JP5626955B2 - エピタキシャル成長用基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
このようなHEMT構造を有する半導体エピタキシャルウェハを作製する場合、一般には、鏡面仕上げしたInP基板に、硫酸/過酸化水素水などのエッチング溶液によるエッチング処理を施して、基板表面に付着したケイ素(Si)等の不純物を除去する。そして、このエッチング処理後のInP基板に、分子線エピタキシャル成長法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)又は有機金属気相成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)によりエピタキシャル膜を形成する。
また、半導体基板とエピタキシャル膜の界面に、炭素(C)原子の蓄積層を設けることにより、半導体デバイスのゲート耐圧を向上させる技術が提案されている(例えば特許文献1)。
また、特許文献1には、炭素原子蓄積層におけるCやC以外の不純物の蓄積量については規定されているが、CとSiの相対関係については明らかにされていない。
図1は、実施形態に係るHEMT構造の例を示す図である。図1に示すように、半導体エピタキシャルウェハ1は、InP基板11に、InAlAs層(バッファ層)12、InGaAs層(チャネル層)13、InAlAs層(スペーサ層)14、InP層(電子供給層)15を順次エピタキシャル成長させたInP系HEMT構造を有している。
半導体エピタキシャルウェハ1において、InP基板11とInAlAs層12の界面におけるCとSiのSIMSによるシート濃度をそれぞれDc,Dsとすると、Dc/Ds比は20以上となっている。また、InP基板11とInAlAs層12の界面におけるSiのシート濃度Dsは2.3×1012cm−2以下となっている。
このとき、Si除去後のInP基板11を、100〜120℃の大気中で1時間以上保持することにより、エピタキシャル成長後のDc/Ds比が20以上となる程度のCをInP基板11の表面に容易に付着させることができる。
実施例では、鏡面仕上げされたInP基板11を、フッ化水素(HF)やリン酸/過酸化水素水等の薬液により洗浄し、表面のSiを除去した。このSi除去後のInP基板11をポリプロピレン製の枚葉収納式密閉型容器内に1枚ずつ収容し、100℃で3日間経過させ、ポリプロピレン製容器からの揮発ガス雰囲気中にInP基板11を設置することにより、表面に所望濃度のCを付着させた。
このInP基板11に、膜厚400nmのInAlAs層12をMBE法によりエピタキシャル成長させた。同様に、膜厚15nmのInGaAs層13、膜厚8.5nmのInAlAs層14、膜厚5nmのInP層15を、MBE法により順次エピタキシャル成長させて、実施例に係る半導体エピタキシャルウェハ1を作製した。
比較例では、鏡面仕上げされたInP基板に、従来の一般的な処理方法である硫酸/過酸化水素水によるエッチング処理を施した。このエッチング処理後のInP基板に、実施例と同様の方法によりHEMT構造の半導体薄膜をエピタキシャル成長させて、比較例に係る半導体エピタキシャルウェハを作製した。
これに対して、比較例の半導体エピタキシャルウェハでは、CとSiのシート濃度の比DC/DSiは20より小さく、Siのシート濃度は2.3×1012cm−2よりも大きくなった。また、リーク電流は60nAとなった。
これにより、実施例の半導体エピタキシャルウェハでは、HEMT構造におけるリーク電流を効果的に低減できていることが確認された。
例えば、上記実施形態では、InP基板を用いたHEMT構造の半導体エピタキシャルウェハについて説明したが、本発明はGaAsやGaNのような他のIII-V族化合物半導体を基板として用いる場合に適用可能である。
Claims (2)
- 鏡面研磨仕上げされたリン化インジウム基板表面からケイ素を除去する第1工程と、
前記リン化インジウム基板表面に炭素を付着させる第2工程と、を有し、
前記第2工程では、
前記リン化インジウム基板をポリプロピレン製の密閉式容器内に収容し、
該密閉式容器を100〜120℃で保持することにより、前記密閉式容器内を前記ポリプロピレン製の容器からの揮発ガスを含有する雰囲気とし、
前記リン化インジウム基板を該揮発ガス含有雰囲気中で1時間以上保持することにより、前記リン化インジウム基板表面に炭素を付着させることを特徴とするエピタキシャル成長用基板の製造方法。 - 請求項1に記載の方法によって得られたエピタキシャル成長用基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
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