JPH04196407A - 集束イオンビーム装置の軸合わせ方法 - Google Patents

集束イオンビーム装置の軸合わせ方法

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JPH04196407A
JPH04196407A JP32750090A JP32750090A JPH04196407A JP H04196407 A JPH04196407 A JP H04196407A JP 32750090 A JP32750090 A JP 32750090A JP 32750090 A JP32750090 A JP 32750090A JP H04196407 A JPH04196407 A JP H04196407A
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JP
Japan
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emitter
ion beam
ion
ion source
gas
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JP32750090A
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Toru Itakura
徹 板倉
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 集束イオンビーム装置の軸合わせ方法に関し、ガスイオ
ン源装置と集束カラムとの軸合わせを正確に行って小さ
なイオンビーム径に集束することを目的とし、 電界電離型のガスイオン源装置と集束カラムとからなる
集束イオンビーム装置の軸合わせ方法において、前記集
束カラムの軸に対して前記ガスイオン源装置の水平方向
の位置調整と傾き角の調整を分離して行う。具体的には
、水平方向の位置調整をエミッタから放出される電子ビ
ームの観測により行い9次いて、その傾き角の調整をエ
ミッタから放出されるイオンビームの観測によって行う
ように集束イオンビーム装置の軸合わせ方法を構成する
〔産業上の利用分野〕
本発明は集束イオンビーム装置、と(に、高集積半導体
デバイスの製造プロセスにおいて極めて微細で高精度な
加工、たとえば、露光やデポジションあるいはエツチン
グを行うための微小径を必要とした集束イオンビーム装
置の軸合わせ方法の改良に関する。
〔従来の技術〕
電界電離型のガスイオン源を用いる集束イオンビーム装
置は、ガス種をバルブの開閉により簡単に変えることか
でき、また、露光に適した軽質量イオンを得ることがで
きるなとの利点があり注目を集めている。
たとえば、第2図は集束イオンビーム装置の例を示す模
式図である。
図中、1はガスイオン源装置でイオン源ガス導入口12
によりイオン源ガスが供給される。
100は集束カラムで概略下記のごとき構成のものであ
る。すなわち、3(j真空排気に耐えるチャンバで、排
気口5からニーには図示してない排気装置により真空排
気されるようになっている。101はマイクロチャンネ
ルプレート付き蛍光スクリーンで、前記ガスイオン源装
置1から射出されるイオンビームの位置を観察するため
の蛍光スクリーンである。102はミラーで前記マイク
ロチャンネルプレート付き蛍光スクリーン101に照射
されたイオンビームの輝点を反射してビューポート4を
通してイオンビーム位置を観察し位置調整などを行なえ
るようにするだめのものである。103はイオンビーム
を集束するための静電レンズ、104はイオンビームを
一時的にずらして試料2に照射されないようにするブラ
ンキング、105はアパーチャ、106は再度イオンビ
ームを集束するための静電レンズ、107はイオンビー
ム偏向器て前記の経路で集束されたイオンビームを試料
2の所定の位置に正確に照射し、たとえば、その部分の
エツチングを行えるようにするためのものである。6は
移動ステージで試料2を載置して所望の照射エリヤに試
料2を移動てきるようにしている。
第3図はガスイオン源装置とエミッタからのイオン放出
を示す図で、同図(イ)はガスイオン源装置の外観図(
一部所面)、同図(ロ)はエミッタ近傍、同図(ハ)は
エミッタ先端部とイオンビーム放出状態の例の模式図で
ある。
図中、11はエミッタで極めて細い針状をなす金属線で
ある。12はイオン源ガス導入口、13は冷却剤導入口
で下方に連なる金属製の冷却器を冷却してその先端に固
定されたエミッタ11を冷却するための、たとえば、液
体ヘリウムの導入口である。
14および15は引き出し電極端子およびエミッタ電圧
端子で、図示してないビーム引き出し用電源の両端に接
続される。19は引き出し電極である。いま、冷却剤に
より冷却器を冷やすと、その先端に固定されたエミッタ
11が冷却される。この状態でイオン源ガス導入口12
からイオン源ガス、たとえば、ヘリウムガスを導入し、
高電圧のビーム引き出し用電源でエミッタ11と引き出
し電極との間に高電圧を印加すると、エミッタ11近傍
に設けられたガス出口から射出されたイオン源ガスは下
方に流れてエミッタ11に達したところで電離し、正に
帯電したガスイオン流となって、引き出し電極19の孔
から出射していく。
しかし、このときイオンはエミッタ11の軸を中心とし
て円錐上に放出されるのではなく、エミッタ11の先端
形状によって決まる特定の方向に離散的に放出される。
たとえば、通常よく用いられる多結晶タングステン製の
エミッタでヘリウムイオンを放出する場合にはタングス
