JPH0645318A - ＧａＡｓウェハ及びその製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓウェハ及びその製造方法Info
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- JPH0645318A JPH0645318A JP19683292A JP19683292A JPH0645318A JP H0645318 A JPH0645318 A JP H0645318A JP 19683292 A JP19683292 A JP 19683292A JP 19683292 A JP19683292 A JP 19683292A JP H0645318 A JPH0645318 A JP H0645318A
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- oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】成長直前のウェットエッチング処理なしで、か
つ、より低温のサーマルクリーニングで清浄な表面を得
る。 【構成】ＧａＡｓウェハ表面を一旦強制的に酸化して、
酸化物層とＧａＡｓ層との界面遷移層の急峻な酸化物層
を形成する。この酸化層物を除去することにより、Ａｓ
リッチで界面遷移層の急峻なＧａＡｓ酸化物層が形成さ
れるようにする。このときの急峻の度合いは、遷移層の
厚さｄi ＝ｄ1 −ｄ90が３Å以下となる。ここで、
ｄ1 ：ＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物含有率が最外表面の
含有率の１％となるＧａＡｓ酸化物層の最外表面からの
深さ、ｄ90：ＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物含有率が最外
表面の含有率の９０％となるＧａＡｓ酸化物層の最外表
面からの深さである。これによりサーマルクリーニング
温度と時間をより低温かつ短時間にすることができる。
つ、より低温のサーマルクリーニングで清浄な表面を得
る。 【構成】ＧａＡｓウェハ表面を一旦強制的に酸化して、
酸化物層とＧａＡｓ層との界面遷移層の急峻な酸化物層
を形成する。この酸化層物を除去することにより、Ａｓ
リッチで界面遷移層の急峻なＧａＡｓ酸化物層が形成さ
れるようにする。このときの急峻の度合いは、遷移層の
厚さｄi ＝ｄ1 −ｄ90が３Å以下となる。ここで、
ｄ1 ：ＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物含有率が最外表面の
含有率の１％となるＧａＡｓ酸化物層の最外表面からの
深さ、ｄ90：ＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物含有率が最外
表面の含有率の９０％となるＧａＡｓ酸化物層の最外表
面からの深さである。これによりサーマルクリーニング
温度と時間をより低温かつ短時間にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は鏡面研磨されたＧａＡｓ
ウェハに係り、特にウェハ処理技術を改善できるＧａＡ
ｓウェハ及びその製造方法に関する。
ウェハに係り、特にウェハ処理技術を改善できるＧａＡ
ｓウェハ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】分子線エピタキシー（ＭＢＥ）や有機金
属気相エピタキシー（ＭＯＣＶＤ）などの気相エピタキ
シーを用いてＧａＡｓウェハ上にIII −Ｖ族化合物半導
体をエピタキシャル成長させるには、成長前に次のよう
なウェハ製造プロセスを必要とする。まず、バルク結晶
をスライスしてＧａＡｓウェハを得る。このＧａＡｓウ
ェハ表面をアルミナ等の砥粒でラッピング、ポリッシュ
後、エッチング作用のある研磨液でメカノケミカルポリ
ッシュを行って鏡面研磨する。
属気相エピタキシー（ＭＯＣＶＤ）などの気相エピタキ
