JPH04135079A - イオンビーム加工方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は例えば直径１ｏＩ１層程度の回転軸などの微細
な回転体部品をイオンビームまたは集束イオンビームで
加工するイオンビーム加工方法およびその加工に使用す
るイオンビーム加工装置に関する。

［従来の技術］ 従来微細機械の部品は、被加工物の大きさが１■以下と
小さかったり、加工形状がμｍオーダであったりすると
、通常の機械加工では加工応力に対して部品が微細であ
るため強度が不十分となり、加工しようとすると変形し
てしまい、加工が困難である。このため機械加工にかわ
る方法として、例えば直径５閣の軸材料に、ＩＩＫ３０
０〜１０００１、深さ５〜１０ｐｍの溝を加工する技術
としては、日経産業新聞１９８９年１１月２７日の第１
面にあるように光を利用した露光・エツチングを用いた
ものがある。

一方、被加工物の表面に１０μ園以下の微細な形状の溝
を加工する技術としては、ジー・クロウ他（オレゴン・
グラブユニイト・センター）：集束イオンビームにより
、任意の表面形状を作るためのベクトル・スキャニング
の利用、ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・
アンド・テクノロジ、Ｂ６　（５）、９月／１０月号（
ｔ９８８）。

（Ｇ＋Ｃｒｏｗ　ｅｔ　ａｌ　（Ｏｒｅｇｏｎ　Ｇｒａ
ｄｕａｔｅ　Ｃｅｎｔｅｒ）　：Ｔｈｅ　　ｕｓｅ　　
ｏｆ　　ｖｅｃｔｏｒ　　ｓｃａｎｎｉｎｇ　　ｆｏｒ
　　ｐｒｏｄｕｃｉｎｇａｒｂｉｔｒａｒｙ　５ｕｒｆ
ａｃｅ　ｃｏｎｔｏｕｒｓ　ｗｉｔｈ　ａ　ｆｏｃｕｓ
ｅｄｉｏｎ　ｂｅａｍ、　Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ、　Ｂ６（５）、　５ｅｐｔ１０ｃｔ　１９８
８）に紹介されているように集束イオンビームによるス
パッタ加工を利用したものがある。

また、従来からバイトにより機械加工する技術として旋
盤があることは言うまでもない。

［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術は、露光とエツチングの２つのステップに
より加工を行なうものであり、プロセスが複雑であると
いう問題があった。またエツチングでは、被加工物表面
のパターン全てが同じ深さに加工されてしまうため、複
雑な形状をした溝加工には適さないという問題があった
。例えば、溝の断面形状をテーパのついた形状にするこ
とで、その溝内の液体がスムーズに流れる。あるいは曲
率を持つ形状とすることで素材への応力集中を小さくす
ることができる。などが考えられる。しかし、エツチン
グではマスクをかけていない部分が全て同一の深さに除
去されてしまうため、上記のようにテーパ状の溝や、曲
率を持った溝を作ることは不可能であった。

また、上記従来技術は集束イオンビームを用いて複雑な
形状をした微細溝を加工するものであるが、平面上に加
工するには適しているが、回転体の加工には適さないと
いう問題があった。

更に微細機構を構成する部品には１回転カムもある。第
３図にこのカムの一例を示す。これは基礎となる円の半
径ｒｏｔ角度Ｏ°と１８０°におけるリフト量がｒｌで
ある板状の回転カムである。

半径ｒ０が１０μｍ程度の微細機構部品であり、第４図
の見取図に示すように、このカムが半径ｒ。

（≦１０１１ｍ＋）の軸と一体となっている。このよう
な部品は、機械加工はもとより、エツチングや通常の集
束イオンビーム加工では製作不可能であった。

本発明の目的は、微細な回転体の加工において。

簡単なプロセスで、しかも複雑な形状の加工を可能とす
るイオンビーム加工方法を提供することである。

また本発明の他の目的は、微細な回転体の加工を、イオ
ンビームまたは集束イオンビームを用いて行なうことの
できるイオンビーム加工装置を提供することである。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明はイオンビーム又は
集束イオンビームを用い、被加工物を回転させながら加
工するようにしたものである。

