JPH02221939A - 非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造方法 - Google Patents
非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造方法Info
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- JPH02221939A JPH02221939A JP4239089A JP4239089A JPH02221939A JP H02221939 A JPH02221939 A JP H02221939A JP 4239089 A JP4239089 A JP 4239089A JP 4239089 A JP4239089 A JP 4239089A JP H02221939 A JPH02221939 A JP H02221939A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光スィッチ、光メモリなどの各種光素子及び
半導体レーザーとの組合せによるデイスプレに利用する
ことができる非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造
方法に関する。
半導体レーザーとの組合せによるデイスプレに利用する
ことができる非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造
方法に関する。
従来の技術
非線形光学材料の第二高調波発生(SHG)、第三高調
波発生(THG)など、光の周波数変換機能を利用して
光スィッチや光メモリへの展開が考えられ、特に有機非
線形光学材料は従来の無機強誘電体結晶に比べて、非線
形光学定数が大きいこと、応答が速いことなどの特長が
あるので、光学素子の実用化を目指して活発に研究開発
が進められている。
波発生(THG)など、光の周波数変換機能を利用して
光スィッチや光メモリへの展開が考えられ、特に有機非
線形光学材料は従来の無機強誘電体結晶に比べて、非線
形光学定数が大きいこと、応答が速いことなどの特長が
あるので、光学素子の実用化を目指して活発に研究開発
が進められている。
発明が解決しようとする課題
特にSHG効果は、π電子共役系を有する有機化合物で
電子供与性(ドナー性)及び電子吸引性(アクセプター
性)の置換基を持つものが大きいことが分かっているが
、特にパラ置換体芳香族化合物は、分子の双極子モーメ
ントが大きくなると結晶生成時にこの双極子モーメント
を打ち消し合うように分子配列が安定となり、このため
反転対称性を有する結晶はSHG不活性となる。バラニ
トロアニリン(PNA)は、この代表例である。
電子供与性(ドナー性)及び電子吸引性(アクセプター
性)の置換基を持つものが大きいことが分かっているが
、特にパラ置換体芳香族化合物は、分子の双極子モーメ
ントが大きくなると結晶生成時にこの双極子モーメント
を打ち消し合うように分子配列が安定となり、このため
反転対称性を有する結晶はSHG不活性となる。バラニ
トロアニリン(PNA)は、この代表例である。
また超分極率βを大きくするためにπ電子共役系の分子
長を伸ばす試みがあるがこれは可視光領域に光吸収端を
持つようになり青色のSHGには不利である。
長を伸ばす試みがあるがこれは可視光領域に光吸収端を
持つようになり青色のSHGには不利である。
さらに結晶を光学素子として利用するためには大きな単
結晶を作るか、樹脂中に非線形材料を溶解し、電界等で
配向させたものが提案されているが高温下で配向乱れを
生じたり、経時的に不安定等十分ではない。いずれにお
いても実用化を困難にしている。
結晶を作るか、樹脂中に非線形材料を溶解し、電界等で
配向させたものが提案されているが高温下で配向乱れを
生じたり、経時的に不安定等十分ではない。いずれにお
いても実用化を困難にしている。
本発明は、上記従来の問題点を鑑みこれを解決した非線
形光学材料及び光学薄膜の製造方法を提供するものであ
る。
形光学材料及び光学薄膜の製造方法を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段
本発明の非線形光学材料組成物は、高分子と非線形光学
特性を示す有機化合物とを含有する非線形光学材料組成
物であって、前記有機化合物が、ドナー性、及びアクセ
プター性、の置換基を持つ少なくとも1種以上のπ電子
共役系有機化合物と溶融または溶解で均一混合できる有
機化合物からなる組成で、好適にはドナー性及、びアク
セプター性の置換基がパラの位置に配位した芳香環化合
物を少なくとも1種以上含有し、さらにその2種以上化
合物が共晶または固溶体またはその混合物からなる非線
形光学特性を示す材料からなる組成物とする。
特性を示す有機化合物とを含有する非線形光学材料組成
物であって、前記有機化合物が、ドナー性、及びアクセ
プター性、の置換基を持つ少なくとも1種以上のπ電子
共役系有機化合物と溶融または溶解で均一混合できる有
機化合物からなる組成で、好適にはドナー性及、びアク
セプター性の置換基がパラの位置に配位した芳香環化合
物を少なくとも1種以上含有し、さらにその2種以上化
合物が共晶または固溶体またはその混合物からなる非線
形光学特性を示す材料からなる組成物とする。
次に本発明の光学薄膜の製造方法は、基板上に上記非線
形光学材料組成物の溶液を塗布し非線形光学特性を示す
有機化合物を微結晶状態で゛乾燥析出させるか、または
混線分散した上記非線形光学材料組成物を塗布または印
刷し乾燥固定化させ光学薄膜を形成する。
形光学材料組成物の溶液を塗布し非線形光学特性を示す
有機化合物を微結晶状態で゛乾燥析出させるか、または
混線分散した上記非線形光学材料組成物を塗布または印
刷し乾燥固定化させ光学薄膜を形成する。
作 用
高分子と共晶または固溶体からなる非線形光学特性を有
する有機化合物の複合よりSHG変換効率を高め、且つ
熱的安定性等の高信頼性の非線形光学材料及び光学薄膜
が得られる。
する有機化合物の複合よりSHG変換効率を高め、且つ
熱的安定性等の高信頼性の非線形光学材料及び光学薄膜
が得られる。
実施例
本発明の高分子としては、ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、ポリスルホン、シアノエチルセルロ
ース、エチルセルロース、シアノエチルプルラン ンテレフタレートや、反応性樹脂例えばエポキシ樹脂、
感光性樹脂などが挙げられる。感光性樹脂の一例として
は、エチレン性不飽和結合を有する重合可能な化合物の
一つである多官能アクリレート、メタクリレートモノマ
ーと、耐熱性、耐薬品性等の化学的特性、配向規制をす
る物理的特性及び表面硬度、体積収縮度等の機械的特性
などを付与するための液晶ポリマーからなる有機重合体
結合剤、及びハロメチルオキサジアゾール系化合物、ハ
ロメチル−S−)リアジン系化合物単独または、複合物
からなる光重合開始剤を含む基本組成を用いることがで
きる。また液晶ポリマー単独でもよく例えばポリ(γー
ベンジルーし一グルタメート)、ポリ(p−フェニレン
テレフタルアミド)、ポリ(1)−フェニレンベンゾビ
スチアゾール)、ポリ(テレフタロイルヒドラジド)、
等の主鎖型ライオトロピック液晶ポリマー ポリジメチ
ルシロキサン七ポリハイドロ安息香酸の共重合物等の主
鎖型サーモトロピック液晶ポリマーく ポリ(Ili−
(4−二トロビフェニルオキシ)へキシルメタクリレー
ト)、等の側鎖型サモトロピック液晶ポリマーが挙げら
れる。
ポリカーボネート、ポリスルホン、シアノエチルセルロ
ース、エチルセルロース、シアノエチルプルラン ンテレフタレートや、反応性樹脂例えばエポキシ樹脂、
感光性樹脂などが挙げられる。感光性樹脂の一例として
は、エチレン性不飽和結合を有する重合可能な化合物の
一つである多官能アクリレート、メタクリレートモノマ
ーと、耐熱性、耐薬品性等の化学的特性、配向規制をす
る物理的特性及び表面硬度、体積収縮度等の機械的特性
などを付与するための液晶ポリマーからなる有機重合体
結合剤、及びハロメチルオキサジアゾール系化合物、ハ
ロメチル−S−)リアジン系化合物単独または、複合物
からなる光重合開始剤を含む基本組成を用いることがで
きる。また液晶ポリマー単独でもよく例えばポリ(γー
ベンジルーし一グルタメート)、ポリ(p−フェニレン
テレフタルアミド)、ポリ(1)−フェニレンベンゾビ
スチアゾール)、ポリ(テレフタロイルヒドラジド)、
等の主鎖型ライオトロピック液晶ポリマー ポリジメチ
ルシロキサン七ポリハイドロ安息香酸の共重合物等の主
鎖型サーモトロピック液晶ポリマーく ポリ(Ili−
(4−二トロビフェニルオキシ)へキシルメタクリレー
ト)、等の側鎖型サモトロピック液晶ポリマーが挙げら
れる。
本発明の非線形光学特性を示す有機化合物の具体的な例
としては、p−ニトロアニリン、4−ジメチルアミノ−
4−ニトロスチルベン、N−(p−ニトロフェニル)エ
チレンジアミン等単独結晶では反転対称中心を有しSH
Gを示さないものから2−メチル−4−二トロアニリン
、2−メチル−4−ニトロ−N−メチルアニリン、3−
(N−アセトアミノ) −4−(N−デメチルアミン)
ニトロベンゼン等のニトロアニリン誘導体、その他2−
置換5−ニトロピリジン誘導体等が挙げられ上記の化合
物を含む混合物と溶融冷却固化または溶液より再結晶し
た共晶または固溶体として用いる。
としては、p−ニトロアニリン、4−ジメチルアミノ−
4−ニトロスチルベン、N−(p−ニトロフェニル)エ