テンの(111)面が比較的突出しているため、同図(
ハ)に示したごとく主としてその部分からヘリウムイオ
ンか放出される。かりに、<111 >方向を軸とした
エミッタを加工して用いても、(111)面からの放出
イオンビームはエミッタの軸には正確には沿っていない
ことが多く、このためイオンビームを集束するためには
前記集束カラムの軸を通るように軸合わせする必要があ
る。
第4図は従来の軸合わせ方法の例を示す図である。図中
、16はマイクロメータ駆動付きのシン/<ル機構でガ
スイオン源装置基台17の上を前後左右の水平方向の位
置移動とガスイオン源装置、正確にはエミッタ11から
の放出イオンビームの軸の傾き角の調整ができるように
構成されている。18はビーム引き出じ用電源、109
はスクリーン電圧用電源、110は電流計、111は加
速用電源である。
なお、前記の諸図面で説明したものと同等の部分につい
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
実際に軸合わせを行うには、エミッタ11からイオン放
出を行いマイクロチャンネル付き蛍光スクリーン101
に現れるイオン放射パターンをミラー102て観察して
、放射パターンの明るい部分がスクリーンの開口部にく
るようにし、かつ、ビーム電流検出用アパーチャ108
で電流値の大きさをモニタしながら、ジンバル機構16
で水平方向の位置と軸の傾き角を交互に少しづ\勤かし
て徐々に軸が合うように調整していき大きな電流値か得
られたところで、集束カラム100の集束・加速系を作
動させて集束イオンビームを得ている。
〔発明か解決しようとした課題〕
しかし、上記従来の軸合わせ方法では、ガスイオン源装
置1の水平方向の位置合わせと軸の傾き角の調整とか、
上記のごとく放出イオンビームをモニタしながら交互に
行われる。すなわち、カット・エンド・トライで徐々に
追い込んで行く方法であり、水平方向の位置合わせと軸
の傾き角の調整が分離されていないので調整に長時間と
熟練を要し、しかも、調整の精度が必ずしもよくないと
いった問題があり、その解決が必要となっていた。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題は、電界電離型のガスイオン源装置1と集束
カラム100とからなる集束イオンビーム装置の軸合わ
せ方法において、前記集束カラム100の軸に対して前
記ガスイオン源装置lの水平方向の位置調整を行い9次
いて、その傾き角の調整を行う集束イオンビーム装置の
軸合わせ方法によって解決することかできる。具体的に
は、前記水平方向の位置調整を前記ガスイオン源装置1
のエミッタ11から放出される電子ビームの観測により
行い、前記傾き角の調整を前記エミッタ11から放出さ
れるイオンビームの観測によって行うことにより効果的
に解決することかできる。
〔作用〕
本発明によれば、軸合わせを第1段階の水平位置の調整
と第2段階の傾き角の調整の2つに分離して行う。すな
わち、先ず第1段階でガスイオン源装置を垂直にセット
してエミッタ11がら電子を引き出す。電子はイオンに
比較して広い範囲に放出されるので垂直に立てたま\水
平移動を行うことにより大きな電流値か容易に観測され
エミッタ11の水平位置を容易に決めることかできる。
そのあと、すなわち、第2段階でエミッタ11がらイオ
ンビームを放出してイオン電流値をモニタしながら傾き
角の調整を行うので、軸合わせは短時間に極めて容易に
行うことかでき、しかも、精度の高い軸合わせを行うこ
とか可能になる。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例方法を説明する図である。
なお、図中に示した符号は前記の諸図面で説明したもの
と同等の部分については同一符号を付してあり、同等部
分についての説明は重複を避は省略する。
エミッタ11として、たとえば、<111 >方向の軸
を有する太さか0.2〜0.3mmφ、長さ6mmのタ
ングステン線の先端部を曲率半径が20〜数1100n
の尖頭部をなすように加工して用いる。
先ず、第1段階としてガスイオン源装置基台17を水準
器などを用いて水平にしジンバル機構16によりガスイ
オン源装置1を垂直にセットする。この状態てイオン源
ガスを導入しないで、エミッタ11を引き出し電極19
に対して負電位にしてエミッタ先端から電子を引き出す
。電子の放射パターンをマイクロチャンネルプレート付
き蛍光スクリーン】01で観測し、できるだけ広い範囲
で放射パターンか一様になるようにビーム引き出し用電
源18の電圧を調整する。電子はイオンに比較して広い
範囲に放出されるのでこの作業は容易である。ガスイオ
ン源装置1を垂直に保ったま\ジンバル機構16のマイ
クロメータを用いて水平面内で移動させビーム電流検出
用アパーチャ108に流れる電流を電流計110で検出
し、その電流値か最大になったところでガスイオン源装
置lの水平方向の位置を決定する。
次に、第2段階としてイオン源ガス、たとえば、ヘリウ
ムガスをイオン源ガス導入口12から導入しエミッタ1
1が引き出し電極19に対して正電位になるように、す
なわち、ビーム引き出し用電源18の極性を反転させて
、エミッタ先端からイオンを引き出す。エミッタ11先
端の(111)面から強いイオンビームが放出されるよ
うにビーム引き出し用電源18の電圧を調整する。そし
て、ガスイオン源装置1の傾き角をジンバル機構16の
マイクロメータを用いて変化させる。ビーム電流検出用
アパーチャ108に流れる電流を電流計110で検出し