シーを用いてＧａＡｓウェハ上にIII −Ｖ族化合物半導
体をエピタキシャル成長させるには、成長前に次のよう
なウェハ製造プロセスを必要とする。まず、バルク結晶
をスライスしてＧａＡｓウェハを得る。このＧａＡｓウ
ェハ表面をアルミナ等の砥粒でラッピング、ポリッシュ
後、エッチング作用のある研磨液でメカノケミカルポリ
ッシュを行って鏡面研磨する。
【０００３】次いで、この鏡面研磨したＧａＡｓウェハ
を、アセトンやメタノールなどの有機溶剤で脱脂洗浄す
る。ひき続き硫酸と過酸化水素水の水溶混合液やアンモ
ニアと過酸化水素水の水溶混合液でウェットエッチング
した後、水洗、乾燥する。ここで、上述した有機溶剤に
よる脱脂洗浄や、酸もしくはアルカリ水溶液によるエッ
チングはウェハ表面の不純物を除去することを目的とし
て、エピタキシャル成長の直前に行われる。
を、アセトンやメタノールなどの有機溶剤で脱脂洗浄す
る。ひき続き硫酸と過酸化水素水の水溶混合液やアンモ
ニアと過酸化水素水の水溶混合液でウェットエッチング
した後、水洗、乾燥する。ここで、上述した有機溶剤に
よる脱脂洗浄や、酸もしくはアルカリ水溶液によるエッ
チングはウェハ表面の不純物を除去することを目的とし
て、エピタキシャル成長の直前に行われる。
【０００４】これらの洗浄のあと、ＧａＡｓウェハは成
長炉に移され、ＭＢＥでは真空中でＡｓ分子線をウェハ
表面にあてながら、またＭＯＣＶＤでは水素ガス中でア
ルシンガスを供給しながら、成長温度より高い温度まで
昇温され１０分程度加熱される。この過程はウェハのサ
ーマルクリーニング過程と呼ばれ、ＧａＡｓウェハ表面
の自然酸化膜を除去し、良質なエピタキシャル結晶を成
長するために行われる。このサーマルクリーニングは、
特にＭＢＥによる成長では不可欠であり、これを実施し
ないとウェハ表面に自然酸化膜が残ったままとなるた
め、単結晶を成長することができない。
長炉に移され、ＭＢＥでは真空中でＡｓ分子線をウェハ
表面にあてながら、またＭＯＣＶＤでは水素ガス中でア
ルシンガスを供給しながら、成長温度より高い温度まで
昇温され１０分程度加熱される。この過程はウェハのサ
ーマルクリーニング過程と呼ばれ、ＧａＡｓウェハ表面
の自然酸化膜を除去し、良質なエピタキシャル結晶を成
長するために行われる。このサーマルクリーニングは、
特にＭＢＥによる成長では不可欠であり、これを実施し
ないとウェハ表面に自然酸化膜が残ったままとなるた
め、単結晶を成長することができない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＧａＡｓウェハの処理技術には次のような問題
があった。
た従来のＧａＡｓウェハの処理技術には次のような問題
があった。
【０００６】（１）エッチングによるウェハ表面処理を
する必要があるので、工程が複雑で処理槽等の専用設備
が必要となるばかりか、成長前表面処理による汚染の危
険性大きい。
する必要があるので、工程が複雑で処理槽等の専用設備
が必要となるばかりか、成長前表面処理による汚染の危
険性大きい。
【０００７】（２）ＭＢＥでのサーマルクリーニング
は、成長温度より若干高いウェハ温度で行われるが、こ
のサーマルクリーニング温度の範囲は狭く、温度が高す
ぎるとＡｓが脱離して表面が劣化し、低すぎると自然酸
化膜の除去が不完全となり、良質なエピタキシャル結晶
を成長するこができない。
は、成長温度より若干高いウェハ温度で行われるが、こ
のサーマルクリーニング温度の範囲は狭く、温度が高す
ぎるとＡｓが脱離して表面が劣化し、低すぎると自然酸
化膜の除去が不完全となり、良質なエピタキシャル結晶
を成長するこができない。
【０００８】（３）図３に、鏡面仕上げしたＧａＡｓウ
ェハ５の表面４が変成したＧａＡｓ酸化物層１とＧａＡ
ｓ単結晶層３との界面の遷移層２の位置関係を示す。従
来のＧａＡｓウェハ表面４が変成した自然酸化膜である
ＧａＡｓ酸化物層１は、図４に示すような酸化物の含有
率のプロファイルを示す。Ｇａ酸化物ＧａＯとＡｓ酸化
物ＡｓＯの量比はほぼ１：１であり、表面から内部に向
かってＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物（ＧａＯ＋ＡｓＯ）
の割合は、徐々に減少している。これは、大気中の酸素
がＧａＡｓウェハ表面からウェハ内へ拡散することによ
りＧａＡｓ酸化物層が形成されるため、このような酸化
物プロファイルを示すのである。このように表面のＧａ
Ａｓ酸化物の深さ方向の濃度プロファイルが漸減型であ
ると、成長直前のウェハ表面エッチング処理をしない場
合、サーマルクリーニングによってＧａＡｓ酸化物を蒸
発させても、図５に示すようにＧａＡｓ酸化物が一部残
ってしまう。このため及び残った酸化物には汚染による
不純物が含まれているため、ＧａＡｓウェハ上に良質な
エピタキシャル結晶を成長するこができなかった。
ェハ５の表面４が変成したＧａＡｓ酸化物層１とＧａＡ
ｓ単結晶層３との界面の遷移層２の位置関係を示す。従
来のＧａＡｓウェハ表面４が変成した自然酸化膜である
ＧａＡｓ酸化物層１は、図４に示すような酸化物の含有
率のプロファイルを示す。Ｇａ酸化物ＧａＯとＡｓ酸化
物ＡｓＯの量比はほぼ１：１であり、表面から内部に向
かってＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物（ＧａＯ＋ＡｓＯ）
の割合は、徐々に減少している。これは、大気中の酸素
がＧａＡｓウェハ表面からウェハ内へ拡散することによ
りＧａＡｓ酸化物層が形成されるため、このような酸化
物プロファイルを示すのである。このように表面のＧａ
Ａｓ酸化物の深さ方向の濃度プロファイルが漸減型であ
ると、成長直前のウェハ表面エッチング処理をしない場
合、サーマルクリーニングによってＧａＡｓ酸化物を蒸
発させても、図５に示すようにＧａＡｓ酸化物が一部残
ってしまう。このため及び残った酸化物には汚染による
不純物が含まれているため、ＧａＡｓウェハ上に良質な
エピタキシャル結晶を成長するこができなかった。
【０００９】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、清浄な表面を有し、汚染されにくく、成長直
前にウェハ表面をエッチング処理しなくても、低温のサ
ーマルクリーニングで清浄な表面が容易に得られるＧａ
Ａｓウェハ及びその製造方法を提供することにある。
を解消し、清浄な表面を有し、汚染されにくく、成長直
前にウェハ表面をエッチング処理しなくても、低温のサ
ーマルクリーニングで清浄な表面が容易に得られるＧａ
Ａｓウェハ及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＧａＡｓウェハ
は、鏡面研磨されたＧａＡｓウェハの表面に変成される
ＧａＡｓ酸化物層とＧａＡｓウェハ表面との界面におい
て、下式で定義される界面の遷移層の厚さｄi が３Å以
下としたものである。
は、鏡面研磨されたＧａＡｓウェハの表面に変成される
ＧａＡｓ酸化物層とＧａＡｓウェハ表面との界面におい
て、下式で定義される界面の遷移層の厚さｄi が３Å以
下としたものである。
【００１１】ｄi ＝ｄ1 −ｄ90 ここで、ｄ1 ：ＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物含有率がＧ
ａＡｓ酸化物層の最外表面の含有率の１％となるＧａＡ
ｓ酸化物層の最外表面からの深さ。
ａＡｓ酸化物層の最外表面の含有率の１％となるＧａＡ
ｓ酸化物層の最外表面からの深さ。
【００１２】ｄ90：ＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物含有率
がＧａＡｓ酸化物層の最外表面の含有率の９０％となる
ＧａＡｓ酸化物層の最外表面からの深さ。
がＧａＡｓ酸化物層の最外表面の含有率の９０％となる
ＧａＡｓ酸化物層の最外表面からの深さ。
【００１３】界面の遷移層とは、ＧａＡｓ酸化物層とＧ
ａＡｓウェハ表面とが界をなす境界部位を含めた酸化物
含有量の連続的変化領域が形成される領域層である。こ
の遷移層の厚さｄi を３Å以下としたのは、１原子層＝