また被加工物の回転角位置に応じて回転角速度を変える
ことにより、照射するイオンビーム量を一定に保ったま
ま非円形（例えば楕円など）の断面を持つ物体の加工を
行なうようにしたものである。

更に微細な被加工物を回転させると、その被加工物の軸
中心と、回転軸中心をμｍオーダで合致させることが困
難であるため、被加工物が振れまわりをおこす。これに
対し、振れまわりに追従するように集束イオンビームを
追従させながら加工を行なうようにしたものである。

［作用］ 上記のイオンビームによる加工では、イオンビームを集
束すること等により、必要な位置のみを加工することが
できるので、露光・エツチングの２つのプロセスを用い
なくても複雑な形状の加工ができる。

また被加工物を回転させながらイオンを照射することに
より、微細な被加工物でもバイトによる切削加工におけ
る大きな切削力を受けないので、大きな変形を受けるこ
となく、容易に回転対の加工ができる。

また被加工物の回転角速度を回転角位置に応じて変える
ことにより、被加工物表面がうけるイオン照射量すなわ
ち加工量を場所により変えることができるので、楕円な
ど非円形の断面形状を作り出すことができる。

更に被加工物が前述のように振れまわりをおこしても、
この振動は正弦振動となるので、集束イオンビームの偏
向により容易に追従することができる。

［実施例コ 以下、本発明の実施例を第１図から第２２図を用いて説
明する。

第１図は本発明によるイオンビーム加工方法及びその装
置の一実施例を示す概略構成断面図である。第１図にお
いて、円筒状の被加工物１は回転可能なチャック２に保
持されており、モータ３により駆動される。チャック２
等はそれぞれＸ、Ｙ。

Ｚテーブル４，５．６上にのっている。被加工物１、チ
ャック２．モータ３．及びテーブル４，５゜６は真空チ
ャンバ７の中にある。被加工物１のＸ。

Ｙ、Ｚ位置はそれぞれマイクロメータヘッド８゜９．１
０により調整ができる。真空チャンバ７は排気口１１よ
り図示していない真空ポンプにより真空に排気される。

真空チャンバ７にはイオン銃１２がついている。これは
Ａｒ等のイオンビーム１４を加速電圧数キロル数１００
キロボルトで照射するものであり、被加工物のスパッタ
加工に適している。被加工物１が直径１０μｍ、長さ１
００μＩの場合は、イオンビーム径を１〜Ｌｏｗにすれ
ばよい。また被加工物は直径１０μｍ程度では保持がむ
ずかしいので、第２図に示すように被加工物］、のチャ
ック部の直径ｄ２を１ｍｍ程度に太くし、被加工部の直
径ｄ１を所望の寸法（例えば１０≦ｄ□＜　１００　Ｉ
Ｉｍ）としておき加工後、矢印Ａ部を切断すればよい。

被加工物が絶縁物であるとイオン照射によりチャージア
ップし加工が困難となるので、チャージ中和用の電子銃
１３が真空チャンバ７に取付けられている。

このイオンビーム加工装置を用いた加工方法の実施例と
して、イオンビーム１４を被加工物１に照射しつつ被加
工物１をモータ３により回転すれば、被加工物表面に均
等にイオンスパッタが施され、円筒の加工ができる。加
工仕上りの判定は、あらかじめ実験により単位時間当り
の加工速度を求めておき、加工前の寸法をもとに計算で
求めた時間により行なってもよいし、後に第９図に示す
ように右方より光学顕微鏡により被加工物の軸直角断面
の観察をしながら行なってもよい。

