JPH04145680A

JPH04145680A - 半導体レーザ素子及びその作製方法

Info

Publication number: JPH04145680A
Application number: JP26838590A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Tanaka; 俊明田中; Shigekazu Minagawa; 皆川　重量
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-10-08
Filing date: 1990-10-08
Publication date: 1992-05-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野】

本発明は、半導体レーザ素子及びその作製方法更に詳し
くいえば、半導体基板上に半導体発光活性層とその両側
の半導体光導波層で形成されるダブルヘテロ構造を積層
した構造の半導体レーザ素子及びその作製方法に関する
。（従来の技術］従来、半導体基板上に半導体発光活性層とその両側の半
導体光導波層で形成されるダブルヘテロ構造を積層した
構造の半導体レーザ素子は、各構成半導体層の格子定数
によって半導体発光活性層の歪量が影響され、半導体レ
ーザ素子の信頼性に大きく関わってくる。ＡＱＧａＩｎ
Ｐ半導体装置ザの信頼性については、文献ジャパン・ジ
ャーナル・アプライド・フイジクスＪｐｎ　Ｊ、　Ａｐ
ｐｌ、　Ｐｈｙｓ。２８（１９８９）　ｐｐ、１６１５〜１６２１において
論じられている。〔発明が解決しようとする課題〕上記従来技術は、Ａ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ｉ　ｎ　Ｐ半導体レ
ーザの信頼性に関わるダブルヘテロ構造の結晶成長条件
については検討されてず、温度７０℃以上における良好
な寿命が得られていないという問題があった。本発明は主な目的は、半導体基板上に半導体発光活性層
とその両側の半導体光導波層で形成されるダブルヘテロ
構造を積層した構造の半導体レーザ素子において、高温
度における高信頼性を確保し、ＡＱＧａＩｎＰ半導体レ
ーザと同等かそれ以上の良好な寿命を実現することにあ
る。本発明の他の目的は、上記主な目的を達成する半導体レ
ーザの確実に作製する方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために、半導体基板、半導体光導波
層及び半導体発光活性層のそれぞれの格子定数をａｌ、
ａ２及びａ３としたとき、これらの格子定数の間にａｌ
（ａ２（ａ、・の関係、及び、格子定数比Δａ２／ａ１
（Δａ３／ａ１（Δａ２＝ａ。ａ工、Δａ、＝ａ３−ａ１）の関係があるように各層の
材料を構成した。好ましい実施形態としては格子定数比Δａ　、　／ａ□
及びΔａ□／ａ□の値が理想的に０であるか又は少なく
とも＋０．００２以下、望しくは＋Ｏ，ＯＯ１以下とす
る。また、上記格子定数及び格子定数比の関係を持半導体レ
ーザを確実に実現するために、半導体レーザ素子の作製
方法において、上記ダブルヘテロ構造中の半導体発光活
性層と同等の組成及び不純物濃度を有する層（擬似活性
層と呼ぶ）を上記ダブルヘテロ構造の最上層部に格子定
数ａ、の測定に必要な厚みだけ形成し、上記擬似活性層
を利用して、所定の格子定数の関係を持つ物を選別し、
選別されたちの擬似活性層を除去して所定の特性を持つ
半導体レーザ素子を製造する。上記擬似活性層の格子定
数ａ□の測定に必要な厚みは膜厚０．４〜１．０μｍと
する。

