JPH04128722A - 非線形光学材料 - Google Patents
非線形光学材料Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、有機非線形光学材料に関し、特に波長変換
素子に使用される非線形光学材料に関する。
素子に使用される非線形光学材料に関する。
〔従来の技術ゴ
物質にレーザ光が照射されると、その強い電場Eによっ
て物質中に分極Pが誘起される。この誘起された分極P
は次の式で表される。
て物質中に分極Pが誘起される。この誘起された分極P
は次の式で表される。
P=X”’ E−”、 X” E2+X” E、3+−
、+x(11’ E11第1項が線形分極、第2項以降
が非線形分極であり ’)l、 (nlはn≧2のと
きn次の非線形感受率である。第2項から2次の非線形
効果が生じ、第二高調波発生による波長変換、あるいは
パラメトリック発振と呼ばれる光の波長変換が可能とな
り、第3項から3次の非線形効果が生じ、第三高調波発
生による光の波長変換が可能となる。
、+x(11’ E11第1項が線形分極、第2項以降
が非線形分極であり ’)l、 (nlはn≧2のと
きn次の非線形感受率である。第2項から2次の非線形
効果が生じ、第二高調波発生による波長変換、あるいは
パラメトリック発振と呼ばれる光の波長変換が可能とな
り、第3項から3次の非線形効果が生じ、第三高調波発
生による光の波長変換が可能となる。
従来、このような光の波長変換が可能な非線形光学素子
に使用される非線形光学材料として各種の無機材料が知
られている。例えばニオブ酸リチウム、 KTiPO,
、に)12PO,などが挙げられる。しかしながら、こ
れらの材料は非線形性2破壊しきい値。
に使用される非線形光学材料として各種の無機材料が知
られている。例えばニオブ酸リチウム、 KTiPO,
、に)12PO,などが挙げられる。しかしながら、こ
れらの材料は非線形性2破壊しきい値。
駆動電圧、応答性などに問題があり、実用化が遅れてい
る。これに対して、最近、有機非線形光学材料が注目さ
れている。これは有機非線形光学材料が無機非線形材料
に比べて、非線形感受率が大きいこと、光学損傷に対す
る破壊しきい値が高いこと、非線形分極は電子分極が支
配的で応答速度が速いことなどによる。有機非線形光学
材料としては、例えば尿素、2−メチル−4−ニトロア
ニリン(MNΔ)、p−ニトロアニリン(p −N A
>などがあり、大きな非線形光学性を持つことがわか
ってきた。
る。これに対して、最近、有機非線形光学材料が注目さ
れている。これは有機非線形光学材料が無機非線形材料
に比べて、非線形感受率が大きいこと、光学損傷に対す
る破壊しきい値が高いこと、非線形分極は電子分極が支
配的で応答速度が速いことなどによる。有機非線形光学
材料としては、例えば尿素、2−メチル−4−ニトロア
ニリン(MNΔ)、p−ニトロアニリン(p −N A
>などがあり、大きな非線形光学性を持つことがわか
ってきた。
上述のように、非線形光学材料としてπ電子共役系の有
機材料が有効であるが、これらπ電子共役構造を持つ有
機材料の非線形成を高める手段としてπ電子共役系に電
子供与性(ドナー性)置換基と電子吸引性(アクセプタ
ー性)置換基の両方を導入することが行われている。
機材料が有効であるが、これらπ電子共役構造を持つ有
機材料の非線形成を高める手段としてπ電子共役系に電
子供与性(ドナー性)置換基と電子吸引性(アクセプタ
ー性)置換基の両方を導入することが行われている。
有機材料の結晶は、分子構造、水素結合、双極子−双極
子相互作用あるいはファンデルワールス相互作用などの
分子間の相互作用により決まる。
子相互作用あるいはファンデルワールス相互作用などの
分子間の相互作用により決まる。
いま、π電子共役系にドナー性置換基とアクセプター性
置換基の両方を導入すると、分子の双極子モーメントが
大きくなり、結晶中の双極子−双極子相互作用が強くな
る。この双極子−双極子相互作用により2分子間の双極
子が打ち消す構造である中心対称性の結晶が形成される
ことになる。
置換基の両方を導入すると、分子の双極子モーメントが
大きくなり、結晶中の双極子−双極子相互作用が強くな
る。この双極子−双極子相互作用により2分子間の双極
子が打ち消す構造である中心対称性の結晶が形成される
ことになる。
ところがこのような中心対称のある結晶では2次の非線
形感受率が存在しないという問題がある。
形感受率が存在しないという問題がある。
