JP2940705B2 - 半導体の表面処理方法 - Google Patents
半導体の表面処理方法Info
- Publication number
- JP2940705B2 JP2940705B2 JP26915790A JP26915790A JP2940705B2 JP 2940705 B2 JP2940705 B2 JP 2940705B2 JP 26915790 A JP26915790 A JP 26915790A JP 26915790 A JP26915790 A JP 26915790A JP 2940705 B2 JP2940705 B2 JP 2940705B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- algaas
- film
- thin plate
- semiconductor thin
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は半導体表面の処理方法に関する。
（ロ） 従来の技術 ガリウム・砒素（GaAs）からなる単結晶半導体の表面
をウエットエッチ後、硫化アンモニウム溶液に浸すこと
により、GaAs表面に硫黄（Ｓ）の膜を被着すれば、GaAs
表面が安定替することは既に知られている（応用物理第
58巻醍９号（1989）P1340）。ここに表面の安定化と
は、表面準位密度の低減をさす。
をウエットエッチ後、硫化アンモニウム溶液に浸すこと
により、GaAs表面に硫黄（Ｓ）の膜を被着すれば、GaAs
表面が安定替することは既に知られている（応用物理第
58巻醍９号（1989）P1340）。ここに表面の安定化と
は、表面準位密度の低減をさす。
（ハ） 発明が解決しようとする課題 GaAsに対する上記の安定化法は、他の化合物半導体、
特にアルミニウム・ガリウム・砒素（AlGaAs）の安定化
には有効ではない。なぜなら、AlGaAs表面をウエットエ
ッチングする際に、Alが酸化し、AlGaAs表面にAl酸化物
が生成されるため、斯る表面にＳを被着しても安定化の
作用は、ほとんど得られないのである。
特にアルミニウム・ガリウム・砒素（AlGaAs）の安定化
には有効ではない。なぜなら、AlGaAs表面をウエットエ
ッチングする際に、Alが酸化し、AlGaAs表面にAl酸化物
が生成されるため、斯る表面にＳを被着しても安定化の
作用は、ほとんど得られないのである。
本発明は、AlGaAs表面の安定化を効果的に行う方法を
提供するものである。
提供するものである。
（ニ） 課題を解決するための手段 本発明の半導体の表面処理方法は、AlGaAsからなる単
結晶半導体の表面をドライエッチング装置内でエッチン
グ後、前記装置内で引続き、前記表面にＳの膜を被着す
ることを特徴とする。
結晶半導体の表面をドライエッチング装置内でエッチン
グ後、前記装置内で引続き、前記表面にＳの膜を被着す
ることを特徴とする。
（ホ） 作用 本発明によれば、エッチング時及びその後Ｓの膜の被
着までの間、AlGaAsのAlが酸化されることがない。
着までの間、AlGaAsのAlが酸化されることがない。
（ヘ） 実施例 図は本発明方法を実施するためのドライエッチング装
置を示す。この装置は、周知のRIBE（反応性イオンビー
ムエッチング）装置とほぼ同様の構成を有する。ECRイ
オンソース（１）内に塩素（Cl2）ガス（２）とマイク
ロ波（３）とが導入され、その結果生ずるCl2プラズマ
が引出電極（４）によりビーム上に試料室（５）内に引
き出される。試料室（５）は排気路（６）を通じてクラ
イオポンプにより排気されている。半導体薄板（７）が
試料支持体（８）により支持され、試料室５内にて、当
初、Cl2プラズマビームを被曝する配置にある。よっ
て、半導体薄板（７）の表面がドライエッチングされ
る。
置を示す。この装置は、周知のRIBE（反応性イオンビー
ムエッチング）装置とほぼ同様の構成を有する。ECRイ
オンソース（１）内に塩素（Cl2）ガス（２）とマイク
ロ波（３）とが導入され、その結果生ずるCl2プラズマ
が引出電極（４）によりビーム上に試料室（５）内に引
き出される。試料室（５）は排気路（６）を通じてクラ
イオポンプにより排気されている。半導体薄板（７）が
試料支持体（８）により支持され、試料室５内にて、当
初、Cl2プラズマビームを被曝する配置にある。よっ
て、半導体薄板（７）の表面がドライエッチングされ
る。
試料室（５）内には、更にＳ蒸発用セル（９）が設け
られている。前記ドライエッチング後、試料支持体
（８）が回転し、半導体薄板（７）はセル（９）側に面
する配置となり、そこでセル（７）からＳの蒸発が行わ
れる。よって、エッチングされた上記半導体薄板（７）
表面にＳの膜が被着されることとなる。
られている。前記ドライエッチング後、試料支持体
（８）が回転し、半導体薄板（７）はセル（９）側に面
する配置となり、そこでセル（７）からＳの蒸発が行わ
れる。よって、エッチングされた上記半導体薄板（７）
表面にＳの膜が被着されることとなる。
上記装置を用いたドライエッチングとＳ膜被着の操作
例を以下に、具体的に説明する。
例を以下に、具体的に説明する。
半導体薄板（７）として、GaAs基板上にMBE（分子線
エピタキシャル）法により厚さ10μｍのAl0.4Ga0.6Asか
らなる単結晶半導体を形成したものが準備された。
エピタキシャル）法により厚さ10μｍのAl0.4Ga0.6Asか
らなる単結晶半導体を形成したものが準備された。
ドライエッチング条件は、次の通りである。
マイクロ波（３）出力:200W Cl2ガス（２）導入圧力:6×10-2Pa 引き出し電極（４）における引き出し電圧:400V 半導体薄板（７）の温度:50℃ エッチング時間:7分間 以上の条件化において、エッチングレートは0.3μm/
分であり、よって、半導体薄板（７）のAlGaAsは約２μ
ｍエッチングされる。
分であり、よって、半導体薄板（７）のAlGaAsは約２μ
ｍエッチングされる。
次いで、半導体薄板（７）をセル（９）側に面すると
共に、半導体薄板（７）の温度を25℃に下げ、その後、
セル（９）の温度を70℃に上げた。この状態を３分間維
持することにより半導体薄板（７）のAlGaAs表面にＳの
膜が被着される。
共に、半導体薄板（７）の温度を25℃に下げ、その後、
セル（９）の温度を70℃に上げた。この状態を３分間維
持することにより半導体薄板（７）のAlGaAs表面にＳの
膜が被着される。
本実施例により得られたAl0.4Ga0.6Asのホトルミネッ
センス強度は、前記実施例と同一の半導体薄板を従来の
方法により安定化したAl0.4Ga0.6Asのホトルミネッセン
ス強度に較べ、約30倍増大した。これは、本実施例によ
る場合、AlGaAsの表面準位密度のより大きな低下が得ら
れること、即ち、表面安定化がより効果的に行われるこ
とを示すものである。
センス強度は、前記実施例と同一の半導体薄板を従来の
方法により安定化したAl0.4Ga0.6Asのホトルミネッセン
ス強度に較べ、約30倍増大した。これは、本実施例によ
る場合、AlGaAsの表面準位密度のより大きな低下が得ら
れること、即ち、表面安定化がより効果的に行われるこ
とを示すものである。
尚、AlGaAsの表面は、Ｓの膜により被われている限
り、その後、空気中に曝されても安定化された状態にあ
る。従って、次の処理のために、前記処理から取り出
し、任意の時に、AlGaAs表面のＳ膜を除去し、直ちに、
斯るAlGaAs表面に更に結晶成長を行えば、清浄かつ、安
定化されたままのAlGaAs表面に後続の結晶成長を行うこ
とができる。
り、その後、空気中に曝されても安定化された状態にあ
る。従って、次の処理のために、前記処理から取り出
し、任意の時に、AlGaAs表面のＳ膜を除去し、直ちに、
斯るAlGaAs表面に更に結晶成長を行えば、清浄かつ、安
定化されたままのAlGaAs表面に後続の結晶成長を行うこ
とができる。
（ト） 発明の効果 本発明によれば、GaAlAs表面がドライエッチングさ
れ、更に同一装置内で引続いて、斯る表面にＳの膜が形
成されるため、GaAlAsのAlが途中で酸化することなく、
GaAlAsの清浄な表面にＳの膜が存在することとなり、Ga
AlAs表面がＳにより効果的に安定化される。
れ、更に同一装置内で引続いて、斯る表面にＳの膜が形
成されるため、GaAlAsのAlが途中で酸化することなく、
GaAlAsの清浄な表面にＳの膜が存在することとなり、Ga
AlAs表面がＳにより効果的に安定化される。
図は本発明方法を実施するためのドライエッチング装置
の模式的断面図である。
の模式的断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】アルミニウム・ガリウム・砒素からなる単
結晶半導体の表面をドライエッチング装置内でエッチン
グ後、前記装置内で引続き、前記表面に硫黄の膜を被着
することを特徴とする半導体の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26915790A JP2940705B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26915790A JP2940705B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145622A JPH04145622A (ja) | 1992-05-19 |
| JP2940705B2 true JP2940705B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=17468471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26915790A Expired - Fee Related JP2940705B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940705B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP26915790A patent/JP2940705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04145622A (ja) | 1992-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59123226A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| US6265322B1 (en) | Selective growth process for group III-nitride-based semiconductors | |
| JP3764792B2 (ja) | 窒化物半導体のエッチング方法 | |
| JP2940705B2 (ja) | 半導体の表面処理方法 | |
| JPH0794494A (ja) | 化合物半導体デバイスの作製方法 | |
| US4824518A (en) | Method for the production of semiconductor devices | |
| JP2607239B2 (ja) | 分子線エピタキシヤル装置 | |
| JPH03769B2 (ja) | ||
| JP2995794B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体基板のエッチング方法 | |
| JPS6057634A (ja) | 表面保護膜形成方法 | |
| JP2608448B2 (ja) | ＧａＡｓ基板の処理方法 | |
| JPH06310428A (ja) | 量子箱の製造方法 | |
| JP2717163B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| JPH0243720A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JP3240021B2 (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JPH05267793A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JP2729866B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャル成長方法 | |
| JPH04155817A (ja) | 化合物半導体基板の表面清浄化法 | |
| JPS5965434A (ja) | 化合物半導体の気相エツチング方法 | |
| JP3188931B2 (ja) | 薄膜成長方法 | |
| JP2897107B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP2717165B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| JPH01158720A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法及び結晶成長装置 | |
| JPS63222416A (ja) | エピタキシヤル結晶製造方法 | |
| JPH1056005A (ja) | 試料後処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |