JPH04116530A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPH04116530A JPH04116530A JP2237686A JP23768690A JPH04116530A JP H04116530 A JPH04116530 A JP H04116530A JP 2237686 A JP2237686 A JP 2237686A JP 23768690 A JP23768690 A JP 23768690A JP H04116530 A JPH04116530 A JP H04116530A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241001428214 Polyides Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- -1 chromium metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パーソナルコンピュータ用デイスプレー、ハ
ンドベルトコンピュータ用デイスプレー各種計測機のデ
イスプレーテレビ、プリンタ用シャ、ターなどに使用さ
れる多数の画素を有する電気光学装置の製造方法に関す
る。
ンドベルトコンピュータ用デイスプレー各種計測機のデ
イスプレーテレビ、プリンタ用シャ、ターなどに使用さ
れる多数の画素を有する電気光学装置の製造方法に関す
る。
本発明は、シリコンをターゲットとし反応性スパッタリ
ングによって非線形抵抗素子のベースａＳｉ材料を堆積
する電気光学装置の製造方法において、Ａ「ガスと反応
性ガスを混合させた混合ガスをあらかじめ作製しておき
、その混合ガス１種類の流量だけを調節することによっ
て、非線形抵抗素子の非線形性（急峻性）を保ちつつし
きい値特性（Ｖい）を制御できるので、望みの電気光学
装置を得やすいと共に、制御因子が混合ガス１種類だけ
なので安定生産が可能となる。
ングによって非線形抵抗素子のベースａＳｉ材料を堆積
する電気光学装置の製造方法において、Ａ「ガスと反応
性ガスを混合させた混合ガスをあらかじめ作製しておき
、その混合ガス１種類の流量だけを調節することによっ
て、非線形抵抗素子の非線形性（急峻性）を保ちつつし
きい値特性（Ｖい）を制御できるので、望みの電気光学
装置を得やすいと共に、制御因子が混合ガス１種類だけ
なので安定生産が可能となる。
我々は、非線形抵抗素子としてシリコン窒化膜シリコン
酸化膜、シリコン窒化酸化膜あるいはシリコン炭化膜を
用いた電気光学装置用非線形抵抗素子を開発してきた。
酸化膜、シリコン窒化酸化膜あるいはシリコン炭化膜を
用いた電気光学装置用非線形抵抗素子を開発してきた。
これらのａ−Ｓｉベース膜は、プラズマＣＶＤ装置やス
パッタリング装置を用いて、温度、パワガス流量２種類
（たとえばシリコン窒化膜をＣＶＤで成膜する場合、３
ｉＨｍ とＮ４ガスもしくはＮＨ３ガスの２種類、スパ
ッタで成膜する場合、ＡｒとＮ２ガスの２種類）を制御
して成膜してきた。
パッタリング装置を用いて、温度、パワガス流量２種類
（たとえばシリコン窒化膜をＣＶＤで成膜する場合、３
ｉＨｍ とＮ４ガスもしくはＮＨ３ガスの２種類、スパ
ッタで成膜する場合、ＡｒとＮ２ガスの２種類）を制御
して成膜してきた。
しかしながら、成膜時の制御因子が多いがために安定生
産がむずかしく且つ望みの電気光学装置が得られないな
どの問題があった。
産がむずかしく且つ望みの電気光学装置が得られないな
どの問題があった。
本発明は、シリコンをターゲットとし反応性スパッタリ
ングによって非線形抵抗素子のベースミー３ｉ材料を堆
積する電気光学装置の製造方法において、Ａｒガスを反
応性ガスを混合させた混合ガスをあらかじめ作製してお
き、その混合ガス１種類の流量を調節することによって
、望みの電気光学装置を安定して生産できるようにした
ものである。
ングによって非線形抵抗素子のベースミー３ｉ材料を堆
積する電気光学装置の製造方法において、Ａｒガスを反
応性ガスを混合させた混合ガスをあらかじめ作製してお
き、その混合ガス１種類の流量を調節することによって
、望みの電気光学装置を安定して生産できるようにした
ものである。
本発明の製造方法は上記問題点を解決するものであり、
シリコンをターゲットとし反応性スパッタリングによっ
て・非線形抵抗素子のベースミー３ｉ材料を堆積す、Ｌ
！電気光学装置製造方法であって、Ａｒガスと反応性ガ
スを混合させた混合ガスをあらかじめ作製しておき、そ
の混合ガス１種類の流量を調節することによって、望み
の電気光学装置を安定して生産できるようにしたもので
ある。
シリコンをターゲットとし反応性スパッタリングによっ
て・非線形抵抗素子のベースミー３ｉ材料を堆積す、Ｌ
！電気光学装置製造方法であって、Ａｒガスと反応性ガ
スを混合させた混合ガスをあらかじめ作製しておき、そ
の混合ガス１種類の流量を調節することによって、望み
の電気光学装置を安定して生産できるようにしたもので
ある。
上記のようにシリコンをターゲットとし反応性スパッタ
リングによって非線形抵抗素子のベースミー３ｔ材料を
堆積する電気光学装置の製造方法において、Ａｒガスと
反応性ガスを混合させた混合ガスをあらかじめ作製して