【作用】

半導体レーザにおいて、半導体基板上に成長されるダブ
ルヘテロ構造の半導体層の格子定数は材質によってか大
きく異なる場合がある。例えばＡ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ
系の場合は組成が変わってもあまり変動はないが、格子
定数比が０．００１以上に大きくなりうる可能性がある
Ａ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ｉ　ｎ　Ｐ半導体材料系では、半導体
発光活性層における歪量が素子の信頼性に大きく関わっ
てくる。例えば、ＧａＡｓ板上に成長される（Ａ　Ｑ　
ｘＧ　ａ　Ｌ−Ｘ）ＩＩ　Ｉ　ｎ　１−ｍ　Ｐ系材料で
は、理想的にｍが０．５１のときにはＧａＡｓ基板の格
子定数とＡＱＧａＩｎＰ系の格子定数とが全く一致して
、格子定数の違いによる歪量はなく問題はない、しかし
ながら、実際の半導体結晶成長法においては、理想的に
Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板の格子定数とＡ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ｉ　
ｎ　Ｐの格子定数を全く一致させることは困難である。現実的にはｍの値は０．５１とはならず、Ｇ　ａ　Ａ　
ｓ基板上に成長されたＡ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ｉ　ｎ　Ｐ層の
格子定数′は、基板の格子定数より大きくなるか小さく
なりうる。基板の格子定数より大きいＡＱＧａＩｎＰ層
には圧縮応力が働き格子定数が基板より小さく、ＡＱＧ
ａＩｎＰ層には引張応力が働くことになるが、圧縮応力
が働く場合には半導体材料の結合が縮小したり結合角が
変化して緩和されるが、引張応力による歪が生じた場合
その半導体材料の結合を切り離す方向に働き刃状転位や
らせん転位に進展したり生じた欠陥転位を増殖させる可
能性が十分ある。このために、引張応力が半導体発光活
性層に°働く場合には、半導体レーザ素子における高い
信頼性が望めない。そこで、半導体基板上に結晶成長さ
れた半導体発光活性層や半導体光導波層の格子定数につ
いて規定を設定する必要がある。半導体基板、半導体光
導波層及び半導体発光活性層の格子定数をそれぞれａｆ
ｔ　ａ２及びａ、としたときａ工＜８２（ａ　３として
Δａ２／ａ１（Δａ、／ａ□（Δａ　、　＝　ａ。 −ａ工、Δａｆｆ＝ａ、−ａ、）の関係を設けることが
望しい。さらに、ＧａＡｓ基板上のＡ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ａ
　ｓ半導体レーザのように、格子定数比力Ｎ　／ＪＸさ
し）方がよく、Δａ　ｚ　／　ａ　１及びΔａ２　／　
ａ　１は正の値で＋０．００２以下、望ましくは＋０．
００１以下の０（Δａ、／ａｌ＜Δａ　ｓ　／　ａ　１
＜　＋　Ｏ、ＯＯ１の関係が成立することが要求される
。また、通常半導体レーザの活性層は膜厚０．１μｍ以下
の薄膜であり、ダブルヘテロ構造中の活性層の格子定数
は測定困難であった。同一のダブルヘテロ構造において
、半導体基板、基板体光導波層及び半導体発光活性層の
格子定数シ二つし１て情報を得ることが重要である。本
発明の半導体レーザの作成方法においては、半導体レー
ザ素子しこＩｓ要なダブルヘテロ構造を結晶成長した後
、半導体発光活性層４と同等の組成及び不純物濃度の結
晶成長条件のまま格子定数の測定容易な膜厚０．４〜１
．０μｍである層をダブルヘテロ構造最上層部に設ける
ため、ダブルヘテロ構造最上層部しこ設けられたこの層
は、半導体レーザ素子の実際の作製工程では格子定数比
を測定したあと、選択的しこエツチング除去できるので
素子作製上問題＆よな−。なお、膜厚０．４〜１．０ｐｍｔ±２結晶法番こよるＸ
線回折で回折可能な最低膜厚力１０．４μｍであり、ま
た、、０μｍ以上は層積層Φためレニ時間をむだにする
のみで、必要とじなし）力１らである。

