記録のためには不利な条件を有していた。
従って、これら半導体レーザーにより容易に記録するこ
とができる材料の開発が望まれていた。
とができる材料の開発が望まれていた。
また、これら材料は、記録された情報が長期に亘って保
存できるように保存安定性が高いことも望まれていた。
存できるように保存安定性が高いことも望まれていた。
そこで、本発明者等は、半導体レーザーによって容易に
情報を記録することができる材料を探索すべく、種々研
究を続けた結果、本発明をなすに至った。
情報を記録することができる材料を探索すべく、種々研
究を続けた結果、本発明をなすに至った。
[発明の目的コ
従って、本発明の目的は、半導体レーザーによる情報記
録が可能で、しかも、分子吸光係数が高く、熱、光に対
する保存性に優れた光記録材料を提供することにある。
録が可能で、しかも、分子吸光係数が高く、熱、光に対
する保存性に優れた光記録材料を提供することにある。
[発明の構成]
本発明の上記目的は、下記一般式[I]で表される色素
からなる光記録材料によって達成される。
からなる光記録材料によって達成される。
一般式[I]
[式中、Rはハロゲン原子、アルキル基、アシルアミノ
基、カルバモイル基、ベンズイミダゾリル基、アミノ基
、スルホンアミド基を表し、gは1〜8の整数を表す。
基、カルバモイル基、ベンズイミダゾリル基、アミノ基
、スルホンアミド基を表し、gは1〜8の整数を表す。
Yはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ
基を表し、Xはアミノ基、ヒドロキシ基、アシルアミノ
基を表す。] 更に、本発明の上記目的は、光記録層および基板を有す
る光記録材料において、該記録層に、前記一般式[I]
で表される色素を含有させた光学的記録材料によって達
成される。
基を表し、Xはアミノ基、ヒドロキシ基、アシルアミノ
基を表す。] 更に、本発明の上記目的は、光記録層および基板を有す
る光記録材料において、該記録層に、前記一般式[I]
で表される色素を含有させた光学的記録材料によって達
成される。
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
一般式[I]において、Rで表されるハロゲン原子とし
ては、塩素原子、フッ素原子等が挙げられる。
ては、塩素原子、フッ素原子等が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基等が挙げられる。
アシルアミノ基としては、アルキルカルボニルアミノ基
、アリールカルボニルアミノ基等が挙げられ、これら6
基は更に置換基を有していてもよい。具体的には、アセ
チルアミノ基、パーフルオロプロピオニルアミノ基、ベ
ンゾイルアミノ基、2−ニトロベンゾイルアミノ基、ヘ
キサフルオロベンゾイルアミノ基、α−(2,4−ジ−
t−アミル−フェノキシ)−イソノくレリルアミノ基、
α(2,4−ジ−t−アミル−フェノキシ)−アセチル
アミノ基等が挙げられる。
、アリールカルボニルアミノ基等が挙げられ、これら6
基は更に置換基を有していてもよい。具体的には、アセ
チルアミノ基、パーフルオロプロピオニルアミノ基、ベ
ンゾイルアミノ基、2−ニトロベンゾイルアミノ基、ヘ
キサフルオロベンゾイルアミノ基、α−(2,4−ジ−
t−アミル−フェノキシ)−イソノくレリルアミノ基、
α(2,4−ジ−t−アミル−フェノキシ)−アセチル
アミノ基等が挙げられる。
カルバモイル基としては、アルキルカルノ(モイルアミ
ノ基、アリールカルバモイルアミノ基等力く挙げられ、
これら6基は更に置換基を有して(為でもよい。具体的
には、ウンデシルカル〕(モイルアミノ基、δ−(2,
4−ジ−t−アミル−フェノキシ)−ブチルカルバモイ
ル基等が挙げられる。
ノ基、アリールカルバモイルアミノ基等力く挙げられ、
これら6基は更に置換基を有して(為でもよい。具体的
には、ウンデシルカル〕(モイルアミノ基、δ−(2,
4−ジ−t−アミル−フェノキシ)−ブチルカルバモイ
ル基等が挙げられる。
ベンズイミダゾリル基としては、2−ベンズイミダゾリ
ル基等が挙げられる。これら6基は更1こ置換基を有し
ていてもよい。
ル基等が挙げられる。これら6基は更1こ置換基を有し
ていてもよい。
アミノ基としては、アミノ基、オクチルアミノ基、ドデ
シルアミノ基、フェニルアミノ基等力(挙げられる。こ
れら6基は更に置換基を有して0てもよい。
シルアミノ基、フェニルアミノ基等力(挙げられる。こ
れら6基は更に置換基を有して0てもよい。
スルホンアミド基としては、アルキルスルホンアミド基
、アリールスルホンアミド基等が挙げられ、これら6基
は更に置換基を有していてもよ(1゜具体的には、ヘキ
サデシルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミ
ノ基等が挙げられる。
、アリールスルホンアミド基等が挙げられ、これら6基
は更に置換基を有していてもよ(1゜具体的には、ヘキ
サデシルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミ
ノ基等が挙げられる。
gは、1〜3の整数を表す。gが2以上のとき、それぞ
れのRは、同一であっても、異なっていてもよい。
れのRは、同一であっても、異なっていてもよい。
Yで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素
原子等が挙げられる。
原子等が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アル
キル基か好ましい。
キル基か好ましい。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等の低
