JPH0410670Y2

JPH0410670Y2 -

Info

Publication number: JPH0410670Y2
Application number: JP9874688U
Authority: JP
Priority date: 1988-07-26
Filing date: 1988-07-26
Publication date: 1992-03-17
Also published as: JPH0220319U

Description

【考案の詳細な説明】

産業上の利用分野本考案はチツプ型電子部品に関し、特にチツプ
型積層セラミツクコンデンサにおける端子電極の
構造に関するものである。従来の技術第２図に示すような、一般的な構造をしたチツ
プ型積層セラミツクコンデンサは、次のようにし
て作製される。まず、微細化したセラミツク粉末
と有機バインダを混練した後、ドクターブレード
法によつて、生シートを作製する。次に、このシ
ートを所望の面積に切断し、その表面の片面に、
スクリーン印刷により内部電極を被着・乾燥した
生シートを用意する。次に、内部電極を印刷した
生シートを、電極を印刷しない生シートからなる
保護層で、上下からはさむようにして所望の枚数
を積み重ね、積層体を形成し、熱圧着した後、個
片状態に切断して、生チツプ個片を形成する。こ
の生チツプ個片を焼成して、焼成チツプ１を作製
する。そして、その両端に、銀を主成分として少
量のガラスフリツトを含む導電塗料（導電部材）
を塗布して、端子電極２，２を形成する。最後に
それを焼き付けて、チツプ型積層セラミツクコン
デンサ３を作製する。考案が解決しようとする課題ところで、端子電極２の半田付け性と、半田耐
熱性との関係は、第１表の試験結果に示すよう
に、上記導電塗料の種類（ガラスフリツトの含有
量）に依存するところが大である。そして、上述した従来のチルプ型積層セラミツ
クコンデンサ３は、端子電極２が、１層構造であ
る為、例えば、表中Ａ，Ｂの場合のように、ガラ
スフリツト量を減じて、端子電極２の表面の半田
付け性を向上させると、端子電極２の半田中への
溶解性が増大すると共に、半田耐熱性が低下し、
下地のセラミツク素子が露出してくる。一方、表中Ｃ，Ｄの場合のように、ガラスフリ
ツト量を増して、半田耐熱性を向上させると、端
子電極２の表面の、半田との接合性が低下し、半
田付け性が悪化する。このようにして、回路基板への実装時、半田付
け性と、半田耐熱性の両方を、同時に満足させる
ことは、非常に困難であつた。

【表】本考案の目的は、半田付け性と、半田耐熱性
を、同時に良好とするような、チツプ型積層セラ
ミツクコンデンサ等のチツプ型電子部品を提供す
ることにある。課題を解決するための手段本考案のチツプ型電子部品は、端子電極を２層
構造とし、焼成チツプ上に形成される第１の電極
層と、その上に重合して形成される第２の電極層
に区分し、第１の電極層は、90〜99重量パーセン
トの金属と、１〜10重量パーセントのガラスフリ
ツトとを含む導電部材にて、第２の電極層は、95
〜100重量パーセント金属と、５重量パーセント
以下のガラスフリツトとを含む導電部材にて形成
することにより構成される。作用本考案によれば、チツプ型電子部品の端子電極
において、第１の電極層は、半田耐熱性の向上
を、また、第２の電極層は、半田付け性の向上を
担い、半田耐熱性と半田付け性を、同時に良好と
することができる。また、第１の電極層は、半田
と直接接触せず、半田付け性の性能にかかわらな
いため、導電部材中のガラスフリツト成分を多く
することが可能となり、焼成チツプと端子電極間
の接着強度も向上する。実施例次に、本考案に係るチツプ型積層セラミツクコ
ンデンサの一実施例について、第１図ａ，ｂを参
照して説明する。ここで、ａは斜視図、ｂは側断
面図である。本考案によるチツプ型積層セラミツクコンデン
サは、次のようにして作製される。まず、微細化
したセラミツク粉末と有機バインダを混練した
後、ドクターブレード法によつて、生シートを作
製する。次に、このシートを、所望の面積に切断
し、その表面の片面に、スクリーン印刷により、
内部電極４を被着・乾燥した生シートを用意す
る。次に、内部電極４を印刷した生シートを、電
極を印刷しない生シートからなる保護層で、上下
から挟むようにして所望の枚数を積み重ね、積層
体を形成し、熱圧着した後、個片状態に切断し
て、生チツプ個片を形成する。この生チツプ個片
を、800〜1000℃で焼成し、焼成チツプ５を得る。
次に、この焼成チツプ５の両端に、銀を主成分と
し、１〜10重量パーセントのガラスフリツトを含
む第１層用導電塗料を、浸漬法などにより塗布し
た後乾燥し、600〜850℃で焼成して第１の電極層
６を形成する。次いで、同様に、５重量パーセン
ト以下のガラスフリツトを含有した、銀を主成分
とする第２層用導電塗料を塗布・乾燥した後、
600〜850℃で焼成して、第２の電極層７を形成す
ることにより、２層構造の端子電極８を形成し
て、チツプ型積層セラミツクコンデンサ９を作製
する。次に、ガラスフリツト含有量を変えた第１、第
２層用導電塗料を用い、本実施例により作製した
チツプ型積層セラミツクコンデンサ９について、
半田付け性試験と、半田耐熱性試験を実施した具
体例について、その結果を第２表に示す。表中Ｅ
〜Ｈ仕様の試験結果より、本実施例による積層セ
ラミツクコンデンサ９は、半田付け性試験におけ
る半田被覆率が、85パーセント以上、半田耐熱性
試験における素地セラミツクの露出率が、10パー
セント以下であり、両性能とも、同時に良好な値
が得られた。ここで、第１表と第２表とを比較し
て、分かるように、２層構造の端子電極としたこ
とで、各層のガラスフリツト含有量が１層構造の
ものと同量であつても、半田付け性及び半田耐熱
性共に、原因は明らかでないが、若干良い結果が
得られた。また、前記半田被覆率85パーセント以上、素地
セラミツク被覆率10パーセント以下という値は、
通常の半田付けで行われる半田槽温度約250℃、
10秒浸漬の条件下で半田付け不良を起こさない充
分な値である。