また、π電子共役系の有機材料で、分子内で高い非線形
性を得ようとすると、p−ニトロアニリンに代表される
、強いドナー性の置換基と強いアクセプター性の置換基
との両方を持つ分子構造となる。ところが、このような
分子の光吸収位置は比較的長波長にあり、例えば、MN
Aの吸収位置は370nmにありその吸収の裾野は43
0nm付近にまで及ぶ。従って、青色透過性の点で劣り
、半導体レーザ光(波長8301m)を照射したときに
発生する第二高調波(波長4151m)が外部へ取り出
せないという問題があった。
性を得ようとすると、p−ニトロアニリンに代表される
、強いドナー性の置換基と強いアクセプター性の置換基
との両方を持つ分子構造となる。ところが、このような
分子の光吸収位置は比較的長波長にあり、例えば、MN
Aの吸収位置は370nmにありその吸収の裾野は43
0nm付近にまで及ぶ。従って、青色透過性の点で劣り
、半導体レーザ光(波長8301m)を照射したときに
発生する第二高調波(波長4151m)が外部へ取り出
せないという問題があった。
この発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであっ
て、2次の非線形性が大きく、第二高調波発生に優れた
有機非線形光学材料を提供することを解決しようとする
課題とする。また、光吸収位置が短波長にあり、例えば
半導体レーザ光(波長830nm)の第二高調波が得ら
れるような有機非線形材料を提供することを解決しよう
とする課題とする。
て、2次の非線形性が大きく、第二高調波発生に優れた
有機非線形光学材料を提供することを解決しようとする
課題とする。また、光吸収位置が短波長にあり、例えば
半導体レーザ光(波長830nm)の第二高調波が得ら
れるような有機非線形材料を提供することを解決しよう
とする課題とする。
上記課題のうち前者は、この発明によれば、下記一般式
で表されるヘテロ原子2個を含む5員環のペンゾローグ
縮合環と芳香環を含んでなる非線形材料により解決され
る。
で表されるヘテロ原子2個を含む5員環のペンゾローグ
縮合環と芳香環を含んでなる非線形材料により解決され
る。
〔式(1)中、R1およびR2は任意の置換基を表し、
XおよびYは○、S、NHのうちのいずれかを表す。〕 前記一般式(I)における置換基R,は電子吸弓性置換
基であるニトロ基、シアノM、 CF3基。
XおよびYは○、S、NHのうちのいずれかを表す。〕 前記一般式(I)における置換基R,は電子吸弓性置換
基であるニトロ基、シアノM、 CF3基。
C0OH基、 COCH3基、 COC,L基、 S
H基のうちのいずれかであり、置換基R2は前記の電子
吸引性置換基あるいは電子供与性置換基であるアミノ基
、水酸基、メトキン基、チオール基、ハロゲン基のうち
のいずれかであると好適である。また、芳香環はピリジ
ン環またはベンゼン環が好適であり、ペンゾローグ縮合
環はベンゾチアゾール環またはベンゾオキサゾール環が
好適であり、ペンゾローグ縮金環と芳香環の結合Yは0
.N、Sのうちのいずれかであると好適である。
H基のうちのいずれかであり、置換基R2は前記の電子
吸引性置換基あるいは電子供与性置換基であるアミノ基
、水酸基、メトキン基、チオール基、ハロゲン基のうち
のいずれかであると好適である。また、芳香環はピリジ
ン環またはベンゼン環が好適であり、ペンゾローグ縮合
環はベンゾチアゾール環またはベンゾオキサゾール環が
好適であり、ペンゾローグ縮金環と芳香環の結合Yは0
.N、Sのうちのいずれかであると好適である。
また、課題の前者は、下記一般式(II)で表されるヘ
テロ原子2個を含む5員環のペンゾローグ縮合環と芳香
環を含んでなる非線形材料によっても解決される。
テロ原子2個を含む5員環のペンゾローグ縮合環と芳香
環を含んでなる非線形材料によっても解決される。
z
〔式(II)中、R1およびR1は任意の置換基を表し
、XはO,S、N)Iのうちのいずれかを表し、Yはカ
ルボニルを表す。〕 前記一般式(II)における置換基R1は電子吸弓性置
換基であるニトロ基、シアノ基、 CF、基。
、XはO,S、N)Iのうちのいずれかを表し、Yはカ
ルボニルを表す。〕 前記一般式(II)における置換基R1は電子吸弓性置
換基であるニトロ基、シアノ基、 CF、基。
C0OH基、 C00CR,基、 C00C2H,基
、 SH基、ハロゲン基のうちのいずれかであり、置換
基R3は電子吸引性基のうちでは比較的弱いハロゲン基
、 SH基あるいは電子供与性置換基であるアルキル基
、水酸基、メトキシ基、アルキルチオ基のうちのいずれ
かであると好適である。また、芳香環はベンゼン環、ピ
リジン環、チオフェン環のうちのいずれかであると好適
であり、ペンゾローグ縮金環はベンゾチアゾール環また
はベンゾオキサゾール環であると好適であり、ペンゾロ
ーグ縮合環と芳香環の結合Yはカルボニルが用いラレル
。
、 SH基、ハロゲン基のうちのいずれかであり、置換
基R3は電子吸引性基のうちでは比較的弱いハロゲン基
、 SH基あるいは電子供与性置換基であるアルキル基
、水酸基、メトキシ基、アルキルチオ基のうちのいずれ
かであると好適である。また、芳香環はベンゼン環、ピ
リジン環、チオフェン環のうちのいずれかであると好適
であり、ペンゾローグ縮金環はベンゾチアゾール環また
はベンゾオキサゾール環であると好適であり、ペンゾロ
ーグ縮合環と芳香環の結合Yはカルボニルが用いラレル
。
次に前記課題のうち後者は、下記一般式(III)で表
されるヘテロ原子1個を含むペンゾローグ縮合環と芳香
環を含んでなる非線形材料によって解決される。
されるヘテロ原子1個を含むペンゾローグ縮合環と芳香
環を含んでなる非線形材料によって解決される。
〔式(III)中、R1およびR2は任意の置換基を表
し、XはO,S、NHのうちのいずれかを表し、Yはカ
ルボニルを表す。〕 前記一般式([[)における置換基R1は電子供与性置
換基であるニトロ基、シアノ基、 CF3基。
し、XはO,S、NHのうちのいずれかを表し、Yはカ
ルボニルを表す。〕 前記一般式([[)における置換基R1は電子供与性置
換基であるニトロ基、シアノ基、 CF3基。
CO叶基、 COOCH2基、 C00C2H,基、
SH基、ハロゲン基のうちのいずれかであり、置換基
R3は電子供与性置換基であるアルキル基、水酸基、メ
トキシ基、アルキルチオ基のうちのいずれかであると好
適である。また、芳香環はベンゼン環、ピリンン環、チ
オフェン環のうちのいずれかであると好適であり、ペン
ゾローグ縮合環はベンゾフラン環またはベンゾチオフェ
ン環であると好適であり、ペンゾローグ縮合環と芳香環
の結合Yはカルボニルが用いられる。
SH基、ハロゲン基のうちのいずれかであり、置換基
R3は電子供与性置換基であるアルキル基、水酸基、メ
トキシ基、アルキルチオ基のうちのいずれかであると好
適である。また、芳香環はベンゼン環、ピリンン環、チ
オフェン環のうちのいずれかであると好適であり、ペン
ゾローグ縮合環はベンゾフラン環またはベンゾチオフェ
ン環であると好適であり、ペンゾローグ縮合環と芳香環
の結合Yはカルボニルが用いられる。
〔作用〕
ペンゾローグ縮金環とベンゼン骨格をヘテロ原子または
カルボニルで結合することによって、折れ曲がった構造
となるため、中心対称性を崩すことができ、ペンゾロー
グ縮合環、ベンセン骨格それぞれの非線形性を好適に利
用することができ、非線形性の優れた材料が得られる。
カルボニルで結合することによって、折れ曲がった構造
となるため、中心対称性を崩すことができ、ペンゾロー
グ縮合環、ベンセン骨格それぞれの非線形性を好適に利
用することができ、非線形性の優れた材料が得られる。
置換基のドナー性、アクセプター性を強めることにより
、また共役長を延ばすことにより非線形性は良くなり、
一方、置換基のドナー性7アクセブター性を弱めること
により材料の光吸収位置を短波長側ヘシフトさせること
ができる。前記一般式(II[)で表される材料におい
ては、置換基のドナー性、アクセプター性を弱めて吸収
位置を短波長側にシフトさせ、そのかわりに共役長を延
ばすことにより非線形性の低下を少なく抑えることがで
き、半導体レーザ光の第二高長波を得ることが可能とな
る。
、また共役長を延ばすことにより非線形性は良くなり、
一方、置換基のドナー性7アクセブター性を弱めること
により材料の光吸収位置を短波長側ヘシフトさせること
ができる。前記一般式(II[)で表される材料におい
ては、置換基のドナー性、アクセプター性を弱めて吸収
位置を短波長側にシフトさせ、そのかわりに共役長を延
ばすことにより非線形性の低下を少なく抑えることがで
き、半導体レーザ光の第二高長波を得ることが可能とな
る。
以下、この発明の実施例について詳しく説明する。
実施例1
次の合成手順により、前記一般式(I)で表される化合
物の具体例としての化合物1−1ないし化合物1−9を
合成した。各反応は既知の方法で行った。
物の具体例としての化合物1−1ないし化合物1−9を