２、８３Åであることから、これに近い値を設定するこ
とでＧａＡｓウェハの表面酸化物の深さ方向のプロファ
イルを急峻にするためで、このように急峻でないと清浄
な表面が容易に得られないからである。また、ＧａＡｓ
ウェハの表面のＧａＡｓ酸化物層を「形成」とはせずに
「変成」としたのは、ＧａＡｓウェハを作ると、その表
面から自然酸化膜が内部に向ってできるもので、表面に
積み重なってできるものではないからである。
ａＡｓウェハ表面とが界をなす境界部位を含めた酸化物
含有量の連続的変化領域が形成される領域層である。こ
の遷移層の厚さｄi を３Å以下としたのは、１原子層＝
２、８３Åであることから、これに近い値を設定するこ
とでＧａＡｓウェハの表面酸化物の深さ方向のプロファ
イルを急峻にするためで、このように急峻でないと清浄
な表面が容易に得られないからである。また、ＧａＡｓ
ウェハの表面のＧａＡｓ酸化物層を「形成」とはせずに
「変成」としたのは、ＧａＡｓウェハを作ると、その表
面から自然酸化膜が内部に向ってできるもので、表面に
積み重なってできるものではないからである。
【００１４】また、本発明のＧａＡｓウェハの製造方法
は、ＧａＡｓウェハを鏡面研磨し、鏡面研磨した後に変
成される自然酸化膜の付いたＧａＡｓウェハを強制酸化
してＧａＡｓウェハ表面に酸化物層を形成し、この強制
酸化した酸化物層を除去して、上記請求項１に記載の厚
さｄi を３Å以下とする遷移層を得るようにしたもので
ある。このようにして強制酸化を導入することによりエ
ッチング処理を除くことができ、しかも急峻な特性が得
られる。
は、ＧａＡｓウェハを鏡面研磨し、鏡面研磨した後に変
成される自然酸化膜の付いたＧａＡｓウェハを強制酸化
してＧａＡｓウェハ表面に酸化物層を形成し、この強制
酸化した酸化物層を除去して、上記請求項１に記載の厚
さｄi を３Å以下とする遷移層を得るようにしたもので
ある。このようにして強制酸化を導入することによりエ
ッチング処理を除くことができ、しかも急峻な特性が得
られる。
【００１５】なお、Ａｓが脱離して表面が劣化しないよ
うに、ＧａＡｓ酸化物層中のＡｓ酸化物の濃度がＧａ酸
化物の濃度の１０倍以上であること、また、エピタキシ
ャル層に異常成長部が発生しないように、ＧａＡｓ酸化
物層の厚さが１００Å以下であることが好ましい。
うに、ＧａＡｓ酸化物層中のＡｓ酸化物の濃度がＧａ酸
化物の濃度の１０倍以上であること、また、エピタキシ
ャル層に異常成長部が発生しないように、ＧａＡｓ酸化
物層の厚さが１００Å以下であることが好ましい。
【００１６】
【作用】ＧａＡｓ表面を酸化薬剤やオゾン酸化などによ
って強制的に酸化させると、もともと存在していた自然
酸化膜も含めて、表面より更に深くまで酸化物層が形成
され、この酸化物層は、図１に実線で示すような階段型
の急峻なプロファイルを有することになる。この強制酸
化した酸化物層を除去することにより、表面の不純物が
除去されると共に、酸化物層除去後のＧａＡｓ表面に
は、Ａｓリッチで、かつ、図１に点線で示すように下地
のＧａＡｓ単結晶との界面に急峻な酸化物層が新たに形
成される。この新たに形成された表面酸化物層は、その
深さ方向のプロファイルが極めて急峻であるので、大気
中の酸素の侵入に対して安定であり、サーマルクリーニ
ングによって容易に蒸発させることができ、そのための
サーマルクリーニングに要する温度と時間を一層低温か
つ短時間にすることができる。
って強制的に酸化させると、もともと存在していた自然
酸化膜も含めて、表面より更に深くまで酸化物層が形成
され、この酸化物層は、図１に実線で示すような階段型
の急峻なプロファイルを有することになる。この強制酸
化した酸化物層を除去することにより、表面の不純物が
除去されると共に、酸化物層除去後のＧａＡｓ表面に
は、Ａｓリッチで、かつ、図１に点線で示すように下地
のＧａＡｓ単結晶との界面に急峻な酸化物層が新たに形
成される。この新たに形成された表面酸化物層は、その
深さ方向のプロファイルが極めて急峻であるので、大気
中の酸素の侵入に対して安定であり、サーマルクリーニ
