JPS63261233A - 2次の非線形光学材料 - Google Patents
2次の非線形光学材料Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、2次の非線形光学材料に関する。さらに詳細
には、不飽和環式化合物の共融組成物からなり、2次の
非線形光学効果を有する有機結晶材料に関する。
には、不飽和環式化合物の共融組成物からなり、2次の
非線形光学効果を有する有機結晶材料に関する。
〈従来技術及び発明が解決しようとする問題点〉非線形
光学効果とは、結晶内部にかかる電場よって誘起される
分極Pが次式に示されるように、P−X(1)E 十X
(2)E −E +X(3)E −E −E 十・・・
X(n)=n次の非線形感受率 E:電場ベクトル 2次以上の項を有することによって生じる非線形性に伴
って発現する光学的効果であり、2次の非線形光学現象
としては第2高調波発生、光整流、光混合パラメトリッ
ク増幅及びポッケルス効果があり、3次のものとしては
第3高調波発生、光双安定性、カー効果等がある。特に
光の電場の2乗に比例して起る2次の非線形光学効果は
、光波長変換素子、光変調素子等の非線形光学素子とし
てオプトエレクトロニクス分野の発展を約束する素子へ
の応用が可能であるため多くの注目を集めている。
光学効果とは、結晶内部にかかる電場よって誘起される
分極Pが次式に示されるように、P−X(1)E 十X
(2)E −E +X(3)E −E −E 十・・・
X(n)=n次の非線形感受率 E:電場ベクトル 2次以上の項を有することによって生じる非線形性に伴
って発現する光学的効果であり、2次の非線形光学現象
としては第2高調波発生、光整流、光混合パラメトリッ
ク増幅及びポッケルス効果があり、3次のものとしては
第3高調波発生、光双安定性、カー効果等がある。特に
光の電場の2乗に比例して起る2次の非線形光学効果は
、光波長変換素子、光変調素子等の非線形光学素子とし
てオプトエレクトロニクス分野の発展を約束する素子へ
の応用が可能であるため多くの注目を集めている。
それらの素子を構成する材料は、現在のところKH2P
O4などの一部の無機材料が実用されているにすぎない
。しかし、それら無機材料の非線形光学定数は小さく、
それゆえ素子の動作には極めて高い電圧、または極めて
強い光強度が必要であった。このため、非線形光学定数
の大きい材料への要求は極めて強く、様々な材料探索が
なされてきた。無機材料においては、ニオブ酸リチウム
(LiNbOs)が最も大きい非線形光学定数を有して
いるが、ニオブ酸リチウムは強いレーザ光を照射すると
部分的に屈折率の変化を生じ、また容易に光で損傷する
欠点を有しており未だ実用化されていない。近年になっ
て、無機系材料に比べて有機系材料の方がはるかに高い
非線形光学特性を有することが見出だされ、例えば、2
−メチル−4−ニトロアニリン(MNA)に代表される
ように、π電子系を有しかつ分子内に電子供与性基と電
子吸引性基を有し、2次の分子非線形光学定数βが大き
い有機結晶材料が知られている。しかし、これらの有機
結晶材料では分子非線形光学定数βが比較的大きいもの
であっても、対称中心を有する結晶構造であるがために
2次の非線形光学現象を生じないものが多いという欠点
があった。
O4などの一部の無機材料が実用されているにすぎない
。しかし、それら無機材料の非線形光学定数は小さく、
それゆえ素子の動作には極めて高い電圧、または極めて
強い光強度が必要であった。このため、非線形光学定数
の大きい材料への要求は極めて強く、様々な材料探索が
なされてきた。無機材料においては、ニオブ酸リチウム
(LiNbOs)が最も大きい非線形光学定数を有して
いるが、ニオブ酸リチウムは強いレーザ光を照射すると
部分的に屈折率の変化を生じ、また容易に光で損傷する
欠点を有しており未だ実用化されていない。近年になっ
て、無機系材料に比べて有機系材料の方がはるかに高い
非線形光学特性を有することが見出だされ、例えば、2
−メチル−4−ニトロアニリン(MNA)に代表される
ように、π電子系を有しかつ分子内に電子供与性基と電
子吸引性基を有し、2次の分子非線形光学定数βが大き
い有機結晶材料が知られている。しかし、これらの有機
結晶材料では分子非線形光学定数βが比較的大きいもの
であっても、対称中心を有する結晶構造であるがために
2次の非線形光学現象を生じないものが多いという欠点
があった。
すなわち、分極Pは結晶の巨視的分極を示しており、分
子分極μは次式に示され、 μ−αE十βE−E+γE・EφE十・・・・・・α、
β、γ:各々1次、2次、3次の分子非線形光学定数、 E:電場ベクトル 各分子分極率が大きい程、微視的分極は大きくなり非線
形光学現象は大きくなるが、結晶構造が対称中心を持つ
場合には2次の非線形光学現象は生じない。従って、分
子自身の持つ非線形光学現象に対する能力は大きいもの
の結晶構造の反転対称性のために2次の非線形現象が生
じない場合が存在する。このように、有機結晶材料の光
学特性は、それを構成する分子の特性のみならず、結晶
中における分子配列により大きな影響を受けるが、有機
分子性結晶における分子配列はある温度領域で個々の分
子種によって一意的に決る場合が多く結晶中での分子配
列制御は非常に困難である。そのため、分子自身のも?