チレンジアミン等単独結晶では反転対称中心を有しSH
Gを示さないものから2−メチル−4−二トロアニリン
、2−メチル−4−ニトロ−N−メチルアニリン、3−
(N−アセトアミノ) −4−(N−デメチルアミン)
ニトロベンゼン等のニトロアニリン誘導体、その他2−
置換5−ニトロピリジン誘導体等が挙げられ上記の化合
物を含む混合物と溶融冷却固化または溶液より再結晶し
た共晶または固溶体として用いる。
また、非線形光学特性を示す有機化合物と高分子とから
なる全固形成分中の有機化合物濃度は、5wt%から6
0vt%が良好であった。5vt%未満及び81wt%
以上では変換効率が低下した。
なる全固形成分中の有機化合物濃度は、5wt%から6
0vt%が良好であった。5vt%未満及び81wt%
以上では変換効率が低下した。
次に本発明の光学薄膜の製造方法としては、ガラスやプ
ラスチック基板上にスピンコータ、ロールコータやオフ
セット、グラビヤ、スクリーン印刷機等で塗布または印
刷し熱風等で乾燥した。感光樹脂の場合は、この乾燥膜
に365nm〜405nmの波長からなる紫外線を所定
の場所に酸素を遮断しながら照射し感光性モノマーを重
合し有機化合物を固定化する。紫外線未照射部は、有機
溶剤またはアルカリ水溶液現像しパターンを形成する。
ラスチック基板上にスピンコータ、ロールコータやオフ
セット、グラビヤ、スクリーン印刷機等で塗布または印
刷し熱風等で乾燥した。感光樹脂の場合は、この乾燥膜
に365nm〜405nmの波長からなる紫外線を所定
の場所に酸素を遮断しながら照射し感光性モノマーを重
合し有機化合物を固定化する。紫外線未照射部は、有機
溶剤またはアルカリ水溶液現像しパターンを形成する。
また配向の規制力を強めるには電場また磁場を併用する
ことによりより効果が得られた。電場としては電界強度
がDCo、IV/μm〜10V/μm1 磁場としては
IOKガウス〜IGガウスの条件下で行った。
ことによりより効果が得られた。電場としては電界強度
がDCo、IV/μm〜10V/μm1 磁場としては
IOKガウス〜IGガウスの条件下で行った。
以下、本発明の一実施例について詳述する。
実施例 1
バラニトロアニリン(P N A、 関東化学(株)
製) 及(jN−(p−ニトロフェニル)エチレンジア
ミン(NPENN J、Org、Chem、10゜2
83−5 (1945)の方法により合成、mp144
−145° C)を種々の比率で粉末を混合シ、シャー
レ上で加熱融解させ、均一相になるように攪拌後、徐々
に冷却固化させた。得られた組成物を粉末法によりSH
G効率の測定を行った(クルフ(Kurz)、シ゛ヤー
ナル オブアブライト° フィジフクス(J、 Ap
pl。
製) 及(jN−(p−ニトロフェニル)エチレンジア
ミン(NPENN J、Org、Chem、10゜2
83−5 (1945)の方法により合成、mp144
−145° C)を種々の比率で粉末を混合シ、シャー
レ上で加熱融解させ、均一相になるように攪拌後、徐々
に冷却固化させた。得られた組成物を粉末法によりSH
G効率の測定を行った(クルフ(Kurz)、シ゛ヤー
ナル オブアブライト° フィジフクス(J、 Ap
pl。
Phys 、 ) 、υ、3798(1968))とこ
ろ、第1図に示すようにモル比(PNA/NPEN)が
2/1付近で非常に高い効率(尿素比100倍程度)の
SHGが観測された。上記の化合物単独では、SHGが
殆ど観測されない(PNAでは全く無し、 NPEN
ではきわめて微弱)ことから、混合融解により新たな組
成物が形成され、この組成物が極めて高いSHG効率を
示す構造を有しているものと考えられる。
ろ、第1図に示すようにモル比(PNA/NPEN)が
2/1付近で非常に高い効率(尿素比100倍程度)の
SHGが観測された。上記の化合物単独では、SHGが
殆ど観測されない(PNAでは全く無し、 NPEN
ではきわめて微弱)ことから、混合融解により新たな組
成物が形成され、この組成物が極めて高いSHG効率を
示す構造を有しているものと考えられる。
この組成物の構造については、現在のところ詳細は不明
であるが、各々の分子が持っている双極子モーメントを
打ち消し合わない構造、即ち非中心対象の構造を有する
固溶体もしくは混晶、あるいは共晶を含んでいるものと
考えられる。また2種の分子が錯体を形成していること
も考えられる。
であるが、各々の分子が持っている双極子モーメントを
打ち消し合わない構造、即ち非中心対象の構造を有する
固溶体もしくは混晶、あるいは共晶を含んでいるものと
考えられる。また2種の分子が錯体を形成していること
も考えられる。
実施例2
PNAとN、N’−ビス(p−ニトロフェニル)エチル
ンジア ミ ン (R,L、 ランプ(Lantz
)+ ビルテ ソシェテ シミー フランス(Bul
l、 soc、 chiIl、 France)
311−17(1956)の方法に従って合成)を
モル比1/1で混合し、実施例1と同様に非線形光学材
料組成物を調製した。SHG効率を同様に測定したとこ
ろ、尿素比27倍の高効率を示した。PNA及びDNP
ENは両者とも単独では全< SHGは観測されなかっ
た。
ンジア ミ ン (R,L、 ランプ(Lantz
)+ ビルテ ソシェテ シミー フランス(Bul
l、 soc、 chiIl、 France)
311−17(1956)の方法に従って合成)を
モル比1/1で混合し、実施例1と同様に非線形光学材
料組成物を調製した。SHG効率を同様に測定したとこ
ろ、尿素比27倍の高効率を示した。PNA及びDNP
ENは両者とも単独では全< SHGは観測されなかっ
た。
実施例3
次に、本発明の一実施例における光学薄膜の製造方法を
説明する。基板として中性洗剤、水洗、イソプロピルア
ルコール・フロン洗浄したSiO2で導波路が形成され
ている基板を用い、高分子として下記に示す組成の感光
性樹脂を用いた。
説明する。基板として中性洗剤、水洗、イソプロピルア
ルコール・フロン洗浄したSiO2で導波路が形成され
ている基板を用い、高分子として下記に示す組成の感光
性樹脂を用いた。
・メタクリル酸メチル・メタクリル酸共重合物(73/
27モル比);30gr ・ペンタエリスリトールテトラアクリレート;7.7g
r ・4− (1)−N、N−ジ(エトキシカルボニルメチ
ル)〕−2,6−ジ(トリクロロメチル)−S−トリア
ジン;0.3gr 拳ハイドロキノンモノメチルエーテル ;0.01gr ・エチルセルソルブアセチイト/ジオキサン(30/7
0重量比) ;G2gr上記の感光性樹脂溶
液に実施例1の組成物を加えて0.1μmの平均粒子径
に均一分散した溶液を作成した。溶液の組成の重量比は
、樹脂:組成物:溶媒=15: 10: 75とした
。
27モル比);30gr ・ペンタエリスリトールテトラアクリレート;7.7g
r ・4− (1)−N、N−ジ(エトキシカルボニルメチ
ル)〕−2,6−ジ(トリクロロメチル)−S−トリア
ジン;0.3gr 拳ハイドロキノンモノメチルエーテル ;0.01gr ・エチルセルソルブアセチイト/ジオキサン(30/7
0重量比) ;G2gr上記の感光性樹脂溶
液に実施例1の組成物を加えて0.1μmの平均粒子径
に均一分散した溶液を作成した。溶液の組成の重量比は
、樹脂:組成物:溶媒=15: 10: 75とした
。
次に、その溶液をスピンコーターでガラス基板上に塗布
し80℃で15分間乾燥し、厚み10μm薄膜を形成し
た。次に高圧水銀ランプを用いて窒素雰囲気中で20m
J/cm’の近紫外光を導波路部にマスクを通して照射
し樹脂を光硬化した。
し80℃で15分間乾燥し、厚み10μm薄膜を形成し
た。次に高圧水銀ランプを用いて窒素雰囲気中で20m
J/cm’の近紫外光を導波路部にマスクを通して照射
し樹脂を光硬化した。
また未露光部は1%炭酸ナトリウム水溶液で現像水洗除
去した。次にNd: YAGレーザ−(1064nm)
を用いてSHG強度(532nm)を本発明の薄膜(A
)と尿素の結晶(B)及びP−二トロアニリン結晶(C
)と比較した。その結果を表−1に示す。
去した。次にNd: YAGレーザ−(1064nm)
を用いてSHG強度(532nm)を本発明の薄膜(A
)と尿素の結晶(B)及びP−二トロアニリン結晶(C
)と比較した。その結果を表−1に示す。
表−1
比較例として、光学薄膜の従来品を得るために実施例3
と同組成の感光性樹脂にp−ニトロアニリンのみを溶解
しその液を塗布し80°Cで15分乾燥させ次に室温で
結晶を析出させた。以下実施例3と同様な方法で従来品
としての光学薄膜を形成させた。この時のSHG強度は
、尿素比で50倍が観測された。
と同組成の感光性樹脂にp−ニトロアニリンのみを溶解
しその液を塗布し80°Cで15分乾燥させ次に室温で
結晶を析出させた。以下実施例3と同様な方法で従来品
としての光学薄膜を形成させた。この時のSHG強度は
、尿素比で50倍が観測された。
本発明品と従来品とのSHG強度の温度特性を第2図に
示した。本発明品は、100℃においても安定な特性を
示した。また80℃の高温下の連続使用においても安定
した特性を示した。その他の材料組成物に彰いても同様
な結、果が得られた。
示した。本発明品は、100℃においても安定な特性を
示した。また80℃の高温下の連続使用においても安定
した特性を示した。その他の材料組成物に彰いても同様
な結、果が得られた。
発明の効果
本発明は、非線形光学特性が優れ、光損傷が少なく且つ
熱的に安定で更に容易に薄膜化及びパターニングが出来
ることにより光スィッチ、光メモリなどの各種光素子及
び半導体レーザーとの組合せによるデイスプレに利用で
き、社会に対する貢献度は極めて大きい。
熱的に安定で更に容易に薄膜化及びパターニングが出来
ることにより光スィッチ、光メモリなどの各種光素子及
び半導体レーザーとの組合せによるデイスプレに利用で
き、社会に対する貢献度は極めて大きい。
第1図は本発明の一実施例における非線形光学材料組成
物の組成比とSHG強度の関係を示す図、第2図は本発
明の一実施例における光学薄膜と従来品のSHG強度比
の温度特性を比較して示す図である。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか1名ml 図
物の組成比とSHG強度の関係を示す図、第2図は本発
明の一実施例における光学薄膜と従来品のSHG強度比
の温度特性を比較して示す図である。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか1名ml 図
Claims (4)
- (1)高分子と非線形光学特性を示す有機化合物とを含
有する非線形光学材料組成物であって、前記有機化合物
が電子供与性及び電子吸引性の置換基を持つ少なくとも
1種以上のπ電子共役系有機化合物と、上記π電子共役
系有機化合物と溶融または溶解で均一混合できる有機化
合物とからなる組成であることを特徴とする非線形光学
材料組成物。 - (2)有機化合物が、電子供与性置換基と電子吸引性置
換基とがパラの位置に配位した芳香環化合物を少なくと
も1種以上含有することを特徴とする請求項1記載の非
線形光学材料組成物。 - (3)有機化合物が、2種以上化合物の共晶または固溶
体またはその混合物からなることを特徴とする請求項1
記載の非線形光学材料組成物。 - (4)請求項1記載の非線形光学材料組成物の溶液を基
板上に塗布し、非線形光学特性を示す有機化合物を微結
晶状態で乾燥析出させるか、または混線分散した上記非
線形光学材料組成物を塗布または印刷し乾燥固定化させ
て光学薄膜を得ることを特徴とする光学薄膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4239089A JPH02221939A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4239089A JPH02221939A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02221939A true JPH02221939A (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12634738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4239089A Pending JPH02221939A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 非線形光学材料組成物及び光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02221939A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61296332A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 高性能非線形光学基体 |
JPS63235920A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | Sharp Corp | 有機非線形光学素子 |
JPS63261233A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 2次の非線形光学材料 |
-
1989
- 1989-02-22 JP JP4239089A patent/JPH02221939A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61296332A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 高性能非線形光学基体 |
JPS63235920A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | Sharp Corp | 有機非線形光学素子 |
JPS63261233A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 2次の非線形光学材料 |
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