ングによって容易に蒸発させることができ、そのための
サーマルクリーニングに要する温度と時間を一層低温か
つ短時間にすることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。既述した
従来と同一の方法でポリッシュにより表面を鏡面仕上げ
したＧａＡｓウェハに、脱脂処理を施した後、強制的に
酸化処理して元々存在していた自然酸化膜も含めて、よ
り深くまで酸化層を形成し、引続き酸化層の除去処理を
行った。ここで、脱脂処理の具体例としては、アセト
ン、メチルアルコールなどの有機溶剤を用いた洗浄、
オゾン雰囲気での有機物の分解、気化による洗浄などが
ある。また、強制酸化処理の具体例としては、過酸化
水素水溶液などの過酸化物を含んだ溶液によるウェット
処理、紫外線照射などにより発生させたオゾンによる
酸化処理、熱酸化処理、酸素プラズマによる酸化処理な
どのドライ処理などがある。酸化層除去処理の具体的方
法は、塩酸、硫酸、フッ酸などの酸性水溶液によるウ
ェット処理、超純水による洗浄処理、水素雰囲気で
の過熱によるドライ処理などがある。
従来と同一の方法でポリッシュにより表面を鏡面仕上げ
したＧａＡｓウェハに、脱脂処理を施した後、強制的に
酸化処理して元々存在していた自然酸化膜も含めて、よ
り深くまで酸化層を形成し、引続き酸化層の除去処理を
行った。ここで、脱脂処理の具体例としては、アセト
ン、メチルアルコールなどの有機溶剤を用いた洗浄、
オゾン雰囲気での有機物の分解、気化による洗浄などが
ある。また、強制酸化処理の具体例としては、過酸化
水素水溶液などの過酸化物を含んだ溶液によるウェット
処理、紫外線照射などにより発生させたオゾンによる
酸化処理、熱酸化処理、酸素プラズマによる酸化処理な
どのドライ処理などがある。酸化層除去処理の具体的方
法は、塩酸、硫酸、フッ酸などの酸性水溶液によるウ
ェット処理、超純水による洗浄処理、水素雰囲気で
の過熱によるドライ処理などがある。
【００１８】このような表面処理を行ったＧａＡｓウェ
ハを種々作成し、表面のＧａＡｓ酸化物層の遷移層厚さ
ｄi とＭＢＥ成長におけるサーマルクリーニング時間ｔ
thの関係を調べた。その関係を示したのが図２である。
同図で、ＧａＡｓウェハ表面のＧａＡｓ酸化物層の遷移
層の厚さｄi （Å）は、ＸＰＳ（X-ray photoelectron
spectroscopy）により測定した。
ハを種々作成し、表面のＧａＡｓ酸化物層の遷移層厚さ
ｄi とＭＢＥ成長におけるサーマルクリーニング時間ｔ
thの関係を調べた。その関係を示したのが図２である。
同図で、ＧａＡｓウェハ表面のＧａＡｓ酸化物層の遷移
層の厚さｄi （Å）は、ＸＰＳ（X-ray photoelectron
spectroscopy）により測定した。
【００１９】既述した図４にＸＰＳによる測定例と酸化
物層の遷移層の厚さｄi の定義を示す。同図で、縦軸は
ＸＰＳで測定したＧａ−Ａｓ結合からの信号、Ｇａ−Ｏ
結合からの信号、Ａｓ−Ｏ結合からの信号の各強度より
求めたＧａ酸化物及びＡｓ酸化物のＧａＡｓ中の含有率
（（ＧａＯ＋ＡｓＯ）／ＧａＡｓ）を示し、横軸はＧａ
Ａｓウェハ表面からの深さを示す。このプロファイルは
Ｘ線の入射角度を変えることにより求めた。酸化物層の
遷移層の厚さｄi は、ＧａＡｓウェハ最外表面のＧａＡ
ｓ酸化物含有率をｎo 、含有率がｎo の９０％となる時
の表面からの深さをｄ90、含有率がｎo の１％となる時
の表面からの深さをｄ1 とすると、ｄi＝ｄ1 −ｄ90と
定義して求めた。
物層の遷移層の厚さｄi の定義を示す。同図で、縦軸は
ＸＰＳで測定したＧａ−Ａｓ結合からの信号、Ｇａ−Ｏ
結合からの信号、Ａｓ−Ｏ結合からの信号の各強度より
求めたＧａ酸化物及びＡｓ酸化物のＧａＡｓ中の含有率
（（ＧａＯ＋ＡｓＯ）／ＧａＡｓ）を示し、横軸はＧａ
Ａｓウェハ表面からの深さを示す。このプロファイルは
Ｘ線の入射角度を変えることにより求めた。酸化物層の
遷移層の厚さｄi は、ＧａＡｓウェハ最外表面のＧａＡ
ｓ酸化物含有率をｎo 、含有率がｎo の９０％となる時