光学特性がその配列によって影響を受け、そのもの本来
の光学特性を十分に発揮できないという問題がある。
子分極μは次式に示され、 μ−αE十βE−E+γE・EφE十・・・・・・α、
β、γ:各々1次、2次、3次の分子非線形光学定数、 E:電場ベクトル 各分子分極率が大きい程、微視的分極は大きくなり非線
形光学現象は大きくなるが、結晶構造が対称中心を持つ
場合には2次の非線形光学現象は生じない。従って、分
子自身の持つ非線形光学現象に対する能力は大きいもの
の結晶構造の反転対称性のために2次の非線形現象が生
じない場合が存在する。このように、有機結晶材料の光
学特性は、それを構成する分子の特性のみならず、結晶
中における分子配列により大きな影響を受けるが、有機
分子性結晶における分子配列はある温度領域で個々の分
子種によって一意的に決る場合が多く結晶中での分子配
列制御は非常に困難である。そのため、分子自身のも?
光学特性がその配列によって影響を受け、そのもの本来
の光学特性を十分に発揮できないという問題がある。
この結晶構造における対称中心をなくすことに関し、こ
れまでいくつかの方法が提案されたが、いずれも一長一
短で決定的な解決策は見出されていない。例えば、大き
な2次の分子非線形光学定数βを有する4−N、N−ジ
メチルアミノ−4′−二トロスチルベン(DANS)を
液晶性高分子中に混合し、液晶分子の電場による配向制
御とDANSの大きな分極を利用して分子配列を制御し
Tg以下でその配列を凍結することによって2次の非線
形光学現象を生じせしめようとする提案がある。しかし
、この場合は液晶状態を利用するため、分子凝集力の強
いDANSの混合量を非常に小さくしなければならない
。この場合、分子は大きな非線形光学性能を有するも混
合量が少ないために大きな非線形光学現象は期待できな
い。また、シクロデキストリンのような包接化合物にp
−ニトロアニリンのような有機分子を包接させることに
よって、そのものの結晶がもつ対称性を取り去る方法が
知られているが、その非線形光学現象の大きさは尿素程
度と小さいものである。さらに、分子内に不斉炭素を導
入したり、水素結合しうる置換基を導入した有機非線形
光学材料が知られているが、これらの材料を用いた場合
、非線形光学現象の発現に直接寄与しない分子や導入さ
れた置換基のかさばりからして、単位体積当りの効率を
下げる方向にあるという欠点がある。
れまでいくつかの方法が提案されたが、いずれも一長一
短で決定的な解決策は見出されていない。例えば、大き
な2次の分子非線形光学定数βを有する4−N、N−ジ
メチルアミノ−4′−二トロスチルベン(DANS)を
液晶性高分子中に混合し、液晶分子の電場による配向制
御とDANSの大きな分極を利用して分子配列を制御し
Tg以下でその配列を凍結することによって2次の非線
形光学現象を生じせしめようとする提案がある。しかし
、この場合は液晶状態を利用するため、分子凝集力の強
いDANSの混合量を非常に小さくしなければならない
。この場合、分子は大きな非線形光学性能を有するも混
合量が少ないために大きな非線形光学現象は期待できな
い。また、シクロデキストリンのような包接化合物にp
−ニトロアニリンのような有機分子を包接させることに
よって、そのものの結晶がもつ対称性を取り去る方法が
知られているが、その非線形光学現象の大きさは尿素程
度と小さいものである。さらに、分子内に不斉炭素を導
入したり、水素結合しうる置換基を導入した有機非線形
光学材料が知られているが、これらの材料を用いた場合
、非線形光学現象の発現に直接寄与しない分子や導入さ
れた置換基のかさばりからして、単位体積当りの効率を
下げる方向にあるという欠点がある。
く目 的〉
この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、簡
便な方法により得られ、かつ大きな2次の非線形光学効
果を有する有機非線形光学材料を提供することを目的と
する。
便な方法により得られ、かつ大きな2次の非線形光学効
果を有する有機非線形光学材料を提供することを目的と
する。
く問題を解決するための手段〉
上記の問題点を解決すべくなされた、この発明の2次の
非線形光学材料は、分子内に電子供与性原子団と電子吸
引性原子団とを有する不飽和環式化合物の2種類以上の
共融組成物からなることを特徴とするものである。
非線形光学材料は、分子内に電子供与性原子団と電子吸
引性原子団とを有する不飽和環式化合物の2種類以上の
共融組成物からなることを特徴とするものである。
上記の構成において、不飽和環式化合物とは、少なくと
も1つの二重結合を有する環状化合物を意味し、例えば
、芳香族化合物、不飽和複素環式化合物等が包含される
。芳香族化合物としては、ベンゼン環、ナフタレン環、
アントラセン環などを有するベンゼン系芳香族化合物、
トロポロン環、アズレン環、[10]アヌレン環などを
有する非ベンゼノイド系芳香族化合物等が例示される。
も1つの二重結合を有する環状化合物を意味し、例えば
、芳香族化合物、不飽和複素環式化合物等が包含される
。芳香族化合物としては、ベンゼン環、ナフタレン環、
アントラセン環などを有するベンゼン系芳香族化合物、
トロポロン環、アズレン環、[10]アヌレン環などを
有する非ベンゼノイド系芳香族化合物等が例示される。
また、不飽和複素環式化合物には、酸素、窒素および硫
黄からなる群より選ばれたベテロ原子を1〜4個有する
単環または縮合環の不飽和複素環式化合物が包含され、
