JPS63222416A - エピタキシヤル結晶製造方法 - Google Patents
エピタキシヤル結晶製造方法Info
- Publication number
- JPS63222416A JPS63222416A JP5515487A JP5515487A JPS63222416A JP S63222416 A JPS63222416 A JP S63222416A JP 5515487 A JP5515487 A JP 5515487A JP 5515487 A JP5515487 A JP 5515487A JP S63222416 A JPS63222416 A JP S63222416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- oxide film
- substrate
- epitaxial
- epitaxial crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000097 high energy electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000000864 Auger spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、エピタキシャル結晶製造方法に於いて、エピ
タキシャル結晶を成長させるに先立ち、基板結晶を酸素
プラズマに曝して表面から炭素系汚染物質を除去すると
共にプラズマ酸化膜で覆い、そのプラズマ酸化膜はエピ
タキシャル結晶の成長直前に除去するようにしたことに
依り、エピタキシャル結晶／基板結晶の界面に炭素系汚
染物質が取り込まれるのを防止できるようにしたもので
ある。
タキシャル結晶を成長させるに先立ち、基板結晶を酸素
プラズマに曝して表面から炭素系汚染物質を除去すると
共にプラズマ酸化膜で覆い、そのプラズマ酸化膜はエピ
タキシャル結晶の成長直前に除去するようにしたことに
依り、エピタキシャル結晶／基板結晶の界面に炭素系汚
染物質が取り込まれるのを防止できるようにしたもので
ある。
本発明は、例えばｍ−ｖ族化合物半導体などのエピタキ
シャル結晶を製造するのに好適な方法に関する。
シャル結晶を製造するのに好適な方法に関する。
一般に、化合物半導体のエピタキシャル結晶を製造する
際、分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法や有機金属
化学気相堆積（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉ
ｏｎ ：ＭＯＣＶＤ）法などのいずれを採用するにして
も、外部で基板結晶の表面を硫酸リンスなどでクリーニ
ングしてから成長装置内にセットし、エピタキシャル結
晶を成長させることが行われている。
際、分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法や有機金属
化学気相堆積（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉ
ｏｎ ：ＭＯＣＶＤ）法などのいずれを採用するにして
も、外部で基板結晶の表面を硫酸リンスなどでクリーニ
ングしてから成長装置内にセットし、エピタキシャル結
晶を成長させることが行われている。
このようにすると、良質のエピタキシャル結晶を製造で
きるとされている。
きるとされている。
ところが、ＭＢＥ法について既に報告されていることで
あるが、前記のような前処理をしても、エピタキシャル
結晶／基板結晶の界面には、炭素系汚染物質が高濃度に
取り込まれ、それが電気的不安定性を与える原因となっ
ている（要すれば、ｒＪ、５ａｉｔｏ ｅｔａｌ、’
Ｅｆｆｅｃｔｏｆ Ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｎ Ｇａ
Ａｓ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ ｉｎ Ｍｏ１ｅ
ｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ、”
Ｊａｐａｎ、Ｊ、Ａｐｐ １．Ｐｈｙｓ、、 ｖｏ
１．２５．Ｎｏ、８゜Ａｕｇｕｓｔ、１９８６．
ｐｐ、１２１６−１２２０Ｊ参照）。
あるが、前記のような前処理をしても、エピタキシャル
結晶／基板結晶の界面には、炭素系汚染物質が高濃度に
取り込まれ、それが電気的不安定性を与える原因となっ
ている（要すれば、ｒＪ、５ａｉｔｏ ｅｔａｌ、’
Ｅｆｆｅｃｔｏｆ Ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｎ Ｇａ
Ａｓ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ ｉｎ Ｍｏ１ｅ
ｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ、”
Ｊａｐａｎ、Ｊ、Ａｐｐ １．Ｐｈｙｓ、、 ｖｏ
１．２５．Ｎｏ、８゜Ａｕｇｕｓｔ、１９８６．