おき、その混合ガス１種類の流量を調節することにより
、非線形抵抗素子の非線形性（急峻性）を保ちつつしき
い値特性（Ｖい）を制御できるので、望みの電気光学装
置を得やすいと共に、制御因子が混合ガス１種類だけな
ので安定生産が可能となる。
リングによって非線形抵抗素子のベースミー３ｔ材料を
堆積する電気光学装置の製造方法において、Ａｒガスと
反応性ガスを混合させた混合ガスをあらかじめ作製して
おき、その混合ガス１種類の流量を調節することにより
、非線形抵抗素子の非線形性（急峻性）を保ちつつしき
い値特性（Ｖい）を制御できるので、望みの電気光学装
置を得やすいと共に、制御因子が混合ガス１種類だけな
ので安定生産が可能となる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はこの発明を適用した実施例の画素電極構造の平
面図であり、第２図は第１図における非線形抵抗素子の
断面図である。第３図は本発明による液晶表示装置の非
線形抵抗素子を形成した基板の一実施例を示す斜視図で
あり、一画素のみを拡大して示すもので、液晶層、液晶
を封入するための対抗側基板、偏向板等は説明を簡単に
するために省略した。第４図は本発明による液晶表示装
置の縦断面構造の一画素について明示した図である。
面図であり、第２図は第１図における非線形抵抗素子の
断面図である。第３図は本発明による液晶表示装置の非
線形抵抗素子を形成した基板の一実施例を示す斜視図で
あり、一画素のみを拡大して示すもので、液晶層、液晶
を封入するための対抗側基板、偏向板等は説明を簡単に
するために省略した。第４図は本発明による液晶表示装
置の縦断面構造の一画素について明示した図である。
第３図において、１１は透明基板であり、ソーダガラス
などの通常のガラスで作られている。１２は透明画素電
極であり、インジウムスズ酸化膜（ＩＴｏ）をマグネト
ロンスパッタリング、蒸着等の手段によって透明基板１
１の全面に約１００から５００人デポジションし、次に
フォトエツチングによって所定形状にパターニングした
ものである。１４はシリコンを主成分とするアモルファ
ス材料であり、シリコン単結晶もしくはシリコン多結晶
のターゲットを用い、ガスはＡｒ＋Ｎｚ （３〜１５
％）の混合ガスボンへを前もって作製しておきこの混合
ガスを使用してマグネトロンスパッタリング装置によっ
て反応性スパッタリング法で約５００〜１５００人の水
素をほとんど含まないシリコン窒化膜を堆積した。１３
は配線電極で行列電極の一方を構成する。
などの通常のガラスで作られている。１２は透明画素電
極であり、インジウムスズ酸化膜（ＩＴｏ）をマグネト
ロンスパッタリング、蒸着等の手段によって透明基板１
１の全面に約１００から５００人デポジションし、次に
フォトエツチングによって所定形状にパターニングした
ものである。１４はシリコンを主成分とするアモルファ
ス材料であり、シリコン単結晶もしくはシリコン多結晶
のターゲットを用い、ガスはＡｒ＋Ｎｚ （３〜１５
％）の混合ガスボンへを前もって作製しておきこの混合
ガスを使用してマグネトロンスパッタリング装置によっ
て反応性スパッタリング法で約５００〜１５００人の水
素をほとんど含まないシリコン窒化膜を堆積した。１３
は配線電極で行列電極の一方を構成する。
本実施例においてはアルミニウムシリコンもしくはクロ
ム金属を非線形抵抗薄膜１４上に同一チャンバー内もし
くは別のチャンバー内で、連続してマグネトロンスパッ
タリング法によって約１０００から８０００人デポジシ
ョンした０次にフォトエツチングによって金属配線電極
１３が所定形状にパターニングされる。その後、非線形
抵抗薄膜１４がフォトエツチングによって所定形状にパ
ターニングされた。
ム金属を非線形抵抗薄膜１４上に同一チャンバー内もし
くは別のチャンバー内で、連続してマグネトロンスパッ
タリング法によって約１０００から８０００人デポジシ
ョンした０次にフォトエツチングによって金属配線電極
１３が所定形状にパターニングされる。その後、非線形
抵抗薄膜１４がフォトエツチングによって所定形状にパ
ターニングされた。
第４図は本発明による液晶表示装置の縦断面図である。
１６は液晶層であり、厚さは５〜７ｍでありツイストネ
マチンク材料を使用した。１８は配向膜であり誘電率、
抵抗を考慮したポリイド材料を使用し、１７は透明導電
膜（ＩＴＯ）であり行列電極の一方の電極群を構成して
いる。また、２１は偏向板である。
マチンク材料を使用した。１８は配向膜であり誘電率、
抵抗を考慮したポリイド材料を使用し、１７は透明導電
膜（ＩＴＯ）であり行列電極の一方の電極群を構成して
いる。また、２１は偏向板である。
本実施例のシリコン窒化膜堆積工程において、基板に温
度を加えず且フ、パワーを一定に保ってＡｒ＋Ｎ、混合
ガスの流量だけを変えていくと、配ｗＡ電極と透明画素
電極間の電圧−電流特性が図４のように、非線形性（急
峻性）を保ちながらしきい値特性（Ｖい）が変化した。
度を加えず且フ、パワーを一定に保ってＡｒ＋Ｎ、混合
ガスの流量だけを変えていくと、配ｗＡ電極と透明画素
電極間の電圧−電流特性が図４のように、非線形性（急
峻性）を保ちながらしきい値特性（Ｖい）が変化した。
従って望みのしきい値特性を持つ非線形抵抗素子を作製
したい場合には、混合ガス１種類だけを制御するだけで
