JPH04116526A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPH04116526A JPH04116526A JP2237685A JP23768590A JPH04116526A JP H04116526 A JPH04116526 A JP H04116526A JP 2237685 A JP2237685 A JP 2237685A JP 23768590 A JP23768590 A JP 23768590A JP H04116526 A JPH04116526 A JP H04116526A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パーソナルコンピュータ用デイスプレィ、ハ
ンドベルトコンピュータ用デイスプレィ各種計測機のデ
イスプレィテレビ、プリンタ用シャッターなどに使用さ
れる多数の画素を有する電気光学装置の製造方法に関す
る。
ンドベルトコンピュータ用デイスプレィ各種計測機のデ
イスプレィテレビ、プリンタ用シャッターなどに使用さ
れる多数の画素を有する電気光学装置の製造方法に関す
る。
本発明は、シリコンをターゲットとし、反応性スパッタ
リングによって非線形抵抗素子のヘースａ−３ｉ材料を
堆積する電気光学装置の製造方法において、スパッタ時
のプレッシャーだけを調節することによって、非線形抵
抗素子の非線形性（急峻性）を保ちつつしきい値特性（
Ｖい）を制御できるので、望みの電気光学装置を得やす
いと共に、制御因子がスパッタ時のプレッシャーだけな
ので安定生産が可能となる。
リングによって非線形抵抗素子のヘースａ−３ｉ材料を
堆積する電気光学装置の製造方法において、スパッタ時
のプレッシャーだけを調節することによって、非線形抵
抗素子の非線形性（急峻性）を保ちつつしきい値特性（
Ｖい）を制御できるので、望みの電気光学装置を得やす
いと共に、制御因子がスパッタ時のプレッシャーだけな
ので安定生産が可能となる。
我々は、非線形抵抗素子としてシリコン窒化膜シリコン
酸化膜、シリコン窒化酸化膜あるいはシリコン炭化膜を
用いた電気光学装置用非線形抵抗索子を開発してきた。
酸化膜、シリコン窒化酸化膜あるいはシリコン炭化膜を
用いた電気光学装置用非線形抵抗索子を開発してきた。
これらのａ−３ｉベース膜は、プラズマＣＶＤ装置やス
パッタリング装置を用いて、温度、パワ、ガス流量２種
類（たとえばシリコン窒化膜をＣＶＤで成膜する場合、
３ｉＨｎとＮ２ガスもしくはＮＨ３ガスの２種類、スパ
ツクで成膜する場合、ＡｒとＮＺガスの２種類）を制御
して成膜してきた。
パッタリング装置を用いて、温度、パワ、ガス流量２種
類（たとえばシリコン窒化膜をＣＶＤで成膜する場合、
３ｉＨｎとＮ２ガスもしくはＮＨ３ガスの２種類、スパ
ツクで成膜する場合、ＡｒとＮＺガスの２種類）を制御
して成膜してきた。
しかしながら、成膜時の制御因子が多いために安定生産
が難しく且つ、望みの電気光学装置が得られないなどの
問題があった。
が難しく且つ、望みの電気光学装置が得られないなどの
問題があった。
本発明は、シリコンをターゲットとし反応性スパッタリ
ングによって非線形抵抗素子のベースミー８ｉ材料を堆
積する電気光学装置の製造方法において、スパッタ時の
プレッシャーだけを調節することによって、望みの電気
光学装置を安定して生産できるようにしたものである。
ングによって非線形抵抗素子のベースミー８ｉ材料を堆
積する電気光学装置の製造方法において、スパッタ時の
プレッシャーだけを調節することによって、望みの電気
光学装置を安定して生産できるようにしたものである。
本発明の製造方法は上記問題点を解決するものであり、
シリコンをターゲットとして反応性スパッタリングによ
って非線形抵抗素子のヘースａＳｉ材料を堆積する電気
光学装置の製造方法であって、スパッタ時のプレッシャ
ーだけを調節することによって、望みの電気光学装置を
安定して生産できるようにしたものである。
シリコンをターゲットとして反応性スパッタリングによ
って非線形抵抗素子のヘースａＳｉ材料を堆積する電気
光学装置の製造方法であって、スパッタ時のプレッシャ
ーだけを調節することによって、望みの電気光学装置を
安定して生産できるようにしたものである。
上記のようにシリコンをターゲットとして反応性スパッ
タリングによって非線形抵抗素子のベースミー３ｉ材料
を堆積する電気光学装置の製造方法において、スパッタ
時のプレッシャーだけを調節することにより、非線形抵
抗素子の非線形性（急峻性）を保ちつつしきい値特性（
ＶｉＪを制御できるので、望みの電気光学装置を得やす
いと共に、制御因子がスパッタ時のプレッシャー１種類
だけなので安定生産が可能となる。
タリングによって非線形抵抗素子のベースミー３ｉ材料
を堆積する電気光学装置の製造方法において、スパッタ
時のプレッシャーだけを調節することにより、非線形抵
抗素子の非線形性（急峻性）を保ちつつしきい値特性（
ＶｉＪを制御できるので、望みの電気光学装置を得やす
いと共に、制御因子がスパッタ時のプレッシャー１種類
だけなので安定生産が可能となる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、この発明の適用した実施例の画素電極構造の
平面図であり、第２図は、第１図における、非線形抵抗
素子の断面図である。
平面図であり、第２図は、第１図における、非線形抵抗
素子の断面図である。
第３図は、本発明による液晶表示装置の非線形抵抗素子
を形成した基板の一実施例を示す斜視図であり、一画素
のみを拡大して示すもので、液晶層、液晶を封入するた
めの対抗側基板、偏向基板等は説明を簡単にするために
省略した。第４回は、本発明による液晶表示装置の縦断
面構造の一画素について明示した図である。
を形成した基板の一実施例を示す斜視図であり、一画素
のみを拡大して示すもので、液晶層、液晶を封入するた
めの対抗側基板、偏向基板等は説明を簡単にするために
省略した。第４回は、本発明による液晶表示装置の縦断
面構造の一画素について明示した図である。
第３図において、１１は透明基板であり、ソーダガラス
などの通常のガラスで作られている。１２は透明画素電
極であう、インジウムスズ酸化膜（ＩＴＯ）をマグネト
ロンスパッタリング、蒸着等の手段によって透明基板１
１の全面に約１００から５００人デボジシタンし、次に
フォトエツチングによって所定形状にパターニゲしたも
のである。１４はシリコンを主成分とするアモルファス
材料であり、シリコン単結晶もしくはシリコン多結晶の
ターゲットを用い、ガスはＡ ｒ ＋Ｎｇ（３〜１５％
）の混合ガスボンベを前もって作製しておき、この混合
ガスを使用して、マグネトロンスパッタリング装置によ
って反応性スパッタリング法で約５００〜１５００人の
水素をほとんど含まないシリコン窒化膜を堆積した。１
３は配線電極で行列電極の一方を構成する０本実施例に
おいてはアルミニウムシリコンもしくはクロム金属を非
線形抵抗薄膜１４上に同一チャンパー内もしくは別のチ
ャンバー内で、連続してマグネトロンスパッタリング法
によって約１０００から５ｏｏｏ人デポジションした。
などの通常のガラスで作られている。１２は透明画素電
極であう、インジウムスズ酸化膜（ＩＴＯ）をマグネト
ロンスパッタリング、蒸着等の手段によって透明基板１
１の全面に約１００から５００人デボジシタンし、次に
フォトエツチングによって所定形状にパターニゲしたも
のである。１４はシリコンを主成分とするアモルファス
材料であり、シリコン単結晶もしくはシリコン多結晶の
ターゲットを用い、ガスはＡ ｒ ＋Ｎｇ（３〜１５％
）の混合ガスボンベを前もって作製しておき、この混合
ガスを使用して、マグネトロンスパッタリング装置によ
って反応性スパッタリング法で約５００〜１５００人の
水素をほとんど含まないシリコン窒化膜を堆積した。１
３は配線電極で行列電極の一方を構成する０本実施例に
おいてはアルミニウムシリコンもしくはクロム金属を非
線形抵抗薄膜１４上に同一チャンパー内もしくは別のチ
ャンバー内で、連続してマグネトロンスパッタリング法
によって約１０００から５ｏｏｏ人デポジションした。
次にフォトエツチングによって金属配線電極１３が所定
形状にパターニングされる。その後、非線形抵抗薄膜１
４がフォトエツチングによって所定形状にパターニング
された。第４図は本発明による液晶表示装置の縦断面図
である。１６は液晶層であり、厚さは５〜７−であり、
ツイストネマチンク材料を使用した。１８は配向膜であ
り誘電率、抵抗を考慮したポリイド材料を使用し、１７
は透明導電膜（ＩＴＯ）であり、行列電極の一方の電極
群を構成している。また、２１は偏向板である。
形状にパターニングされる。その後、非線形抵抗薄膜１