ｐｐ、１２１６−１２２０Ｊ参照）。
斯かる炭素系汚染物質を除去するには、エピタキシャル
結晶の成長温度よりも高い温度で基板結晶の表面を熱的
にエツチングすると良いとされている（要すれば、前記
文献斧照）。
結晶の成長温度よりも高い温度で基板結晶の表面を熱的
にエツチングすると良いとされている（要すれば、前記
文献斧照）。
然しなから、前記説明した熱的なエツチングを実施する
と、次のような問題が起こる。
と、次のような問題が起こる。
（１） エピタキシャル結晶の成長温度よりも高い温
度でエツチングを行う為、基板結晶表面にピットなどの
欠陥が発生する。
度でエツチングを行う為、基板結晶表面にピットなどの
欠陥が発生する。
（２）炭素の蒸気圧はＧａＡｓなどｍ−ｖ族化合物半導
体よりも低く、前記熱的エツチングを行っても完全には
除去されない。因みに、炭素の蒸気圧は３０００（”Ｃ
）で約１ 〔気圧〕であり、また、Ａｓは４００（”Ｃ
）でＩ Ｃ気圧〕、Ｇａは１４００（”Ｃ）で１〔気圧
〕である。
体よりも低く、前記熱的エツチングを行っても完全には
除去されない。因みに、炭素の蒸気圧は３０００（”Ｃ
）で約１ 〔気圧〕であり、また、Ａｓは４００（”Ｃ
）でＩ Ｃ気圧〕、Ｇａは１４００（”Ｃ）で１〔気圧
〕である。
（３）例えば、選択成長を行う場合のように、既に結晶
として成長されたものを基板として用いる場合、エピタ
キシャル結晶の成長温度よりも高温にすることで、下地
である基板結晶にダメージを与え、デバイス製造への適
用を不可能にする。
として成長されたものを基板として用いる場合、エピタ
キシャル結晶の成長温度よりも高温にすることで、下地
である基板結晶にダメージを与え、デバイス製造への適
用を不可能にする。
本発明は、極めて簡単な工程を付加するのみで高品質の
エピタキシャル結晶／基板結晶界面及び良好な表面モホ
ロジーを有するエピタキシャル結晶を製造できる技術を
提供しようとする。
エピタキシャル結晶／基板結晶界面及び良好な表面モホ
ロジーを有するエピタキシャル結晶を製造できる技術を
提供しようとする。
前記説明したように基板結晶表面に付着された炭素は除
去することが困難である。然しながら、ＣＯ或いはＣＯ
２などにして気化すれば容易に除去することが可能にな
る。
去することが困難である。然しながら、ＣＯ或いはＣＯ
２などにして気化すれば容易に除去することが可能にな
る。
そのようにするには、基板結晶を酸素プラズマに曝すと
良く、しかも、その場合には炭素の除去が行われると同
時に表面には酸化膜が成長される。
良く、しかも、その場合には炭素の除去が行われると同
時に表面には酸化膜が成長される。
この酸化膜は、エピタキシャル結晶を成長するまでの間
、基板結晶表面が再び汚染されるのを防止する役割を果
たすことができる。そして、ＧａＡｓなどのプラズマ酸
化膜に於ける蒸気圧はＱａＡｓよりも高いので、エピタ
キシャル結晶の成長温度、即ち、約５００〜Ｔｏｏ（”
Ｃ）程度に於いて完全に蒸発させることが可能であり、
従って、エピタキシャル結晶を成長させる際、良好な界
面を得るのに好適な基板結晶表面を露出させることは極
めて容易であり、また、この場合に適用する技術として
は、ＭＢＥ法或いはＭＯＣＶＤ法など通常の方法で良い
。
、基板結晶表面が再び汚染されるのを防止する役割を果
たすことができる。そして、ＧａＡｓなどのプラズマ酸
化膜に於ける蒸気圧はＱａＡｓよりも高いので、エピタ
キシャル結晶の成長温度、即ち、約５００〜Ｔｏｏ（”
Ｃ）程度に於いて完全に蒸発させることが可能であり、
従って、エピタキシャル結晶を成長させる際、良好な界
面を得るのに好適な基板結晶表面を露出させることは極
めて容易であり、また、この場合に適用する技術として
は、ＭＢＥ法或いはＭＯＣＶＤ法など通常の方法で良い
。
そこで、本発明に依るエピタキシャル結晶製造方法に於
いては、基板結晶を酸素プラズマに曝して炭素系汚染物
質の除去を行うと共に表面をプラズマ酸化膜で覆う工程
と、次いで、前記基板結晶を成長室内にセットして前記
プラズマ酸化膜を蒸発させてからエピタキシャル結晶を
成長させる工程とが含まれている。
いては、基板結晶を酸素プラズマに曝して炭素系汚染物
質の除去を行うと共に表面をプラズマ酸化膜で覆う工程
と、次いで、前記基板結晶を成長室内にセットして前記
プラズマ酸化膜を蒸発させてからエピタキシャル結晶を
成長させる工程とが含まれている。
前記手段を採ることに依り、エピタキシャル結晶／基板
結晶の界面に取り込まれる炭素系汚染物質は激減するの
で良質の界面が得られ、また、プラズマ酸化膜の形成並
びに除去は低温で実施されるので基板結晶がダメージを
受けることは皆無である。
結晶の界面に取り込まれる炭素系汚染物質は激減するの
で良質の界面が得られ、また、プラズマ酸化膜の形成並
びに除去は低温で実施されるので基板結晶がダメージを
受けることは皆無である。
本発明一実施例として、ＭＢＥ法を適用することに依り
、ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ結晶層を成長させ
る場合について説明する。
、ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ結晶層を成長させ
る場合について説明する。
（１） ｎ型Ｑａ７１．ｓ基板を硫酸系のエッチャン
トで例えば２００〜３００ Ｃ人〕程度エツチングして
表面を概略的にクリーニングする。
トで例えば２００〜３００ Ｃ人〕程度エツチングして
表面を概略的にクリーニングする。
（２）通常の容量結合型ＣＶＤ装置に前記ｎ型ＧａＡｓ
基板を装着してから酸素プラズマを発生させる。
基板を装着してから酸素プラズマを発生させる。
この場合、酸素分圧は０．０５ （Ｔｏｒｒ）、入力電
力は１５０（Ｗ）、発振周波数は１３゜５６（ＭＨｚ）
とした。
力は１５０（Ｗ）、発振周波数は１３゜５６（ＭＨｚ）
とした。
（３）酸化時間を１ 〔分〕間として、ｎ型ＧａＡｓ基
板を酸素プラズマに曝すことに依り、厚さ約３００〔人
〕のＧａＡｓ酸化膜を形成する。
板を酸素プラズマに曝すことに依り、厚さ約３００〔人
〕のＧａＡｓ酸化膜を形成する。
このときの基板表面温度は１００（’ｃ）以下であり、
このような低温で成膜できることが極めて重要である。
このような低温で成膜できることが極めて重要である。
ここで形成したＧａＡｓ酸化膜は、オージェ（Ａｕｇｅ
ｒ）電子分光法を適用することに依り、主成分がＧ ａ
２０３及びＡ Ｓ ２０５であることを確認した。尚
、このＧａＡｓ酸化膜を形成した際、炭素の汚染物質も
除去され、オージェ電子分光法の感度限界（約１０＋４
（ａｍ−”） ）を下回ることが確認された。
ｒ）電子分光法を適用することに依り、主成分がＧ ａ
２０３及びＡ Ｓ ２０５であることを確認した。尚
、このＧａＡｓ酸化膜を形成した際、炭素の汚染物質も
除去され、オージェ電子分光法の感度限界（約１０＋４
（ａｍ−”） ）を下回ることが確認された。
第１図は前記のようにプラズマ酸化処理を施した場合に
於けるＧａＡｓ表面のオージェ・スペクトルであり、炭
素は殆ど検出されていないことが看取されよう。尚、同
図に於ける０（酸素）はプラズマ酸化で形成されたＧａ
Ａｓ酸化膜中の酸素の存在を示している。
於けるＧａＡｓ表面のオージェ・スペクトルであり、炭
素は殆ど検出されていないことが看取されよう。尚、同
図に於ける０（酸素）はプラズマ酸化で形成されたＧａ
Ａｓ酸化膜中の酸素の存在を示している。
第２図はプラズマ酸化処理を施していない場合に於ける
ＧａＡｓ表面のオージェ・スペクトルを参考として掲示
したものであり、この場合は、顕著に炭素が検出されて
いる。
ＧａＡｓ表面のオージェ・スペクトルを参考として掲示
したものであり、この場合は、顕著に炭素が検出されて
いる。
（４）前記のようにしてＧａＡｓ酸化膜を形成したｎ型
ＧａＡｓ基板をＭＢＥ成長装置に装着し、ｎ型ＧａＡｓ
結晶の成長温度、例えば約６００（’Ｃ）程度に昇温す
る。
ＧａＡｓ基板をＭＢＥ成長装置に装着し、ｎ型ＧａＡｓ
結晶の成長温度、例えば約６００（’Ｃ）程度に昇温す
る。
この昇温過程に於いて、反射型高エネルギ電子回折法（
ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｈｉｇｈｅｎｅｒｇｙ
ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｉｆｆｒａｃｔ ｉｏｎ：Ｒ
ＨＥＥＤ）に依るパターンは、前記プラズマ酸化で形成
したＧａＡｓ酸化膜がアモルファスであることを示すハ
ロー（ｈａｌａ）パターンから清浄なＧａＡｓ表面であ
ることを示すストリーク（ｓｔｒｅａｋ）パターンへと
変化することが確認された。
ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｈｉｇｈｅｎｅｒｇｙ
ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｉｆｆｒａｃｔ ｉｏｎ：Ｒ
ＨＥＥＤ）に依るパターンは、前記プラズマ酸化で形成
したＧａＡｓ酸化膜がアモルファスであることを示すハ
ロー（ｈａｌａ）パターンから清浄なＧａＡｓ表面であ
ることを示すストリーク（ｓｔｒｅａｋ）パターンへと
変化することが確認された。
これはＧａＡｓ酸化膜が６００Ｃ℃）以下の温度で除去
されたことを意味している。
されたことを意味している。
（５） この清浄なＧａＡｓ表面に、Ｓｉドナー濃度
をＩ Ｘ １０” （ｅｍ−”） 、厚さを１０００
Ｃ人〕としたｎ型ＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させ
る。
をＩ Ｘ １０” （ｅｍ−”） 、厚さを１０００
Ｃ人〕としたｎ型ＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させ
る。
（６）蒸着法にて表面にＡβショットキ電極を形成し、
また、同じく裏面にＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕオーミ
ック電極を形成する。
また、同じく裏面にＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕオーミ
ック電極を形成する。