【実施例】

実施例１本発明の一実施例について第１及び第３図を用いて説明
する。第１図は本発明による半導体レーザ素子の１実施例の断
面図、第３図は第１図の半導体レーザ素子製造途中にお
ける半導体積層の断面図である。第３図において、ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板１（厚さ１
００μｍ）上にｎ−ＧａＡｓノ（ツファ層２（厚さ０．
５　μｍ、ｎｏ＝ＩＸ１０”ｃｎ−”）、　　ｎ−（Ａ
　Ｑ　ｙＧ　ａ　ｉ−ｙ）ｍ　Ｉ　ｎ　ｘ−ｍＰ光導波
層３（厚さ１．０〜１．５　μｍ、　ｎｏ＝　８　Ｘ　
１０１７〜Ｉ　Ｘ　１０”＞−”、　ｙ＝ｏ、’７．ｍ
＝０．５１設定）、アンドープ（Ａ　Ｑ　ｘＧ　ａ　１
−ｘ）ｍ　Ｉ　ｎ　１−ａＰ活性層４（厚さ０．０４〜
０．０８μｍ、ｘ＝ｏ、ｍ＝０．５１設定）ｍＰ（Ａ　
Ｑ　ｙＧ　ａ　ｘ−ｙＬ＋　Ｉ　ｎ　Ｌ−ＮＩＰ光導波
層５（厚さ０．８〜１．３ｐｍ、ｎ＾＝４〜８　Ｘ　１
０１７ｃｍ−’ｙ＝０．７２ｍ＝０．５１設定）。ｐ−Ｇ　ａ　ｗａ　Ｉ　ｎ　１−ａ　Ｐバラフッ層６（
厚さ０．０２〜０．０８ｐｍ、ｎ＾＝１〜２Ｘ１０１″
ａｍ−’、ｍ＝０．５１設定Ｌｐ型又はｎ型ＧａＡｓ１
２　（厚さ０．２〜０．４μｍ、ｎａ又はｎＤ＝１〜２
ｘ１０”ａａ−’）　、及び活性層４と膜厚だけが異な
る同一組成の（Ａ　Ｑ　ｘＧ　ａ　１−Ｘ）ｍ　Ｉ　ｎ
　１−ｍＰ層１３（厚さ０．４〜１．Ｏｕｎ、ｘ＝ｏ、
ｍ＝０．５１設定）を順次有機金属気相成長法によりエ
ピタキシャル成長する。この後、Ｘ線回折測定により、
ＧａＡｓ基板１又はＧ　ａ　Ａ　ｓ層１２の格子定数ａ
１．光導波層３及び５の格子定数ａ２及び活性層の格子
定数に相当する擬似活性層１３の格子定数ａ、を測定し
６１（ａ２（ａ３、Ｏ＜ａ２／ａ、＜Δａ　３／　ａ　
ｉ＜　十〇　−００１（Δａ　１　＝　ａ　Ｚ　　　ａ
　Ｌ　ｊΔａ、＝ａ、−ａ１）となっていることを確認
する。上記関係を満たさないものは不良品として除く。次に、ハロゲン酸系溶液により選択的に層１３をエツチ
ング除去する。さらに、硫酸又１よ１ノン酸系溶液によ
り層１２を選択的にエツチング除去する。そして、５ｉｎ２絶縁膜（厚さ０．２μｍ）を蒸着し、
ホトリソグラフィーによりストライプ状のギ　５１０２
膜マスクパターンを形成する。次しこ、ハロゲン酸系溶
液又は硫酸又はリン酸溶液を用０て１層６とバッファ層
５をエツチングし、第１図中のりッジ幅Ｗｓを４〜６μ
ｍ、層５の残り膜厚ｄをｏ、２０〜０．４μｍになるよ
うに設定する。この次に、ＳｉＣ２膜を残したまま、ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ
ＳＳ電流ブロク９層７厚さ１．０　μｍｌ　ｎｏ＝４　
ＸＬニー）１０”ａｌ−’）を選択成長する。次しこ、
ＳｉＯノ２膜マスクを弗酸系溶液によりエツチング除去した後ｍ
Ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８（厚さ２〜３μｍ、ｎ＾：
ｌＸ１０”〜Ｉ　Ｘ　１０”（！１−３）を埋込成長す
る。この後、ｐ電極９及びｎ電極１０を蒸着し、費開ス
クライブにより半導体レーザ素子の形に切り出す。本実施例によると、閾値電流２５〜３５ｍＡ。発振波長６６０〜６８０ｎｍでレーザ発振し、環境温度
７０℃で５ｒｎＷ定光呂力動作の条件下で３０００時間
以上の安定なＣＷ発振動作が得られている。比較のため
に、半導体基板に対する半導体発光活性層の格子定数比
を負の値になるようにして作製した半導体レーザ素子で
は、上記信頼性試験の条件下で１００〜２００時間の寿
命しか得られなかった。本実施例による信頼性試験の結
果はＡＱＧａＡｓ半導体レーザのものと同等の寿命であ
った。実施例２本発明の他の実施例について第２及び第４＠を用いて説
明する。第２図は本発明による半導体レーザ素子の他の実施例の
断面図、第４図は第２図の半導体レーザ素子製造途中に
おける半導体積層の断面図である。半導体レーザ素子の作製方法は、半導体発光活性層１１
の作成工程を除いては実施例１と同様である。半導体発光活性層１１を単一又は多重量子井戸構造活性
層とする。単一量子井戸構造の場合、（Ａ　Ａ　ｘＧ　
ａ　１−Ｘ）ｍｌ　Ｉ　ｎ　１−ａＰ量子井戸層（アン
ドープ、膜厚１０〜３０ｎｍ、ｘ＝ｏｔ　ｍ＝０．５１
設定）の前後に（Ａ　ＱｃＬＧ　ａ　１−　、　）ＩＩ
Ｉ　ｎ　ｌ−ｍＰ光導波層（アンドープ膜厚１０〜２０
ｎｍ、α＝０．４゜ｍ＝０．５１設定）を設けた構造と
する。多重量子井戸構造の場合、（Ａ　１１　ｘＧ　ａ
　ｘ−ｘＬ　Ｉ　ｎ　ｚ−ｗｒＰ量子井戸層（アンドー
プ、膜厚３〜１０ｎｍ、ｘ＝０、ｍ＝０．５１設定、く
り返し数２〜５）及び（ＡＱβＧａ１−β）ｌｌＩｎ１
１Ｐ量子障壁層（アンドープ、膜厚３〜６．β＝０．４
．ｍ＝０．５１設定）を設けた構造とする。第４図にお
いて、層１２まで成長した後、量子井戸層（Ａ　Ｑ　ｘ
　Ｇ　ａ　ｉ−ｘ　）−Ｉｎｌ−＋ａＰ層と同等の組成
及び不純物濃度の層（ＡｎβＧａ１−β）、Ｉ　ｎｔ−
ｍＰ量子障壁層と同等の組成及び不純物濃度の層（擬似
量子障壁層）１５を成長する。この後、Ｘ線回折測定に
より、ＧａＡｓ基板又はＧ　ａ　Ａ　ｓ層の格子定数ａ
、、半導体光導波層３及びＳの格子定数ａ１、層１５の
格子定数８４及び層１４の格子定数ａ、の間にａｉ＜ａ
。＜ａ４＜ａ、、Ｏ＜Δａ、／ａ、＜Δａ、／ａ１（Δａ
５／ａ１＜＋Ｏ，ＯＯ１（Δａ２＝ａ２−ａ１、Δａ４
＝ａ　４−　ａ　ｉ　ＴΔａ、＝＝ａ、−ａ１）の関係
が成立していることを確認する。この後、層１５．１４
及び１２を選択的にエツチング除去する。これ以降の作
製工程は実施例１と全く同様である。　本実施例による
と、閾値電流１０〜２０ｍＡ、発振波長６２０〜６５０
ｎｍでレーザ発振し、環境温度７０℃で５ｍＷ定光出力
動作において３０００時間以上の安定なＣＷ発振動作が
得られている。