よく、非常に安定した生産が可能になった。
したい場合には、混合ガス１種類だけを制御するだけで
よく、非常に安定した生産が可能になった。
以上説明したように、本発明による方法で電気光学装置
を作製すれば、望みの電気光学装置を安定して生産でき
るという効果がある。
を作製すれば、望みの電気光学装置を安定して生産でき
るという効果がある。
第１図は本発明を通用した画素電極の平面図、第２図は
第１図における非線形抵抗素子の断面図、第３図、第４
図はそれぞれ本発明を適用した基板の電極構成斜視図と
液晶表示装置の縦断面図、第５図はＡｒ＋Ｎ！流量を変
化させた時の非線形抵抗素子の電圧−電流特性を示す図
である。 ・液晶 ・透明電極 ・配向膜 ・偏向板 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助１１．１９・ １２・ ・ ・ １３・ ・ ・ １４・ ・ ・ １５・ ・ ・ 透明基板 透明画素電極 配線電極 非線形抵抗膜 非線形抵抗素子 第２ 図 叱ろ圀 η 日 イＪ５国
第１図における非線形抵抗素子の断面図、第３図、第４
図はそれぞれ本発明を適用した基板の電極構成斜視図と
液晶表示装置の縦断面図、第５図はＡｒ＋Ｎ！流量を変
化させた時の非線形抵抗素子の電圧−電流特性を示す図
である。 ・液晶 ・透明電極 ・配向膜 ・偏向板 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助１１．１９・ １２・ ・ ・ １３・ ・ ・ １４・ ・ ・ １５・ ・ ・ 透明基板 透明画素電極 配線電極 非線形抵抗膜 非線形抵抗素子 第２ 図 叱ろ圀 η 日 イＪ５国
Claims (5)
- （１）シリコンをターゲットとし反応性スパッタリング
によってスイッチング素子のベースａ−Ｓｉ材料を堆積
する電気光学装置の製造方法において、Ａｒガスと反応
性ガスを混合させた混合ガスをあらかじめ作製しておき
、その混合ガス１種類の流量を調節することによって、
スイッチング素子の電気特性を制御することを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。 - （２）少なくとも一方の基板の内面は、配線電極と画素
電極および非線形抵抗素子とからなり、前記非線形抵抗
素子は前記配線電極からなる第１の導体、および前記画
素電極からなる第２の導体、さらに第１の導体と第２の
導体の間に、シリコンをターゲットとし反応性スパッタ
リングによって堆積したａ−Ｓｉをベース材料とする非
線形抵抗膜からなる電気光学装置の製造方法において、
Ａｒガスと反応性ガスを混合させた混合ガスをあらかじ
め作製しておき、その混合ガス１種類の流量を調節する
ことによって、前記非線形抵抗膜の電気特性を制御する
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方
法。 - （３）前記非線形抵抗膜が実質的にＳｉＮｘからなる電
気光学装置の製造方法において、Ａｒガスと反応性ガス
のＮ＿２ガスを混合させた混合ガス（Ａｒ＋Ｎ＿２）を
あらかじめ作製しておき、その混合ガス１種類の流量を
調節することによって、前記非線形抵抗膜の電気特性を
制御することを特徴とする請求項２記載の電気光学装置
の製造方法。 - （４）前記非線形抵抗膜が実質的にＳｉＯｙからなる電
気光学装置の製造方法において、Ａｒガスと反応性ガス
のＯ＿２ガスを混合させた混合ガス（Ａｒ＋Ｏ＿２）を
あらかじめ作製しておき、その混合ガス１種類の流量を
調節することによって、前記非線形抵抗膜の電気特性を
制御することを特徴とする請求項２記載の電気光学装置
の製造方法。 - （５）前記非線形抵抗膜が実質的にＳｉＮｘＯｙからな
る電気光学装置の製造方法において、Ａｒガスと反応性
ガスのＮ＿２とＯ＿２ガスを混合させた混合ガス｛Ａｒ
＋（Ｎ＿２＋Ｏ＿２）｝をあらかじめ作製しておき、そ
の混合ガス１種類の流量を調節することによって、前記
非線形抵抗膜の電気特性を制御することを特徴とする請
求項２記載の電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237686A JPH04116530A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237686A JPH04116530A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116530A true JPH04116530A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17019007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237686A Pending JPH04116530A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116530A (ja) |
-
1990
- 1990-09-06 JP JP2237686A patent/JPH04116530A/ja active Pending
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