JPH04111366A - 画像装置 - Google Patents
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- JPH04111366A JPH04111366A JP2229655A JP22965590A JPH04111366A JP H04111366 A JPH04111366 A JP H04111366A JP 2229655 A JP2229655 A JP 2229655A JP 22965590 A JP22965590 A JP 22965590A JP H04111366 A JPH04111366 A JP H04111366A
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- viscosity resin
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 65
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 65
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
この発明は、光プリンタヘッドやイメージセンサ等の画
像装置に関し、特にその画像素子アレイの樹脂封止に関
する。
像装置に関し、特にその画像素子アレイの樹脂封止に関
する。
［従来技術］
第４図（Ａ）〜（Ｃ）に、従来例での画像素子アレイの
樹脂封止を示す。図において、２はＧａ−Ａｓ等の画像
素子アレイ、４は発光ダイオードやフォトダイオード等
の受発光素子で、画像素子アレイ２に多数集積化して設
ける。６はリード線で、画像素子アレイ２の電極と、ガ
ラス等の基板８に設けた配線上の電極１０との結線用で
ある。１２は封止用の樹脂層である。
樹脂封止を示す。図において、２はＧａ−Ａｓ等の画像
素子アレイ、４は発光ダイオードやフォトダイオード等
の受発光素子で、画像素子アレイ２に多数集積化して設
ける。６はリード線で、画像素子アレイ２の電極と、ガ
ラス等の基板８に設けた配線上の電極１０との結線用で
ある。１２は封止用の樹脂層である。
樹脂層１２には、リード線６を完全に被覆するため、高
粘度樹脂を用いる。樹脂を塗布すると、アレイ２と基板
８との隅の部分やリード線６の周囲に空気が巻き込まれ
（第４図（Ａ）） 、塗布が終了した段階でもアレイ２
の隅やリード線６の周囲には気泡が残る（第４図（Ｂ）
）。樹脂を加熱し硬化させると（第４図（Ｃ））、気泡
は移動して受発光素子４の上部にも気泡が生じる。
粘度樹脂を用いる。樹脂を塗布すると、アレイ２と基板
８との隅の部分やリード線６の周囲に空気が巻き込まれ
（第４図（Ａ）） 、塗布が終了した段階でもアレイ２
の隅やリード線６の周囲には気泡が残る（第４図（Ｂ）
）。樹脂を加熱し硬化させると（第４図（Ｃ））、気泡
は移動して受発光素子４の上部にも気泡が生じる。
気泡は、周囲の樹脂層１２とは屈折率が異なる。
このため気泡で光が屈折あるいは散乱され、画像装置の
性能が低下する。例えば光プリンタヘッドの場合、発光
ダイオードからの光のビーム幅が変動し、印画品質が低
下する。イメージセンサの場合、７オトダイオードに入
る前に光が屈折し、受光画像に歪みが生じる。
性能が低下する。例えば光プリンタヘッドの場合、発光
ダイオードからの光のビーム幅が変動し、印画品質が低
下する。イメージセンサの場合、７オトダイオードに入
る前に光が屈折し、受光画像に歪みが生じる。
［発明の課題］
この発明の課題は、封止層の気泡による光の屈折や散乱
を防止し、画像装置の性能を向上させることにある。
を防止し、画像装置の性能を向上させることにある。
［発明の構成］
この発明の画像装置は、複数の受発光素子をｌチップに
集積化した画像素子アレイを基板に搭載するとともに、
受発光素子の電極を基板に設けた電極にリード線で結線
した画像装置において、前記受発光素子を少なくとも低
粘度樹脂により封止し、かつ前記リード線を少なくとも
高粘度樹脂により封止したことを特徴とする。
集積化した画像素子アレイを基板に搭載するとともに、
受発光素子の電極を基板に設けた電極にリード線で結線
した画像装置において、前記受発光素子を少なくとも低
粘度樹脂により封止し、かつ前記リード線を少なくとも
高粘度樹脂により封止したことを特徴とする。
ここに受発光素子とは、例えば発光ダイオードやフォト
ダイオード、あるいは光により起電力を生じる光半導体
を意味する。
ダイオード、あるいは光により起電力を生じる光半導体
を意味する。
この発明では、リード線を高粘性の樹脂で封止し、受発
光素子を低粘性の樹脂で封止する。ＩＪ−ド線の周囲や
画像素子アレイの隅からは気泡が生じるが、樹脂が高粘
性で受発光素子の周囲にまで回り込まないため、受発光
素子の周囲には気泡は生じない。また低粘性の樹脂は、
受発光素子の上部を平面状に平らに被覆し、樹脂層のレ
ンズ作用による光の屈折が防止できる。
光素子を低粘性の樹脂で封止する。ＩＪ−ド線の周囲や
画像素子アレイの隅からは気泡が生じるが、樹脂が高粘
性で受発光素子の周囲にまで回り込まないため、受発光
素子の周囲には気泡は生じない。また低粘性の樹脂は、
受発光素子の上部を平面状に平らに被覆し、樹脂層のレ
ンズ作用による光の屈折が防止できる。
以下に光プリンタヘッドを例に実施例を示すが、７オト
ダイオードアレイ等を用いる場合も、同様である。
ダイオードアレイ等を用いる場合も、同様である。