【発明の効果】

本発明によれば、ＡＱＧａ　Ｉ　ｎＰ半導体レーザのダ
ブルヘテロ構造中の活性層に引張応力による歪を生じさ
せないようにし、基板に対する活性層の格子定数比が規
定の範囲内にすることにより、高い信頼性を確保できる
。また、薄膜活性層の格子定数について評価し情報が得
ることができるので、上記格子定数比が規定の範囲内に
ある結晶ウェハを選んで、素子を作製することができる
ので、高い信頼性を有する素子を歩留まりよく実現でき
る。本発明の半導体レーザでは、閾値電流１０〜２０ｍ
Ａ、でレーザ発振し、環境温度７０’Ｃで５ｍＷ定光出
力動作において３０００時間以上の安定な動作を得、Ａ
　Ｑ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ半導体レーザと同等の信頼性を実
現できた。本発明では、主にＡ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ｉ　ｎ　Ｐ半導体レ
ーザについて説明したが、基板とその上に結晶成長され
る半導体層の格子定数が異なる杢糸の半導体材料につい
ても同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１及び第２図はいずれも本発明による半導体レーザ素
子の実施例を示す断面図、第３及び第４図はそれぞれ第
１及び第２図の半導体レーザ素子を作製するた工程にお
ける層構成断面図である。１−　ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板、２−　ｎ−ＧａＡｓ
バッファ層、３−　ｎ　　（Ａ　Ｑ　ｙＧ　ａ　Ｌ−Ｆ
）ＩＩ　Ｉ　ｎ　１−ｍＰ光導波層、４・・・アンドー
プ（Ａ　Ｑ　ｘＧ　ａ　ｘ−ｘ’）ｍ　Ｉ　ｎ　１−ｍ
Ｐ活性層、５”・ｐ　　（Ａ　ＱｙＧ　ａｌ−ｙ）ｍＩ
　ｎｌ−ｉ＋Ｐ光導波層、６・＝ｐ　　ＧａｍＩ　ｎｌ
−ｍＰ層、７−　ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ電流ブロック層
、８・・・ｐ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓコンタクト層、９・・
・Ｐ電極、１０・・・ｎ電極、１１・・・量子井戸構造
活性層、１２・・・ｐ又はｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層、１３
・・・擬似活性層、１４・・・擬似量子井戸層、１５・
・・擬似量子障壁層。代理人弁理士　　　薄　１）利　幸第図第図