合成した。各反応は既知の方法で行った。
化合物1−1
化合物1−2
〔N
化合物!−1
化合物1−2
化合物1−3
化合物1−4
H
化合物1−3
H2
化合物1−5
化合物! −6
H
化合物1−5
化合物1−7
化合物1−8
C
化合物1−7
H
化合物1−8
H
化合物1−9
こうして得られた各化合物の粉末の試料にNd:YAG
レーデ光〈波長1.064μm)を照射した結果、それ
ぞれ波長0.532μmの緑色の散乱光(第二高調波)
が観測された。
レーデ光〈波長1.064μm)を照射した結果、それ
ぞれ波長0.532μmの緑色の散乱光(第二高調波)
が観測された。
また、上述の化合物I−1ないしI−9の散乱光の発光
強度を2−メチル−4−ニトロアニリンのそれを基準に
して比較した結果を第1表に示す。
強度を2−メチル−4−ニトロアニリンのそれを基準に
して比較した結果を第1表に示す。
第
表
第1表より化合物I−1ないしI−9は第二高調波の発
生強度の優れた材料であることが判る。
生強度の優れた材料であることが判る。
また、その合成手順は示さないが、前記−船蔵(1)で
表される上記以外の化合物の具体例として次のものが挙
げられる。
表される上記以外の化合物の具体例として次のものが挙
げられる。
化合物1−10
化合物1−11
化合物l−12
化合物1−13
化合物1−14
化合物1−15
化合物l−16
化合物l−17
化合物1−18
実施例2
次の合成手順により、前記−船蔵i)で表される化合物
の具体例の化合物I[−1ないし化合物■8を合成した
。各反応は既知の方法で行った。
の具体例の化合物I[−1ないし化合物■8を合成した
。各反応は既知の方法で行った。
/
/
化合物11−1
化合物11−2
H
化合物ll−1
H
化合物!!−2
化合物11−3
化合物11−4
H2
化合物11−3
化合物11−5
化合物11−6
C
化合物IK−5
化合物11−7
化合物1f−8
OM@
化合物11−7
化合物11−8
こうして得られた各化合物の粉末の試料にNd:YAG
レーザ光(波長1.064μm)を照射した結果、それ
ぞれ波長0.532μmの緑色の散乱光(第二高調波)
が観測された。
レーザ光(波長1.064μm)を照射した結果、それ
ぞれ波長0.532μmの緑色の散乱光(第二高調波)
が観測された。
また、上述の化合物n−1ないしll−8の散乱光の発
生強度を2−メチル−4−ニトロアニリンのそれを基準
にして比較した結果を第2表に示す。
生強度を2−メチル−4−ニトロアニリンのそれを基準
にして比較した結果を第2表に示す。
第2表
第2表より、化合物n−1ないしll−8は第二高調波
の発生強度の優れた材料であることが判る。
の発生強度の優れた材料であることが判る。
また、
その合成手順は示さないが、
前言己一般式
(II)で表される上記以下の化合物の具体例として次
のものが挙げられる。
のものが挙げられる。
化合物11−9
化合物ll−10
化合物ll−11
化合物ll−12
化合物II −13
化合物ll−14
化合物ll−15化合物ll−16化合物ll−17実
施例3 次の合成手順により、前記−船蔵(III)で表される
化合物の具体例の化合物[[−1ないし化合物■−7を
合成した。各反応は既知の方法で行った。
施例3 次の合成手順により、前記−船蔵(III)で表される
化合物の具体例の化合物[[−1ないし化合物■−7を
合成した。各反応は既知の方法で行った。
化合物111−1
化合物111−1
化合物111−2
化合物111−3
化合物■l−4
0M@
化合物111−2
Me
化合物111−3
H2
化合物111−4
化合物111−5
化合物111−6
化合物111−7
H2
化合物111−5
H
化合物[11−6
H2
化合物111−7
こうして得られた各化合物の粉末の試料にNdYAGレ
ーザ光(波長1064μm)を照射した結果、それぞれ
波長0.532μmの緑色の散乱光(第二高調波)が観
測された。
ーザ光(波長1064μm)を照射した結果、それぞれ
波長0.532μmの緑色の散乱光(第二高調波)が観
測された。
また、上述の化合物I−1ないしlll−7の散乱光強
度を2−メチル−4−ニトロアニリン(MNA)のそれ
を基準にして比較した結果を第3表に示す。
度を2−メチル−4−ニトロアニリン(MNA)のそれ
を基準にして比較した結果を第3表に示す。
さらに、この前記一般式(III)で表される化合物に
ついては、光吸収ピークが短波長側にシフトすることが