級アルコキシ基が好ましい。
級アルコキシ基が好ましい。
アミノ基としては、アミノ基、オクチルアミノ基、ドデ
シルアミノ基、フェニルアミノ基等が挙げられ、これら
6基は更に置換基を有していてもよい。
シルアミノ基、フェニルアミノ基等が挙げられ、これら
6基は更に置換基を有していてもよい。
上記のうち、Yとしては、アルキル基、アルコキシ基が
好ましく、メチル基が特に好ましい。
好ましく、メチル基が特に好ましい。
Xで表されるアミノ基は、置換基を有するものであって
もよく、置換基としては、置換基を有していてもよいア
ルキル基等を挙げることができる。
もよく、置換基としては、置換基を有していてもよいア
ルキル基等を挙げることができる。
上記置換基を有していてもよいアルキル基の具体例とし
ては、メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基、メト
キシエトキシエチル基、スルホプロピル基、カルボキシ
メチル基、メタンスルホンアミドエチル基、エタンスル
ホンアミドエチル基等を挙げることができる。
ては、メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基、メト
キシエトキシエチル基、スルホプロピル基、カルボキシ
メチル基、メタンスルホンアミドエチル基、エタンスル
ホンアミドエチル基等を挙げることができる。
アシルアミノ基としては、アセチルアミノ基、プロピオ
ニルアミノ基等゛を挙げることができる。
ニルアミノ基等゛を挙げることができる。
これら6基は更に置換基を有していてもよい。
ヒドロキシ基は、アルカリ金属塩、アンモニウム塩等の
塩を形成していてもよい。
塩を形成していてもよい。
上記のうち、Xとしては、ジアルキルアミノ基が好まし
い。
い。
一般式[I]で表される色素のうち、下記一般式[I[
] 一般式[III]及び一般式[IV]で表される
色素が好ましく、一般式[IV]で表される色素が吸収
スペクトル、保存性の上で特に好ましい。
] 一般式[III]及び一般式[IV]で表される
色素が好ましく、一般式[IV]で表される色素が吸収
スペクトル、保存性の上で特に好ましい。
以下余白
一般式
[I1]
一般式
[I11[]
以下余白
一般式
[
上記一般式[I1] 一般式[I11]及び一般式[
IV]において、R,Y及びXは一般式[I]における
R、Y及びXと同義であり、R1、R2及びR3はアル
キル基、アリール基を表す。
IV]において、R,Y及びXは一般式[I]における
R、Y及びXと同義であり、R1、R2及びR3はアル
キル基、アリール基を表す。
mは0.1、又は2を表す。
次に、一般式[I]で表される色素の代表的具体例を示
すが、本発明はこれらのものに限定されるものではない
。
すが、本発明はこれらのものに限定されるものではない
。
以下金白
例示化合物
c2Hs−N Uzt14Ut1
一般式[I]で表される色素は、下記一般式[V]で表
される化合物と一般式[VI]で表される化合物とをア
ルカリ性溶液中で酸化カップリングすることによって容
易に合成することができる。
される化合物と一般式[VI]で表される化合物とをア
ルカリ性溶液中で酸化カップリングすることによって容
易に合成することができる。
一般式[V]
僚
一般式[VI]
罷つ
[一般式[V]及び一般式[VI]において、RY及び
Xは、一般式[I]におけるR%Y及びXと同義でる。
Xは、一般式[I]におけるR%Y及びXと同義でる。
Zは水素原子、一般式[W]で表される化合物の酸化体
とカップリング反応することによって離脱する基を表す
。] 次に、本発明の一般式[I]で表される色素(以下、 本発明の色素という。
とカップリング反応することによって離脱する基を表す
。] 次に、本発明の一般式[I]で表される色素(以下、 本発明の色素という。
の代表的合成例
を示す。
合成例
〈例示化合物1の合成〉
(a)
N)Iつ
(b)
(a) Fzr及び(b)5gを酢酸エチル100
mlに溶解し、togの炭酸カリウムを溶解した50m
1の水溶液を加えた後、5gの過硫酸カリウムを加えて
反応させ、酢酸エチル層を水洗後、酢酸エチルを減圧留
去し、カラムクロマトグラフィーにより精製し、8gの
例示化合物1を得た。
mlに溶解し、togの炭酸カリウムを溶解した50m
1の水溶液を加えた後、5gの過硫酸カリウムを加えて
反応させ、酢酸エチル層を水洗後、酢酸エチルを減圧留
去し、カラムクロマトグラフィーにより精製し、8gの
例示化合物1を得た。
このものは、NMR,MAS Sスペクトルにて例示化
合物1であることを確認した。
合物1であることを確認した。
本発明の色素は、光記録用の色素として極めて有用であ
り、特に半導体レーザーを用いた光記録をするための光
記録材料として有用である。
り、特に半導体レーザーを用いた光記録をするための光
記録材料として有用である。
本発明の光記録材料は、通常、基板と本発明の色素を含
む記録層とから構成される。さらに必要に応じて基板上
に下引き層を、また記録層上に保護層を設けることがで
きる。
む記録層とから構成される。さらに必要に応じて基板上
に下引き層を、また記録層上に保護層を設けることがで
きる。
基板としては、使用するレーザー光に対して透明または
不透明のいずれでもよい。基板材料の材質としては、ガ
ラス、プラスチック、紙、板状または箔状の金属等の一
般の記録材料の支持体が挙げられるが、プラスチックが
種々の点から好適である。
不透明のいずれでもよい。基板材料の材質としては、ガ
ラス、プラスチック、紙、板状または箔状の金属等の一
般の記録材料の支持体が挙げられるが、プラスチックが
種々の点から好適である。
プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタアクリル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロー
ス、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
ルホン樹脂等が挙げられる。
脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロー
ス、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
ルホン樹脂等が挙げられる。
本発明の記録層の膜厚は、100人〜5μmが好ましく
、特に、1000人〜3μmが好ましい。記録層は、真
空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キ
ャスト法、スピナー法、浸漬法など、一般に行われてい
る薄膜形成法で成膜することができる。また、必要に応
じてバインダーを使用することもできる。バインダーと
してはPVA。
、特に、1000人〜3μmが好ましい。記録層は、真
空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キ
ャスト法、スピナー法、浸漬法など、一般に行われてい
る薄膜形成法で成膜することができる。また、必要に応
じてバインダーを使用することもできる。バインダーと
してはPVA。
pvp、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニ
ルブチラール、ポリカーボネートなど既知のものが用い
られ、バインダーに対する本発明の色素の量は10重量
%以上であることが望ましい。
ルブチラール、ポリカーボネートなど既知のものが用い
られ、バインダーに対する本発明の色素の量は10重量
%以上であることが望ましい。
スピナー法により成膜の場合、回転数は500〜500
0rpmが好ましく、スピンコードの後、場合によって
は、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行っても
よい。また、記録材料のさらなる安定性や耐光性向上の
ために、−重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレー
ト化合物(例えば、アセチルアセトナートキレート、ビ
スフエニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、
ビスジチオ−α−ジケトン等)、抗酸化剤等を含有して
もよい。
0rpmが好ましく、スピンコードの後、場合によって
は、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行っても
よい。また、記録材料のさらなる安定性や耐光性向上の
ために、−重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレー
ト化合物(例えば、アセチルアセトナートキレート、ビ
スフエニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、
ビスジチオ−α−ジケトン等)、抗酸化剤等を含有して
もよい。
更に、必要に応じて他の色素を併用することができる。
これら他の色素としてはイミダゾール系色素、トリアリ
ールメタン色素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリ
リウム系色素などを挙げることができる。
ールメタン色素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリ
リウム系色素などを挙げることができる。
記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、メチルエチ
ルケトン、トルエン、テトラクロロエタン、ブロモホル
ム、ジブロモエタン、エチルセロソルブ、キシレン、ク
ロロベンゼン、シクロヘキサノン等、が好適に使用され
る。
ルケトン、トルエン、テトラクロロエタン、ブロモホル
ム、ジブロモエタン、エチルセロソルブ、キシレン、ク
ロロベンゼン、シクロヘキサノン等、が好適に使用され
る。
本発明の記録層は基板の両面に設けてもよいし、片面だ
けに設けてもよい。
けに設けてもよい。
上記な様にして得られた記録材料への記録は、基板の両
面または、片面に設けた記録層に1μm程度に集束した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行う。レーザー光照射された部分には、レーザ
ーエネルギーの吸収によって、分解、蒸発、溶解、昇華
等の記録層の熱的変型が起きる。
面または、片面に設けた記録層に1μm程度に集束した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行う。レーザー光照射された部分には、レーザ
ーエネルギーの吸収によって、分解、蒸発、溶解、昇華
等の記録層の熱的変型が起きる。
記録された情報の読み出しは、レーザー光により、熱的
変化が起きている部分と起きていない部分の反射率の差
等を読み取ることにより行うことができる。
変化が起きている部分と起きていない部分の反射率の差
等を読み取ることにより行うことができる。
情報記録または読み出しに使用さ・れるレーザーとして
は、N2 、’ He−Cd5 Ar、He−Ne。
は、N2 、’ He−Cd5 Ar、He−Ne。
ルビー、半導体、色素レーザーなどが挙げられるが、軽
量性、取扱の容易さ、コンパクト性などの点から半導体