例えば、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサ
ゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、チアジアゾ
ール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピロリン環
、イミダシリン環、ジヒドロフラン環、ジチオール環、
ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環
、ジヒドロピリジン環、ジヒドロピリミジン環などの5
−または6−員環不飽和複素環、インドール環、キノリ
ン環、キナゾリン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラ
ン環、ベンゾチアゾール環、アクリジン環などの縮合不
飽和複素環等を有する複素環式化合物が例示できる。
黄からなる群より選ばれたベテロ原子を1〜4個有する
単環または縮合環の不飽和複素環式化合物が包含され、
例えば、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサ
ゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、チアジアゾ
ール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピロリン環
、イミダシリン環、ジヒドロフラン環、ジチオール環、
ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環
、ジヒドロピリジン環、ジヒドロピリミジン環などの5
−または6−員環不飽和複素環、インドール環、キノリ
ン環、キナゾリン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラ
ン環、ベンゾチアゾール環、アクリジン環などの縮合不
飽和複素環等を有する複素環式化合物が例示できる。
また、電子供与性原子団としては、アミノ、メチルアミ
ノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ヘキシルアミノ、
ジメチルアミノ、メチルエチルアミノなどのアルキル基
を有していてもよいアミノ基;メルカプト基;メチルチ
オ、エチルチオ、プロピルチオ、ヘキシルチオなどのア
ルキルチオ基;メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキ
シなどのアルコキシ基;メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチ
ルなどのアルキル基;ハロゲン原子;水酸基等が例示で
きる。
ノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ヘキシルアミノ、
ジメチルアミノ、メチルエチルアミノなどのアルキル基
を有していてもよいアミノ基;メルカプト基;メチルチ
オ、エチルチオ、プロピルチオ、ヘキシルチオなどのア
ルキルチオ基;メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキ
シなどのアルコキシ基;メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチ
ルなどのアルキル基;ハロゲン原子;水酸基等が例示で
きる。
電子吸引性原子団としては、ニトロ基;シアノ基;メタ
ンスルホニル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル
、ブタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、
2,2.2−)リフルオロエタンスルホニルなどのハロ
ゲン原子を有していてもよいアルカンスルホニル基;ス
ルホ基;メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、プ
ロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、ペンチルオ
キシスルホニル、ヘキシルオキシスルホニル、オクチル
オキシスルホニルなどのアルコキシスルホニル、フェノ
キシスルホニル、p−シアノフェノキシスルホニルなど
の置換基を有していてもよいフェノキシスルホニル等の
エステル化されたスルホ基;カルボキシ基;メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル
、ブトキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、オ
クチルオキシカルボニルなどのアルコキシカルボニル基
、フェノキシカルボニル、p−ニトロフェノキシカルボ
ニルなどの置換基を有していてもよいフェノキシカルボ
ニル等のエステル化されたカルボキシ基;ホルミル、ア
セチル、プロピオニル、ブチリル、ヘキサノイル、ベン
ゾイルなどのアシル基;カルバモイル、メチルカルバモ
イル、エチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなど
の置換基を有していてもよいカルバモイル基;スルファ
モイル、メチルスルファモイル、フェニルスルファモイ
ルなどの置換基を有していてもよいスルファモイル基;
ニトロソ基;スルフィノ基;チオカルボキシ基等が例示
できる。
ンスルホニル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル
、ブタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、
2,2.2−)リフルオロエタンスルホニルなどのハロ
ゲン原子を有していてもよいアルカンスルホニル基;ス
ルホ基;メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、プ
ロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、ペンチルオ
キシスルホニル、ヘキシルオキシスルホニル、オクチル
オキシスルホニルなどのアルコキシスルホニル、フェノ
キシスルホニル、p−シアノフェノキシスルホニルなど
の置換基を有していてもよいフェノキシスルホニル等の
エステル化されたスルホ基;カルボキシ基;メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル
、ブトキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、オ
クチルオキシカルボニルなどのアルコキシカルボニル基
、フェノキシカルボニル、p−ニトロフェノキシカルボ
ニルなどの置換基を有していてもよいフェノキシカルボ
ニル等のエステル化されたカルボキシ基;ホルミル、ア
セチル、プロピオニル、ブチリル、ヘキサノイル、ベン
ゾイルなどのアシル基;カルバモイル、メチルカルバモ
イル、エチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなど
の置換基を有していてもよいカルバモイル基;スルファ
モイル、メチルスルファモイル、フェニルスルファモイ
ルなどの置換基を有していてもよいスルファモイル基;
ニトロソ基;スルフィノ基;チオカルボキシ基等が例示
できる。
上記電子供与性原子団および電子吸引性原子団は、前記
不飽和環式化合物の環に直接または共役系の基を介して
、それぞれ1または2以上の基が結合しており、2以上
の基が結合する場合には、同一または異なった置換基で
あってもよい。また、環と各原子団とを結合する共役系
の基は特に限定されないが、例えば、ビニレン、ブタジ
ェニレンなどのポリエン、フェニレン等が例示される。
不飽和環式化合物の環に直接または共役系の基を介して
、それぞれ1または2以上の基が結合しており、2以上
の基が結合する場合には、同一または異なった置換基で
あってもよい。また、環と各原子団とを結合する共役系
の基は特に限定されないが、例えば、ビニレン、ブタジ
ェニレンなどのポリエン、フェニレン等が例示される。
なお、前記の電子供与性原子団および電子吸引性原子団
には、前記不飽和複素環式化合物の複素環を構成するヘ
テロ原子も包含され、これらへテロ原子は、複素環の種
類、複素環に結合している電子供与性基または電子吸引
性基のそれぞれ電子供与または電子吸引効果の程度等に
より、電子供与性原子団としても電子吸引性原子団とし
ても作用する。
には、前記不飽和複素環式化合物の複素環を構成するヘ
テロ原子も包含され、これらへテロ原子は、複素環の種
類、複素環に結合している電子供与性基または電子吸引
性基のそれぞれ電子供与または電子吸引効果の程度等に
より、電子供与性原子団としても電子吸引性原子団とし
ても作用する。
本発明における2次の非線形光学材料は、上記の電子供
与性原子団および電子吸引性原子団を有する芳香族化合
物の2種類以上の共融組成物からなるものであり、共融
組成物は共融点を示すものでもよくまた共融点を示さな
い組成のものでもよい。
与性原子団および電子吸引性原子団を有する芳香族化合
物の2種類以上の共融組成物からなるものであり、共融
組成物は共融点を示すものでもよくまた共融点を示さな
い組成のものでもよい。
2次の非線形光学効果の大きな材料を得るために、上記
の共融組成物を構成する各成分化合物は2次の分子非線
形定数βが大きいものが好ましく、より好ましくは分子
非線形光学定数βが、5X10 esuより大きい
化合物を用いるのがよい。
の共融組成物を構成する各成分化合物は2次の分子非線
形定数βが大きいものが好ましく、より好ましくは分子
非線形光学定数βが、5X10 esuより大きい
化合物を用いるのがよい。
さらに本発明における非線形光学材料において、構成成
分である各化合物は、その単独成分がなす結晶が2次の
非線形光学現象が生じるものであっても、生じないもの
であってもよく、またこれらの両者を含む組合せでもよ
い。また、各成分化合物の混合比は、所望する光学特性
、成分化合物の物性(融点、溶解度等)により適宜選択
することができる。
分である各化合物は、その単独成分がなす結晶が2次の
非線形光学現象が生じるものであっても、生じないもの
であってもよく、またこれらの両者を含む組合せでもよ
い。また、各成分化合物の混合比は、所望する光学特性
、成分化合物の物性(融点、溶解度等)により適宜選択
することができる。
本発明の非線形光学材料は、種々の方法により製造する
ことができ、例えば、共融組成物を構成する各成分化合
物を混合し、加熱溶融させた後、冷却して結晶化させる
方法、各成分化合物の適当量を適当な溶媒(例えば、メ
タノール、エタノ−ル、テトラヒドロフラン、ベンゼン
等)に適当な温度で溶解した後、溶媒を除去するかまた