この加工方法の実施例においては、被加工物の直径や、
軸の振れまわり寸法に比べ、十分広い範囲でイオンビー
ム密度を一定にすることが容易にできるので、少々の軸
の振れまわりがあっても真円加工ができるので、旋盤に
比べて微細直径の加工に適している。また、加工速度は
旋盤加工より遅いが加工力が極めて小さいので、微細直
径の加工に適している。

次に第１図のイオンビーム加工装置を用いて。

上記した第３図および第４図に示す回転゛カムのような
非円形断面（楕円など）の加工を行なう加工方法の実施
例を説明する。モータ３にはエンコーダ１５がついてお
リモータの回転角位置を知ることができる。モータの制
御装［１６はこの回転角位置に応じてモータ３の回転角
速度を変えるような制御をする。真円の断面の素材を、
角位１０’と１８ｏ°で角速度を最も大きく、角位置９
０゜と２７ｏ°で角速度を最も小さくなるように回転さ
せつつイオンビーム１４を照射すると、加工量が角位置
Ｏ°と１８０°で最も小さくなるので、角位置Ｏ°から
１８０°を長径：　２　（ｒ、＋ｒｊ　？同じく９０°
から２７０°を短径：２ｒｏとした楕円に近い形に加工
することができる。

第５図、第６図にこの回転カムの加工工程を示す。素材
１の直径をＲとする。まず軸の部分を加工するため、素
材１をチャック２に取り付け、第５図に示すようにアパ
チャ５２で素材１の先端側（第５図の右側）をイオン照
射のないようにおおう。そして一定の角速度で回転させ
、直径がｒ３になるまでイオン照射をつづける。次いで
第６図に示すようにアパチャ５２で加工のすんだ部分に
イオン照射のないようにおおう。そして第７図に示すよ
うに回転角位置に応じてチャック２の回転角速度をω。

とω。＋ω、の間で変化させれば、第３図に示したよう
に０°から１８０°方向を長径。

９０°から２７０°方向を短径とする楕円に似た形状を
得ることができる。最後にこの素材１をチャック２から
はずし、軸部の左側に残っている直径Ｒの部分を紙やす
りやラッピングなどにより除去する６ 上記のように素材ｌの回転角速度を変えるのではなく、
他の実施例として素材１の回転角位置の変化に合わせて
アパチャ５２を出し入れし、イオン照射をオン／オンす
れば、ある特定の角位置のみが加工されるので、第３図
に示すような回転カム形状が得られる。イオンによるス
パッタ加工では素材を旋盤加工のように高速回転する必
要はないので、アパチャ５２を回転角位置に合わせ機械
的に動作させることも容易である。もちろんイオンビー
ム照射のオン／オフを切り換える手段として、アパチャ
のような機械的な手段によるのではなく、第８図（ａ）
、（ｂ）に示すようにブランキング電極３７を設け、こ
の電圧によりイオンビーム１４を振り、９０’　、２７
０°付近でイオンビームを素材１に照射し、Ｏ’　、１
８０’付近でイオンビームをブランキング・アパチャ３
８に当てることで、イオンビーム１４をオン／オフする
こともできる。

第９図は本発明による集束イオンビーム加工方法及びそ
の装置の一実施例を示す概略構成断面図である。第９図
において、ステージやチャンバは第１図と同様である。

チャンバ７には集束イオンビーム鏡筒２１がのっている
。この中については、イオンビーム源２２があり、イオ
ンビーム源２２は液体金属イオン源３２と、これからイ
オンビーム３３を引き出す引出し電極３４と制御アパチ
ャ３５と、これを通ったイオンビーム３３を集束する静
電レンズ３６と、ブランキング電極３７と、ブランキン
グ・アパチャ３８と、偏向コントローラ３９に接続され
ている偏向電極４ｏとを備えている。制御電源４１は液
体金属イオン源３２と引出し電極３４と静電レンズ３６
のそれぞれの電位を制御する。イオン照射により非加工
物１から飛び出した２次粒子（イオン又は電子）を増幅
させて大きな電子電流とするマイクロチャンネル・プレ
ート（ＭＣＰ）４２と、この電子電流をうけるアノード
５１が、被加工物１の真上に設けである。

