JPH04135397A - 電荷／電圧変換効率の測定方法 - Google Patents

電荷／電圧変換効率の測定方法

Info

Publication number
JPH04135397A
JPH04135397A JP2258515A JP25851590A JPH04135397A JP H04135397 A JPH04135397 A JP H04135397A JP 2258515 A JP2258515 A JP 2258515A JP 25851590 A JP25851590 A JP 25851590A JP H04135397 A JPH04135397 A JP H04135397A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
voltage
current
charge
level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2258515A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3097121B2 (ja
Inventor
Osamu Futajima
二島　修
Satoyuki Suzuki
智行 鈴木
Kazuhiko Nishibori
一彦 西堀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP02258515A priority Critical patent/JP3097121B2/ja
Priority to KR1019910015228A priority patent/KR0185396B1/ko
Publication of JPH04135397A publication Critical patent/JPH04135397A/ja
Priority to US08/232,421 priority patent/US5471246A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3097121B2 publication Critical patent/JP3097121B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76816—Output structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N17/00—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、電子シャッタ機能付固体撮像素子における電
荷／電圧変換効率の測定方法に関する。
〈発明の概要〉 本発明は、感光部に蓄積された信号電荷を基板に掃き出
すようになされた電子シャッタ機能付固体撮像素子にお
いて、通常動作時の出力部の出力電圧と電子シャッタ動
作時の基板電流とをそれぞれ測定し、これら測定値を電
荷／電圧変換効率の算出のためのパラメータとして用い
ることにより、電荷／電圧変換効率の測定精度の飛躍的
な向上を可能にすると共に、リセットドレイン（ＲＤ）
端子が独立に存在しない固体撮像素子にも対応できるよ
うにしたものである。
ここに、電荷／電圧変換効率とは、固体撮像素子の出力
部において転送電荷を電圧に変換する際の効率をいう。
〈従来の技術〉 固体撮像素子において、電荷／電圧変換効率を求める場
合、電荷は時間ファクタを考慮すると電流で表すことが
できることから、電流と電圧の比から変換効率を求める
ことができる。
この変換効率を測定する従来方法としては、固体撮像素
子である例えばＣＣＤ撮像素子の出力部の回路を示す第
４図において、フローティング・デイフュージョン　ア
ンプ（Ｆｌｏａｔｉｎｇ　Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ八ｍｐｌ
ｉｆｉｅへ：　Ｆ　Ｄ　Ａ　）を構成するＭＯＳ　ＰＥ
Ｔからなるゲート４０のＲＧ（リセットゲート）端子４
１に正のパルスφ。を印加してゲート４０をオンするこ
とによってＦＤ点の電位をリセット電圧■９．にリセッ
トしたときにＲＤ（リセットドレイン）端子４２に流れ
る電流ＩＲＤを測定し、次にゲート４０をオフした状態
でダイオード４３に蓄積される信号電荷の変化をソース
ホロワ２段で構成されるアンプ４４により電圧変化とし
て検出することによって出力端子４５に導出される出力
電圧■。０゜を測定し、この測定した電流ＩＲＤと電圧
■。ＵＴから次式に基づいて電荷／電圧変換効率ηを求
める方法が知られている。
η−（Ｖｏｕｒ　／　ＩＲＤ）　ＸＫ 但し、Ｋ、は係数である。
この測定方法によれば、測定のための専用の端子を別に
設ける必要がなく、またＣＣＤ撮像素子を通常動作させ
た状態で測定できるため、ウェハー状態でも組立て後で
も測定できることになる。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上述した従来の測定方法では、ＲＤ端子
４２に流れる電流ＩＲＤが高周波数のパルスφ８により
断続される交流的な電流であり、この交流的な電流を平
滑化して得られる積分電流値を測定することになるため
、測定器（電流計）による誤差が生じ易いという問題点
があった。特に、この積分電流は数ｎＡ程度の微小電流
であるため、ることによって再生画像が乱れることにも
なる。
また、最近の小型撮像素子にあっては、チップを小型に
するために端子数の削減を図っており、例えば、ＲＤ端
子４２を電圧が同一であるＶＤＩＩ電源端子４６と共用
化することにより端子の削減を図る傾向にある。このよ
うにＲＤ端子４２が電源端子４６と共用化された撮像素
子に対しては、ＲＤ端子４２が独立に存在していること
が前提となる従来の測定方法では対応できないことにな
る。
そこで、本発明は、ＲＤ端子が独立に存在しない撮像素
子にも対応できると共に、測定精度の飛躍的な向」二が
可能な電荷／電圧変換効率の測定方法を提供することを
目的とする。
〈課題を解決するための手段〉 本発明による電荷／電圧変換効率の測定方法は、感光部
に蓄積された信号電荷を基板に掃き出すようになされた
電子シャッタ機能付固体撮像素子において、基板に所定
の第１レベルの電圧を印加して出ツノ部の出力電圧を測
定し、次いで基板に前記第１レベルよりも高い第２レヘ
ルの電圧を印加して基板電流を測定し、しかる後これら
出力電圧と基板電流の比に基づいて電荷／電圧変換効率
を求める各行程からなっている。
〈作用〉 本発明による電荷／電圧変換効率の測定方法では、基板
に高レベル（第２レベル）の電圧を印加することにより
、感光部に蓄積された信号電荷（不要電荷）を基板に掃
き出すいわゆる電子シャッタ動作が得られる。この電子
シャッタ動作時に流れる基板電流と、基板への低レベル
（第１レヘル）の電圧の印加時に測定した出力部の出力
電圧とが電荷／電圧変換効率を求めるパラメータとして
用いられる。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
第１図は、本発明による電荷／電圧変換効率の測定方法
が適用される例えばＣＣＤ撮像素子１及びその駆動系の
構成図である。図において、ＣＣＤＣＣ撮像素子、Ｎ型
シリコン基板２上に感光部３、垂直シフトレジスタ部４
、水平シフトレジスタ部及び出力部（共に図示せず）が
設けられたいわゆるインターライン転送方式のものとし
て構成されている。
このＣＣＤ撮像素子１では、Ｎ型シリコン基板２の表面
側にＰ型領域５を形成し、このＰ型領域５の表面側に更
にＮ−型領域６を形成している。
そして、感光部３は、このＮ−型領域６の表面側に浅い
Ｐ゛型領領域７形成し、このＰ”型領域７の下方に信号
電荷蓄積領域を構成するＮ°型領領域８形成することに
よって構成されている。また、Ｐｊ”型領域７及びＮ゛
型領領域８隣接してチャンネルストップ部を構成するＰ
“型領域９を形成する。
垂直シフトレジスタ部４は、信号電荷転送領域を構成す
るＮ゛型領領域１０形成すると共に、このＮ°型領領域
１０５ｉＯｚよりなる絶縁層１１及び５ｉ３Ｎａよりな
る絶縁層１２を介して多結晶シリコンよりなる転送電極
１３を形成することによって構成する。この場合、信号
電荷転送領域を構成するＮ４型領域１０の下方にスミア
を防止するためのＰ型領域１４を形成する。また、感光
部３と垂直シフトレジスタ部４の間には、感光部３の信
号電荷を垂直シフトレジスタ部４へ読み出すための読み
出しゲート部１５を設ける。この読み出しゲート部１５
はチャンネル領域を構成するＰ壁領域１６上に絶縁層１
１及び１２を介してゲート電極１７を形成することによ
って構成する。本例では、ゲート電極１７は多結晶シリ
コンにて転送電極１３と共通に形成される。
感光部３を除いて読み出しゲート部１５、垂直シフトレ
ジスタ部４及びチャンネルストップ部上には、絶縁層１
１を介して遮光用のアルミニウム層１Ｂを設ける。なお
、第１図には、１個の転送電極１３のみを示しているが
、本例では周知のように４相駆動方弐により垂直シフト
レジスタ部４を駆動するように転送電極を配置する。
次に、上述した構成のＣＣＤ撮像素子１における電荷／
電圧変換効率（以下、単に変換効率と称する）ηを測定
づ−るための本発明による測定方法について説明する。
変換効率ηの測定に当たって、Ｎ型シリコン基板２に印
加する基板パルスＰｓを発生する基板パルス発生回路１
９と、この基板パルス発生回路１９から出力される基板
パルスＰｓを基板端子２１を介して基板２に印加する駆
動回路２０とが設けられている。基板パルスＰｓの低い
レベル（第１し・＼ル）■１は、第２図に実線ａで示す
ように、Ｐ型領域５のポテンシャルが信号電荷蓄積領域
８のポテンシャルよりも浅くなりかつ信号電荷蓄積領域
８において信号電荷を蓄積できる電圧レベル（例えば、
＋１２Ｖ程度）とし、また基板パルスＰｓの高いレベル
（第２レベル）■１は、第２図に破線すで示すように、
Ｐ型領域５のポテンシャルが信号電荷蓄積領域８のポテ
ンシャルよりも深くなり、信号電荷蓄積領域８に蓄積さ
れた信号電荷をＮ型シリコン基板２に掃き出すことがで
きる電圧レベル（例えば、＋２７Ｖ程度）とする。
また、基板端子２１には電流計２１が接続されており、
