JPH04145622A - 半導体の表面処理方法 - Google Patents
半導体の表面処理方法Info
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- JPH04145622A JPH04145622A JP26915790A JP26915790A JPH04145622A JP H04145622 A JPH04145622 A JP H04145622A JP 26915790 A JP26915790 A JP 26915790A JP 26915790 A JP26915790 A JP 26915790A JP H04145622 A JPH04145622 A JP H04145622A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は半導体表面の処理方法に関する。
（ロ）従来の技術
ガリウム・砒素（ＧａＡｓ ）からなる単結晶半導体の
表面をウェットエッチ後、硫化アンモニウム溶液に浸す
ことにより、ＧａＡｓ表面に硫黄（Ｓ）の膜を被着すれ
ば、ＧＪＩＡ５表面が安定化することは既に知られてい
る（応用物理第５８巻第９号（１９８９）Ｐ １３４０
）、ここに表面の安定化とは、表面準位密度の低減をさ
す。
表面をウェットエッチ後、硫化アンモニウム溶液に浸す
ことにより、ＧａＡｓ表面に硫黄（Ｓ）の膜を被着すれ
ば、ＧＪＩＡ５表面が安定化することは既に知られてい
る（応用物理第５８巻第９号（１９８９）Ｐ １３４０
）、ここに表面の安定化とは、表面準位密度の低減をさ
す。
（ハ）発明が解決しようとする課題
ＧａＡｓに対する上記の安定化法は、他の化合物半導体
、特に、アルミニウム・ガリウム・砒素（ＡＩＧａＡｓ
）の安定化には有効でない。なぜなら１．ＪＧａＡｓ
表面をウェットエツチングする際に、Ａｔが酸化し、Ａ
ｆＧａＡｓ表面にＡｔ酸化物が生成きれるため、斯る表
面にＳを被着しても安定化の作用は、はとんど得られな
いのである。
、特に、アルミニウム・ガリウム・砒素（ＡＩＧａＡｓ
）の安定化には有効でない。なぜなら１．ＪＧａＡｓ
表面をウェットエツチングする際に、Ａｔが酸化し、Ａ
ｆＧａＡｓ表面にＡｔ酸化物が生成きれるため、斯る表
面にＳを被着しても安定化の作用は、はとんど得られな
いのである。
本発明は、Ａ４ＧａＡｓ表面の安定化を効果的に行う方
法を提供するものである。
法を提供するものである。
（ニ） 課題を解決するための手段
本発明の半導体の表面処理方法は、ＡＩＧａＡｓからな
る単結晶半導体の表面をドライエツチング装置内でエツ
チング後、前記装置内で引続き、前記表面にＳの膜を被
着することを特徴とする。
る単結晶半導体の表面をドライエツチング装置内でエツ
チング後、前記装置内で引続き、前記表面にＳの膜を被
着することを特徴とする。
（ホ〉作 用
本発明によれば、エツチング時及びその後Ｓの膜の被着
までの間、ＡＩＧａＡｓ中のＡｔが酸化されることがな
い。
までの間、ＡＩＧａＡｓ中のＡｔが酸化されることがな
い。
くべ）実施例
図は本発明方法を実施するためのドライエッチング装置
を示す、この装置は、周知のＲＩＢＥ（反応性イオンビ
ームエツチング）装置とほぼ同様の構成を有する。ＥＣ
Ｒイオンソース（１）内に塩素（（Ｊ、）ガス（２）と
マイクロ波（３）とが導入され、その結果生ずるＣ１．
プラズマが引出電極（４）によりビーム状に試料室（５
〉内に引き出される。
を示す、この装置は、周知のＲＩＢＥ（反応性イオンビ
ームエツチング）装置とほぼ同様の構成を有する。ＥＣ
Ｒイオンソース（１）内に塩素（（Ｊ、）ガス（２）と
マイクロ波（３）とが導入され、その結果生ずるＣ１．
プラズマが引出電極（４）によりビーム状に試料室（５
〉内に引き出される。
試料室（５）は排気路（６）を通じてタライオボンブに
より排気されている。半導体薄板（７）が試料支持体（
８）により支持され、試料室５内にて、当初、Ｃｈプラ
ズマビームを被曝する配置にある。
より排気されている。半導体薄板（７）が試料支持体（
８）により支持され、試料室５内にて、当初、Ｃｈプラ
ズマビームを被曝する配置にある。
よって、半導体薄板（７〉の表面がドライエツチングさ
れる。
れる。
試料室（５）内には、更にＳ蒸発用セル（９）が設けら
れている。前記ドライエツチング後、試料支持体（８）
が回転し、半導体薄板（７）はセル（９）側に面する配
置となり、そこでセル（７）からＳの蒸発が行われる。
れている。前記ドライエツチング後、試料支持体（８）
が回転し、半導体薄板（７）はセル（９）側に面する配
置となり、そこでセル（７）からＳの蒸発が行われる。
よって、エツチングされた前記半導体薄板（７）表面に
Ｓの膜が被着されることとなる。
Ｓの膜が被着されることとなる。
上記装置を用いたドライエツチングとＳ膜被着の操作例
を以下に、具体的に説明する。
を以下に、具体的に説明する。
半導体薄板（７）として、ＧａＡｓ基板上にＭＢＥ（分
子線エピタキシヤル）法により厚さ１０ｊｍのＡｔｅ、
ａＧａｅ、ｓＡｓからなる単結晶半導体を形成したもの
が準備された。
子線エピタキシヤル）法により厚さ１０ｊｍのＡｔｅ、
ａＧａｅ、ｓＡｓからなる単結晶半導体を形成したもの
が準備された。
ドライエツチング条件は、次の通りである。
マイクロ波（３）出カニ２００Ｗ
ｃｌ、ガス（２）導入圧カニ ６ Ｘ １０−”Ｐａ引
き出し電極（４）における引き出し電圧：４００■ 半導体薄板（７〉の温度：５０℃ エツチング時間ニア分間 以上の条件下において、エツチングレートは０ 、３
ｊｍ／分であり、よって、半導体薄板（７〉のＡｆＧａ
Ａｓは約２ｊｍエツチングされる。
き出し電極（４）における引き出し電圧：４００■ 半導体薄板（７〉の温度：５０℃ エツチング時間ニア分間 以上の条件下において、エツチングレートは０ 、３
ｊｍ／分であり、よって、半導体薄板（７〉のＡｆＧａ
Ａｓは約２ｊｍエツチングされる。
次いで、半導体薄板（７）をセル（９）側に面すると共
に、半導体薄板（７）の温度を２５℃に下げ、その後、
セル（９）の温度を７０°Ｃに上げた。この状態を３分
間維持することにより半導体薄板（７）のＧａＡｌＡｓ
表面にＳの膜が被着される。
に、半導体薄板（７）の温度を２５℃に下げ、その後、
セル（９）の温度を７０°Ｃに上げた。この状態を３分
間維持することにより半導体薄板（７）のＧａＡｌＡｓ
表面にＳの膜が被着される。
本実施例により得られたＡｌ ｍ 、 ４Ｇａ＊ 、
ｓＡｓのホトルミネッセンス強度は、前記実施例と同一
の半導体薄板を従来の方法により安定化したＡｌ ｅ
、 ｔＧａｅ 、 ＩＡＳのホトルミネッセンス強度に
較べ、約３０倍増大した。これは、本実施例による場合
、ＧａＡｆＡｓの表面準位密度のより大きな低下が得ら
れること、即ち、表面安定化がより効果的に行われるこ
とを示すものである。
ｓＡｓのホトルミネッセンス強度は、前記実施例と同一
の半導体薄板を従来の方法により安定化したＡｌ ｅ
、 ｔＧａｅ 、 ＩＡＳのホトルミネッセンス強度に
較べ、約３０倍増大した。これは、本実施例による場合
、ＧａＡｆＡｓの表面準位密度のより大きな低下が得ら
れること、即ち、表面安定化がより効果的に行われるこ
とを示すものである。
尚、ＡｆＧａＡｓの表面は、Ｓの膜により被われている
限り、その後、空気中に曝されても安定化きれた状態に
ある。従って、次の処理のために、前記処理から取り出
し、任意の時に、ＡｌＧａＡｓ表面のＳ膜を除去し、直
ちに、斯るＡｌＧａＡｓ表面に更に結晶成長を行えば、
清浄かつ、安定化されたままのＡｔＧａＡｓ表面に、後
続の結晶成長を行うことができる。
限り、その後、空気中に曝されても安定化きれた状態に
ある。従って、次の処理のために、前記処理から取り出
し、任意の時に、ＡｌＧａＡｓ表面のＳ膜を除去し、直
ちに、斯るＡｌＧａＡｓ表面に更に結晶成長を行えば、
清浄かつ、安定化されたままのＡｔＧａＡｓ表面に、後
続の結晶成長を行うことができる。
（ト）発明の効果
本発明によれば、ＧａＡｌＡｓ表面がドライエツチング
され、更に同一装置内で引続いて、斯る表面にＳの膜が
形成されるため、ＧａＡｊＡｓのＡｌが途中で酸化する
ことなく、ＧａＡｌＡｓの清浄な表面にＳの膜が存在す
ることとなり、ＧａＡｌＡｓ表面がＳにより効果的に安
定化される。
され、更に同一装置内で引続いて、斯る表面にＳの膜が
形成されるため、ＧａＡｊＡｓのＡｌが途中で酸化する
ことなく、ＧａＡｌＡｓの清浄な表面にＳの膜が存在す
ることとなり、ＧａＡｌＡｓ表面がＳにより効果的に安
定化される。
図は本発明方法を実施するためのドライエツチング装置
の模式的断面図である。
の模式的断面図である。
Claims (1)
- （１）アルミニウム・ガリウム・砒素からなる単結晶半
導体の表面をドライエッチング装置内でエッチング後、
前記装置内で引続き、前記表面に硫黄の膜を被着するこ
とを特徴とする半導体の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26915790A JP2940705B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26915790A JP2940705B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145622A true JPH04145622A (ja) | 1992-05-19 |
| JP2940705B2 JP2940705B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=17468471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26915790A Expired - Fee Related JP2940705B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940705B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP26915790A patent/JP2940705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2940705B2 (ja) | 1999-08-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |