JPH0413763B2 - - Google Patents
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- JPH0413763B2 JPH0413763B2 JP57152189A JP15218982A JPH0413763B2 JP H0413763 B2 JPH0413763 B2 JP H0413763B2 JP 57152189 A JP57152189 A JP 57152189A JP 15218982 A JP15218982 A JP 15218982A JP H0413763 B2 JPH0413763 B2 JP H0413763B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、面内記録、垂直記録を問わずテープ
状媒体で、高分子成形物基板上に蒸着された強磁
性層を磁気記録層とする磁気記録媒体に係る。 従来例の構成とその問題点 磁気記録に於て、短波長記録に、強磁性金属薄
膜を磁気記録層として用いることの有用性は良く
知られている。 しかし、かかる媒体を実用レベルで利用する時
に最も大きな問題は、腐食、摩耗に対する強磁性
層の耐性である。 従来この種の問題は、湿式めつき法、蒸着法の
いずれの方法で得た強磁性膜についても共通の課
題で、各方面でこの問題解決のための努力が払わ
れてきた。 このためにとられた方法の多くは、強磁性層の
上に更に別に保護層を設けるものであつた。Ni.
W合金(特開昭51−43110号公報)、Ni.B合金
(特開昭52−2405号公報)、Ni合金層を熱処理に
より硬度をあげたもの(特開昭51−102605号公
報)、Ni.Cr合金(特開昭53−73108号公報)等の
合金薄膜を保護層とするもの、酸化物、炭化物
(特開昭50−104602号公報)、酸化物磁性体上にa
−Fe2O3系薄膜を保護層として配したもの(特開
昭51−59608号公報)、Si−Si酸化物(特開昭52−
127203号公報)、磁性層との間にCrを介してのSi
−Si酸化物(特開昭52−127204号公報)、窒化ケ
イ素化合物(特開昭55−73931号公報)、Laの硼
化物層(特開昭56−11626号公報)を保護層とす
るもの、有機物を保護層とするもの、例えば、飽
和脂肪酸の単分子層(特開昭50−7500号公報)、
滑性液体層中に酸化防止剤を含有させたもの(特
開昭51−20805号公報)等が提案されている。 これら開示された技術に共通している問題は、
短波記録に於けるスペーシングロスの制約からこ
れらの保護層を極めて薄く仕上げることが要求さ
れることから生じている。即ち、厚みとして、50
Å程度では耐蝕性、耐摩耗性の両方に優れた改善
を与えにくく、このことは、相対速度3m/sec
〜5m/secという高速で回転するヘツドとの摺
動に於て、より深酷化しているのである。 ところでこれら開示技術の実施確認を酸素中で
蒸着したCo−Ni合金膜(厚さ0.13μm)(なお基
板としては厚さ9μmのポリエチレンテレフタレ
ートフイルムを用いた。)について行つた結果、
初期的にはかなり良好であつた。しかしくり返し
実験を進める段階で、異常値の発生が時々起つ
た。そこで、保護層側の厚みのバラツキ、成膜時
の条件の管理不足等について徹底的に追求した
が、異常値の発生は防げなかつた。 発明の目的 本発明は高湿度中でもすぐれた走行性を示す磁
気記録媒体を容易に得られるようにすることを目
的とする。 発明の構成 本発明は金属薄膜からなる磁性層を支持するテ
ープ状の支持体が、その支持体から磁性層を除去
したとき、少なくとも長手方向に0.1〜0.3%の収
縮率を示すことを特徴とするものである。 実施例の説明 本発明は、磁性層、基板、両者の界面について
検討を加え、界面での応力に起因することを発見
し、改良を加え、基板条件に基本的な満足すべき
要件のあることを尽きとめることにより完成され
たものである。 その基板条件とは、厚み、種類、延伸度、結晶
化度表面性(短波長記録を前提とし、peak to
valleyで0.05μm以下の範囲)にかかわらず、媒
体製造時に基板が記憶した歪み(しかも弾性限界
内)に依存するもので、具体的には、酸などでエ
ツチングして、磁性層を除去した時、長手方向に
収縮する度合が0.1〜0.3%であれば、現行の