アノード５１からの信号と、偏向コントローラ３９から
の信号（第９図の■をとおる）により、走査イオン顕微
鏡像（ＳＩＭ像）をブラウン管４３上にうっす６また。

被加工物１の右方には光学顕微鏡用の対物レンズ４４．
照明光源４５．接眼レンズ４６．およびカメラ４７があ
り、被加工物１の軸位置および軸形状などが光顕像モニ
タ４８上にうつるようになっている。対物レンズ４４は
真空仕切りガラス板４９の左方、すなわち真空チャンバ
７内に設置されている。

この集束イオンビーム加工装置を用いた加工方法の実施
例において、集束イオンビーム５０は０．０３〜２μ■
程度の径に集束されている。直径１０μ閣前後の被加工
物１にこのビームを照射するには、集束イオンビーム５
ｏを例えば１■Ｘ１ｍのように被加工物が存在すると思
われる十分広い領域にラスタスキャンし、これにより被
加工物のＳＩＭ像をブラウン管４３上に得る。これを見
ながら被加工物１が両面の中央にくるようにＸ、Ｙテー
ブル４．５を調整する。これにより被加工物１を集束イ
オンビーム軸の真下にもってくることができる。

次に被加工物１の表面の高倍率ＳＩＭ像をＩＲ察しつつ
、この像がはっきり見えるよう静電レンズ３６の電圧を
調整しフォーカス合わせをする。被加工物１の高さが大
きくずれていて、フォーカス合わせが困難な場合は、２
テーブル６を調整してから、再度フォーカス合わせを行
う。この後、被加工物上を回転しつつ加工すべき溝部に
集束イオンビーム５０を照射して加工を行う。ここで第
１７図（ａ）、（ｂ）に示すような深さの異なる溝を加
工するには、深い場所はど多くの浅い場所はど少しのイ
オンを照射すればよい。

他の加工方法の実施例を第１ｏ図〜第１５図で説明する
。第１０図は円筒面にねじ状の溝を加工したものである
。これを加工するには、第１１図に示すように被加工物
の回転位置に応じて集束イオンビーム５０の回転軸方向
の偏向量をピッチＰ周期で変化させればよい。このため
には、エンコーダ１５およびモータ制御装置１６により
被加工物の回転角位置を読み、このデータを偏向コント
ローラ３９に送り、偏向コントローラで第１１図をもと
にした偏向電圧を偏向電極４０に印加する。

スパッタ加工による再付着物を少なくするためには、こ
の走査を何回も繰り返し、１回に少しずつ何回も加工す
るのがよい。

第１２図は、被加工物の軸方向位置ｘ＝ｘ□よりｘ＝ｘ
、（先端）までにテーパを加工したものである。これを
加工するためには、第１３図に示すようにｘ＝ｘ１から
ｘ＝ｘ２の間で、徐々にイオン照射量を増加させればよ
い。このためには、イオン照射量をｘ−ｘ工に比例して
大きくしてやる必要がある。またある位Ｗｘでの照射量
は集束イオンビーム５ｏのＸ方向の走査速度ｄｘ／ｄｔ
に反比例するから、比例定数をｋとすれば、１／　（ｄ
ｘ／ｄ　ｔ）＝ｋ　（ｘ−ｘｌ）これを解けば、ｔ＝０
にてｘ＝ｘ、、ｔ＝ｔ、にてｘ＝ｘ工として、 ：ｃ＝に’　（ｔ−ｔ、）／２＋ｘ１ となり、第１４図に示すような走査をすることとなる。