考えられ、メタノール液中での吸収ピークの測定を行っ
た。その結果を、MNAについての測定結果と合わせて
同じく第3表に示す。
ついては、光吸収ピークが短波長側にシフトすることが
考えられ、メタノール液中での吸収ピークの測定を行っ
た。その結果を、MNAについての測定結果と合わせて
同じく第3表に示す。
第
表
第3表より、化合物lll−1ないしI[!−7はNd
:YAGレーザ光を照射したときの第二高調波の発生強
度はMNAに比べて若干劣るものが多いが大差なく優れ
た材料であることが判る。しかも、吸収ピークは短波長
側にンフトしており、半導体レーザ光の第二高調波が得
られる可能性のあることが判る。
:YAGレーザ光を照射したときの第二高調波の発生強
度はMNAに比べて若干劣るものが多いが大差なく優れ
た材料であることが判る。しかも、吸収ピークは短波長
側にンフトしており、半導体レーザ光の第二高調波が得
られる可能性のあることが判る。
また、その合成手順は示さないが、前記一般式(I[I
)で表される上記以外の化合物の具体例として次のもの
が挙げられる。
)で表される上記以外の化合物の具体例として次のもの
が挙げられる。
化合物111−8
化合物!■−12
H
化合物■−14
化合物111−9
化合物■−13
〔発明の効果〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)下記一般式( I )で表されるヘテロ原子2個を含
む5員環のベンゾローグ縮合環と芳香環を含んでなる材
料であることを特徴とする非線形光学材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼…………( I ) 〔式( I )中、R_1およびR_2は任意の置換基を
表し、XおよびYはO、S、NHのうちのいずれかを表
す。〕 2)前記一般式( I )における置換基R_1が電子吸
引性置換基であるニトロ基、シアノ基、CF_3基、C
OOH基、COCH_3基、COC_2H_5基、SH
基のうちのいずれかであり、置換基R_2が電子吸引性
置換基であるニトロ基、シアノ基、CF_3基、COO
H基、COCH_3基、COC_2H_5基、SH基あ
るいは電子供与性置換基であるアミノ基、水酸基、メト
キシ基、チオール基、ハロゲン基のうちのいずれかであ
ることを特徴とする請求項1記載の非線形光学材料。 3)前記一般式( I )における芳香環が6員環である
ピリジン環またはベンゼン環であることを特徴とする請
求項1または2記載の非線形光学材料。 4)前記一般式( I )におけるヘテロ原子2個を含む
5員環のベンゾローグ縮合環がベンゾチアゾール環また
はベンゾオキサゾール環であることを特徴とする請求項
1記載の非線形光学材料。 5)前記一般式( I )におけるベンゾローグ縮合環と
芳香環との結合Yが酸素原子(O)、窒素原子(N)、
いおう原子(S)のうちのいずれかであることを特徴と
する請求項1記載の非線形光学材料。 6)下記一般式(II)で表されるヘテロ原子2個を含む
5員環のベンゾローグ縮合環と芳香環を含んでなる材料
であることを特徴とする非線形光学材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼…………(II) 〔式( I )中、R_1およびR_2は任意の置換基を
表し、XはO、S、NHのうちのいずれかを表し、Yは
カルボニルを表す。〕 7)前記一般式(II)における置換基R_1が電子吸引
性置換基であるニトロ基、シアノ基、CF_3基、CO
OH基、COOCH_3基、COOC_2H_5基、S
H基、ハロゲン基のうちのいずれかであり、置換基R_
2が電子吸引性置換基のうちで比較的弱いハロゲン基、
SH基あるいは電子供与性置換基であるアルキル基、水
酸基、メトキシ基、アルキルチオ基のうちのいずれかで
あることを特徴とする請求項6記載の非線形光学材料。 8)前記一般式(II)における芳香環が6員環であるベ
ンゼン環、ピリジン環あるいは5員環であるチオフェン
環のうちのいずれかであることを特徴とする請求項6ま
たは7記載の非線形光学材料。 9)前記一般式(II)におけるヘテロ原子2個を含む5
員環のベンゾローグ縮合環がベンゾチアゾール環または
ベンゾオキサゾール環であることを特徴とする請求項6
記載の非線形光学材料。 10)前記一般式(II)におけるベンゾローグ縮合環と
芳香環の結合Yがカルボニルであることを特徴とする請
求項6記載の非線形光学材料。 11)下記一般式(III)で表されるヘテロ原子1個を
含む5員環のベンゾローグ縮合環と芳香環を含んでなる
材料であることを特徴とする非線形光学材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼…………(III) 〔式(III)中、R_、およびR_2は任意の置換基を
表し、XはO、S、NHのうちのいずれかを表し、Yは
カルボニルを表す。〕 12)前記一般式(III)における置換基R_1が電子
吸引性置換基であるニトロ基、シアノ基、CF_3基、
COOH基、COOCH_2基、COOC_2H_5基
、SH基、ハロゲン基のうちのいずれかであり、置換基
R_2が電子供与性置換基であるアルキル基、水酸基、
メトキシ基、アルキルチオ基のうちのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項11記載の非線形光学材料。 13)前記一般式(III)における芳香環が6員環であ
るベンゼン環、ピリジン環あるいは5員環であるチオフ
ェン環のうちのいずれかであることを特徴とする請求項
11または12記載の非線形光学材料。 14)前記一般式(III)におけるヘテロ原子1個を含
む5員環のベンゾローグ縮合環がベンゾフラン環または
ベンゾチオフェン環であることを特徴とする請求項11
記載の非線形光学材料。 15)前記一般式(III)におけるベンゾローグ縮合環
と芳香環の結合Yがカルボニルであることを特徴とする
請求項11記載の非線形光学材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24906190A JPH04128722A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 非線形光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24906190A JPH04128722A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 非線形光学材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04128722A true JPH04128722A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17187429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24906190A Pending JPH04128722A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 非線形光学材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04128722A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5900426A (en) * | 1995-03-28 | 1999-05-04 | Nippon Zoki Pharmaceutical Co., Ltd. | Benzothiazole derivatives |
CN112898317A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-04 | 河南科技大学第一附属医院 | 一种用于医院护理杀菌消毒的噁唑类化合物及其制备方法和应用 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP24906190A patent/JPH04128722A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5900426A (en) * | 1995-03-28 | 1999-05-04 | Nippon Zoki Pharmaceutical Co., Ltd. | Benzothiazole derivatives |
CN112898317A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-04 | 河南科技大学第一附属医院 | 一种用于医院护理杀菌消毒的噁唑类化合物及其制备方法和应用 |
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