の表面からの深さをｄ90、含有率がｎo の１％となる時
の表面からの深さをｄ1 とすると、ｄi＝ｄ1 −ｄ90と
定義して求めた。
【００２０】サーマルクリーニングはＭＢＥ成長室内で
行い、ウェハ温度５５０℃でＲＨＥＥＤ（反射高速電子
線回折法）観察により明瞭な２×４構造が見えるまでの
時間をサーマルクリーニング時間ｔthとした。図２に示
すｄi とｔthの関係から、ＧａＡｓ酸化物層とＧａＡｓ
の界面の遷移層の厚さｄi が３Å（約１原子層）以下で
サーマルクリーニング時間は１０秒以下となることがわ
かった。また、この条件でサーマルクリーニングし成長
したＧａＡｓエピタキシャル層の表面は非常に清浄であ
った。
行い、ウェハ温度５５０℃でＲＨＥＥＤ（反射高速電子
線回折法）観察により明瞭な２×４構造が見えるまでの
時間をサーマルクリーニング時間ｔthとした。図２に示
すｄi とｔthの関係から、ＧａＡｓ酸化物層とＧａＡｓ
の界面の遷移層の厚さｄi が３Å（約１原子層）以下で
サーマルクリーニング時間は１０秒以下となることがわ
かった。また、この条件でサーマルクリーニングし成長
したＧａＡｓエピタキシャル層の表面は非常に清浄であ
った。
【００２１】
【発明の効果】（１）請求項１に記載のＧａＡｓウェハ
によれば、表面酸化物層の深さ方向のプロファイルが急
峻であるため、容易にサーマルクリーニングでき、高品
質なエピタキシャル成長が可能となる。
によれば、表面酸化物層の深さ方向のプロファイルが急
峻であるため、容易にサーマルクリーニングでき、高品
質なエピタキシャル成長が可能となる。
【００２２】（２）請求項２に記載のＧａＡｓウェハの
製造方法によれば、エピタキシャル成長前にエッチング
処理をする必要がなくなるので、工程省略による経済的
効果が大きく、成長前表面処理による汚染の危険性がな
くなる。また、急峻なプロファイルがＧａＡｓウェハ表
面の強制酸化により容易に得ることができる一方、強制
酸化層除去処理により、ＧａＡｓウェハ表面の不純物を
除去でき、清浄な表面を有するＧａＡｓウェハを得るこ
とができる。従って、サーマルクリーニングの低温化、
短時間化が可能となり、サーマルクリーニング条件の範
囲が拡がり、より安定なサーマルクリーニングが可能と
なる。
製造方法によれば、エピタキシャル成長前にエッチング
処理をする必要がなくなるので、工程省略による経済的
効果が大きく、成長前表面処理による汚染の危険性がな
くなる。また、急峻なプロファイルがＧａＡｓウェハ表
面の強制酸化により容易に得ることができる一方、強制
酸化層除去処理により、ＧａＡｓウェハ表面の不純物を
除去でき、清浄な表面を有するＧａＡｓウェハを得るこ
とができる。従って、サーマルクリーニングの低温化、
短時間化が可能となり、サーマルクリーニング条件の範
囲が拡がり、より安定なサーマルクリーニングが可能と
なる。
【図１】本発明の実施例によるＧａＡｓウェハの表面近
傍におけるＧａＡｓ酸化物の含有率の深さ方向プロファ
イル例を示す特性図。
傍におけるＧａＡｓ酸化物の含有率の深さ方向プロファ
イル例を示す特性図。
【図２】本実施例による界面遷移層の厚さｄi とサーマ
ルクリーニング時間ｔthとの関係を示す特性図。
ルクリーニング時間ｔthとの関係を示す特性図。
【図３】鏡面仕上げしたＧａＡｓウェハの表面近傍を示
す断面図。
す断面図。
【図４】従来のＧａＡｓウェハの表面近傍におけるＧａ
Ａｓ酸化物の含有率の深さ方向のプロファイル例を示す
特性図。
Ａｓ酸化物の含有率の深さ方向のプロファイル例を示す
特性図。
【図５】従来のＧａＡｓウェハをサーマルクリーニング
した場合の表面近傍のＧａＡｓ酸化物の含有率の深さ方
向のプロファイル例を示す特性図。
した場合の表面近傍のＧａＡｓ酸化物の含有率の深さ方
向のプロファイル例を示す特性図。
１ 鏡面研磨したＧａＡｓウェハ表面上に形成されるＧ
ａＡｓ酸化物層 ２ ＧａＡｓウェハ表面とその表面上に形成されるＧａ
Ａｓ酸化物層との界面の遷移層 ３ ＧａＡｓウェハ ４ ＧａＡｓウェハの表面
ａＡｓ酸化物層 ２ ＧａＡｓウェハ表面とその表面上に形成されるＧａ