これはあくまでスパッタ加工による再付着を考慮してい
ないので、加工量の多いＸ＝Ｘ２からｘ＝ｘエヘ向かっ
てビームを走査するのが再付着を減らすため好ましい。

あるいは第１５図に示すように、走査速度ｄｘ／ｄｔを
一定にしておき、走査開始点をＸ工より順次ｘ２の方へ
ずらしていくことによっても、テーパ加工ができる。こ
の場合も集束イオンビーム５０の走査を何回も繰り返し
、少しずつ何回にもわたって加工する方が、テーパ加工
がうまくいく。

これはゆっくり加工するとその個所のみが深く掘れ、再
付着しやすくなるためである。

次に、被加工物の振れまわりに追従して集束イオンビー
ムを偏向させる加工方法の実施例を第１６図〜第１９図
を用いて説明する。被加工物１の軸中心と、回転の中心
は１０Ｉｌ＠のオーダのずれが生ずることはやむを得な
い。直径が１＋ｍ以上の被加工物であれば、この軸ずれ
は問題とならないが、軸ずれ量と被加工物の直径が同じ
程度になると、集束イオンビーム５０が被加工物１に当
らなくなる。また当たったとしても被加工物面とビーム
のなす角度が一定でないので加工に悪影響をおよぼす。

従って微細な被加工物１の回転加工においては、軸ずれ
による被加工物の振れまわりに追従して集束イオンビー
ム５０の照射位置をずらす必要がある。

これには第１６図（ａ）、（ｂ）に示すようにＳＩＭ像
により、被加工物１の振れの上限（第４図（ａ））と下
限（第４図（ｂ））を観察しその被加工物中心の差２ａ
を求める。このＳＩＭ像から得た振れ量と、振れの上限
と下限を与える被加工物１の角位置をエンコーダ１５か
ら読みとり偏向コントローラ３９に入力する。偏向コン
トローラはこれらの入力データをもとにして、モータ制
御装置１６から刻々入ってくる角位置データを参照して
、第１８図に示すように被加工物１の角度位置に対して
被加工物の振れまわりに応じた振幅２ａの正弦波状の偏
向量を集束イオンビーム５０に与える。こうすれば被加
工物１に、集束イオンビームが一定の当たり方をするよ
うになり加工が良好に行われる。

この方式は加工後の形状を被加工物１を回転させつつＳ
ＩＭ像にて観察する場合にも用いる。すなわち第１７図
（ａ）、（ｂ）に示すように被加工物上の加工後の形状
を集束イオンビーム５０を偏向走査して＊察すると、Ｓ
ＩＭ像が上下に振れる。

そこで偏向エリアをこの被加工物１の振れにあわせて、
上下に移動させると、ＳＩＭ像は被加工物の振れなく観
察され、好都合である。

被加工物の振れ量を測定する方法として前述のＳＩＭ像
を用いる方法では、第１６図（ａ）の◎で示したように
円筒１の端部を判定しにくい。そこで別の方法として、
第９図に示した軸方向から被加工物１を観察する光学顕
微鏡を用いる方法がある。これによると第１９図に示す
ように、被加工物１の端面の円がその回転に合わせて振
れまわる様子がよくわかる。これより軸の振れ量２ａを
測定することができる。

以上は被加工物１の振れに集束イオンビーム５０の位置
を追従させるものであったが、逆に被加工物の位置を更
に精密に合わせることもできるもので、その実施例を第
２０図に示す。第２０図は被加工物１及びチャック２を
軸方向から見た図である。チャック台６０は外枠６１の
中にピエゾ素子Ｘ、Ｙそれぞれ６２．６３及びバネｘ、
ｙそれぞれ６４．６５により支えられており外枠ごと回
転軸まわりに回転する構成となっている。Ｘ軸方向を角
度位置のＯｏに、ｙ軸方向を角度位置の９０＠に合わせ
ておけば、前述の方法により、被加工物の振れ量と角度
位置の関係を検出した後、そのＸ軸方向（０’方向）成
分ΔＸと、ｙ軸方向（９０°方向）成分ΔＹをそれぞれ
ピエゾ素子Ｘ６２．およびＹ６３に電圧を印加して外枠
６１に対し、チャック台６０を変化させることにより、
被加工物１の振れを十分小さくすることができる。