前記のようにして作成した試料に於けるＡβショットキ
電極がら空乏層を拡張させ、キャリヤ濃度の深さ方向の
分布を測定した。
電極がら空乏層を拡張させ、キャリヤ濃度の深さ方向の
分布を測定した。
第３図は前記測定結果を纏めた線図であり、従来の技術
に依るものと比較して示しである。
に依るものと比較して示しである。
図では、横軸に深さを、縦軸にキャリヤ濃度をそれぞれ
採っである。
採っである。
図に於いて、ＳＢはｎ型ＧａＡｓ基板、ＥＰはエピタキ
シャル成長させたｎ型ＧａＡｓ層、Ａは本発明一実施例
に依る試料の特性線、Ｂは従来技術に依る試料の特性線
をそれぞれ示している。
シャル成長させたｎ型ＧａＡｓ層、Ａは本発明一実施例
に依る試料の特性線、Ｂは従来技術に依る試料の特性線
をそれぞれ示している。
図から判るように、プラズマ酸化膜で保護する方法を採
った場合には、エピタキシャル結晶／基板結晶の界面に
於ける炭素系汚染物質は完全に除去されている為、良好
な界面特性が得られているが、従来技術に依る場合には
、エピタキシャル結晶／基板結晶の界面近傍で電子空乏
層が観測されている。
った場合には、エピタキシャル結晶／基板結晶の界面に
於ける炭素系汚染物質は完全に除去されている為、良好
な界面特性が得られているが、従来技術に依る場合には
、エピタキシャル結晶／基板結晶の界面近傍で電子空乏
層が観測されている。
前記実施例に於いては、ＧａＡｓを対象としているが、
本発明は、それ以外の半導体に適用できることは云うま
でもなく、要は、プラズマ酸化膜の蒸発温度がエピタキ
シャル結晶の成長温度よりも低いことであり、この条件
を満たす半導体であれば問題ない。
本発明は、それ以外の半導体に適用できることは云うま
でもなく、要は、プラズマ酸化膜の蒸発温度がエピタキ
シャル結晶の成長温度よりも低いことであり、この条件
を満たす半導体であれば問題ない。
本発明に依るエピタキシャル結晶製造方法に於いては、
エピタキシャル結晶を成長させるに先立ち、基板結晶を
酸素プラズマに曝して表面から炭素系汚染物質を除去す
ると共にプラズマ酸化膜で覆い、そのプラズマ酸化膜は
エピタキシャル結晶の成長直前に除去するようにしてい
る。
エピタキシャル結晶を成長させるに先立ち、基板結晶を
酸素プラズマに曝して表面から炭素系汚染物質を除去す
ると共にプラズマ酸化膜で覆い、そのプラズマ酸化膜は
エピタキシャル結晶の成長直前に除去するようにしてい
る。
このような構成を採ることに依り、エピタキシャル結晶
／基板結晶の界面に取り込まれる炭素系汚染物質は激減
するので良質の界面が得られ、また、プラズマ酸化膜の
形成並びに除去は低温で実施されるので基板結晶がダメ
ージを受けることは皆無である。
／基板結晶の界面に取り込まれる炭素系汚染物質は激減
するので良質の界面が得られ、また、プラズマ酸化膜の
形成並びに除去は低温で実施されるので基板結晶がダメ
ージを受けることは皆無である。
第１図及び第２図はオージェ電子分光結果に関する線図
、第３図は本発明を実施した場合のエピタキシャル結晶
／基板結晶の界面に於けるキャリヤ濃度分布を従来技術
に依るものと比較して表した線図である。 図に於いて、ＳＢはｎ型ＧａＡｓ基板、ＥＰはエピタキ
シャル成長させたｎ型ＧａＡｓ層、Ａは本発明一実施例
に依る試料の特性線、Ｂは従来技術に依る試料の特性線
をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − ｄＮ（Ｅ ）／ｄＥ キャリヤ濃度分布を示す線図 第３図
、第３図は本発明を実施した場合のエピタキシャル結晶
／基板結晶の界面に於けるキャリヤ濃度分布を従来技術
に依るものと比較して表した線図である。 図に於いて、ＳＢはｎ型ＧａＡｓ基板、ＥＰはエピタキ
シャル成長させたｎ型ＧａＡｓ層、Ａは本発明一実施例
に依る試料の特性線、Ｂは従来技術に依る試料の特性線
をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − ｄＮ（Ｅ ）／ｄＥ キャリヤ濃度分布を示す線図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板結晶を酸素プラズマに曝して炭素系汚染物質の除去
を行うと共に表面をプラズマ酸化膜で覆う工程と、 次いで、前記基板結晶を成長室内にセットして前記プラ
ズマ酸化膜を蒸発させてからエピタキシャル結晶を成長
させる工程と が含まれてなることを特徴とするエピタキシャル結晶製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5515487A JPS63222416A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | エピタキシヤル結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5515487A JPS63222416A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | エピタキシヤル結晶製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222416A