は温度を降下させることにより、結晶化させる方法等が
挙げられる。
ことができ、例えば、共融組成物を構成する各成分化合
物を混合し、加熱溶融させた後、冷却して結晶化させる
方法、各成分化合物の適当量を適当な溶媒(例えば、メ
タノール、エタノ−ル、テトラヒドロフラン、ベンゼン
等)に適当な温度で溶解した後、溶媒を除去するかまた
は温度を降下させることにより、結晶化させる方法等が
挙げられる。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)
ベンゼンおよび1−(4−シアノベンジリデンアミノ)
−4−メチルベンゼンを、前者が15〜90モル%の組
成となるように計り取り、140〜150℃に加熱し溶
融する。なお融点は前者が129.5℃、後者が136
℃である。次いで、溶融液を混合した後、放冷し結晶化
させる。
ベンゼンおよび1−(4−シアノベンジリデンアミノ)
−4−メチルベンゼンを、前者が15〜90モル%の組
成となるように計り取り、140〜150℃に加熱し溶
融する。なお融点は前者が129.5℃、後者が136
℃である。次いで、溶融液を混合した後、放冷し結晶化
させる。
得られた結晶を粉末化し、2枚のプレパラートに挾んで
波長1,064μlのNd : YAGI/−ブー光(
50mJ/パルス)を照射すると、第2高調波である0
、532μmの光の発生が認められた。
波長1,064μlのNd : YAGI/−ブー光(
50mJ/パルス)を照射すると、第2高調波である0
、532μmの光の発生が認められた。
なお、1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデンア
ミノ)ベンゼンおよび1−(4−シアノベンジリデンア
ミノ)−4−メチルベンゼンは、共に単独成分よりなる
結晶では第2高調波が観察されなかった。
ミノ)ベンゼンおよび1−(4−シアノベンジリデンア
ミノ)−4−メチルベンゼンは、共に単独成分よりなる
結晶では第2高調波が観察されなかった。
なお、分子軌道計算法の1つであるPariser−P
arr−Pople (PPP法) [A、 Mart
in、 Acta ChemieaAeademiae
5cientiarua+ Hungaricae、
84.259(1975)参照]を用いて計算した各
分子パラメーターを次式[J、 L、 0udar、
J、 Chew、、 Phys、、 87、446(1
977)参照]に適用することによって、[e:電子の
電荷、 ’h−h/2π(hはブランク定数)、IO=
電子の質量、 シ:基底状態と励起状態のエネギー差、
1ω:入射光エネルギー、 f:振動子強度、 Δμ
=基底状態と励起状態の双極子e モーメントの差。] 1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)
ベンゼンおよび1−(4−シアノベンシリデンアミノ)
−4−メチルベンゼンの2次の分子非線形光学定数βを
求めたところ、各々213×10″−30esuおよび
52.8X10−30esuとなり、これらの値は2−
メチル−4−ニトロアニリンの16.3X10 ”e
suよりも大きい(但し、入射光波長は1.064μ口
としである)。
arr−Pople (PPP法) [A、 Mart
in、 Acta ChemieaAeademiae
5cientiarua+ Hungaricae、
84.259(1975)参照]を用いて計算した各
分子パラメーターを次式[J、 L、 0udar、
J、 Chew、、 Phys、、 87、446(1
977)参照]に適用することによって、[e:電子の
電荷、 ’h−h/2π(hはブランク定数)、IO=
電子の質量、 シ:基底状態と励起状態のエネギー差、
1ω:入射光エネルギー、 f:振動子強度、 Δμ
=基底状態と励起状態の双極子e モーメントの差。] 1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)
ベンゼンおよび1−(4−シアノベンシリデンアミノ)
−4−メチルベンゼンの2次の分子非線形光学定数βを
求めたところ、各々213×10″−30esuおよび
52.8X10−30esuとなり、これらの値は2−
メチル−4−ニトロアニリンの16.3X10 ”e
suよりも大きい(但し、入射光波長は1.064μ口
としである)。
PPP−No法は分子内のπ電子のみを考慮する分子軌
道法の1つで、従来、機能性色素材料等の吸収および発
光スペクトルの理論的予測に広範に使用され、実験値と
計算値とのよい一致を見ている。
道法の1つで、従来、機能性色素材料等の吸収および発
光スペクトルの理論的予測に広範に使用され、実験値と
計算値とのよい一致を見ている。
この方法を2次の分子非線形光学定数βの計算に適用す
る妥当性は次の例によって示される。2−メチル−4−
ニトロアニリンおよび4−N、N−ジメチルアミノ−4
′−二トロスチルベンは2次の分子非線形光学定数βの
実測値として、各々19 X 10 ” esuおよ
び383 X 10 ” esuであることが知られ
ている[ J、 L、 0udor、 J、。
る妥当性は次の例によって示される。2−メチル−4−
ニトロアニリンおよび4−N、N−ジメチルアミノ−4
′−二トロスチルベンは2次の分子非線形光学定数βの
実測値として、各々19 X 10 ” esuおよ
び383 X 10 ” esuであることが知られ
