JPH04123551U - 超高周波用ハイブリツドｉｃ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディング作業を容易化できるとともに、
ボンデイングのワイヤ長を短くすることができ、超高周
波帯域の周波数特性が良好であること。 【構成】 パッケージ１の基台２上にアース面３が設け
られ、このアース面３上に各種電子回路素子としてそれ
ぞれ高さの異なるＩＣ１０、基板１１が設けられる。そ
して、高さがあるＩＣ１０部分には段差として凹部２ｂ
が形成され、この凹部２ｂ部分にＩＣが設けられる。そ
してＩＣ１０、基板１１のボンデイング面である上面の
高さ位置はほぼ同一位置となり、ボンデイング作業を行
い易いとともに、短い長さのワイヤ１２ａ，１２ｂで接
続でき、高周波化を達成できる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、内部にＩＣ等が組み込まれたハイブリッドＩＣに関し、特に超高周 波帯域を扱う超高周波ハイブリッドＩＣに関する。

【０００２】

【従来の技術】

図４に示すのは、従来のハイブリッドＩＣを示す部分側断面図である。 各種電子回路素子を収容するパッケージ３０は、所定厚さ（例えば０．６mm） の基台３０ａを有し、この基台３０ａ上面には全面にアース面３１が設けられて いる。 このアース面３１上には、各種電子回路素子、例えば同図中に示すＩＣ３２、 素子が設けられた基板３３等が設けられる。また、ＩＣ３２のボンデイングパッ ド３２ａ部分からは基板３３、及びアース面３１に対してそれぞれワイヤー３４ がボンディング接続されている。尚、ＩＣ３２の裏面は一番低い電位（例えばア ース電位、場合によりマイナス電位）とされている。

【０００３】 ところで、近年では上述したハイブリッドＩＣの高周波化が進み、現在１ＧHz のパルス（上限値３ＧHz程度）の超高周波帯域を扱うようになっている。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、従来のハイブリッドＩＣでは、以下に述べる問題点を有してい た。 まず、それぞれ異なる高さを有するＩＣ３２（たとえば０．４mm）と、基板３ ３（０．１２７mm）との間が同一の高さ位置とならないから、これらの間で段差 が生じた。このため、ワイヤーボンディングの作業を容易に行うことができなか った。これを行う際にはボンディングツールが突出している電子回路素子に接触 するため、これらＩＣ３２と基板３３間に所定距離Ｓを設けなければならなかっ た。さらに、ＩＣ３２の上面と基板３３の上面の高さ位置が異なることにより、 ボンディング作業時に使用する顕微鏡の焦点を各々の電子回路素子部分でそれぞ れ再調整しなければならず面倒である。

【０００５】 ところで、超高周波化にとって最も問題となるのは、ワイヤ３４が長くなり周 波数特性が劣化することである。電子回路素子同士間の間隔があくことにより、 これらを接続するワイヤ３４が長く必要となること、およびＩＣ３２の高さ以上 の長さのワイヤ３４が必要であり、短くできないことにより、このワイヤ３４は 多くのインダクタンス成分を有することとなり、超高周波帯域において、周波数 特性を劣化させる原因となり、ハイブリッドＩＣ全体の高周波化を達成すること ができないとともに、信頼性を向上させることができなかった。

【０００６】 本考案は、上記問題点を解決するためになされたものであり、ボンディング作 業を容易化できるとともに、ボンデイングのワイヤを短くでき、超高周波帯域で の周波数特性が優れた超高周波用ハイブリッドＩＣを提供することを目的として いる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するため、本考案の超高周波用ハイブリッドＩＣは、基台２に 取り付けられた複数のボンデイングパット１０ａを有する電子回路素子１０，１ １を、前記基台のアース面３または前記基台の接続箇所１１ａに、ワイヤ１２ａ ，１２ｂを用いたボンデイングによって接続する超高周波用ハイブリッドＩＣに おいて、 前記基台の複数のボンデイングパットを有する電子回路素子のボンデイング面 が、前記基台の前記他の電子回路素子のボンデイング面とほぼ同じ高さとなるよ うに、前記基台には、前記ボンデイングパットを有する電子回路素子が取り付け られる部分に段差２ｂを設けたことを特徴とする。

【０００８】

【作用】

基台２には、ボンディングパッド１０ａを有する電子回路素子１０部分に段差 としての凹部２ｂが形成され、高さの異なる電子回路素子１０，１１のうち一方 がこの段差２ｂ部分に設けられる。これにより、それぞれの電子回路素子１０， １１は上面のボンデイング面がほぼ同じ高さとすることができ、ワイヤ１２ａ， １２ｂを用いたボンディング作業を容易に行うことができるとともに、短い距離 のワイヤ１２ａ，１２ｂでこれをおこなうことができる。

【０００９】

【実施例】

図１は、本考案の超高周波ハイブリッドＩＣの実施例を示す側断面図、図２は 同平面図である。 本超高周波ハイブリッドＩＣは外形寸法が横１５mm、縦１７mm程度のチップで ある。 パッケージ１の基台２は、本実施例ではセラミック等により成る絶縁体により 形成され、この基台２上には、後述する各構成部が固定配置される。基台２は、 所定厚さ、例えば０. ６mmとなるように０．３mmの基台２を２層に積層形成して 成るものであり、この基台２の上面２ａにはアース電位とされたアース面３が形 成されている。