この電流計２１は、Ｎ型シリコン基板２への高レベル■
□の基板パルスＰｓの印加時に信号電荷蓄積領域８に蓄
積された信号電荷をＮ型シリコン基板２に掃き出す電子
シャッタ動作が行われることによってＮ型シリコン基板
２に流れる基板電流ｒ　ｓｕｅを計測するためのもので
ある。一方、ＣＣＤ撮像素子１の構成を示す第３図にお
いて、水平シフトレジスタ部２３の最終端に設けられた
出力部２４の出力端子２５には電圧計２６が接続されて
おり、この電圧計２６は、Ｎ型シリコン基板２に低レベ
ル■、の基板パルスＰｓを印加した通常動作時の出力電
圧■。ＬＩＴを計測するだめのものである。
次に、変換効率ηの測定のための手順について説明する
。
先ず、Ｎ型シリコン基板２に低レベル■、の基板パルス
Ｐｓを印加し、このときの出力部２４の出力電圧■。Ｕ
７を出力端子２５にて電圧計２６により測定する（第１
の行程）。続いて、Ｎ型シリコン基板２に所定のタイミ
ングで高レベル■Ｉの基板パルスＰｓを印加する。この
基板パルスＰｓの印加によって第２図に破線すで示す如
くポテンシャルバリヤーが崩れ、感光部３（信号電荷蓄
積領域８）に蓄積された信号電荷（不要電荷）がＮ型シ
リコン基板２に掃き出される。このときに流れる基板電
流Ｉ　５ＬＩＢを基板端子２１にて電流計２２により測
定する（第２の行程）。そして、得られた基板電流Ｉ　
ＳＵＥ及び出力電圧■。ｏ７から次式に基づいて変換効
率ηを求める（第３の行程）。
η−（Ｖ　ｏＩＩｒ　／　Ｔ　ｓｕｓ　）　Ｘ　Ｋ　を
但し、Ｋ２は係数である。
このように、電子シャッタ機能付ＣＣＤ撮像素子１にお
いて、電子シャッタ動作時にＮ型シリコン基板２に流れ
る基板電流Ｔ　ＳＵＢを測定し、この基板電流Ｉ　ＳＵ
Ｂを変換効率ηの算出のための１つのパラメータとして
用いることにより、基板電流１５１１１が直流的な電流
であるため、交流的な電流ＩＲＤの積分電流値をパラメ
ータとして用いた従来の測定方法に比して測定精度を飛
躍的に向上できることになる。
また、本発明による測定方法は、既存の基板端子（Ｖｓ
ｕｏ　）　２１を利用して基板電流１５ｔ１８を測定す
るものであるため、第３図に示すように、ＲＤ（リセッ
トドレイン）端子をｖ０電源端子２７と共用化し端子の
削減を図ったが故に、ＲＤ端子が独立して存在しないＣ
ＣＤ撮像素子１にも対応できることになる。
なお、上記実施例では、測定して得た基板電流ｉ　ｓｕ
ｅをそのまま変換効率ηの算出パラメータとして用いる
としたが、Ｎ型シリコン基板２に低レベルｖＬの基板パ
ルスＰｓを印加した通常動作時の基板電流１０ＳＩＩＢ
をも測定しておき、この基板電流■。５ＬｌＢを電子シ
ャッタ動作時に測定した基板電流■、。から差し引いて
得られる基板電流ｒ＋ｓｕｎを変換効率ηの算出パラメ
ータとして用いるようにしても良い。これによれば、基
板電流Ｉ。５ＬＩＢは感光部３以外のＰＮ接合による電
流分であり、この感光部３以外のＰＮ接合による電流分
子ｏｓ。を電子シャッタ動作時の基板電流ｒ　ＳＵＢか
ら差し引くことになるため、正確な電流測定が可能とな
り、結果的に、変換効率ηの測定精度をより向上できる
ことになる。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、電子シャッタ機
能付固体撮像素子において、通常動作時の出力部の出力
電圧と電子シャッタ動作時の基板電流とをそれぞれ測定
し、これら測定値を算出パラメータとして用いて変換効
率ηを求めるようにしたので、測定精度を飛躍的に向上
できると共に、リセットドレイン（ＲＤ）端子が独立に
存在しない固体撮像素子にも対応できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による電荷／電圧変換効率の測定方法
が適用されるＣＣＤ撮像素子及びその駆動系の構成図、 第２図は、感光部の縦方向のポテンシャル分布図、 第３図は、インターライン転送方式ＣＣＤ撮像素子の構
成図、 第４図は、ＣＣＤ撮像素子における出力部の構成の一例
を示す回路図である。 ■・・・ＣＣＤ撮像素子、　　２・・・Ｎ型シリコン基
板３・・・感光部、　　４・・・垂直シフＩ・レジスタ
部８・・・信号電荷蓄積領域、　　１３・・・転送電極
１７・・・ゲート電極、　　　　２１・・・基板端子２
３・・・水平シフトレジスタ部、　　２４・・・出力部
。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　感光部に蓄積された信号電荷を基板に掃き出すように
    なされた電子シャッタ機能付固体撮像素子において、 前記基板に所定の第１レベルの電圧を印加して出力部の
    出力電圧を測定する第１の行程と、前記基板に前記第１
    レベルよりも高い第２レベルの電圧を印加して基板電流
    を測定する第２の行程と、 前記出力電圧と前記基板電流の比に基づいて電荷／電圧
    変換効率を算出する第３の行程とからなることを特徴と
    する電荷／電圧変換効率の測定方法。