［実施例］
第１図（Ａ）〜（Ｃ）に、最初の実施例を示す。図にお
いて、２はＧａ−Ａｓ等のチップで、各チップ２には発
光ダイオード４を例えば６４個集積する。
いて、２はＧａ−Ａｓ等のチップで、各チップ２には発
光ダイオード４を例えば６４個集積する。
６は、発光ダイオード４の電極に接続したリード線であ
る。８はガラス等の基板で、基板８に設けた配線の電極
部ｌＯにリード線６をポンディングする。
る。８はガラス等の基板で、基板８に設けた配線の電極
部ｌＯにリード線６をポンディングする。
１４は高粘度の樹脂層で、ここでは粘度６０００〜ＩＯ
，０００ｃ、Ｐ、（センチポアズ）のシリコン樹脂を用
い、アレイ２の両側からリード線６を被覆するように塗
布する。高粘度樹脂層１４の塗布時の状態を、第１図（
Ａ）に示す。次いで、発光ダイオード４の上部から低粘
度の樹脂層１６、ここでは粘度４００Ｃ，Ｐ、あるいは
３０００Ｃ。
，０００ｃ、Ｐ、（センチポアズ）のシリコン樹脂を用
い、アレイ２の両側からリード線６を被覆するように塗
布する。高粘度樹脂層１４の塗布時の状態を、第１図（
Ａ）に示す。次いで、発光ダイオード４の上部から低粘
度の樹脂層１６、ここでは粘度４００Ｃ，Ｐ、あるいは
３０００Ｃ。
Ｐ、程度のシリコン樹脂、を塗布する。低粘度樹脂層１
６の塗布後の状態を、第１図（Ｂ）に示す。
６の塗布後の状態を、第１図（Ｂ）に示す。
なお先に発光ダイオード４の上部に低粘度樹脂層１６を
塗布し、次に高粘度樹脂層１４を塗布しても良い。２つ
の樹脂層１４．１６の塗布後に、例えば１５０℃で、樹
脂層１４．１６を硬化させる。
塗布し、次に高粘度樹脂層１４を塗布しても良い。２つ
の樹脂層１４．１６の塗布後に、例えば１５０℃で、樹
脂層１４．１６を硬化させる。
硬化後の状態を、第１図（Ｃ）に示す。硬化後も、高粘
度樹脂層１４には気泡が残るが、高粘度樹脂層１４は発
光ダイオード４の周囲にはなく、画像装置の性能には関
係しない。また低粘度樹脂層１６で封止するのが困難な
リード線６は、高粘度樹脂層１４で完全に封止される。
度樹脂層１４には気泡が残るが、高粘度樹脂層１４は発
光ダイオード４の周囲にはなく、画像装置の性能には関
係しない。また低粘度樹脂層１６で封止するのが困難な
リード線６は、高粘度樹脂層１４で完全に封止される。
低粘度樹脂層１６の表面は硬化時の熱で平滑化し、樹脂
層と空気との界面での光の屈折も生じない。なお樹脂層
１４゜１６の硬化を２回に分け、別々に硬化させても良
い。封正に用いる樹脂層の種類は任意であり、高粘度樹
脂層１４には例えば粘度５００ ｏＣ，Ｐ、以上のもの
が、低粘度樹脂層１６には例えば粘度４ｏｏｏｃ、ｐ−
以下のものが好ましい。
層と空気との界面での光の屈折も生じない。なお樹脂層
１４゜１６の硬化を２回に分け、別々に硬化させても良
い。封正に用いる樹脂層の種類は任意であり、高粘度樹
脂層１４には例えば粘度５００ ｏＣ，Ｐ、以上のもの
が、低粘度樹脂層１６には例えば粘度４ｏｏｏｃ、ｐ−
以下のものが好ましい。
第２図（Ａ）〜（Ｃ）に、第２の実施例を示す。第１図
と同じ符号は同一のものを指し、第１図の実施例に関す
る記載は特に断らない限り、この実施例にも当てはまる
。２４は高粘度樹脂層、２６は低粘度樹脂層で、最初に
第１層として低粘度樹脂層２６を塗布する（第２図（Ａ
））。この段階で、アレイ２の隅に回り込んだ空気は全
て、またリード線６の周囲の空気は大部分、低粘度樹脂
層２６の外に逃げ、気泡は残らない。次いで高粘度樹脂
層２４を、第２層として塗布する（第２図（Ｂ））。
と同じ符号は同一のものを指し、第１図の実施例に関す
る記載は特に断らない限り、この実施例にも当てはまる
。２４は高粘度樹脂層、２６は低粘度樹脂層で、最初に
第１層として低粘度樹脂層２６を塗布する（第２図（Ａ
））。この段階で、アレイ２の隅に回り込んだ空気は全
て、またリード線６の周囲の空気は大部分、低粘度樹脂
層２６の外に逃げ、気泡は残らない。次いで高粘度樹脂
層２４を、第２層として塗布する（第２図（Ｂ））。
この段階で、リード線６の周囲から極く少量の気泡が生
じるが、高粘度樹脂層２４が薄く、気泡が僅かなため、
発光ダイオード４の上部には気泡は入り込まない。低粘
度樹脂層２６で完全に封止することが困難なリード線６
は、高粘度樹脂層２４で完全に封止される（第２図（Ｃ
））。この実施例の問題は、発光ダイオード４の上部の
高粘度樹脂層２４の表面が凸状となり、樹脂層２４のレ
ンズ作用で光が屈折される点にある。しかし高粘度樹脂
層２４の厚さは、第４図の従来例に比べ薄く、レンズ作
用による光の屈折は、第４図のものより小さい。なおこ
の問題を避けるには、高粘度樹脂２４をリード線６の部
分にのみ塗布すれば良い。
じるが、高粘度樹脂層２４が薄く、気泡が僅かなため、
発光ダイオード４の上部には気泡は入り込まない。低粘
度樹脂層２６で完全に封止することが困難なリード線６
は、高粘度樹脂層２４で完全に封止される（第２図（Ｃ
））。この実施例の問題は、発光ダイオード４の上部の
高粘度樹脂層２４の表面が凸状となり、樹脂層２４のレ
ンズ作用で光が屈折される点にある。しかし高粘度樹脂
層２４の厚さは、第４図の従来例に比べ薄く、レンズ作
用による光の屈折は、第４図のものより小さい。なおこ
の問題を避けるには、高粘度樹脂２４をリード線６の部
分にのみ塗布すれば良い。
第３図に、樹脂層２４．２６の塗布過程を示す。
図において、３２は樹脂槽で、シリンジ３２から加圧ポ
ンプ３４で樹脂を押し出し塗布する。なお低粘度樹脂層
１６．２６は、シリンジ３２ではなく、スプレーで塗布