【表】なお、第１層用の導電塗料中のガラスフリツト
量を、１重量パーセント未満とした場合は、焼成
チツプと端子電極の固着強度を低下させ、10重量
パーセントを越える場合は、ガラスフリツトが、
焼成時に、第２の電極層に拡散し、第２の電極層
の半田付け性を低下させるという問題があり、ま
た、第２層用の導電塗料中のガラスフリツト量
が、５重量パーセントを越える場合は、半田付け
性を極端に低下させるという問題がある。尚、上記実施例では、導電部材（導電塗料）の
主成分である金属が銀の場合について示したが、
本考案では、銀以外の金属材料、例えば銅や錫等
や、あるいは銀をも含めそれらの合金であつても
よく、適宜選定すればよい。更に、本考案は、チツプ抵抗、フエライトチツ
プ部品、コンデンサー抵抗ネツトワークなど、端
子電極を持つチツプ型電子部品全てに適用できる
ことはもちろんのことである。考案の効果以上のように、本考案によれば、端子電極が、
第１の電極層と第２の電極層とに区分され、第１
の電極層は、１〜10重量パーセントのガラスフリ
ツトを含む導電部材により、また、第２の電極層
は、５重量パーセント以下のガラスフリツトを含
む導電部材により形成されているので、回路基板
への実装時、半田付け性と半田耐熱性の両方を、
同時に満足させることができる。また、第１の電
極層は、半田付けに関与しないため、ガラスフリ
ツト量をかなり増加できるので、焼成チツプと端
子電極の固着力も向上させることができるという
効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案に係るチツプ型積層セラミツ
クコンデンサの実施例を示す図であり、第１図ａ
は、斜視図、同図ｂは、同図ａのＡ−A'線に沿
う断面図、第２図は、従来のチツプ型積層セラミ
ツクコンデンサの側断面図である。５……焼成チツプ、６……第１の電極層、７…
…第２の電極層、８……端子電極、９……チツプ
型積層セラミツクコンデンサ。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】チツプ型電子部品の端子電極を２層構造とし、
焼成チツプ上に形成される第１の電極層と、その
上に重合して形成される第２の電極層に区分し、第１の電極層は、90〜99重量パーセントの金属
と、１〜10重量パーセントのガラスフリツトとを
含む導電部材にて、第２の電極層は、95〜100重量パーセントの金
属と、５重量パーセント以下のガラスフリツトと
を含む導電部材にて形成したことを特徴とするチ
ツプ型電子部品。