true JPS63222416A (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=12990831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5515487A Pending JPS63222416A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | エピタキシヤル結晶製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63222416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017069364A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-12 JP JP5515487A patent/JPS63222416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017069364A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3409958B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US5275687A (en) | Process for removing surface contaminants from III-V semiconductors | |
| JP4301592B2 (ja) | 窒化物半導体層付き基板の製造方法 | |
| JP3764792B2 (ja) | 窒化物半導体のエッチング方法 | |
| Gonda et al. | Heteroepitaxial growth of GaP on silicon by molecular beam epitaxy | |
| JPH0794494A (ja) | 化合物半導体デバイスの作製方法 | |
| JPH11243056A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法 | |
| JPS63222416A (ja) | エピタキシヤル結晶製造方法 | |
| KR101088985B1 (ko) | 화합물 반도체 기판, 화합물 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 디바이스 | |
| JP2000281499A (ja) | ＧａＮ単結晶の作製方法 | |
| JPH09260289A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JP2686699B2 (ja) | 選択成長用ＧａＮマスク形成方法 | |
| US5248376A (en) | Process for thermal-etching treatment of compound semiconductor substrate used in molecular beam epitaxy and apparatus for performing same | |
| JP2003171200A (ja) | 化合物半導体の結晶成長法、及び化合物半導体装置 | |
| JP2897107B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| KR960004904B1 (ko) | 다공성 실리콘기판위에 갈륨비소를 성장하는 방법 | |
| JP5107076B2 (ja) | 半導体基板の表面処理方法 | |
| JPH03131593A (ja) | エピタキシヤル成長用基板の前処理方法 | |
| JP3077876B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の表面処理方法 | |
| Kodama | Influence of carbon contamination on etched GaSb substrate on the quality of MBE‐GaSb film and electrical transport through the film and the substrate | |
| JPH01158720A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法及び結晶成長装置 | |
| JPH05267793A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH04155817A (ja) | 化合物半導体基板の表面清浄化法 | |
| JPH01160899A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法及び成長装置 | |
| JPH0645318A (ja) | ＧａＡｓウェハ及びその製造方法 |