JP02258515A 1990-09-27 1990-09-27 電荷／電圧変換効率の測定方法 Expired - Fee Related JP3097121B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02258515A JP3097121B2 (ja) 1990-09-27 1990-09-27 電荷／電圧変換効率の測定方法
KR1019910015228A KR0185396B1 (ko) 1990-09-27 1991-09-02 전하/전압변환효율의 측정방법
US08/232,421 US5471246A (en) 1990-09-27 1994-04-21 Apparatus for determining charge/voltage conversion ratios in charge coupled devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02258515A JP3097121B2 (ja) 1990-09-27 1990-09-27 電荷／電圧変換効率の測定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04135397A true JPH04135397A (ja) 1992-05-08
JP3097121B2 JP3097121B2 (ja) 2000-10-10

Family

ID=17321284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02258515A Expired - Fee Related JP3097121B2 (ja) 1990-09-27 1990-09-27 電荷／電圧変換効率の測定方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5471246A (ja)
JP (1) JP3097121B2 (ja)
KR (1) KR0185396B1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3271086B2 (ja) * 1992-09-29 2002-04-02 ソニー株式会社 固体撮像素子の駆動回路
JP3062010B2 (ja) * 1994-07-28 2000-07-10 日本電気株式会社 固体撮像装置
US5598210A (en) * 1995-02-15 1997-01-28 Eastman Kodak Company On chip driver for electric shuttering
JP2897689B2 (ja) * 1995-05-31 1999-05-31 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP3715353B2 (ja) * 1995-09-01 2005-11-09 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP2816824B2 (ja) * 1995-09-11 1998-10-27 エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド Ｃｃｄ固体撮像素子
JP3598648B2 (ja) * 1996-04-02 2004-12-08 ソニー株式会社 電荷転送素子及び電荷転送素子の駆動方法
KR100192954B1 (ko) * 1996-07-18 1999-06-15 김광호 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법
JP3351503B2 (ja) * 1996-10-09 2002-11-25 シャープ株式会社 固体撮像装置
US6535247B1 (en) * 1998-05-19 2003-03-18 Pictos Technologies, Inc. Active pixel sensor with capacitorless correlated double sampling
US6166585A (en) * 1998-08-31 2000-12-26 Conexant Systems, Inc. Methods and apparatus for a high efficiency charge pump that includes a MOSFET capacitor operating in an accumulation region
JP4403687B2 (ja) * 2002-09-18 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動制御方法
JP4299697B2 (ja) * 2004-03-04 2009-07-22 シャープ株式会社 固体撮像装置