４がフォトエツチングによって所定形状にパターニング
された。第４図は本発明による液晶表示装置の縦断面図
である。１６は液晶層であり、厚さは５〜７−であり、
ツイストネマチンク材料を使用した。１８は配向膜であ
り誘電率、抵抗を考慮したポリイド材料を使用し、１７
は透明導電膜（ＩＴＯ）であり、行列電極の一方の電極
群を構成している。また、２１は偏向板である。
本実施例のシリコン窒化膜堆積工程において、基板に温
度を加えずかつ、パワー、Ａｒ＋Ｎ！混合ガスの流量一
定に保ってスパッタ時のプレッシャーだけを変えていく
と、配線電極と透明画素電極間の電圧−電流特性が図５
のように、非線形性（急峻性）を保ちながらしきい値特
性（Ｖい）が変化した。従って望みの■いを持つ非線形
抵抗素子を作製したい場合には、スパッタ時のプレシソ
シャーだけを制御するだけでよく、非常に安定した生産
が可能になった。
度を加えずかつ、パワー、Ａｒ＋Ｎ！混合ガスの流量一
定に保ってスパッタ時のプレッシャーだけを変えていく
と、配線電極と透明画素電極間の電圧−電流特性が図５
のように、非線形性（急峻性）を保ちながらしきい値特
性（Ｖい）が変化した。従って望みの■いを持つ非線形
抵抗素子を作製したい場合には、スパッタ時のプレシソ
シャーだけを制御するだけでよく、非常に安定した生産
が可能になった。
以上説明したように、本発明による方法で電気光学装置
を作製すれば、望みの電気光学装置を安定して生産でき
るという効果がある。
を作製すれば、望みの電気光学装置を安定して生産でき
るという効果がある。
第３図、第４図はそれぞれ本発明を適用した基板の電極
構成斜視図と液晶表示装置の縦断面図、第５図はスパッ
タ時のプレッシャーを変化させた時の非線形抵抗素子の
電圧−電流特性を示す図である。
構成斜視図と液晶表示装置の縦断面図、第５図はスパッ
タ時のプレッシャーを変化させた時の非線形抵抗素子の
電圧−電流特性を示す図である。
１１．１９・
１２・ ・ ・
１３・ ・ ・
１４・ ・ ・
１５・ ・ ・
１６・ ・ ・
１７・ ・ ・
１８・ ・ ・
２１・ ・ ・
透明基板
透明画素電極
配線電極
非線形抵抗膜
非線形抵抗素子
液晶
透明電極
配向膜
偏向板
以上
Claims (2)
- （１）シリコンをターゲットとして反応性スパッタリン
グによってスイッチング素子のベースａ−Ｓｉ材料を堆
積する電気光学装置の製造方法において、スパッタ時の
プレッシャーを調節することによって、スイッチング素
子の電気特性を制御することを特徴とする電気光学装置
の製造方法。 - （２）少なくとも一方の基板の内面は、配線電極と画素
電極および非線形抵抗素子とからなり、前記非線形抵抗
素子は前記配線電極からなる第１の導体、および前記画
素電極からなる第２の導体、さらに第１の導体と第２の
導体の間に、シリコンをターゲットとし、反応性スパッ
タリングによって堆積したａ−Ｓｉをベース材料とする
非線形抵抗膜からなる電気光学装置の製造方法において
、スパッタ時のプレッシャーを調節することによって、
前記非線形抵抗膜の電気特性を制御することを特徴とす
る請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237685A JPH04116526A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237685A JPH04116526A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116526A true JPH04116526A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17018993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237685A Pending JPH04116526A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116526A (ja) |
-
1990
- 1990-09-06 JP JP2237685A patent/JPH04116526A/ja active Pending
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