JPH04131946U - 半導体素子収納用パツケージ - Google Patents
半導体素子収納用パツケージInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】パッケージの絶縁基体に設けた凹部内に半導体
素子を安定、且つ強固に取着固定することができる半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。 【構成】パッケージの容器を構成する絶縁基体１に設け
た凹部１ａ底面に銀から成る金属層４を、該凹部１ａ底
面の面積が80mm 2以上であるとき厚さを25μm 以上とし
て層着させた。半導体素子３を金属層４上に接着材５を
加熱溶融させることによって取着する際、半導体素子３
と絶縁基体１の凹部１ａ底面との間に発生する熱応力は
金属層４を変形させることによって吸収され、その結
果、半導体素子３に熱応力に起因したクラックや割れ等
が発生したり、半導体素子３が絶縁基体１の凹部１ａ底
面より剥離したりするのが皆無となり、半導体素子３を
絶縁基体１の凹部１ａ底面に安定、且つ強固に取着する
ことができる。
素子を安定、且つ強固に取着固定することができる半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。 【構成】パッケージの容器を構成する絶縁基体１に設け
た凹部１ａ底面に銀から成る金属層４を、該凹部１ａ底
面の面積が80mm 2以上であるとき厚さを25μm 以上とし
て層着させた。半導体素子３を金属層４上に接着材５を
加熱溶融させることによって取着する際、半導体素子３
と絶縁基体１の凹部１ａ底面との間に発生する熱応力は
金属層４を変形させることによって吸収され、その結
果、半導体素子３に熱応力に起因したクラックや割れ等
が発生したり、半導体素子３が絶縁基体１の凹部１ａ底
面より剥離したりするのが皆無となり、半導体素子３を
絶縁基体１の凹部１ａ底面に安定、且つ強固に取着する
ことができる。
Description
【０００１】
本考案は半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージの改良に関
するものである。
【０００２】
従来、半導体素子、特にＬＳＩ等の半導体集積回路素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは図2 に示すように、アルミナセラミックス等の電気絶
縁材料から成り、中央部に半導体素子を収容する空所を形成するための凹部を有
し、上面に封止用の低融点ガラス層12が被着された絶縁基体11と、同じくアルミ
ナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、中央部に半導体素子を収容する空所
を形成するための凹部を有し、下面に封止用の低融点ガラス層14が被着された蓋
体13と、内部に収容する半導体素子15を外部の電気回路に電気的に接続するため
の外部リード端子16とから構成されており、絶縁基体11の上面に外部リード端子
16を載置させるとともに予め被着させておいた封止用の低融点ガラス層12を溶融
させることによって外部リード端子16を絶縁基体11に仮止めし、次に前記絶縁基
体11の凹部底面に予め被着させておいた金属層17に接着材18を介して半導体素子
15を取着するとともに該半導体素子15の各電極をボンディングワイヤ19を介して
外部リード端子16に接続し、しかる後、絶縁基体11と蓋体13とをその相対向する
各々の主面に被着させておいた封止用の低融点ガラス層12、14を溶融一体化させ
、絶縁基体11と蓋体13とから成る容器を気密に封止することによって製品として
の半導体装置となる。
【０００３】
尚、前記絶縁基体11の凹部底面に被着させた金属層17は平均粒径1.5 乃至2.0
μm の銀粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して成る導電ペーストを絶縁基
体11の凹部底面に滴下し、約10〜15μm の均一厚みに拡散させた後、約900 ℃の
温度で焼成することによって絶縁基体11の凹部底面に被着される。
【０００４】
また前記半導体素子15を金属層17上に取着する接着材18は金たは金 シリコン
共晶半田等の薄板から成り、該接着材18を絶縁基体11に設けた凹部底面の金属層
17と半導体素子15との間に介在させ、しかる後、これを加熱溶融させることよっ
て半導体素子15を絶縁基体11の凹部底面に取着する。
【０００５】
しかしながら、この従来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
11が通常、アルミナセラミックスから成り、その熱膨張係数が65〜75×10-6/ ℃
であり、半導体素子15を構成するシリコンの熱膨張係数(42 ×10-6 /℃) と大き
く相違すること、絶縁基体11の凹部底面に被着された金属層17の厚みが約10〜15
μm と薄いこと及び近時の半導体素子15の形状が高密度化、高集積化に伴って6.