、その電流値が最大になったところでガスイオン源装置
lの傾き角の調整を終えれば、本発明の集束イオンビー
ム装置の軸合わせか完了する。
このように軸合わせされた集束イオンビーム装置ではイ
オンビームが集束カラム100のレンズ系に対して斜め
に入射するようなことがないので、収差を小さくするこ
とができ、したがって1、従来はイオンビームを数μm
程度にしか集束できなかったのに比較して、0.1μm
以下の微小径イオンビームに集束することが可能となる
上記実施例ではエミッタ11にタングステンを用いイオ
ン源ガスとしてヘリウムガスを使用したが、他の金属や
ガスを用いてもよいことは勿論である。
さらに、以上述べた実施例は一例を示したもので、本発
明の趣旨に添うものである限り、使用する素材や装置構
成、各部の形状・寸法などは適宜好ましいもの、あるい
はその組み合わせを用いてもよいことは言うまでもない
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明方法によれば軸合わせを第
1段階の水平位置の調整と第2段階の傾き角の調整の2
つに分離して行う。すなわち、先ず第1段階でガスイオ
ン源装置を垂直にセットしてエミッタ11から電子を引
き出す。電子はイオンに比較して広い範囲に放出される
ので垂直に立てたま〜水平移動を行うことにより大きな
電流値が容易に観測されエミッタ11の水平位置を容易
に決めることができる。そのあと、すなわち、第2段階
でエミッタ11からイオンビームを放出してイオン電流
値をモニタしながら傾き角の調整を行うので、軸合わせ
は短時間に極めて容易に行うことができ、しかも、精度
の高い軸合わせを行うことが可能となり、集束イオンビ
ーム装置の性能および操作性の向上に寄与するところが
極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例方法を説明する図、第2図は集
束イオンビーム装置の例を示す模式第3図はガスイオン
源装置とエミッタからのイオン放出を示す図、 第4図は従来の軸合わせ方法の例を示す図である。 図において、 lはガスイオン源装置、 11はエミッタ、 12はイオン源ガス導入口、 16はジンバル機構、 17はガスイオン源装置基台、 18はビーム引き出し用電源、 100は集束カラム、 101はマイクロチャンネルプレート付き蛍光スクリー
ン、 102はミラー、 108はビーム電流検出用アパーチャ、109はスクリ
ーン電圧用電源、 (イ)木平方句位1μm       (0)(頃を調
整11  エミッタ、1υイオン源ガス導入口216 
レンバ〕し機構17°ガスイオン源咬l基台、18°ビ
ーA51を出し用電源101  マイクOSンネルプレ
ート付きv尤スクリーン1021ミラー108  と−
入電截扶を用アペーチマ、(0?  スクリーン電工用
電源110 電(び十、111  カロ遼用零ン東本発
明の大施伊1方織Σ説明する囚 某束イオンビーム装僅のP1Σ示す渠武図第 2 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電界電離型のガスイオン源装置(1)と集束カラ
    ム(100)とからなる集束イオンビーム装置の軸合わ
    せ方法において、 前記集束カラム(100)の軸に対して、前記ガスイオ
    ン源装置(1)の水平方向の位置調整を行い、次いで、
    その傾き角の調整を行うことを特徴とした集束イオンビ
    ーム装置の軸合わせ方法。
  2. (2)前記水平方向の位置調整が前記ガスイオン源装置
    (1)のエミッタ(11)から放出される電子ビームの
    観測により行われ、前記傾き角の調整が前記エミッタ(
    11)から放出されるイオンビームの観測によって行わ
    れることを特徴とした請求項(1)記載の集束イオンビ
    ーム装置の軸合わせ方法。
JP32750090A 1990-11-28 1990-11-28 集束イオンビーム装置の軸合わせ方法 Pending JPH04196407A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7952083B2 (en) * 2004-09-29 2011-05-31 Hitachi High-Technologies Corporation Ion beam system and machining method
JP2011171008A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Sii Nanotechnology Inc 集束イオンビーム装置
JP2011171009A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Sii Nanotechnology Inc 集束イオンビーム装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7952083B2 (en) * 2004-09-29 2011-05-31 Hitachi High-Technologies Corporation Ion beam system and machining method
JP2011171008A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Sii Nanotechnology Inc 集束イオンビーム装置
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