JP5107076B2 - 半導体基板の表面処理方法 - Google Patents
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例えば、レーザ或いはトランジスタといった半導体デバイスを作製する場合、上記MOCVD法やMBE法により、半導体基板上に必要な半導体結晶薄膜を重ねて成長することが行われる(例えば、ヘテロ構造を有するエピタキシャル結晶の積層構造)。
当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料であるInAsを1分子層以上5分子層以下の厚みで、前記最表層の上にエピタキシャル成長させることにより前記最表層の表面を覆い、前記最表層と同族元素で構成され、硫黄及び炭素の不純物を除去する被覆膜を形成する被覆工程と、
前記被覆工程の後、大気中、不活性ガス中、又は真空中のいずれかの保管雰囲気において前記半導体基板を保管する保管工程と、
前記保管工程の後、前記半導体基板上で前記被覆膜の熱分解温度(500℃)より高く、かつ前記最表層の熱分解温度(700℃)より低い温度でサーマルクリーニングを施して前記被覆膜を除去するサーマルクリーニング工程とを有することを特徴とする。
すなわち、基板表面を保護するために、半導体基板の最表層より低い温度で熱分解する材料、好ましくは、大気中、不活性ガス中若しくは真空中で安定な材料からなる被覆膜を最表層表面に予め形成するようにしている。
前記被覆膜は、前記最表層と同族系元素で構成されている。
ここで、同族系元素とは、例えば、最表層がGaAs化合物半導体であればIII−V族系化合物半導体(例えば、InAs等)であり、被覆膜が熱分解されることにより発生する元素が最表層を汚染する虞のない元素であることを意味する。
これにより、薄膜形成前の熱処理により被覆膜を分解しても、半導体基板の最表層表面が再汚染される虞はないので、半導体基板表面の不純物量を安定に制御することができる。
前記最表層はGaAs単結晶層であり、前記被覆膜材料はInAsである。
これにより、InAs被覆膜が分解されることにより発生する元素(In、As)によりGaAs単結晶層表面が再汚染される虞はないので、薄膜形成前に行われる熱処理で半導体基板に影響を与えることなくInAs被覆膜は除去される。
前記被覆膜の厚みは、当該被覆膜材料の1分子層以上5分子層以下である。
被覆膜の厚みは、半導体基板表面をくまなく覆うために1分子層以上を必要とする。一方、薄膜形成プロセスで通常行われる薄膜形成前の熱処理で被覆膜を除去するため、厚すぎると工程が無駄に長くなり実用的ではない。そこで、従来の熱処理時間に過度の負担を加えない範囲として5分子層以下とする。
好ましくは、1分子層以上5分子層以下、さらに好ましくは、1分子層以上3分子層以下とする。例えば、被覆する材料がInAsエピタキシャル層である場合は、1分子層は6Åであるから、好ましくは6Å以上30Å以下、さらに好ましくは6Å以上18Å以下となる。
前記被覆膜は、InAsからなるエピタキシャル成長層であることを特徴とする。
すなわち、InAs被覆膜は、形成方法の一例として一般的なエピタキシャル成長方法を利用でき、被覆膜を形成するにあたり特別な方法を要するわけではない。エピタキシャル成長方法を利用することにより、被覆膜の厚みを容易に制御することができる。
このようにして被覆膜を形成された半導体基板は、薄膜形成前の熱処理により容易に被覆膜を除去でき、最表層表面の不純物を低減できるとともに安定して制御できるので、薄膜形成用の半導体基板として好適である。
このように、被覆膜を形成された半導体基板を薄膜形成用の基板として用い、この半導体基板から被覆膜を除去した後に薄膜形成工程を行うことにより、半導体基板表面の不純物は低減されるとともに安定して制御されるので、この半導体基板上に形成される薄膜は不純物により悪影響を受けることなく、高品質なものとなる。
また、最表層の熱分解温度とは、最表層の構成成分の1つの分圧が1×10−5Torrを超える温度とする。
したがって、半導体基板を薄膜形成装置に投入するまでの保管期間に、保管環境によって基板表面(被覆膜表面)が不純物で汚染されても、この不純物を効果的に除去できる。その結果、半導体基板上にエピタキシャル層や絶縁膜層等の薄膜を形成する工程において、半導体基板表面の不純物量を安定に制御することができる。
図1は、被覆膜付きの半導体基板を用いた薄膜形成プロセスにおける遷移状態を示す説明図である。本実施形態では、単一の材料からなる半絶縁性GaAs単結晶基板を用いた場合について示している。
このように、InAs被覆膜12の厚みを1分子層以上10分子層以下とすることで、薄膜形成プロセスで通常行われる薄膜形成前の熱処理(サーマルエッチング)によりInAs被覆膜12は容易に除去される。また、1分子層以上であれば半導体基板表面を保護する機能を発揮するので、熱処理時間に過度の負担を加えないように、1分子層以上10分子層以下、好ましくは、1分子層以上5分子層以下、さらに好ましくは、1分子層以上3分子層以下とする。
また、被覆膜が熱分解されることにより発生する元素が最表層(ここでは、GaAs単結晶基板)を汚染する虞のない元素となるように被覆膜の材料が選定される。
そこで、本実施形態では、熱分解温度が約500℃のInAsを被覆膜12の材料としている。なお、最表層がGaAsである場合の被覆膜材料はInAsに限定されず、熱分解温度がGaAsよりも低く、同族系の元素で構成される材料であればよい。
エピタキシャル成長方法を利用してInAs被覆膜12を形成することにより、厚さは正確に制御される。
図1(a)に示す被覆膜付き半導体基板1をウェハ容器(フロロウェア社製)に収容し、大気中で2ヶ月保管した。その後、ウェハ容器から取り出し、MBE結晶成長装置に投入し、サーマルクリーニング(基板温度650℃で10分間熱処理)を行うことにより、表面酸化層とともにInAs被覆膜12を除去した(図1(b)参照)。
そして、GaAs基板11上に、基板温度550℃でGa源及びAs源を同時に照射し、図1(c)に示すGaAsエピタキシャル層13を0.5μm成長させた。
(比較例)
比較例では、GaAs単結晶基板をInAs被覆膜で被覆することなく、そのままウェハ容器に収容し、大気中で2ヶ月間保管した。なお、GaAs単結晶基板は、実施例と同一ロットで製造したものである。その後、ウェハ容器から取り出し、実施例と同一バッチでMBE結晶成長装置に投入し、サーマルクリーニング(基板温度650℃で10分間熱処理)を行って、表面酸化膜を除去した。
そして、GaAs基板上に、基板温度550℃でGa源及びAs源を同時に照射し、GaAsエピタキシャル層を0.5μm成長させた。
表1に示すように、実施例の場合は、比較例に比べて、S、Cが大幅に低減され、O、Siはほぼ同じであった。また、比較例におけるS、Cの不純物量は、GaAs基板をウェハ容器に保管する前の不純物量とほとんど変化なかった。
これより、O、Siはサーマルクリーニングの過程で除去できるが、S、Cはサーマルクリーニングにより除去されないため、基板表面の汚染の状態を反映していると考えられる。つまり、実施例では、このサーマルクリーニングにより除去されないS、Cを効果的に除去できたことになる。
例えば、上記実施形態では、単一の材料からなるGaAs単結晶基板を薄膜形成に使用する場合について説明したが、本発明は、GaAsに限らず、その他の半導体基板を薄膜形成に使用する場合にも適用できる。
また、本発明は、半導体基板上に薄膜を形成する場合に有用なことは上述したとおりであるが、半導体基板上に蒸着したり、スパッタリングしたりする場合にも有用である。
11 GaAs単結晶基板
12 InAs被覆膜
13 GaAsエピタキシャル層
Claims (2)
- 1又は2以上の結晶層を有し、それらのうちの最表層がGaAs単結晶層である半導体基板の表面処理方法において、
当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料であるInAsを1分子層以上5分子層以下の厚みで、前記最表層の上にエピタキシャル成長させることにより前記最表層の表面を覆い、前記最表層と同族元素で構成され、硫黄及び炭素の不純物を除去する被覆膜を形成する被覆工程と、
前記被覆工程の後、大気中、不活性ガス中、又は真空中のいずれかの保管雰囲気において前記半導体基板を保管する保管工程と、
前記保管工程の後、前記半導体基板上で前記被覆膜の熱分解温度(500℃)より高く、かつ前記最表層の熱分解温度(700℃)より低い温度でサーマルクリーニングを施して前記被覆膜を除去するサーマルクリーニング工程とを有することを特徴とする半導体基板の表面処理方法。 - 前記サーマルクリーニング工程の後、前記GaAs単結晶層の上にGaAsエピタキシャル層を成長させる薄膜形成工程を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の表面処理方法。
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