Ａｓ酸化物層との界面の遷移層 ３ ＧａＡｓウェハ ４ ＧａＡｓウェハの表面
Claims (4)
- 【請求項１】鏡面研磨されたＧａＡｓウェハの表面に変
成されるＧａＡｓ酸化物層とＧａＡｓ単結晶層との界面
において、下式で定義される界面の遷移層の厚さｄi が
３Å以下であることを特徴とするＧａＡｓウェハ。 ｄi ＝ｄ1 −ｄ90 ここで、ｄ1 ：ＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物含有率がＧ
ａＡｓ酸化物層の最外表面の含有率の１％となるＧａＡ
ｓ酸化物層の最外表面からの深さ。 ｄ90：ＧａＡｓ中のＧａＡｓ酸化物含有率がＧａＡｓ酸
化物層の最外表面の含有率の９０％となるＧａＡｓ酸化
物層の最外表面からの深さ。 - 【請求項２】ＧａＡｓウェハを鏡面研磨し、鏡面研磨し
た後に変成される自然酸化膜の付いたＧａＡｓウェハを
強制酸化してＧａＡｓウェハに酸化物層を形成し、この
強制酸化した酸化物層を除去して、上記請求項１に記載
の厚さｄi を３Å以下とする遷移層を得るようにしたこ
とを特徴とするＧａＡｓウェハの製造方法。 - 【請求項３】上記ＧａＡｓ酸化物層中のＡｓ酸化物の濃
度がＧａ酸化物の濃度の１０倍以上である請求項１に記
載のＧａＡｓウェハ。 - 【請求項４】上記ＧａＡｓ酸化物層の厚さが１００Å以
下である請求項１に記載のＧａＡｓウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19683292A JP2970236B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | ＧａＡｓウェハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19683292A JP2970236B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | ＧａＡｓウェハ及びその製造方法 |
Publications (2)
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| JPH0645318A true JPH0645318A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2970236B2 JP2970236B2 (ja) | 1999-11-02 |
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| JP (1) | JP2970236B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8237532B2 (en) | 2008-12-11 | 2012-08-07 | Sanken Electric Co., Ltd. | Electronic circuit device |
| WO2024057533A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP19683292A patent/JP2970236B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| US8237532B2 (en) | 2008-12-11 | 2012-08-07 | Sanken Electric Co., Ltd. | Electronic circuit device |
| WO2024057533A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 |
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| JP2970236B2 (ja) | 1999-11-02 |
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