JPH0413763B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0413763B2 JPH0413763B2 JP57152189A JP15218982A JPH0413763B2 JP H0413763 B2 JPH0413763 B2 JP H0413763B2 JP 57152189 A JP57152189 A JP 57152189A JP 15218982 A JP15218982 A JP 15218982A JP H0413763 B2 JPH0413763 B2 JP H0413763B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- tape
- magnetic
- substrate
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- -1 silicon nitride compound Chemical class 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 235000003441 saturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000004671 saturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、面内記録、垂直記録を問わずテープ
状媒体で、高分子成形物基板上に蒸着された強磁
性層を磁気記録層とする磁気記録媒体に係る。 従来例の構成とその問題点 磁気記録に於て、短波長記録に、強磁性金属薄
膜を磁気記録層として用いることの有用性は良く
知られている。 しかし、かかる媒体を実用レベルで利用する時
に最も大きな問題は、腐食、摩耗に対する強磁性
層の耐性である。 従来この種の問題は、湿式めつき法、蒸着法の
いずれの方法で得た強磁性膜についても共通の課
題で、各方面でこの問題解決のための努力が払わ
れてきた。 このためにとられた方法の多くは、強磁性層の
上に更に別に保護層を設けるものであつた。Ni.
W合金（特開昭51−43110号公報）、Ni.B合金
（特開昭52−2405号公報）、Ni合金層を熱処理に
より硬度をあげたもの（特開昭51−102605号公
報）、Ni.Cr合金（特開昭53−73108号公報）等の
合金薄膜を保護層とするもの、酸化物、炭化物
（特開昭50−104602号公報）、酸化物磁性体上にａ
−Fe2O3系薄膜を保護層として配したもの（特開
昭51−59608号公報）、Si−Si酸化物（特開昭52−
127203号公報）、磁性層との間にCrを介してのSi
−Si酸化物（特開昭52−127204号公報）、窒化ケ
イ素化合物（特開昭55−73931号公報）、Laの硼
化物層（特開昭56−11626号公報）を保護層とす
るもの、有機物を保護層とするもの、例えば、飽
和脂肪酸の単分子層（特開昭50−7500号公報）、
滑性液体層中に酸化防止剤を含有させたもの（特
開昭51−20805号公報）等が提案されている。 これら開示された技術に共通している問題は、
短波記録に於けるスペーシングロスの制約からこ
れらの保護層を極めて薄く仕上げることが要求さ
れることから生じている。即ち、厚みとして、50
Å程度では耐蝕性、耐摩耗性の両方に優れた改善
を与えにくく、このことは、相対速度３ｍ／sec
〜５ｍ／secという高速で回転するヘツドとの摺
動に於て、より深酷化しているのである。 ところでこれら開示技術の実施確認を酸素中で
蒸着したCo−Ni合金膜（厚さ0.13μｍ）（なお基
板としては厚さ9μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフイルムを用いた。）について行つた結果、
初期的にはかなり良好であつた。しかしくり返し
実験を進める段階で、異常値の発生が時々起つ
た。そこで、保護層側の厚みのバラツキ、成膜時
の条件の管理不足等について徹底的に追求した
が、異常値の発生は防げなかつた。 発明の目的 本発明は高湿度中でもすぐれた走行性を示す磁
気記録媒体を容易に得られるようにすることを目
的とする。 発明の構成 本発明は金属薄膜からなる磁性層を支持するテ
ープ状の支持体が、その支持体から磁性層を除去
したとき、少なくとも長手方向に0.1〜0.3％の収
縮率を示すことを特徴とするものである。 実施例の説明 本発明は、磁性層、基板、両者の界面について
検討を加え、界面での応力に起因することを発見
し、改良を加え、基板条件に基本的な満足すべき
要件のあることを尽きとめることにより完成され
たものである。 その基板条件とは、厚み、種類、延伸度、結晶
化度表面性（短波長記録を前提とし、peak to
valleyで0.05μｍ以下の範囲）にかかわらず、媒
体製造時に基板が記憶した歪み（しかも弾性限界
内）に依存するもので、具体的には、酸などでエ
ツチングして、磁性層を除去した時、長手方向に
収縮する度合が0.1〜0.3％であれば、現行の
VTR、又はその改良されたテープ搬送系では、
過酷な環境下でも、確率的に起る耐食、耐摩耗の
異常低下は、確実になくすことができるのであ
る。 本発明の媒体を得るひとつの方法は、回転支持