レーザーが特に好ましい。
量性、取扱の容易さ、コンパクト性などの点から半導体
レーザーが特に好ましい。
実施例
次に実施例を用いて、本発明を更に具体的に説明するが
、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない
。
、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない
。
実施例1
前記例示化合物1 1gをジブロモエタン50gに溶解
した後、0,22μmのフィルターを用いて濾過し、色
素溶液を得た。
した後、0,22μmのフィルターを用いて濾過し、色
素溶液を得た。
光デイスク用基板として、紫外線硬化樹脂でつくられた
深さ 700人、幅0,7μの溝付きポリメチルメタク
リレート樹脂基板(5インチ)を用い、この基板上に前
記染料溶液2mlを滴下し、スピナー法により1200
r p■の回転数で塗布した。塗布後、60℃で10分
間乾燥した。この膜厚は、3700人であった。またこ
の塗布膜の最大吸収波長(λgaz)は、750nmで
あった。
深さ 700人、幅0,7μの溝付きポリメチルメタク
リレート樹脂基板(5インチ)を用い、この基板上に前
記染料溶液2mlを滴下し、スピナー法により1200
r p■の回転数で塗布した。塗布後、60℃で10分
間乾燥した。この膜厚は、3700人であった。またこ
の塗布膜の最大吸収波長(λgaz)は、750nmで
あった。
このようにして得られた光ディスクに光源としてビーム
径1.6μmの半導体レーザーを用いて書き込みを行っ
た結果、均一かつ明瞭な形状のビット(孔)が得られた
。C/N比および保存安定性も良好であった。
径1.6μmの半導体レーザーを用いて書き込みを行っ
た結果、均一かつ明瞭な形状のビット(孔)が得られた
。C/N比および保存安定性も良好であった。
実施例2
実施例1で用いた例示化合物1にかえて、等モルの例示
化合物2,3,4.5及び6を用いて、実施例1に記載
された方法にしたがって、塗布膜厚700nmの光ディ
スクを製造した。得られた塗布膜の最大吸収波長を表に
示した。
化合物2,3,4.5及び6を用いて、実施例1に記載
された方法にしたがって、塗布膜厚700nmの光ディ
スクを製造した。得られた塗布膜の最大吸収波長を表に
示した。
表
このようにして得られた光ディスクに光源として、ビー
ム径1.6μmの半導体レーザーを用いて書き込みを行
ったところ、均一かつ明瞭な形状のビット(孔)が得ら
れた。またC/N比も良好であり、更に保存安定性も良
好であった。
ム径1.6μmの半導体レーザーを用いて書き込みを行
ったところ、均一かつ明瞭な形状のビット(孔)が得ら
れた。またC/N比も良好であり、更に保存安定性も良
好であった。
[発明の効果]
本発明の色素は、近赤外乃至赤外領域に吸収があるため
、半導体レーザーを用いた情報記録が容易に行なえ、か
つ、分子吸光係数が高く、耐熱性、耐光性に優れ、保存
性に優れている。
、半導体レーザーを用いた情報記録が容易に行なえ、か
つ、分子吸光係数が高く、耐熱性、耐光性に優れ、保存
性に優れている。
Claims (2)
- (1)下記一般式[ I ]で表される色素からなる光記
録材料。 一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rはハロゲン原子、アルキル基、アシルアミノ
基、カルバモイル基、ベンズイミダゾリル基、アミノ基
、スルホンアミド基を表し、lは1〜3の整数を表す。 Yはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ
基を表し、Xはアミノ基、ヒドロキシ基、アシルアミノ
基を表す。] - (2)光記録層および基板を有する光記録材料において
、該記録層に前記一般式[ I ]で表される色素を含有
させたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光
記録材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2270545A JPH04147890A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 光記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2270545A JPH04147890A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 光記録材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04147890A true JPH04147890A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17487684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2270545A Pending JPH04147890A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 光記録材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04147890A (ja) |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP2270545A patent/JPH04147890A/ja active Pending
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