JPH04106961A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、トランスファーモールド法により）々ッケー
ジングされた半導体装置に関する。
［従来の技術］ トランスファーモールド法により／々・ソケージングさ
れる従来の半導体装置においては、リードフレームのダ
イパッドの各辺の寸法をマウントされる半導体チップの
各辺の寸法より０．５ｍｍ以上大きく設計し、半導体チ
ップの各側端面がダイパッドの各端辺より内側に位置す
るように構成されている。これは半導体チップのボンデ
ィングによるマウントの際の接着剤のはみ出しを考慮し
たためである。
第３図及び第４図は、従来のこのような半導体装置を製
造するためにトランスファーモールド法により樹脂を成
形硬化させた状態をそれぞれ示す平面図及び立面図であ
る。ただし、第４図については、理解を容易にするため
一部が省略して表されている。
両図において、１０はリードフレーム、１１はそのダイ
パッド、１２はグイパッド１１上にボンディングされた
半導体チップ、１３はトランスファーモールド用の樹脂
成形金型、１４は金型１３の樹脂注入用ゲートをそれぞ
れ示している。金型１３の内部には、パッケージ部材用
の樹脂が圧入され硬化されている。
Ｅ発明が解決しようとする課題］ 上述したごとき従来の半導体装置によると、ダイパッド
１１の各端辺より内側に半導体チップ１２の各側端面が
位置するようにボンディングか行われている。このため
、樹脂注入時に生じたボイド（気泡）１５が容易に逃げ
ることができずそのまま硬化してしまう不都合かあった
。特に、樹脂注入用ゲート１４の死角となる位置、即ち
樹脂注入用ゲート１４の反対側の半導体チップ１２の側
端面１２ａにボイドは発生し易く、これがそのまま硬化
されてボイド１５が形成されてしまうと、半導体装置の
信頼性が低下する。特に透明樹脂で成型を行うＣ０Ｄ（
電荷結合素子）等の光学半導体装置においては、外観不
良を引き起こす等影響が大きく、歩留りが大幅に低下す
る。
従って本発明の目的は、トランスファーモールド法によ
りパッケージングされる際の半導体チップ側面における
ボイド形成を抑止することができる半導体装置を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］ 上述の目的を達成する本発明の要旨は、半導体チップと
、半導体チップかマウントされたダイパッドを有するリ
ードフレームと、半導体チップ及びリードフレームをモ
ールドした熱硬化性樹脂からなるパッケージ部材とを備
えた半導体装置であって、半導体チップは、その少なく
とも所定の一側端面がこの側端面に対応するダイパッド
の端辺上又はこの端辺より外側に位置するようにダイパ
ッド上にマウントされていることにある。
［作用］ ボイドの発生し易い位置である半導体チップの少なくと
も所定の一側端面、即ち樹脂注入用ゲートの死角となる
位置、例えば樹脂注入用ゲートの反対側に位置する側端
面、がこの側端面に対応するダイパッドの端辺の上か又
はこれより外側に位置されているので、発生したボイド
は硬化する前に逃げ易く、半導体チップ側面におけるボ
イド形成を抑止することができる。
［実施例］ 以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例として、ＣＣＤ等
の光学半導体装置を製造するためにトランスファーモー
ルド法により熱硬化性透明樹脂を成形硬化させた状態を
それぞれ示す平面図及び立面図である。ただし、第２図
については、理解を容易にするため一部が省略して表さ
れている。
両図において、２０はリードフレーム、２１はそのダイ
パッド、２２はダイパッド２１上にボンディングされた
半導体チップ、２３はトランスファーモールド用の樹脂
成形金型、２４は金型２３の透明樹脂注入用ゲートをそ
れぞれ示している。金型２３の内部には、パッケージ部
材用の透明樹脂が圧入され硬化されている。
半導体チップ２２の樹脂注入用ゲート２４の反対側に位
置する側端面２２ａが、ダイパッド２１の対応する端辺
２１ａより外側に突出するように半導体チップ２２はダ
イパッド２１上にボンディングされている。
この側端面２２ａは樹脂注入用ゲート２４の死角となる
位置にあるためボイドが発生し易いが、上述のような形
状とすることにより、発生したボイドは透明樹脂の硬化
前に極めて容易に逃げることができる。その結果、トラ
ンスファーモールド法における半導体チップ側面のボイ
ド形成を確実に抑止することができる。ただし、半導体
チップ２２をダイパッド２１上にボンディングする際は
、接着剤の量を調整してダイパッド２１の外部にはみ出
さないようにする。
上述の実施例では、半導体チップ２２の側端面２２ａが
ダイパッド２１の対応する端辺２１ａより外側に突出し
ているが、この側端面２２ａが端辺２１ａの真上に位置
するように構成してもよい。また、樹脂注入用ゲート２
４の位置によっては、樹脂注入用ゲート２４の反対側に
位置する側端面が複数の側端面となることもある。しか
も樹脂注入用ゲート２４の反対側に位置する側端面２２
ａだけではなく、半導体チップ２２のその他の側端面も
上述のごとくダイパッド２１の端辺の上か又はこれより
外側に位置するように構成してもよい。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように本発明によれば、半導体チッ
プと、半導体チップかマウントされたダイパッドを有す
るリードフレームと、半導体チップ及びリードフレーム
をモールドした熱硬化性樹脂からなるパッケージ部材と
を備えた半導体装置であって、半導体チップは、その少
なくとも所定の一側端面かこの側端面に対応するダイパ
ッドの端辺上又はこの端辺より外側に位置するようにダ
イパッド上にマウントされているため、トランスファー
モールド法によりパッケージングされる際の半導体チッ
プ側面におけるボイド形成を抑止することができる。そ
の結果、半導体装置の信頼性の向上を図ることができ、
特に光学半導体装置においては、外観不良による歩留り
を大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の一実施例として光学半導体
装置を製造するためにトランスファーモールド法により
樹脂を成形硬化させた状態をそれぞれ示す平面図及び立
面図、第３図及び第４図は従来の半導体装置を製造する
ためにトランスファーモールド法により樹脂を成形硬化
させた状態をそれぞれ示す平面図及び立面図である。 ２０・・・・・・リードフレーム、２１・・・・・・ダ
イパッド、２１ａ・・・・・・端辺、２２・・・・・・
半導体チップ、２２ａ・・・・・・側端面、２３・・・
・・・樹脂成形金型、２４・・・・・・透明樹脂注入用
ゲート。 第２図 第３図 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体チップと、該半導体チップがマウントされたダ
    イパッドを有するリードフレームと、該半導体チップ及
    びリードフレームをモールドした熱硬化性樹脂からなる
    パッケージ部材とを備えた半導体装置であって、前記半
    導体チップは、その少なくとも所定の一側端面が該側端
    面に対応する前記ダイパッドの端辺上又は該端辺より外
    側に位置するように該ダイパッド上にマウントされてい
    ることを特徴とする半導体装置。
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