体に沿つて移動する高分子成形物基板上に、直接
強磁性層を蒸着する際、高分子成形物の熱による
破れ、シワの発生を防ぐために従来とられていた
基板に大きな張力をかけて、回転支持体への密着
性を改良する方法によらずに（この方法だと、
0.5％以上の寸法変化が起り、前述の問題が発生
する。）回転支持体への静電力により垂直圧力を
調節し、回転支持体に密着しながら、熱収縮によ
り寸法変化できるよう調節することである。 次により具体的な実施例の説明を行う。 実施例 １ ポリエチレンテレフタレート基板（厚さ10μ
ｍ、幅50cm、表面粗さ0.05μｍ）上に、Co80％
Ni20％を最小入射角38°で酸素分圧２×10-5Torr
中で0.1μｍ、0.15μｍ、0.2μｍの３種類の膜厚に蒸
着した。回転支持体は直径１ｍで、蒸発源は加速
電圧25KVの電市ビーム蒸発源である。この３種
類の膜厚のテープを、下記の条件で作成し、８mm
幅にスリツトし、試作した直径40mmのシリンダを
有すVTRの走行系による環境走行下でのスクラ
ツチの発生を調べた。その結果を下の表に示す。
状媒体で、高分子成形物基板上に蒸着された強磁
性層を磁気記録層とする磁気記録媒体に係る。 従来例の構成とその問題点 磁気記録に於て、短波長記録に、強磁性金属薄
膜を磁気記録層として用いることの有用性は良く
知られている。 しかし、かかる媒体を実用レベルで利用する時
に最も大きな問題は、腐食、摩耗に対する強磁性
層の耐性である。 従来この種の問題は、湿式めつき法、蒸着法の
いずれの方法で得た強磁性膜についても共通の課
題で、各方面でこの問題解決のための努力が払わ
れてきた。 このためにとられた方法の多くは、強磁性層の
上に更に別に保護層を設けるものであつた。Ni.
W合金（特開昭51−43110号公報）、Ni.B合金
（特開昭52−2405号公報）、Ni合金層を熱処理に
より硬度をあげたもの（特開昭51−102605号公
報）、Ni.Cr合金（特開昭53−73108号公報）等の
合金薄膜を保護層とするもの、酸化物、炭化物
（特開昭50−104602号公報）、酸化物磁性体上にａ
−Fe2O3系薄膜を保護層として配したもの（特開
昭51−59608号公報）、Si−Si酸化物（特開昭52−
127203号公報）、磁性層との間にCrを介してのSi
−Si酸化物（特開昭52−127204号公報）、窒化ケ
イ素化合物（特開昭55−73931号公報）、Laの硼
化物層（特開昭56−11626号公報）を保護層とす
るもの、有機物を保護層とするもの、例えば、飽
和脂肪酸の単分子層（特開昭50−7500号公報）、
滑性液体層中に酸化防止剤を含有させたもの（特
開昭51−20805号公報）等が提案されている。 これら開示された技術に共通している問題は、
短波記録に於けるスペーシングロスの制約からこ
れらの保護層を極めて薄く仕上げることが要求さ
れることから生じている。即ち、厚みとして、50
Å程度では耐蝕性、耐摩耗性の両方に優れた改善
を与えにくく、このことは、相対速度３ｍ／sec
〜５ｍ／secという高速で回転するヘツドとの摺
動に於て、より深酷化しているのである。 ところでこれら開示技術の実施確認を酸素中で
蒸着したCo−Ni合金膜（厚さ0.13μｍ）（なお基
板としては厚さ9μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフイルムを用いた。）について行つた結果、
初期的にはかなり良好であつた。しかしくり返し
実験を進める段階で、異常値の発生が時々起つ
た。そこで、保護層側の厚みのバラツキ、成膜時
の条件の管理不足等について徹底的に追求した
が、異常値の発生は防げなかつた。 発明の目的 本発明は高湿度中でもすぐれた走行性を示す磁
気記録媒体を容易に得られるようにすることを目
的とする。 発明の構成 本発明は金属薄膜からなる磁性層を支持するテ
ープ状の支持体が、その支持体から磁性層を除去
したとき、少なくとも長手方向に0.1〜0.3％の収
縮率を示すことを特徴とするものである。 実施例の説明 本発明は、磁性層、基板、両者の界面について
検討を加え、界面での応力に起因することを発見
し、改良を加え、基板条件に基本的な満足すべき
要件のあることを尽きとめることにより完成され
たものである。 その基板条件とは、厚み、種類、延伸度、結晶
化度表面性（短波長記録を前提とし、peak to
valleyで0.05μｍ以下の範囲）にかかわらず、媒
体製造時に基板が記憶した歪み（しかも弾性限界
内）に依存するもので、具体的には、酸などでエ
ツチングして、磁性層を除去した時、長手方向に
収縮する度合が0.1〜0.3％であれば、現行の
VTR、又はその改良されたテープ搬送系では、
過酷な環境下でも、確率的に起る耐食、耐摩耗の
異常低下は、確実になくすことができるのであ
る。 本発明の媒体を得るひとつの方法は、回転支持
体に沿つて移動する高分子成形物基板上に、直接
強磁性層を蒸着する際、高分子成形物の熱による
破れ、シワの発生を防ぐために従来とられていた
基板に大きな張力をかけて、回転支持体への密着
性を改良する方法によらずに（この方法だと、
0.5％以上の寸法変化が起り、前述の問題が発生
する。）回転支持体への静電力により垂直圧力を
調節し、回転支持体に密着しながら、熱収縮によ
