JP2007088013A - 金属酸化物薄膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板2を化学溶液に浸し、半導体基板2上に酸化膜4を形成する。その後、半導体基板2を成膜装置に導入し、単結晶金属酸化物薄膜6を成膜させる。半導体基板2を加熱した状態で、成膜装置内で、金属原子および酸化ガスを半導体基板2の酸化膜4に供給する。酸化膜4は金属原子に還元され、半導体基板2の表面に単結晶金属酸化物薄膜6が成膜される。
【選択図】図1
Description
Higashiら、AppliedPhysics Letter、56(7)巻、1990年発行、656頁 A.Ishizaka,Y. Shirakiら、Journal of Electro-Chemical Society、133巻、1996年発行、666頁
本発明を実施するための具体的な実施例について、以下に詳細に説明する。なお、実施例1の説明を容易にするために、上述した第1の実施形態で用いた図1を実施例1に流用して説明する。なお、第1の実施形態の一例を実施例1として説明するのであって、第1の実施形態の内容を実施例1に限定するものではない。
実施例と比較するための比較例の成膜方法について説明する。比較例は、シリコン基板(111)上を実施例1と同じ条件でRCA化学洗浄およびHF:H2O=1:50の溶液での化学洗浄を行った。その後、シリコン基板をMBE装置に導入し、1×10−6Paの真空中においてシリコン基板の温度を750℃に加熱し、ルツボ温度を1140℃に保ちAl−KcellからAl蒸気をシリコン基板表面に照射し、併せて超高真空バリアブルリークバルブを介してN2Oをチャンパー圧力が5×10−2Paとなるように導入し、この状態を一時間保持した。
4 酸化膜
6 単結晶金属酸化物薄膜
Claims (8)
- 半導体基板の表面に酸化膜を形成する第一のステップと
酸化膜が形成された半導体基板に金属原子および酸素ガスを供給して、前記半導体基板上に金属酸化物薄膜を形成する第二のステップと、
からなる金属酸化物薄膜の形成方法。 - 前記金属酸化物薄膜が、γ−Al2O3膜であることを特徴とする請求項1に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。
- 前記γ−Al2O3膜の形成に用いる材料が、Al蒸気および酸化ガスであることを特徴とする請求項2に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。
- 前記γ−Al2O3膜の成膜時の半導体基板の温度は、650℃から850℃であることを特徴とする請求項2から3に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。
- 前記γ−Al2O3膜の成膜の方法として、Al蒸気と酸化ガスを用いた混成ソースMBE法を用いることを特徴とする請求項1から4に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。
- 前記酸化膜を、前記半導体基板を化学溶液に浸して形成することを特徴とする請求項1から5に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。
- 前記化学溶液は、常温から沸騰するまでの温度範囲とすることを特徴とする請求項6に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。
- 前記第一のステップの前の段階のおいて、
前記半導体基板の表面を、前記半導体基板の表面が露出する領域と、前記半導体基板の表面を熱酸化膜が覆う領域とにパターニングするステップをさらに備えたことを特徴とする請求項1から7に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。
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