Claims

【特許請求の範囲】１、半導体基板上に設けられた、半導体発光活性層とそ
の両側の半導体光導波層で形成されるダブルヘテロ構造
において、該半導体基板材料の格子定数ａ＿１、該半導
体光導波層の格子定数ａ＿２及び該半導体発光活性層の
格子定数ａ＿３が、ａ＿１≦ａ＿２≦ａ＿３、該半導体
基板材料に対する格子定数比Δａ＿２／ａ＿１（Δａ＿
２＝ａ＿２−ａ＿１）及びΔａ＿３／ａ＿１（Δａ＿３
＝ａ＿３−ａ＿１）が０＜Δａ＿２／ａ＿１≦Δａ＿３
／ａ＿１の関係を持つように構成されたことを特徴とす
る半導体レーザ素子。２、請求項第１記載の半導体レーザ素子において、該格
子定数比Δａ＿３／ａ＿１が０から＋０．００２の範囲
、該格子定数比Δａ＿２／ａ＿１が０から＋０．００１
の範囲に設定されたことを特徴とする半導体レーザ素子
。３、請求項第１又は第２記載において、該半導体基板を
ＧａＡｓとし、該半導体発光活性層を（Ａｌ＿ｘＧａ＿
１＿−＿ｘ）＿ｍＩｎ＿１＿−＿ｍＰ（０≦ｘ≦０．４
）、該半導体光導波層を（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）
＿ｍＩｎ＿１＿−＿ｍＰ（０≦ｙ≦１．０、ｘ＜ｙ）、
ｍは該半導体基板の格子定数に整合するように設定とし
たことを特徴とする半導体レーザ素子。４、請求項第１、第２又は第３記載において、該半導体
発光活性層を単一又は多重量井戸構造とし、量子障壁層
の格子定数ａ＿４、量子井戸層の格子定数ａ＿５とした
とき上記半導体基板及び上記半導体光導波層のそれぞれ
の格子定数ａ＿１及びａ＿２がａ＿１≦ａ＿２≦ａ＿４
≦ａ＿５の関係を有し、０≦Δａ＿２／ａ＿１≦Δａ＿
４／ａ＿１≦Δａ＿５／ａ＿１≦０．００１（Δａ＿２
＝ａ＿２−ａ＿１、Δａ＿４＝ａ＿４−ａ＿１、Δａ＿
５＝ａ＿５−ａ＿１）となるように設定されたことを特
徴とする半導体レーザ素子。５、請求項第１、第２、第３又は第４記載において、上
記半導体発光活性層が圧縮応力が働く歪量を有する、バ
ルク又は超格子であることを特徴とする半導体レーザ素
子。６、半導体基板上に半導体発光活性層とその両側の半導
体光導波層とで形成されるダブルヘテロ構造を結晶成長
によって積層する半導体レーザ素子の作製において、該ダブルヘテロ構造を積層後、該ダブルヘテロ構造中の
該半導体発光活性層と同等の組成及び不純物濃度を有す
る疑似活性層を該ダブルヘテロ構造の最上層部に設ける
第１工程と、該疑似活性層の特性を測定する第２工程と
、該第２工程後該疑似活性層を除去する第３工程とを有
することを特徴とする半導体レーザ素子の作製方法。７、請求項第８記載のにおいて、該疑似活性層の膜厚を
少なくとも０．４〜１．０μｍとすることを特徴とする
半導体レーザ素子の作製方法。８、半導体基板上に、半導体発光活性層とその両側の半
導体光導波層で形成されるダブルヘテロ構造を結晶成長
によって積層する半導体レーザ素子の作製において、該
半導体基板材料の格子定数ａ＿１、該半導体光導波層の
格子定数ａ＿２及び該半導体発光活性層の格子定数ａ＿
３としたとき、それぞれの格子定数の関係をａ＿１≦ａ
＿２≦ａ＿３とし、該半導体基板材料に対する格子定数
比 Δａ＿２／ａ＿１（Δａ＿２＝ａ＿２−ａ＿１）及びΔ
ａ＿２／ａ＿１（Δａ＿３＝ａ＿３−ａ＿１）を０＜Δａ＿２／ａ＿１≦Δａ＿３／ａ＿１を成立させる
ように結晶成長することを特徴とする半導体レーザ素子
の作製方法。９、請求項第８記載において、該Δａ＿３／ａ＿１を０
から＋０．００２の範囲、該Δａ＿２／ａ＿１を０から
＋０．００１の範囲に設定することを特徴とする半導体
レーザ素子の作製方法。１０、請求項第８又は第９記載の半導体レーザ素子の作
製方法において、該ダブルヘテロ構造を積層後、該ダブ
ルヘテロ構造中の該半導体発光活性層と同等の組成及び
不純物濃度を有する疑似活性層を該ダブルヘテロ構造の
最上層部に設ける第１工程と、該疑似活性層の特性を測
定する第２工程と、該第２工程後該疑似活性層を除去す
る第３工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素
子の作製方法。１１、請求項第１０項記載において、該疑似活性層の膜
厚を少なくとも０．４〜１．０μｍとすることを特徴と
する半導体レーザ素子の作製方法。１２、請求項第６乃至第１１記載のいずれかにおいて、
該半導体発光活性層を単一又は多重量井戸構造とし、量
子障壁層の格子定数ａ＿４、量子井戸層の格子定数ａ＿
５としたとき半導体基板及び半導体光導波層の格子定数
それぞれのａ＿１、ａ＿２との間にａ＿１≦ａ＿２≦ａ
＿４≦ａ＿５の関係が成立するように設定し、０≦Δａ＿２／ａ＿１≦Δａ＿４／ａ＿１≦Δａ＿５／
ａ＿１≦０．００１（Δａ＿２＝ａ＿２−ａ＿１、Δａ
＿４＝ａ＿４−ａ＿１、Δａ＿５＝ａ＿５−ａ＿１）と
なるように設定したことを特徴とする半導体レーザ素子
の作製方法。１３、請求項第１２記載において、該量子障壁層と該量
子井戸層と同等の組成及び不純物濃度を有する層をそれ
ぞれ該ダブルヘテロ構造の最上層部に設けることを特徴
とする半導体レーザ素子及びその作製方法。１４、請求項第６乃至第１１記載のいずれかにおいて、
、該ダブルヘテロ構造を有機金属気相成分法により成長
し、成長温度６５０〜７５０℃の範囲でエピタキシャル
成長させることを特徴とする半導体レーザ素子の作製方
法。