0 mm×8.0mm から6.8mm ×13.2mm程度の大きなものになってきていること等から
以下に述べる欠点を有する。
【０００６】
即ち、半導体素子15を絶縁基体11の凹部底面に被着させた金属層17に接着材18
を加熱溶融させることによって取着する際、半導体素子15と絶縁基体11の凹部底
面との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生し、これが半
導体素子15にクラックや割れを発生させて半導体素子15の機能に支障をきたした
り、半導体素子15を絶縁基体11の凹部底面より剥離させてしまったりする。
【０００７】
本考案は半導体素子を収容するための凹部を有する絶縁基体と蓋体とから成る
半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁基体の凹部底面に銀から成る金
属層を、該凹部底面の面積が80mm 2以上であるとき厚さを25μm 以上として層着
させたことを特徴とするものである。
【０００８】
次に本考案を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1 は本考案の半導体素子収納用パッケージの一実施例を示し、1 はアルミナ
セラミックス等の電気絶縁材料から成る絶縁基体、2 は同じく電気絶縁材料から
成る蓋体である。この絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収容する容器が構
成される。
【０００９】
前記絶縁基体1 及び蓋体2 にはそれぞれの中央部に半導体素子3 を収容する空
所を形成するための凹部が設けてあり、絶縁基体1 の凹部1a底面には金属層4 が
被着されている。
【００１０】
前記絶縁基体1 及び蓋体2 は従来周知のプレス成形法を採用することによって
形成され、例えば絶縁基体1 及び蓋体2 がアルミナセラミックスから成る場合に
は図1 に示すような絶縁基体1 または蓋体2 に対応した形状を有するプス型内に
アルミナセラミックスの原料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して成形
し、しかる後、成形品を約1500℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１１】
また前記絶縁基体1 の凹部1a底面に被着させた金属層4 は銀から成り、該金属
層4 は半導体素子3 を絶縁基体1 の凹部1a底面に取着する際の下地金属として作
用し、金属層4 上には半導体素子3 が金、金 シリコン共晶半田等の接着材5 を
介し取着される。
【００１２】
前記金属層4 は取着する半導体素子3 の寸法が6.0mm ×8.0mm 程度の大きなも
のと成って絶縁基体1 に設けた凹部1aの底面積が80mm以上となったときその厚さ
を25μm 以上の厚いものとして被着される。
【００１３】
前記金属層4 はその厚みが25μm 以上の厚いものであること及び金属層4 を形
成する銀の硬度が低く軟質であること等から半導体素子3 を絶縁基体1 の凹部1a
底面に被着させた金属層4 上に接着材5 を加熱溶融させることによって取着する
際、半導体素子3 と絶縁基体1 の凹部1a底面との間に両者の熱膨張係数の相違に
起因した大きな熱応力が発生したとしても該熱応力は金属層4 を変形させること
によって吸収され、その結果、半導体素子3 にクラックや割れ等を発生させて半
導体素子3 の機能に支障を与えたり、半導体素子3 を絶縁基体1 の凹部1a底面よ
り剥離させたりすることは皆無となる。
【００１４】
尚、前記金属層4 は取着する半導体素子3 の寸法が6.0mm ×8.0mm 程度の大き
なものと成って絶縁基体1 に設けた凹部1aの底面積が80mm2 以上となったときそ
の厚みが25μm 未満の薄いものであると半導体素子3 を絶縁基体1 の凹部1a底面
に被着させた金属層4 上に接着材5 を介して取着する際、金属層4 が半導体素子
3 と絶縁基体1 との間に発生する熱応力を完全に吸収することができず、半導体
素子3 にクラックや割れ等を発生させて半導体素子3 の機能に支障をきたしたり
、半導体素子3 が絶縁基体1 の凹部1a底面より剥離したりする。従って、金属層
4 は取着する半導体素子3 の寸法が6.0mm ×8.0mm 程度の大きなものと成って絶
縁基体1 に設けた凹部1aの底面積が80mm2 以上となったときその厚みを25μm 以
上の厚いものとする必要がある。
【００１５】
前記金属層4 は、例えば平均粒径1.5 乃至2.0 μm の銀粉末に適当な有機溶剤
、溶媒を添加混合して成る導電ペーストを絶縁基体1 の凹部1a底面に滴下し、25
μm 以上の均一厚みに拡散させた後、約950 ℃の従来より若干高い温度で焼成す
ることよって絶縁基体1 の凹部1a底面に被着される。
【００１６】
前記金属層4 はそれを構成する銀の結晶粒径を焼成温度を約950 ℃の若干高め
とすることによって7.0 乃至14.0μm の大きさとすると銀結晶間の間隙が少なく
なるとともに金属層4 の表面粗さが中心線平均粗さRaでRa=0.55 μm 程度の滑ら
かなものとなり、その結果、金属層4 上に接着材5 を介して半導体素子3 を取着
する際、接着材5 の金属層4 上での拡がりが極めて良くなり、半導体素子3 を金
属層4 に極めて強固に取着することが可能となる。従って、金属層4 はそれを構
成する銀の結晶粒径を7.0 乃至14.0μm の大きさとしておくことが好ましい。
【００１７】
また前記絶縁基体1 及び蓋体2 には、その相対向する各々の主面に封止用の低
融点ガラス層6a、6bが予め被着形成されており、該絶縁基体1 及び蓋体2 の各々
に被着されている封止用の低融点ガラス層6a、6bを加熱溶融させ、一体化させる
ことにより絶縁基体1 と蓋体2 とから成る容器内部に半導体素子3 を気密に封止
する。
前記絶縁基体1 及び蓋体2 の相対向する主面に被着される封止用の低融点ガラ
ス層6a、6bは、例えば酸化鉛75.0重量％、酸化チタン9.0 重量％、酸化ホウ素7.
5 重量％、酸化亜鉛2.0 重量％等のガラスから成り、該ガラス粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得たガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷等の
厚膜手法を採用することにより絶縁基体1 及び蓋体2 の相対向する各々の主面に
被着される。
【００１８】
尚、前記封止用の低融点ガラス層6a、6bはその熱膨張係数を絶縁基体1 及び蓋
体2 の熱膨張係数に近似した値にしておくと絶縁基体1 と蓋体2 とを封止用低融
点ガラス層6a、6bを介して接合し、容器を気密に封止する際、絶縁基体1 及び蓋
体2 と封止用低融点ガラス層6a、6bとの間には両者の熱膨張係数の相違に起因す
る熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体1 と蓋体2 とを封止用低融点ガラ
ス層6a、6bを介し強固に接合することが可能となる。従って、封止用低融点ガラ
ス層6a、6bはその熱膨張係数を絶縁基体1 及び蓋体2 の熱膨張係数に合わせてお
くことが好ましい。
【００１９】
また前記絶縁基体1 と蓋体2 との間には導電性材料、例えばコバール(Fe-Ni-C
合金) や42アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属から成る外部リード端子7 が配されてお
り、該外部リード端子7 は半導体素子3 の各電極がボンディングワイヤ8 を介し
て電気的に接続され、外部リード端子7 を外部電気回路に接続することによって
半導体素子3 は外部電気回路と接続されることとなる。
【００２０】
前記外部リード端子7 は、絶縁基体1 と蓋体2 とから成る容器を封止用の低融
点ガラス層6a、6bを溶融一体化させて気密封止する際に同時に絶縁基体1 と蓋体
2 の間に取着固定される。
【００２１】
尚、前記外部リード端子7 は外部電気回路との電気的導通を良好とするために
、また酸化腐食するのを有効に防止するためにその外表面にニッケル、金等の良
導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属を1.0 乃至20.0μm の厚みにメッキにより層
着させておくことが好ましい。
【００２２】
かくしてこの半導体素子収納用パッケージによれば、絶縁基体1 に設けた凹部
1a底面の金属層4 上に金、金 シリコン共晶半田等から成る接着材5 を介して半
導体素子3 を取着固定するとともに該半導体素子3 の各電極をボンディングワイ
ヤ8 により外部リード端子7 に接続させ、しかる後、絶縁基体1 と蓋体2 とをそ
の両者の相対向する主面に予め被着させておいた封止用低融点ガラス層6a、6bを
溶融一体化させることによって接合すると絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に
半導体素子3 が気密に封止されて最終製品としての半導体装置となる。
【００２３】
尚、本考案は上述の実施例に限定されるものではなく、本考案の要旨を逸脱し
ない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば低融点ガラスによって絶縁基
体と蓋体とから成る容器を気密封止するガラス封止型の半導体素子収納用パッケ
ージの他に複数枚の未焼成セラミックシートを積層し、焼結一体化させて成るマ
ルチレイヤーの半導体素子収納用パッケージにも適用可能である。
【００２４】
本考案の半導体素子収納用パッケージによれば、パッケージの容器を構成する
絶縁基体の凹部底面に銀から成る金属層を、該凹部底面の面積が80mm 2以上であ
るとき25μm 以上の厚い厚さに層着させたことから半導体素子を絶縁基体の凹部
底面に被着させた金属層上に接着材を加熱溶融させることによって取着する際、
半導体素子と絶縁基体の凹部底面との間に両者の熱膨張係数の相違に起因した大
きな熱応力が発生したとしても該熱応力は金属層を変形させることによって吸収
され、その結果、半導体素子にクラックや割れ等が発生して半導体素子の機能に
支障をきたしたり、半導体素子が絶縁基体の凹部底面より剥離したりするのが皆
無となり、半導体素子を絶縁基体の凹部底面に安定、且つ強固に取着固定するこ
とが可能となる。
【図１】本考案の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】従来の半導体素子収納用パッケージの断面図で
ある。
ある。
１・・・絶縁基体
１ａ・・凹部
２・・・蓋体
３・・・半導体素子
４・・・金属層
５・・・接着材
７・・・外部リード端子
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を収容するための凹部を有する
絶縁基体と蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージ
において、前記絶縁基体の凹部底面に銀から成る金属層
を、該凹部底面の面積が80mm 2以上であるとき厚さを25
μm 以上として層着させたことを特徴とする半導体素子
収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991038421U JP2548964Y2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991038421U JP2548964Y2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04131946U true JPH04131946U (ja) | 1992-12-04 |
| JP2548964Y2 JP2548964Y2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=31919930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991038421U Expired - Lifetime JP2548964Y2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体素子収納用パッケージ |
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| Country | Link |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02238640A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP1991038421U patent/JP2548964Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02238640A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2548964Y2 (ja) | 1997-09-24 |
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