ている[ J、 L、 0udor、 J、。
Chem、、 Phys、、 87.446(1977
)参照]。この両分子についてPPP−1lIo法を用
いて2次の分子非線形光学定数βを計算すると、各々1
6.3X10−”csuおよび418X10−30es
uとなり、実測値とのよい一致が見られる。
)参照]。この両分子についてPPP−1lIo法を用
いて2次の分子非線形光学定数βを計算すると、各々1
6.3X10−”csuおよび418X10−30es
uとなり、実測値とのよい一致が見られる。
実施例2
1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)
ベンゼンおよび1−(4−シアノベンジリデンアミノ)
−4−メチルベンゼンを、前者が45モル%となるよう
に計り取り、メタノールに加熱溶解させた後、冷却し結
晶を析出させる。この結晶を濾別し乾燥させた後に粉末
とし、実施例1と同様に1,064//INのレーザー
光を照射すると第2高調波である0、532μmの光が
観察された。この結晶の組成を+H−NMRにより測定
したところと、1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジ
リデンアミノ)ベンゼンが60モル%含まれていた。
ベンゼンおよび1−(4−シアノベンジリデンアミノ)
−4−メチルベンゼンを、前者が45モル%となるよう
に計り取り、メタノールに加熱溶解させた後、冷却し結
晶を析出させる。この結晶を濾別し乾燥させた後に粉末
とし、実施例1と同様に1,064//INのレーザー
光を照射すると第2高調波である0、532μmの光が
観察された。この結晶の組成を+H−NMRにより測定
したところと、1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジ
リデンアミノ)ベンゼンが60モル%含まれていた。
実施例3〜11
1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)
ベンゼンと4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)−N
、N−ジエチルアニリン(実施例3)、1−メトキシ−
4−(4−ニトロベンシリデンアミノ)ベンゼンと2−
メトキシ−4−ニトロアニリン(実施例4)、2−メト
キシ−4−ニトロアニリンと4−メトキシ−2−ニトロ
アニリン(実施例5)、2−メトキシ−4−ニトロアニ
リンと2−ブロモ−4−二トローN、N−ジメチルアニ
リン(実施例6)、2−メトキシ−4−ニトロアニリン
とβ、β−ジシアノー4−メチルスチレン(実施例7)
、1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ
)ベンゼンと1−(4−ニトロベンジリデンアミノ)−
4−ペンチルベンゼン(実施例8)、1−エチル−4−
(4−ニトロベンジリデンアミノ)ベンゼンと1−te
rt−ブチル−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)
ベンゼン(実施例9) 、1−tert−ブチル−4−
(4−ニトロベンジリデンアミノ)ベンゼンと1−(4
−ニトロベンジリデンアミノ)−4−ペンチルベンゼン
(実施例10) 、1−tert−ブチル−4−(4−
ニトロベンジリデンアミノ)ベンゼンと1−(4−ニト
ロベンジリデンアミノ)−4−オクチルベンゼン(実施
例11)を、それぞれ 17 一 実施例1と同様に処理して得られた結晶について、実施
例1と同様な方法でレーザー光を照射したところ、いず
れにも第2高調波の発生が認められた。
ベンゼンと4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)−N
、N−ジエチルアニリン(実施例3)、1−メトキシ−
4−(4−ニトロベンシリデンアミノ)ベンゼンと2−
メトキシ−4−ニトロアニリン(実施例4)、2−メト
キシ−4−ニトロアニリンと4−メトキシ−2−ニトロ
アニリン(実施例5)、2−メトキシ−4−ニトロアニ
リンと2−ブロモ−4−二トローN、N−ジメチルアニ
リン(実施例6)、2−メトキシ−4−ニトロアニリン
とβ、β−ジシアノー4−メチルスチレン(実施例7)
、1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ
)ベンゼンと1−(4−ニトロベンジリデンアミノ)−
4−ペンチルベンゼン(実施例8)、1−エチル−4−
(4−ニトロベンジリデンアミノ)ベンゼンと1−te
rt−ブチル−4−(4−ニトロベンジリデンアミノ)
ベンゼン(実施例9) 、1−tert−ブチル−4−
(4−ニトロベンジリデンアミノ)ベンゼンと1−(4
−ニトロベンジリデンアミノ)−4−ペンチルベンゼン
(実施例10) 、1−tert−ブチル−4−(4−
ニトロベンジリデンアミノ)ベンゼンと1−(4−ニト
ロベンジリデンアミノ)−4−オクチルベンゼン(実施
例11)を、それぞれ 17 一 実施例1と同様に処理して得られた結晶について、実施
例1と同様な方法でレーザー光を照射したところ、いず
れにも第2高調波の発生が認められた。
なお、上記各化合物は、いずれも単独成分からなる結晶
では第2高調波の発生は見られなかった。
では第2高調波の発生は見られなかった。
実施例12
2−メチル−4−ニトロアニリンおよび2−メトキシ−
4−ニトロアニリンを前者20〜95モル%となるよう
に計り取り、150°C位に加熱し溶融させたものを混
合する。なお、融点は前者が134.5℃、後者が14
5℃である。実施例1−と同様に調整し測定すると、第
2高調波が観察され、その強度は2−メチル−4−ニト
ロアニリンのそれよりも大きかった。2−メトキシ−4
−ニトロアニリンの結晶は第2高調波を発生しない。
4−ニトロアニリンを前者20〜95モル%となるよう
に計り取り、150°C位に加熱し溶融させたものを混
合する。なお、融点は前者が134.5℃、後者が14
5℃である。実施例1−と同様に調整し測定すると、第
2高調波が観察され、その強度は2−メチル−4−ニト
ロアニリンのそれよりも大きかった。2−メトキシ−4
−ニトロアニリンの結晶は第2高調波を発生しない。
最大の第2高調波強度が得られるのは、2−メチル−4
−ニトロアニリンか80〜90モル%の組成を有するも
のであった。
−ニトロアニリンか80〜90モル%の組成を有するも
のであった。
実施例13
2−メチル−4−ニトロアニリンおよび4−−18 =
(4−ニトロベンジリデンアミノ)メトキシベンゼンを
実施例12と同様に調整したものについて、実施例1と
同様にして第2高調波の測定を行なったところ、第2高
調波が認められ、その強度は2−メチル−4−ニトロア
ニリンの単一成分からなる結晶が生じる第2高調波強度
より大きかった。
実施例12と同様に調整したものについて、実施例1と
同様にして第2高調波の測定を行なったところ、第2高
調波が認められ、その強度は2−メチル−4−ニトロア
ニリンの単一成分からなる結晶が生じる第2高調波強度
より大きかった。
実施例14〜19
エチル 4−メチル−1,3−ジチオール−2−イリデ
ンシアノアセテートと3−アミノピリジン(実施例14
)、エチル 4−メチル−1,3−ジチオール−2−イ
リデンシアノアセテートと2−りoo−6−ニトロベン
ズアルデヒド(実施例15)、エチル 4−メチル−1
,3−ジチオール−2−イリデンシアノアセテートと2
−エチルアミノ−1,3,4−チアジアゾール(実施例
16)、2−メトキシ−6−二トロピリジンと2−エチ
ルアミノ−1,3,4−チアジアゾール(実施例17)
、2−メトキシ−6−二トロピリジンと3−アミノピリ
ジン(実施例18)、エチル 4−メチル−1,3−ジ
チオール−2−イリデンジアノアセテート、3−アミノ
ピリジンと1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデ
ンアミノ)ベンゼン(実施例19)を、それぞれ実施例
1と同様に処理して得られた結晶について、実施例1と
同様な方法でレーザー光を照射したところ、いずれにも
第2高調波の発生が認められた。またその強度はいずれ
も単独成分よりなる結晶の第2高調波強度より大きいも
のであった。
ンシアノアセテートと3−アミノピリジン(実施例14
)、エチル 4−メチル−1,3−ジチオール−2−イ
リデンシアノアセテートと2−りoo−6−ニトロベン
ズアルデヒド(実施例15)、エチル 4−メチル−1
,3−ジチオール−2−イリデンシアノアセテートと2
−エチルアミノ−1,3,4−チアジアゾール(実施例
16)、2−メトキシ−6−二トロピリジンと2−エチ
ルアミノ−1,3,4−チアジアゾール(実施例17)
、2−メトキシ−6−二トロピリジンと3−アミノピリ
ジン(実施例18)、エチル 4−メチル−1,3−ジ
チオール−2−イリデンジアノアセテート、3−アミノ
ピリジンと1−メトキシ−4−(4−ニトロベンジリデ
ンアミノ)ベンゼン(実施例19)を、それぞれ実施例
1と同様に処理して得られた結晶について、実施例1と
同様な方法でレーザー光を照射したところ、いずれにも
第2高調波の発生が認められた。またその強度はいずれ
も単独成分よりなる結晶の第2高調波強度より大きいも
のであった。
〈発明の効果〉
以上のように、この発明の2次の非線形光学材料は、容
易に製造することができると共に、大きい2次の非線形
光学効果を有するので、弱い光でも高強度の第2高調波
を分離でき、また少ない電圧変化でも電気光学効果を効
率よく発現できるという特有の効果を奏する。
易に製造することができると共に、大きい2次の非線形
光学効果を有するので、弱い光でも高強度の第2高調波
を分離でき、また少ない電圧変化でも電気光学効果を効
率よく発現できるという特有の効果を奏する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、分子内に電子供与性原子団と電子吸引 性原子団を有する不飽和環式化合物の2 種類以上の共融組成物からなることを特 徴とする2次の非線形光学材料。 2、不飽和環式化合物が芳香族化合物であ る上記特許請求の範囲第1項記載の2次 の非線形光学材料。 3、不飽和環式化合物が複素環式化合物で ある上記特許請求の範囲第1項記載の2 次の非線形光学材料。 4、電子吸引性原子団が、ニトロ基、シア ノ基、ハロゲン原子を有していてもよい アルカンスルホニル基、スルホ基、エス テル化されたスルホ基、カルボキシ基、 エステル化されたカルボキシ基、アシル 基、置換基を有していてもよいカルバモ イル基および置換基を有していてもよい スルファモイル基からなる群より選ばれ た基である上記特許請求の範囲第1項な いし第3項のいずれかに記載の2次の非 線形光学材料。 