【００１０】 基台２の縁部周囲には、枠体４が設けられ、この枠体４からはリード５が外部 まで導出されている。この枠体４上面位置においてリード５の内側端部５ａ部分 の電源ライン、アースライン間にはバイパスコンデンサ６が配置されている。 枠体４上にはシールリング７が設けられ、このシールリング７上にキャップ８ が密閉される構造となっていて、内部空間にはアルゴンガス等の不活性ガスが封 入される。 組み立て後において基台２は上下反転してパッケージの上面となり、リード５ は、回路基板１５上に半田付け等で接続固定される。また、基台２には、放熱用 のヒートシンク１４が設けられる。

【００１１】 基台２の上面２ａには、各種電子回路素子、例えばＩＣ１０、回路素子が設け られた基板１１等が設けられる。基板１１は基台２上に接着等により固定される 。ここでＩＣ１０の厚さは０．４mm、基板１１の厚さは０．１２７mmである。Ｉ Ｃ１０は図２の平面図に示すように基板１１に接続され、基板１１はリード５端 部５ａにワイヤで接続される。 そして、この基台２において、ＩＣ１０が配置される部分のみ、所定の深さを 有した凹部２ｂが形成されている。この凹部２ｂは、前記積層して形成する際に 上側の層のみ予め貫通穴を形成して作成することができる。

【００１２】 これにより、ＩＣ１０の上面位置は、基板１１の上面位置とほぼ同じ高さとな る。そして、ＩＣ１０のボンディングパッド１０ａから引き出されるワイヤ１２ ａ，１２ｂはそれぞれ基板１１上の接続箇所１１ａ、及びアース面３に対して最 短距離で接続することができる。 さらに、ＩＣ１０の上面位置と基板１１の上面位置とがほぼ同じ高さとできる ので、ボンディングツール（ボンダ）の移動に際して接触部分がなくなり、作業 しやすくなるとともに、これらＩＣ１０と基板１１とを近接することができる。 この近接によっても、ワイヤ１２ａ，１２ｂの長さを短くすることができるとと もに、スペースを有効に利用することができ、全体面積の縮小化によるハイブリ ッドＩＣの小型化することができる。また、ボンディングの際に使用する顕微鏡 の焦点の調整が不要となり、ボンデイング作業を行い易くなる。 尚、ワイヤ１２ａは信号用に用いられ、ワイヤ１２ｂはアース用に用いられた ものである。

【００１３】 上述した実施例では、電子回路素子であるＩＣ１０と基板１１の上面高さをほ ぼそろえる構成とし、ワイヤ１２ａ，１２ｂの短距離化を図ったものであるが、 他、図３の部分拡大断面図に示す如く、ＩＣ１０の上面位置を基板１１の略中央 位置部分となるよう、凹部２ｂの深さを調整することにより、ＩＣ１０のワイヤ １２ａ、１２ｂは、基板１１、及びアース面３いずれに対しても最短、かつ同一 長とすることができる。

【００１４】 尚、上述した実施例では、基台２に段差として凹部２ｂを設けてＩＣ１０と基 板１１の上面の高さ位置を調整する構造としたが、段差としては凸部を設け、低 い方の電子回路素子の上面位置をあげることにより、異なる高さの電子回路素子 の上面高さを調整するよう構成してもよく、この場合によっても前記実施例同様 の作用効果を得ることができる。

【００１５】

【考案の効果】

本考案によれば、基台上に段差を設け、この基台上に設けられる異なる高さの 電子回路素子同士の上面の高さを揃えることができる。 これにより、電子回路素子同士を接続するワイヤ長を短くすることができ、高 周波化を達成できる。 また、電子回路素子同士の上面がそろっているので、ボンディングツールの作 業に支障をきたすことがなく、ワイヤ接続作業を容易に行うことができるととも に、電子回路素子同士を近接でき、全体を小型化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の超高周波ハイブリッドＩＣの実施例を
示す側断面図。

【図２】同ハイブリッドＩＣの平面図。

【図３】同ハイブリッドＩＣの部分拡大側断面図。

【図４】従来のハイブリッドＩＣを示す部分側断面図。

【符号の説明】

１…パッケージ、２…基台、２ａ…上面、２ｂ…凹部、
３…アース面、５…リード、６…バイパスコンデンサ、
１０…ＩＣ、１１…基板、１２ａ，１２ｂ…ワイヤ。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成３年７月３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/04 25/18 Ｈ０１Ｐ 5/08 Ｌ 7741−5Ｊ

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 基台（２）に取り付けられた複数のボン
   デイングパット（１０ａ）を有する電子回路素子（１
   ０，１１）を、前記基台のアース面（３）または前記基
   台の接続箇所（１１ａ）に、ワイヤ（１２ａ，１２ｂ）
   を用いたボンデイングによって接続する超高周波用ハイ
   ブリッドＩＣにおいて、前記基台の複数のボンデイング
   パットを有する電子回路素子のボンデイング面が、前記
   基台の前記他の電子回路素子のボンデイング面とほぼ同
   じ高さとなるように、前記基台には、前記ボンデイング
   パットを有する電子回路素子が取り付けられる部分に段
   差（２ｂ）を設けたことを特徴とする超高周波用ハイブ
   リッドＩＣ。