ピエゾ素子を用いた機構は１通常のバイトを用いた切削
加工の力に耐えるほど強固ではないが、本イオンビーム
加工の場合は、加工力が極めて微弱であるため問題はな
い。

なお、以上の実施例ではイオンビーム軸と被加工物回転
軸のなす角が９０°としていたが、これに限ったもので
はない。特にこの角度をＯｏとすると、被加工物面に円
周状の溝を加工するに適した構成となり、微細なフルネ
ルレンズ等の加工に用いることができる。この場合も被
加工物の軸中心と回転中心のずれを集束イオンビームの
偏向により補正する方法は有効である。

またイオンビーム照射により長時間加工すると被加工物
の温度が上がるので、チャック２に冷却機能をもたせる
こともできる。

また第２１因に示すように被加工物（例えばＳｉやＳ　
ｉ　Ｏ，）１の表面にレジスト（例えばＣｒ膜など）７
０をコーティングし、これを集束イオンビーム５０のス
パッタにより部分的に加工して被加工物１を露出し、そ
の後に第２２図のようにエツチングガスプラズマ中で被
加工物をエツチングすることもできる。この場合、被加
工物にバイアス電位７１を印加し、エツチング種イオン
を方向性をもって引きつけることにより異方性の高い加
工ができることは、通常の反応性イオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）と同様である。

また以上の実施例ではイオンによるスパッタ加工につい
てのみ記述してきたが、これにエツチングガスを与えて
加工するイオンビーム（又は集束イオンビーム）アシス
トエツチング加工においても同様のことが成り立つ、例
えばＳｉＣ２のイオンビーム加工においてＸｅＦ２ガス
を吹き付けることにより、イオン照射量に比例し、しか
もイオン照射量光たりの加工量が、スパッタ加工の１０
倍以上の加工を行うことができる。