VTR、又はその改良されたテープ搬送系では、
過酷な環境下でも、確率的に起る耐食、耐摩耗の
異常低下は、確実になくすことができるのであ
る。 本発明の媒体を得るひとつの方法は、回転支持
体に沿つて移動する高分子成形物基板上に、直接
強磁性層を蒸着する際、高分子成形物の熱による
破れ、シワの発生を防ぐために従来とられていた
基板に大きな張力をかけて、回転支持体への密着
性を改良する方法によらずに(この方法だと、
0.5%以上の寸法変化が起り、前述の問題が発生
する。)回転支持体への静電力により垂直圧力を
調節し、回転支持体に密着しながら、熱収縮によ
り寸法変化できるよう調節することである。 次により具体的な実施例の説明を行う。 実施例 1 ポリエチレンテレフタレート基板(厚さ10μ
m、幅50cm、表面粗さ0.05μm)上に、Co80%
Ni20%を最小入射角38°で酸素分圧2×10-5Torr
中で0.1μm、0.15μm、0.2μmの3種類の膜厚に蒸
着した。回転支持体は直径1mで、蒸発源は加速
電圧25KVの電市ビーム蒸発源である。この3種
類の膜厚のテープを、下記の条件で作成し、8mm
幅にスリツトし、試作した直径40mmのシリンダを
有すVTRの走行系による環境走行下でのスクラ
ツチの発生を調べた。その結果を下の表に示す。
状媒体で、高分子成形物基板上に蒸着された強磁
性層を磁気記録層とする磁気記録媒体に係る。 従来例の構成とその問題点 磁気記録に於て、短波長記録に、強磁性金属薄
膜を磁気記録層として用いることの有用性は良く
知られている。 しかし、かかる媒体を実用レベルで利用する時
に最も大きな問題は、腐食、摩耗に対する強磁性
層の耐性である。 従来この種の問題は、湿式めつき法、蒸着法の
いずれの方法で得た強磁性膜についても共通の課
題で、各方面でこの問題解決のための努力が払わ
れてきた。 このためにとられた方法の多くは、強磁性層の
上に更に別に保護層を設けるものであつた。Ni.
W合金(特開昭51−43110号公報)、Ni.B合金
(特開昭52−2405号公報)、Ni合金層を熱処理に
より硬度をあげたもの(特開昭51−102605号公
報)、Ni.Cr合金(特開昭53−73108号公報)等の
合金薄膜を保護層とするもの、酸化物、炭化物
(特開昭50−104602号公報)、酸化物磁性体上にa
−Fe2O3系薄膜を保護層として配したもの(特開
昭51−59608号公報)、Si−Si酸化物(特開昭52−
127203号公報)、磁性層との間にCrを介してのSi
−Si酸化物(特開昭52−127204号公報)、窒化ケ
イ素化合物(特開昭55−73931号公報)、Laの硼
化物層(特開昭56−11626号公報)を保護層とす
るもの、有機物を保護層とするもの、例えば、飽
和脂肪酸の単分子層(特開昭50−7500号公報)、
滑性液体層中に酸化防止剤を含有させたもの(特
開昭51−20805号公報)等が提案されている。 これら開示された技術に共通している問題は、
短波記録に於けるスペーシングロスの制約からこ
れらの保護層を極めて薄く仕上げることが要求さ
れることから生じている。即ち、厚みとして、50
Å程度では耐蝕性、耐摩耗性の両方に優れた改善
を与えにくく、このことは、相対速度3m/sec
〜5m/secという高速で回転するヘツドとの摺
動に於て、より深酷化しているのである。 ところでこれら開示技術の実施確認を酸素中で
蒸着したCo−Ni合金膜(厚さ0.13μm)(なお基
板としては厚さ9μmのポリエチレンテレフタレ
ートフイルムを用いた。)について行つた結果、
初期的にはかなり良好であつた。しかしくり返し
実験を進める段階で、異常値の発生が時々起つ
た。そこで、保護層側の厚みのバラツキ、成膜時
の条件の管理不足等について徹底的に追求した
が、異常値の発生は防げなかつた。 発明の目的 本発明は高湿度中でもすぐれた走行性を示す磁
気記録媒体を容易に得られるようにすることを目
的とする。 発明の構成 本発明は金属薄膜からなる磁性層を支持するテ
ープ状の支持体が、その支持体から磁性層を除去
したとき、少なくとも長手方向に0.1〜0.3%の収
縮率を示すことを特徴とするものである。 実施例の説明 本発明は、磁性層、基板、両者の界面について
検討を加え、界面での応力に起因することを発見
し、改良を加え、基板条件に基本的な満足すべき
要件のあることを尽きとめることにより完成され
たものである。 その基板条件とは、厚み、種類、延伸度、結晶
化度表面性(短波長記録を前提とし、peak to
valleyで0.05μm以下の範囲)にかかわらず、媒
体製造時に基板が記憶した歪み(しかも弾性限界
内)に依存するもので、具体的には、酸などでエ
ツチングして、磁性層を除去した時、長手方向に
収縮する度合が0.1〜0.3%であれば、現行の
VTR、又はその改良されたテープ搬送系では、
過酷な環境下でも、確率的に起る耐食、耐摩耗の
異常低下は、確実になくすことができるのであ
る。 本発明の媒体を得るひとつの方法は、回転支持
体に沿つて移動する高分子成形物基板上に、直接
強磁性層を蒸着する際、高分子成形物の熱による
破れ、シワの発生を防ぐために従来とられていた
基板に大きな張力をかけて、回転支持体への密着
性を改良する方法によらずに(この方法だと、
0.5%以上の寸法変化が起り、前述の問題が発生
する。)回転支持体への静電力により垂直圧力を
調節し、回転支持体に密着しながら、熱収縮によ
り寸法変化できるよう調節することである。 次により具体的な実施例の説明を行う。 実施例 1 ポリエチレンテレフタレート基板(厚さ10μ
m、幅50cm、表面粗さ0.05μm)上に、Co80%
Ni20%を最小入射角38°で酸素分圧2×10-5Torr
中で0.1μm、0.15μm、0.2μmの3種類の膜厚に蒸
着した。回転支持体は直径1mで、蒸発源は加速
電圧25KVの電市ビーム蒸発源である。この3種
類の膜厚のテープを、下記の条件で作成し、8mm
幅にスリツトし、試作した直径40mmのシリンダを
有すVTRの走行系による環境走行下でのスクラ
ツチの発生を調べた。その結果を下の表に示す。
【表】
なお上の表で数字の入つているものは、その時
スクラツチが発生したことを意味し、200パス目
まで発生しないものは○印で示した。また基板張
力は、回転支持体に入る時の値である。 実施例 2 Co83%Cr17%をポリエチレンテレフタレート
フイルム(厚さ14μm)上に最小入射角40°の斜方
蒸着と、入射角が6°以内の垂直に近い成分での垂
直蒸着を実施した。蒸発源と回転支持体の至近距
離を37cmとし、蒸発源から30cmの位置に、1ター
ンのコイルを配置しての電子ビーム蒸発法による
高周波イオンプレーテイングによつて磁気特性の
向上を図つた。 従来からイオンプレーテイング膜は、基板との
密着力に優れるといわれているが、この手法を駆
使しても、少しばかりの改良がみられる程度で本
発明は有効である。 実施例 3 ポリアミド基板(厚さ8μm)上に、Co85%
Cr15%を高周波スパツタリングにより、0.1μmか
ら0.4μmの厚さに形成しテープを作成した。これ
らを磁性層除去後のテープの長手方向の寸法変化
とし、30℃90%RHの環境下で走行した時のスク
ラツチ発生状況との関係を第1図に示す。第1図
は、磁性層単独で、特に滑性処理は施してないも
のだけをまとめたものである。 なお滑剤を塗布したものは、0.5%程度までス
クラツチの発生限界が伸びるが、0.1%から0.3%
の範囲の媒体が総合的に優れている。0.1%以下
で殆ど0%の方が好ましいように思えるが、テー
プ状にしてテンシヨンをかけた時に0%のもの
は、テープ伸びが発生するが、0.1%既に伸びて
いるベースは、通常のテープテンシヨンでは変化
しない不感域に入つていることになり、磁歪など
の影響が少なく、ノイズ面から実用上の優位性が
でてくることになるわけである。 発明の効果 以上に説明したように本発明によると高湿度中
での走行性にすぐれた、短波長記録に適した磁気
記録媒体を容易に得ることができる。
スクラツチが発生したことを意味し、200パス目
まで発生しないものは○印で示した。また基板張
力は、回転支持体に入る時の値である。 実施例 2 Co83%Cr17%をポリエチレンテレフタレート
フイルム(厚さ14μm)上に最小入射角40°の斜方
蒸着と、入射角が6°以内の垂直に近い成分での垂
直蒸着を実施した。蒸発源と回転支持体の至近距
離を37cmとし、蒸発源から30cmの位置に、1ター
ンのコイルを配置しての電子ビーム蒸発法による
高周波イオンプレーテイングによつて磁気特性の
向上を図つた。 従来からイオンプレーテイング膜は、基板との
密着力に優れるといわれているが、この手法を駆
使しても、少しばかりの改良がみられる程度で本
発明は有効である。 実施例 3 ポリアミド基板(厚さ8μm)上に、Co85%
Cr15%を高周波スパツタリングにより、0.1μmか
ら0.4μmの厚さに形成しテープを作成した。これ
らを磁性層除去後のテープの長手方向の寸法変化
とし、30℃90%RHの環境下で走行した時のスク
ラツチ発生状況との関係を第1図に示す。第1図
は、磁性層単独で、特に滑性処理は施してないも
のだけをまとめたものである。 なお滑剤を塗布したものは、0.5%程度までス
クラツチの発生限界が伸びるが、0.1%から0.3%
の範囲の媒体が総合的に優れている。0.1%以下
で殆ど0%の方が好ましいように思えるが、テー
プ状にしてテンシヨンをかけた時に0%のもの
は、テープ伸びが発生するが、0.1%既に伸びて
いるベースは、通常のテープテンシヨンでは変化
しない不感域に入つていることになり、磁歪など
の影響が少なく、ノイズ面から実用上の優位性が
でてくることになるわけである。 発明の効果 以上に説明したように本発明によると高湿度中
での走行性にすぐれた、短波長記録に適した磁気
記録媒体を容易に得ることができる。
図は本発明の効果を説明するためのもので、磁
気記録媒体の磁性層除去後のテープの長手方向の
寸法変化とスクラツチ発生状況との関係を示す図
である。
気記録媒体の磁性層除去後のテープの長手方向の
寸法変化とスクラツチ発生状況との関係を示す図
である。
Claims (1)
- 1 金属薄膜からなる磁性層を支持するテープ状
の支持体が、前記磁性層を前記支持体から除去し
たとき、少なくとも前記支持体の長手方向に0.1
〜0.3%収縮する支持体であることを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57152189A JPS5942641A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57152189A JPS5942641A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5942641A JPS5942641A (ja) | 1984-03-09 |
JPH0413763B2 true JPH0413763B2 (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=15535004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57152189A Granted JPS5942641A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5942641A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5340506A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS57152188A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Nippon Electric Co | Method of mounting electronic part |
JPS58166532A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57152189A patent/JPS5942641A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5340506A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS57152188A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Nippon Electric Co | Method of mounting electronic part |
JPS58166532A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5942641A (ja) | 1984-03-09 |
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