り寸法変化できるよう調節することである。 次により具体的な実施例の説明を行う。 実施例 １ ポリエチレンテレフタレート基板（厚さ10μ
ｍ、幅50cm、表面粗さ0.05μｍ）上に、Co80％
Ni20％を最小入射角38°で酸素分圧２×10-5Torr
中で0.1μｍ、0.15μｍ、0.2μｍの３種類の膜厚に蒸
着した。回転支持体は直径１ｍで、蒸発源は加速
電圧25KVの電市ビーム蒸発源である。この３種
類の膜厚のテープを、下記の条件で作成し、８mm
幅にスリツトし、試作した直径40mmのシリンダを
有すVTRの走行系による環境走行下でのスクラ
ツチの発生を調べた。その結果を下の表に示す。
【表】
なお上の表で数字の入つているものは、その時
スクラツチが発生したことを意味し、200パス目
まで発生しないものは○印で示した。また基板張
力は、回転支持体に入る時の値である。 実施例 ２ Co83％Cr17％をポリエチレンテレフタレート
フイルム（厚さ14μｍ）上に最小入射角40°の斜方
蒸着と、入射角が6°以内の垂直に近い成分での垂
直蒸着を実施した。蒸発源と回転支持体の至近距
離を37cmとし、蒸発源から30cmの位置に、１ター
ンのコイルを配置しての電子ビーム蒸発法による
高周波イオンプレーテイングによつて磁気特性の
向上を図つた。 従来からイオンプレーテイング膜は、基板との
密着力に優れるといわれているが、この手法を駆
使しても、少しばかりの改良がみられる程度で本
発明は有効である。 実施例 ３ ポリアミド基板（厚さ8μｍ）上に、Co85％
Cr15％を高周波スパツタリングにより、0.1μｍか
ら0.4μｍの厚さに形成しテープを作成した。これ
らを磁性層除去後のテープの長手方向の寸法変化
とし、30℃90％RHの環境下で走行した時のスク
ラツチ発生状況との関係を第１図に示す。第１図
は、磁性層単独で、特に滑性処理は施してないも
のだけをまとめたものである。 なお滑剤を塗布したものは、0.5％程度までス
クラツチの発生限界が伸びるが、0.1％から0.3％
の範囲の媒体が総合的に優れている。0.1％以下
で殆ど０％の方が好ましいように思えるが、テー
プ状にしてテンシヨンをかけた時に０％のもの
は、テープ伸びが発生するが、0.1％既に伸びて
いるベースは、通常のテープテンシヨンでは変化
しない不感域に入つていることになり、磁歪など
の影響が少なく、ノイズ面から実用上の優位性が
でてくることになるわけである。 発明の効果 以上に説明したように本発明によると高湿度中
での走行性にすぐれた、短波長記録に適した磁気
記録媒体を容易に得ることができる。
スクラツチが発生したことを意味し、200パス目
まで発生しないものは○印で示した。また基板張
力は、回転支持体に入る時の値である。 実施例 ２ Co83％Cr17％をポリエチレンテレフタレート
フイルム（厚さ14μｍ）上に最小入射角40°の斜方
蒸着と、入射角が6°以内の垂直に近い成分での垂
直蒸着を実施した。蒸発源と回転支持体の至近距
離を37cmとし、蒸発源から30cmの位置に、１ター
ンのコイルを配置しての電子ビーム蒸発法による
高周波イオンプレーテイングによつて磁気特性の
向上を図つた。 従来からイオンプレーテイング膜は、基板との
密着力に優れるといわれているが、この手法を駆
使しても、少しばかりの改良がみられる程度で本
発明は有効である。 実施例 ３ ポリアミド基板（厚さ8μｍ）上に、Co85％
Cr15％を高周波スパツタリングにより、0.1μｍか
ら0.4μｍの厚さに形成しテープを作成した。これ
らを磁性層除去後のテープの長手方向の寸法変化
とし、30℃90％RHの環境下で走行した時のスク
ラツチ発生状況との関係を第１図に示す。第１図
は、磁性層単独で、特に滑性処理は施してないも
のだけをまとめたものである。 なお滑剤を塗布したものは、0.5％程度までス
クラツチの発生限界が伸びるが、0.1％から0.3％
の範囲の媒体が総合的に優れている。0.1％以下
で殆ど０％の方が好ましいように思えるが、テー
プ状にしてテンシヨンをかけた時に０％のもの
は、テープ伸びが発生するが、0.1％既に伸びて
いるベースは、通常のテープテンシヨンでは変化
しない不感域に入つていることになり、磁歪など
の影響が少なく、ノイズ面から実用上の優位性が
でてくることになるわけである。 発明の効果 以上に説明したように本発明によると高湿度中
での走行性にすぐれた、短波長記録に適した磁気
記録媒体を容易に得ることができる。
図は本発明の効果を説明するためのもので、磁
気記録媒体の磁性層除去後のテープの長手方向の
寸法変化とスクラツチ発生状況との関係を示す図
である。
気記録媒体の磁性層除去後のテープの長手方向の
寸法変化とスクラツチ発生状況との関係を示す図
である。
Claims (1)
- １ 金属薄膜からなる磁性層を支持するテープ状
の支持体が、前記磁性層を前記支持体から除去し
たとき、少なくとも前記支持体の長手方向に0.1
〜0.3％収縮する支持体であることを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152189A JPS5942641A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152189A JPS5942641A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5942641A JPS5942641A (ja) | 1984-03-09 |
| JPH0413763B2 true JPH0413763B2 (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=15535004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57152189A Granted JPS5942641A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942641A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5340506A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57152188A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Nippon Electric Co | Method of mounting electronic part |
| JPS58166532A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57152189A patent/JPS5942641A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5340506A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57152188A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Nippon Electric Co | Method of mounting electronic part |
| JPS58166532A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5942641A (ja) | 1984-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0468778A2 (en) | A magnetic recording medium and a method of manufacturing the same | |
| JPH0534729B2 (ja) | ||
| EP0100054A2 (en) | Magnetic recording medium | |
| JPS5819739A (ja) | 薄膜磁気記録媒体 | |
| JPH0413763B2 (ja) | ||
| JPH061549B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0582652B2 (ja) | ||
| JPS6020319A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体の生産方法 | |
| JPS6145412A (ja) | 磁気記録媒体製造法 | |
| JPH0319602B2 (ja) | ||
| JPS61208620A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPS61248218A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH0335727B2 (ja) | ||
| JPH05128498A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62236138A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07225934A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH05282662A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0326453B2 (ja) | ||
| JPH02281413A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61236017A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPS61131227A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60231908A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6032127A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61284830A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH01245417A (ja) | 磁気記録媒体 |