5、電子供与性原子団が、アルキル基を有 していてもよいアミノ基、メルカプト基、 アルキルチオ基、アルコキシ基、アルキ ル基および水酸基からなる群より選ばれ た基である上記特許請求の範囲第1項な いし第3項のいずれかに記載の2次の非 線形光学材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9605887A JPS63261233A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 2次の非線形光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9605887A JPS63261233A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 2次の非線形光学材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63261233A true JPS63261233A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14154839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9605887A Pending JPS63261233A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 2次の非線形光学材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63261233A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989008863A1 (en) * | 1988-03-09 | 1989-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Secondary non-linear optical material and non-linear optical element prepared therefrom |
JPH02221939A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造方法 |
JPH0348226A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料組成物およびその製造方法 |
JPH03149282A (ja) * | 1989-02-22 | 1991-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料組成物及びその製造方法 |
EP0447331A2 (en) * | 1990-03-16 | 1991-09-18 | Eastman Kodak Company | An optical article exhibiting a high level of second order polarization susceptibility |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9605887A patent/JPS63261233A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989008863A1 (en) * | 1988-03-09 | 1989-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Secondary non-linear optical material and non-linear optical element prepared therefrom |
JPH02221939A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造方法 |
JPH03149282A (ja) * | 1989-02-22 | 1991-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料組成物及びその製造方法 |
JP2730251B2 (ja) * | 1989-02-22 | 1998-03-25 | 松下電器産業株式会社 | 非線形光学材料組成物及びその製造方法 |
JPH0348226A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料組成物およびその製造方法 |
EP0447331A2 (en) * | 1990-03-16 | 1991-09-18 | Eastman Kodak Company | An optical article exhibiting a high level of second order polarization susceptibility |
EP0447331A3 (en) * | 1990-03-16 | 1992-06-03 | Eastman Kodak Company | An optical article exhibiting a high level of second order polarization susceptibility |
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