［発明の効果コ 本発明によれば、イオンビーム加工のみの簡単なプロセ
スにより、微細な回転体の加工を行うことができ、しか
も複雑な形状の溝加工も行うことができるので、微細機
械の構成部品であり従来の機械化工や光露光による加工
が困難であったものを容易に作ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるイオンビーム加工方法及び装置の
一実施例を示す構成断面図、第２図は第１図の被加工物
形状の一例を示す正面図、第３図は第１図の被加工物の
回転カムの正面図、第４図は第３図の回転カムの見取り
図、第５図、第６図はそれぞれ第３図の回転カムの加工
方法を示す説明図、第７図は第６図のチャックの回転角
速度を表わすグラフ、第８図（ａ）、（ｂ）は第３図の
回転カムを加工するイオンビームのブランキングの説明
図、第９図は本発明による集束イオンビーム加工方法及
びその装置の一実施例を示す概略構成断面図、第１０図
は第９図の被加工物の加工形状の一例を示す正面図、第
１１図は第１０図の加工形状を得る集束イオンビームの
照射方法を示すグラフ、第１２図は第９図の被加工物の
加工形状の他の例を示す正面図、第１３図は第１２図の
加工形状を得る集束イオンビームの照射方法を示すグラ
フ、第１４図は第１２図の加工形状を得る他の集束イオ
ンビームの照射方法を示す照射位置の時間変化を表わす
グラフ、第１５図は第１４図と別の照射位置の時間変化
を表わすグラフ、第１６図（ａ）、（ｂ）は第９図の被
加工物のＳＩＭ像の一例を示す説明図、第１７図（ａ）
、（ｂ）は第９図の被加工物の加工後のＳＩＭ像の一例
を示す説明図、第１８図は第１７図（ａ）、（ｂ）　の
被加工物を加工する集束イオンビームの偏向のしがたを
表わす説明図、第１９図は第９図の被加工物を軸方向か
ら光学顕微鏡で見た場合の見え方を示す説明図、第２０
図は第９図のチャック機構の一例を示す正面図、第２１
図、第２２図はそれぞれ第９図の被加工物に薄膜コーテ
ィングし集束イオンビーム加工とエツチングにより微細
パターンの加工を行う方法を説明する軸断面図である。 １・・・被加工物、２・・・チャック、３・・・モータ
、４゜５．６・・・それぞれｘ、ｙ、ｚテーブル、７・
・・真空チャンバ、１２・・・イオン銃、１３・・・電
子銃、１５・・・エンコーダ、１６・・・モータ制御装
置、２１・・・集束イオンビーム鏡筒、３２・・・液体
金属イオン源、３４・・・引出し電極、３５・・・制限
アパチャ、３６・・・静電レンズ、３７・・・ブランキ
ング電極、３８・・・ブランキング・アパチャ、３９・
・・偏向コントローラ、４０・・・偏向電極、４２・・
・マイクロ・チャンネル・プレート、４３・・・ＳＩＭ
像用ブラウン管、４４・・・対物レンズ、４６・・・接
眼レンズ、４７・・・カメラ、４８・・光顕像モニタ、
５０・・集束イオンビーム。 代理人　弁理士　秋　本　正　実 第１図 １：・−川り１口 １４・−イオンビーＡ １２−・−イオン銃 １５−−一工、コータ” １３・−・ａ手続 １６−−−そ一タ？Ｊ専製ｌ 第 図 第 図 第 図 １オフビーＡＩ４ 第６図 イオンじ−１Ａ１４ 、アバ０チイ 箇 図 第 図 （Ｑ） （ｂ） ３７・・・プランキ／グ電極 ３８−−・フ゛う／ＮＮラフ７ハ゛ナイ第 図 第１１ 図 第１２ 図 第１３ 図 軸方開化！ 第 図 （ａ） （ｂ） 第１８ 図 ｉＦＩＬ加工物の内戻位ｌ（仄） 第１４ 図 第１５ 閲 第１６ 図 （ｂ） 第１９ 図 第２０ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被加工物を回転させつつイオンビームを照射するこ
   とにより加工するイオンビーム加工方法。 ２、被加工物の回転速度を周期的に変えつつイオンビー
   ムを照射することにより、楕円もしくはこれに類似した
   回転軸直角断面形状を有する物体を加工することを特徴
   とする請求項１記載のイオンビーム加工方法。 ３、被加工物を回転させつつ集束イオンビームを照射す
   ることにより加工するイオンビーム加工方法。 ４、被加工物の回転軸まわりの振れまわにり追従して集
   束イオンビームを偏向させて加工することを特徴とする
   請求項３記載のイオンビーム加工方法。 ５、被加工物を保持して１つの軸のまわりに回転する回
   転保持機構と、その被加工物にイオンビームを照射する
   イオンビーム源と、その回転保持機構およびイオンビー
   ム源等を制御する制御部とを備えたことを特徴とするイ
   オンビーム加工装置。 ６、被加工物の回転保持機構の回転角速度を、１回転を
   周期として変化できることを特徴とする請求項５記載の
   イオンビーム加工装置。 ７、被加工物を保持して１つの軸のまわりに回転する回
   転保持機構と、その被加工物に集束イオンビームを照射
   するイオンビーム源と、その回転保持機構およびイオン
   ビーム源等を制御する制御部とを備えたことを特徴とす
   るイオンビーム加工装置。 ８、被加工物の回転保持機構の回転角位置に応じて集束
   イオンビームの偏向量を可変とすることを特徴とする請
   求項７記載のイオンビーム加工装置。