JPH0613328A - 化合物半導体薄膜の成長方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の成長方法Info
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- JPH0613328A JPH0613328A JP4170604A JP17060492A JPH0613328A JP H0613328 A JPH0613328 A JP H0613328A JP 4170604 A JP4170604 A JP 4170604A JP 17060492 A JP17060492 A JP 17060492A JP H0613328 A JPH0613328 A JP H0613328A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、化合物半導体薄膜の成長方法に関
し、シリコン基板上に３−５族化合物半導体薄膜を成長
する際、結晶性及び表面モホロジーに十分優れた膜質の
３−５族化合物半導体薄膜を得ることができる化合物半
導体薄膜の成長方法を提供することを目的とする。 【構成】 シリコン基板上に３−５族化合物半導体薄膜
を成長する方法において、該シリコン基板を高温熱処理
して表面処理した後、該シリコン基板を１５０℃以上４
００℃以下の低温まで降温し、降温し終わったと同時に
該シリコン基板表面に５族源ガスを導入することによ
り、該シリコン基板上に第１の３−５族化合物半導体薄
膜を成長し、次いで、該５族源ガスをそのまま導入した
状態あるいは該５族源ガスを別の５族源ガスに切り換え
た状態で該第１の３−５族化合物半導体薄膜を成長した
温度よりも昇温して更に該第１の３−５族化合物半導体
薄膜上に第２の３−５族化合物半導体薄膜を成長するよ
うに構成する。
し、シリコン基板上に３−５族化合物半導体薄膜を成長
する際、結晶性及び表面モホロジーに十分優れた膜質の
３−５族化合物半導体薄膜を得ることができる化合物半
導体薄膜の成長方法を提供することを目的とする。 【構成】 シリコン基板上に３−５族化合物半導体薄膜
を成長する方法において、該シリコン基板を高温熱処理
して表面処理した後、該シリコン基板を１５０℃以上４
００℃以下の低温まで降温し、降温し終わったと同時に
該シリコン基板表面に５族源ガスを導入することによ
り、該シリコン基板上に第１の３−５族化合物半導体薄
膜を成長し、次いで、該５族源ガスをそのまま導入した
状態あるいは該５族源ガスを別の５族源ガスに切り換え
た状態で該第１の３−５族化合物半導体薄膜を成長した
温度よりも昇温して更に該第１の３−５族化合物半導体
薄膜上に第２の３−５族化合物半導体薄膜を成長するよ
うに構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板上への３
−５族化合物半導体薄膜の成長方法に係り、特に、結晶
性及び表面モホロジーが良好な３−５族化合物半導体薄
膜を得ることができる化合物半導体薄膜の成長方法に関
する。近年、ＧａＡｓ等の３−５族化合物半導体薄膜に
おいては、高速ＦＥＴ等の高速デバイスに利用され注目
されている。そして、シリコン基板上に３−５族化合物
半導体薄膜を成長する場合においては、結晶性及び表面
モホロジーが良好な３−５族化合物半導体薄膜を得るこ
とができる化合物半導体薄膜の成長方法が要求されてい
る。
−５族化合物半導体薄膜の成長方法に係り、特に、結晶
性及び表面モホロジーが良好な３−５族化合物半導体薄
膜を得ることができる化合物半導体薄膜の成長方法に関
する。近年、ＧａＡｓ等の３−５族化合物半導体薄膜に
おいては、高速ＦＥＴ等の高速デバイスに利用され注目
されている。そして、シリコン基板上に３−５族化合物
半導体薄膜を成長する場合においては、結晶性及び表面
モホロジーが良好な３−５族化合物半導体薄膜を得るこ
とができる化合物半導体薄膜の成長方法が要求されてい
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン基板上にＧａＡｓ等の３
−５族化合物薄膜を成長する方法については、次のよう
に行っていた。まず、図３のＡに示す如く、水素ガスと
５族源ガスを導入して水素ガスと５族源ガスの雰囲気に
するとともに、シリコン基板を１０００℃程度まで昇温
し、この高温下でシリコン基板を高温熱処理（プリベー
ク）して、自然酸化膜等の汚染除去のための表面処理を
行う。その後、５族源ガスを導入した状態でシリコン基
板を４５０℃の低温まで降温することにより、シリコン
基板上に初期層となる３−５族化合物半導体薄膜を成長
する。そして、５族源ガスを導入した状態でシリコン基
板を６００〜７５０℃まで昇温して上記初期層上に更に
エピ層となる３−５族化合物半導体薄膜を成長する。以
上の工程を通すことによりシリコン基板上に３−５族化
合物半導体薄膜を成長していた。
−５族化合物薄膜を成長する方法については、次のよう
に行っていた。まず、図３のＡに示す如く、水素ガスと
５族源ガスを導入して水素ガスと５族源ガスの雰囲気に
するとともに、シリコン基板を１０００℃程度まで昇温
し、この高温下でシリコン基板を高温熱処理（プリベー
ク）して、自然酸化膜等の汚染除去のための表面処理を
行う。その後、５族源ガスを導入した状態でシリコン基
板を４５０℃の低温まで降温することにより、シリコン
基板上に初期層となる３−５族化合物半導体薄膜を成長
する。そして、５族源ガスを導入した状態でシリコン基
板を６００〜７５０℃まで昇温して上記初期層上に更に
エピ層となる３−５族化合物半導体薄膜を成長する。以
上の工程を通すことによりシリコン基板上に３−５族化
合物半導体薄膜を成長していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の化合物半導体薄膜の成長方法では、図３のＡに
示すように、初期層の３−５族化合物半導体薄膜の成長
前の高温処理全工程中に水素ガス以外に５族源ガスも導
入していたため、水素ガスの還元反応が進む以外に高温
下のため５族源ガスも分解反応してしまい、活性水素が
シリコン基板をアタックする等して、シリコン基板の表
面モホロジーが悪化してしまっていた。このため、表面
モホロジーが悪化した状態で初期層、エピ層の３−５族
化合物半導体薄膜を成長していたため、得られる３−５
族化合物半導体薄膜の結晶性、表面モホロジーは著しく
悪化してしまうという問題があった。
た従来の化合物半導体薄膜の成長方法では、図３のＡに
示すように、初期層の３−５族化合物半導体薄膜の成長
前の高温処理全工程中に水素ガス以外に５族源ガスも導
入していたため、水素ガスの還元反応が進む以外に高温
下のため５族源ガスも分解反応してしまい、活性水素が
シリコン基板をアタックする等して、シリコン基板の表
面モホロジーが悪化してしまっていた。このため、表面
モホロジーが悪化した状態で初期層、エピ層の３−５族
化合物半導体薄膜を成長していたため、得られる３−５
族化合物半導体薄膜の結晶性、表面モホロジーは著しく
悪化してしまうという問題があった。
【０００４】このため、上記したシリコン基板の表面モ
ホロジーが悪化するという問題を改善するために、例え
ば特開平２−１７５６９０号公報で報告された従来の化
合物半導体薄膜の成長方法では、５族源ガスの導入を初
期層前の高温熱処理の全工程中に行ってしまうのではな
く、図３のＢに示すように、プリベーク後の降温中にお
いて、６００〜７５０℃のエピ層成長温度以下に達した
時点から５族源ガスを導入している。
ホロジーが悪化するという問題を改善するために、例え
ば特開平２−１７５６９０号公報で報告された従来の化
合物半導体薄膜の成長方法では、５族源ガスの導入を初
期層前の高温熱処理の全工程中に行ってしまうのではな
く、図３のＢに示すように、プリベーク後の降温中にお
いて、６００〜７５０℃のエピ層成長温度以下に達した
時点から５族源ガスを導入している。
【０００５】この化合物半導体薄膜の成長方法では、初
期層成長前の５族源ガスの導入を図３のＡの場合よりも
遅らせ、しかも図３のＡの場合よりも導入後の最高温度
を低温にしているため、図３のＡの場合よりもシリコン
基板の表面モホロジーがある程度改善され、これによ
り、得られる３−５族化合物半導体薄膜の結晶性がある
程度改善されるものの、得られる３−５族化合物半導体
薄膜の表面モホロジーについては未だ悪化しているとい
う問題があった。
期層成長前の５族源ガスの導入を図３のＡの場合よりも
遅らせ、しかも図３のＡの場合よりも導入後の最高温度
を低温にしているため、図３のＡの場合よりもシリコン
基板の表面モホロジーがある程度改善され、これによ
り、得られる３−５族化合物半導体薄膜の結晶性がある
程度改善されるものの、得られる３−５族化合物半導体
薄膜の表面モホロジーについては未だ悪化しているとい
う問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、シリコン基板上に３−
５族化合物半導体薄膜を成長する際、結晶性及び表面モ
ホロジーに十分優れた膜質の３−５族化合物半導体薄膜
を得ることができる化合物半導体薄膜の成長方法を提供
することを目的としている。
５族化合物半導体薄膜を成長する際、結晶性及び表面モ
ホロジーに十分優れた膜質の３−５族化合物半導体薄膜
を得ることができる化合物半導体薄膜の成長方法を提供
することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による化合物半導
体薄膜の成長方法は上記目的達成のため、シリコン基板
上に３−５族化合物半導体薄膜を成長する方法におい
て、該シリコン基板を第１の温度で熱処理して、表面処
理する工程と、該シリコン基板を１５０℃以上４００℃
以下の第２の温度まで降温した後、該シリコン基板表面
への５族源ガスの供給を開始する工程と、該シリコン基
板上に第１の３−５族化合物半導体薄膜を成長する工程
と、該第２の温度よりも高い第３の温度にて該第１の３
−５族化合物半導体薄膜上に第２の３−５族化合物半導
体薄膜を成長するものである。
体薄膜の成長方法は上記目的達成のため、シリコン基板
上に３−５族化合物半導体薄膜を成長する方法におい
て、該シリコン基板を第１の温度で熱処理して、表面処
理する工程と、該シリコン基板を１５０℃以上４００℃
以下の第２の温度まで降温した後、該シリコン基板表面
への５族源ガスの供給を開始する工程と、該シリコン基
板上に第１の３−５族化合物半導体薄膜を成長する工程
と、該第２の温度よりも高い第３の温度にて該第１の３
−５族化合物半導体薄膜上に第２の３−５族化合物半導
体薄膜を成長するものである。
【０００８】本発明に係る第１、第２の３−５族化合物
半導体薄膜の構成材料には、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、Ａｌ
ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ等が挙げられ、その好ましい組み
合わせには、第２の３−５族化合物半導体（エピ層）／
第１の３−５族化合物半導体（初期層）とすると、Ｇａ
Ａｓ／ＧａＡｓ、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓ、ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ等が挙げられる。な
お、初期層となる第１の３−５族化合物半導体として
は、Ａｌを含有させると２次元成長を安定に行うことが
でき好ましい。また、５族源ガスには、アルシン、ター
シャリブチルアルシン、エチルアルシン等が挙げられ
る。
半導体薄膜の構成材料には、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、Ａｌ
ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ等が挙げられ、その好ましい組み
合わせには、第２の３−５族化合物半導体（エピ層）／
第１の３−５族化合物半導体（初期層）とすると、Ｇａ
Ａｓ／ＧａＡｓ、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓ、ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ等が挙げられる。な
お、初期層となる第１の３−５族化合物半導体として
は、Ａｌを含有させると２次元成長を安定に行うことが
でき好ましい。また、５族源ガスには、アルシン、ター
シャリブチルアルシン、エチルアルシン等が挙げられ
る。
【０００９】本発明において、第１の３−５族化合物半
導体薄膜を成長する際のシリコン基板の下限程度を１５
０℃にしているのは、１５０℃より低温にすると、成長
速度が著しく低下してしまい実用上好ましくないからで
あり、また、シリコン基板の上限温度を４００℃にして
いるのは、基板表面に凹凸が生じて表面が著しく荒れて
しまい実用上好ましくないからである。
導体薄膜を成長する際のシリコン基板の下限程度を１５
０℃にしているのは、１５０℃より低温にすると、成長
速度が著しく低下してしまい実用上好ましくないからで
あり、また、シリコン基板の上限温度を４００℃にして
いるのは、基板表面に凹凸が生じて表面が著しく荒れて
しまい実用上好ましくないからである。
【００１０】本発明において、前記シリコン基板の高温
熱処理は水素ガス雰囲気中で行う場合が好ましく、この
場合、更に基板温度を１０００℃程度の高温にすること
で基板表面に生じた自然酸化膜等の汚れを除去すること
ができる。本発明においては、５族源ガスの導入は、シ
リコン基板を１０００℃程度の高温熱処理で表面処理し
た後、１５０℃以上４００℃以下の低温にしてから行
う。高温熱処理中に５族源ガスを導入しないのは、高温
熱処理中に５族源ガスを導入してしまうと、分解して生
じた活性水素によって基板表面が荒れ、その上に成長す
る３−５族化合物半導体薄膜の結晶性、表面モホロジー
が悪化してしまうからである。
熱処理は水素ガス雰囲気中で行う場合が好ましく、この
場合、更に基板温度を１０００℃程度の高温にすること
で基板表面に生じた自然酸化膜等の汚れを除去すること
ができる。本発明においては、５族源ガスの導入は、シ
リコン基板を１０００℃程度の高温熱処理で表面処理し
た後、１５０℃以上４００℃以下の低温にしてから行
う。高温熱処理中に５族源ガスを導入しないのは、高温
熱処理中に５族源ガスを導入してしまうと、分解して生
じた活性水素によって基板表面が荒れ、その上に成長す
る３−５族化合物半導体薄膜の結晶性、表面モホロジー
が悪化してしまうからである。
【００１１】本発明においては、前記第２の３−５族化
合物半導体薄膜を成長する際の基板温度は６００℃以上
７５０℃以下にする場合が好ましく、この場合、基板の
下限温度として６００℃が好ましいのは、６００℃より
低温にすると、完全に単結晶化されずに多結晶化されて
しまい、膜質の良い単結晶膜が形成し難くなり好ましく
ないからであり、また、基板の上限温度として７５０℃
が好ましいのは、７５０℃より高温にすると、成長速度
が低下するうえ、特に、表面に凹凸が生じて表面が荒れ
表面モホロジーが悪くなり好ましくないからである。
合物半導体薄膜を成長する際の基板温度は６００℃以上
７５０℃以下にする場合が好ましく、この場合、基板の
下限温度として６００℃が好ましいのは、６００℃より
低温にすると、完全に単結晶化されずに多結晶化されて
しまい、膜質の良い単結晶膜が形成し難くなり好ましく
ないからであり、また、基板の上限温度として７５０℃
が好ましいのは、７５０℃より高温にすると、成長速度
が低下するうえ、特に、表面に凹凸が生じて表面が荒れ
表面モホロジーが悪くなり好ましくないからである。
【００１２】
【作用】本発明では、初期層の３−５族化合物半導体薄
膜の成長前には、５族源ガスを導入しないで水素ガス雰
囲気のみとし、水素ガスのみの雰囲気でシリコン基板を
高温処理したため、従来のような５族源ガス導入に伴う
５族源ガスの分解反応を生じさせることなく、シリコン
基板表面の表面荒れを防ぐことができる。しかも、従来
よりもシリコン基板を４００℃以下の低温まで降温して
いるため、シリコン基板表面のモホロジーを良好にする
ことができる。そして、このように、４００℃以下まで
低温にされた表面モホロジーが良好な状態のシリコン基
板表面に、改めて５族源ガスを導入するようにしたた
め、従来よりも初期層の成長温度及び５族源ガスの導入
温度を４００℃以下という低温で行うことができ、緻密
な膜質の初期層を得ることができる。このため、緻密な
膜質のエピ層も得ることができるため、その結果、結晶
性及び表面モホロジーに十分優れた膜質の３−５族化合
物半導体薄膜を得ることができる。
膜の成長前には、５族源ガスを導入しないで水素ガス雰
囲気のみとし、水素ガスのみの雰囲気でシリコン基板を
高温処理したため、従来のような５族源ガス導入に伴う
５族源ガスの分解反応を生じさせることなく、シリコン
基板表面の表面荒れを防ぐことができる。しかも、従来
よりもシリコン基板を４００℃以下の低温まで降温して
いるため、シリコン基板表面のモホロジーを良好にする
ことができる。そして、このように、４００℃以下まで
低温にされた表面モホロジーが良好な状態のシリコン基
板表面に、改めて５族源ガスを導入するようにしたた
め、従来よりも初期層の成長温度及び５族源ガスの導入
温度を４００℃以下という低温で行うことができ、緻密
な膜質の初期層を得ることができる。このため、緻密な
膜質のエピ層も得ることができるため、その結果、結晶
性及び表面モホロジーに十分優れた膜質の３−５族化合
物半導体薄膜を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の一実施例に則した化合物半導体薄膜の成長
方法における成長温度シーケンスを示す図である。本実
施例は、ＭＯＣＶＤ法を用いてシリコン基板上にＧａＡ
ｓ膜を成長させる場合である。シリコン基板は（００
１）面から〔１１０〕方向へ２度オフしたものを用い、
３族原料にはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、５族原料
にはアルシン（ＡｓＨ3 ）あるいはターシャリブチルア
ルシン（ＴＢＡｓ，（ＣＨ3)3 ＣＡｓＨ2 ）を用いる。
成長は図１に示す如くＳｉ基板上への、ＧａＡｓ成長等
でよく用いられている二段階成長法による。
１は本発明の一実施例に則した化合物半導体薄膜の成長
方法における成長温度シーケンスを示す図である。本実
施例は、ＭＯＣＶＤ法を用いてシリコン基板上にＧａＡ
ｓ膜を成長させる場合である。シリコン基板は（００
１）面から〔１１０〕方向へ２度オフしたものを用い、
３族原料にはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、５族原料
にはアルシン（ＡｓＨ3 ）あるいはターシャリブチルア
ルシン（ＴＢＡｓ，（ＣＨ3)3 ＣＡｓＨ2 ）を用いる。
成長は図１に示す如くＳｉ基板上への、ＧａＡｓ成長等
でよく用いられている二段階成長法による。
【００１４】まず、反応室内に水素ガスを１２ＳＬＭ程
度導入して水素ガス雰囲気にするとともに、シリコン基
板を１０００℃程度の高温まで昇温し、この１０００℃
程度の高温下でシリコン基板を１０分間高温熱処理する
ことにより、シリコン基板表面に生じている自然酸化膜
等を除去する。この時の反応室内雰囲気は、Ｈ2 ガスの
みとし、５族源ガスの供給は行わない。次いで、シリコ
ン基板を３５０〜４５０℃の低温まで降温したところ
で、反応室内に５族源ガスを５０ｓｃｃｍ程度導入し、
５〜１５分後より５族源ガスを４００ｓｃｃｍ程度まで
増加させるとともにＴＭＧを１８ｓｃｃｍ程度更に供給
して、厚さ５０〜２００Å程度のＧａＡｓ初期層を低温
成長させる。続いて、ＴＭＧの供給を停止するとともに
５族源ガスを５０ｓｃｃｍ程度まで減らしシリコン基板
を６５０℃程度まで昇温したところで、５族源ガスを２
００ｓｃｃｍ程度まで増加させるとともに、ＴＭＧを
２．５ｓｃｃｍ程度供給して、厚さ３μｍのＧａＡｓエ
ピ層を成長させる。
度導入して水素ガス雰囲気にするとともに、シリコン基
板を１０００℃程度の高温まで昇温し、この１０００℃
程度の高温下でシリコン基板を１０分間高温熱処理する
ことにより、シリコン基板表面に生じている自然酸化膜
等を除去する。この時の反応室内雰囲気は、Ｈ2 ガスの
みとし、５族源ガスの供給は行わない。次いで、シリコ
ン基板を３５０〜４５０℃の低温まで降温したところ
で、反応室内に５族源ガスを５０ｓｃｃｍ程度導入し、
５〜１５分後より５族源ガスを４００ｓｃｃｍ程度まで
増加させるとともにＴＭＧを１８ｓｃｃｍ程度更に供給
して、厚さ５０〜２００Å程度のＧａＡｓ初期層を低温
成長させる。続いて、ＴＭＧの供給を停止するとともに
５族源ガスを５０ｓｃｃｍ程度まで減らしシリコン基板
を６５０℃程度まで昇温したところで、５族源ガスを２
００ｓｃｃｍ程度まで増加させるとともに、ＴＭＧを
２．５ｓｃｃｍ程度供給して、厚さ３μｍのＧａＡｓエ
ピ層を成長させる。
【００１５】次に、本発明と比較例の場合におけるＧａ
Ａｓ膜の結晶性及び表面平坦性について、５族源ガス
種、その導入温度及び低温初期層の成長（基板）温度に
対する依存性を図２に示す。結晶性はＸ線二結晶法によ
るＸ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）で評価
し、その値が小さい程結晶性が良いことを示す。表面平
坦性は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による二乗平均粗さ
（視野５０μｍ□）で評価し、その値が小さい程表面平
坦性が良いことを示す。
Ａｓ膜の結晶性及び表面平坦性について、５族源ガス
種、その導入温度及び低温初期層の成長（基板）温度に
対する依存性を図２に示す。結晶性はＸ線二結晶法によ
るＸ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）で評価
し、その値が小さい程結晶性が良いことを示す。表面平
坦性は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による二乗平均粗さ
（視野５０μｍ□）で評価し、その値が小さい程表面平
坦性が良いことを示す。
【００１６】図２から明らかなように、４５０℃で低温
初期層を成長する比較例１、２では、５族源ガス導入温
度を従来の図３のＡの１０００℃から４５０℃に下げる
ことにより、結晶性は向上するものの、表面平坦性は悪
化していたのに対し、本発明１〜３では、初期層を４０
０℃以下の低温で成長するとともに、５族ガスの導入温
度も４００℃以下の低温にすることで、結晶性を向上さ
せつつ、表面平坦性も十分良好なものにすることができ
ることが判った。
初期層を成長する比較例１、２では、５族源ガス導入温
度を従来の図３のＡの１０００℃から４５０℃に下げる
ことにより、結晶性は向上するものの、表面平坦性は悪
化していたのに対し、本発明１〜３では、初期層を４０
０℃以下の低温で成長するとともに、５族ガスの導入温
度も４００℃以下の低温にすることで、結晶性を向上さ
せつつ、表面平坦性も十分良好なものにすることができ
ることが判った。
【００１７】なお、図２から使用する５族源ガスとして
は、ＡｓＨ3 よりはＴＢＡｓにする方が結晶性及び表面
平坦性を更に良好にすることができ、好ましいことが判
る。
は、ＡｓＨ3 よりはＴＢＡｓにする方が結晶性及び表面
平坦性を更に良好にすることができ、好ましいことが判
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、シリコン基板上に３−
５族化合物半導体薄膜を成長する際、結晶性及び表面モ
ホロジーに十分優れた膜質の３−５族化合物半導体薄膜
を得ることができるという効果がある。
５族化合物半導体薄膜を成長する際、結晶性及び表面モ
ホロジーに十分優れた膜質の３−５族化合物半導体薄膜
を得ることができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例に則した化合物半導体薄膜の
成長方法における成長温度シーケンスを示す図である。
成長方法における成長温度シーケンスを示す図である。
【図２】本発明と比較例との場合における結晶性及び表
面平坦性の結果を示す図である。
面平坦性の結果を示す図である。
【図３】従来例の化合物半導体薄膜の成長方法における
成長温度シーケンスを示す図である。
成長温度シーケンスを示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板上に３−５族化合物半導体
薄膜を成長する方法において、該シリコン基板を第１の
温度で熱処理して、表面処理する工程と、該シリコン基
板を１５０℃以上４００℃以下の第２の温度まで降温し
た後、該シリコン基板表面への５族源ガスの供給を開始
する工程と、該シリコン基板上に第１の３−５族化合物
半導体薄膜を成長する工程と、該第２の温度よりも高い
第３の温度にて該第１の３−５族化合物半導体薄膜上に
第２の３−５族化合物半導体薄膜を成長することを特徴
とする化合物半導体薄膜の成長方法。 - 【請求項２】 前記シリコン基板の第１の温度での熱処
理は、水素ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項
１記載の化合物半導体薄膜の成長方法。 - 【請求項３】 前記第２の３−５族化合物半導体薄膜を
成長する際の第３の温度は、６００℃以上７５０℃以下
にすることを特徴とする請求項１乃至２記載の化合物半
導体薄膜の成長方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04170604A JP3078927B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
| US08/047,202 US5492860A (en) | 1992-04-17 | 1993-04-16 | Method for growing compound semiconductor layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04170604A JP3078927B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3078927B2 JP3078927B2 (ja) | 2000-08-21 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04170604A Expired - Fee Related JP3078927B2 (ja) | 1992-04-17 | 1992-06-29 | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3078927B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177169A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板および半導体基板の製造方法 |
| JP2015512139A (ja) * | 2012-01-13 | 2015-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板上に第ｉｉｉ−ｖ族層を堆積させる方法 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP04170604A patent/JP3078927B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177169A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板および半導体基板の製造方法 |
| JP2015512139A (ja) * | 2012-01-13 | 2015-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板上に第ｉｉｉ−ｖ族層を堆積させる方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3078927B2 (ja) | 2000-08-21 |
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