することもできる。
ンプ３４で樹脂を押し出し塗布する。なお低粘度樹脂層
１６．２６は、シリンジ３２ではなく、スプレーで塗布
することもできる。
［発明の効果］
この発明では、画像素子アレイとリード線の双方を完全
に封止しながら、受発光素子の上部への気泡の発生を防
止し、画像品質を向上させる。
に封止しながら、受発光素子の上部への気泡の発生を防
止し、画像品質を向上させる。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は実施例の画像装置の製造工程を
表す断面図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は第２の実施例の画
像装置の製造工程を表す断面図、第３図は実施例での樹
脂層の塗布工程を表す正面図である。第４図（Ａ）〜（
Ｃ）は、従来例での画像装置の製造工程を表す断面図で
ある。 図において、 ２ 画像素子アレイ、受発光素
子、 ６ １４．２４ 高粘度樹脂層、 １６．２６ 低粘度樹脂層。
表す断面図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は第２の実施例の画
像装置の製造工程を表す断面図、第３図は実施例での樹
脂層の塗布工程を表す正面図である。第４図（Ａ）〜（
Ｃ）は、従来例での画像装置の製造工程を表す断面図で
ある。 図において、 ２ 画像素子アレイ、受発光素
子、 ６ １４．２４ 高粘度樹脂層、 １６．２６ 低粘度樹脂層。
Claims (1)
- （１）複数の受発光素子を１チップに集積化した画像素
子アレイを基板に搭載するとともに、受発光素子の電極
を基板に設けた電極にリード線で結線した画像装置にお
いて、 前記受発光素子を少なくとも低粘度樹脂により封止し、
かつ前記リード線を少なくとも高粘度樹脂により封止し
たことを特徴とする、画像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2229655A JPH04111366A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 画像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2229655A JPH04111366A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 画像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111366A true JPH04111366A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16895609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2229655A Pending JPH04111366A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 画像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005064696A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-07-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| JP2005242032A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 表示装置 |
| CN101969063A (zh) * | 2010-08-27 | 2011-02-09 | 友达光电股份有限公司 | 像素阵列基板、导电结构以及显示面板 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP2229655A patent/JPH04111366A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005064696A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-07-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| US7666715B2 (en) | 2003-12-30 | 2010-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for the production thereof |
| JP2005242032A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 表示装置 |
| JP4562403B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-10-13 | 京セラ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| CN101969063A (zh) * | 2010-08-27 | 2011-02-09 | 友达光电股份有限公司 | 像素阵列基板、导电结构以及显示面板 |
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