JP5194645B2 (ja) * 2007-08-29 2013-05-08 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP5730030B2 (ja) * 2011-01-17 2015-06-03 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2392392A1 (fr) * 1977-05-27 1978-12-22 Commissariat Energie Atomique Circuit de mesure de charge stockee dans un d.t.c.
JPS6157181A (ja) * 1984-08-28 1986-03-24 Sharp Corp 固体撮像装置
US4811371A (en) * 1986-05-16 1989-03-07 Rca Corporation Floating-diffusion electrometer with adjustable sensitivity
US4680489A (en) * 1986-09-25 1987-07-14 Rockwell International Corporation Controllable piecewise linear gain circuit
US4875100A (en) * 1986-10-23 1989-10-17 Sony Corporation Electronic shutter for a CCD image sensor
US4912560A (en) * 1988-01-29 1990-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensing device
JPH0795829B2 (ja) * 1988-07-26 1995-10-11 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2727584B2 (ja) * 1988-09-20 1998-03-11 ソニー株式会社 固体撮像装置
JPH02146876A (ja) * 1988-11-29 1990-06-06 Toshiba Corp 光センサの駆動方法
JPH02155378A (ja) * 1988-12-07 1990-06-14 Nec Corp 固体撮像素子の駆動方法
JPH02262344A (ja) * 1989-03-31 1990-10-25 Sony Corp 出力回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR0185396B1 (ko) 1999-03-20
KR920007205A (ko) 1992-04-28
JP3097121B2 (ja) 2000-10-10
US5471246A (en) 1995-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10598546B2 (en) Detecting high intensity light in photo sensor
JPH04135397A (ja) 電荷／電圧変換効率の測定方法
US6797933B1 (en) On-chip design-for-testing structure for CMOS APS (active pixel sensor) image sensor
JP3522953B2 (ja) 固体撮像装置
JPS63501394A (ja) Ｃｃｄへの電荷入力のための満たしこぼし
JPS5976463A (ja) 固体イメ−ジセンサ
JPH04373136A (ja) 電荷結合装置
JP2853310B2 (ja) 固体撮像素子のスミア量測定方法
US7075340B2 (en) Solid-state imaging device
JP2569528B2 (ja) 固体撮像装置
Sequin et al. Charge-coupled image-sensing devices using three levels of polysilicon
US6191440B1 (en) Charge transfer device with improved charge detection sensitivity
JP3173806B2 (ja) 電荷検出回路の駆動方法
JPH0883901A (ja) Ｃｃｄの電荷検出装置
JPS5965470A (ja) 電荷結合素子の出力構造
JPS60149270A (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JPS634681A (ja) 半導体装置
JP2996318B2 (ja) 電荷結合素子
JPH09121305A (ja) 赤外線固体撮像素子の駆動方法及びその装置
JPH02230747A (ja) 電荷結合装置とその駆動方法
JPS62128173A (ja) 固体撮像装置
JPH02116170A (ja) 固体撮像装置
JPS60137165A (ja) 固体撮像装置
JPH0490688A (ja) 電子スチルカメラ
JP2000150856A (ja) 固体撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees